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    供應半導體,制造半導體器件,半導體元件,半導體芯片類技術資料(168元/全套)(
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    半導體,制造半導體器件,半導體元件,半導體芯片類技術資料(168元/全套)(貨到付款)

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    [8178-0177-0001] 半導體芯片用的載體元件
    [摘要] 半導體芯片用的一種載體元件應該既用于裝入各芯片卡中,又用于焊接在用SMD技術的各印刷電路板上。為此合成材料薄膜(1)的銅覆層是通過刻蝕如此結構化的,使各接點面(3)是與終止在載體元件邊緣上的各印制導線(4)整塊構成的,這些印制導線使得可靠的焊接成為可能。
    [8178-0162-0002] 半導體集成電路的襯底和半導體集成電路的制造方法
    [摘要] 本發明的目的在于得到容易制造抗軟錯誤、鎖定、ESD的性能強的集成電路的半導體集成電路的襯底。在形成存儲單元部5、邏輯部6和輸入輸出部8的各部分的區域中,與各部分必須具有的抗軟錯誤、鎖定、ESD的性能相一致,使雜質濃度比襯底單晶51、55低的半導體表面層的膜厚變化。
    [8178-0090-0003] 壓裝在印刷電路板孔內從集成電路到散熱器傳熱的導熱基片
    導熱基片(50)被安裝在印刷電路板(52)的通孔(60)內。然后,集成電路(42)被安裝到導熱基片的一側,而散熱器(90)被安裝到基片的另一側而形成熱接觸。在IC與PC板之間沒有直接的熱接觸。通過給基片的多個部分(71)的法面施加受控的壓力,把導熱基片安裝到PC板內。這種壓力減小了被壓部分的厚度和使被壓部分的面積擴大,從而固定到PC板內。在除了基片的被壓區域外的任何部位,基片與PC板之間都有空氣隙(75)。這樣的被壓區域處于沿基片的周邊(67)處。
    [8178-0074-0004] 用于半導體器件中的接觸故障檢測的裝置和方法
    [摘要] 本發明提供用于半導體器件的接觸故障檢測系統和方法及制造半導體器件的方法。通過將使用掃描電子顯微鏡檢測的電子信號數字化,可以檢測接觸,以識別例如未開口接觸孔的故障。接觸故障檢測是通過將從包括至少一個接觸孔的單元區域檢測的電子信號值與表示對應于正常接觸的電子信號的值相比較進行的。
    [8178-0183-0005] 減小半導體器件中的寄生漏電
    [摘要] 一種溝槽電容器,具有鄰近軸環的擴散區,以增加寄生MOSFET的柵閾值電壓。它能使用較薄的軸環,同時可以得到可以接受的漏電流。在一個實施例中,擴散區是自對準的。
    [8178-0182-0006] 介質分隔式半導體器件
    [摘要] 將第一和第二P-型半導體襯底通過在其間夾上一絕緣膜膠合起來,構成SOI襯底。在P型SOI層中兩襯底的表面形成溝道分隔區,供選擇各元件用,從而通過用氧化膜埋設溝道將元件形成區封閉起來。在此由介電區分隔的元件形成區中形成具有P+型漏極擴散層和P-型漏極擴散層的MOS晶體管。向由溝道分隔區所封閉的元件形成區外的P+擴散層連接的電極和漏極擴散層上加同樣的電位。這樣做的結果是,無需在SOI襯底背面形成電極就可以避免耐壓變差。
    [8178-0077-0007] 層間介電層平坦化制造方法
    [摘要] 一種在半導體元件表面上形成一平坦的層間介電層的制造方法,包括先形成襯底氧化層,在襯底氧化層表面上形成一硼磷硅玻璃層,接著,對硼磷硅玻璃層進行平坦化制造工藝,然后在硼磷硅玻璃層表面上形成上覆氧化層,最后在上覆氧化層表面上形成氮化硅層。
    [8178-0114-0008] 半導體裝置中的布線圖形的自動配置
    [摘要] 一種生成半導體裝置的核的方法,包括設置虛擬塊(10)的步驟,該虛擬塊(10)具有連接到所述核之外的外部電路的外部布線上的接點(14)。此外,該生成半導體裝置的核的方法包括在所述虛擬塊(10)中設置布線禁止區(15)的步驟。配置在該核內的內部布線(17)與接點(14)的連接在所述布線禁止區(15)中是被禁止的。再者,該生成半導體裝置的核的方法包括在該核內至少配置所述虛擬塊(10)的所述接點(14)的步驟。
    [8178-0166-0009] 在半導體器件中形成隔離溝槽的方法
    [摘要] 一種在半導體器件內形成溝槽隔離的方法,通過優化退火溫度由此除去腐蝕半導體襯底的步驟期間引起的襯底缺陷并釋放了應力,增加了溝槽隔離特性,由此提高了器件的成品率和可靠性。
    [8178-0064-0010] 帶有通孔從焊球鍵合位置側向偏移的TAB帶球柵陣列封裝
    [摘要] 本發明提供一種球柵陣列(BGA)封裝,其中BGA的加強板也可用作為導體層。將TAB帶通過粘結劑附到加強板上,而TAB帶和粘結劑兩者都可以具有開向加強板的通孔。由焊膏、導電粘結劑等等制成的導電塞可填充到通孔中,以提供從TAB帶到加強板的電氣連接。通孔可位于接近于焊球的位置。TAB帶可以包括多個導體層或多層單個導體層。TAB帶可以相互層疊,以提供額外的電路路徑。另外,TAB帶的諸層也可以使用金屬箔層加以組合。
    [8178-0148-0011] 用于布線的鋁膜形成方法
    [8178-0017-0012] 用于制造半導體器件的觸點的方法
    [8178-0118-0013] 低噪聲的球柵陣列封裝
    [8178-0196-0014] 鈦膜形成方法
    [8178-0083-0015] 具有阻擋層的斷路閘流管
    [8178-0197-0016] 用于集成電路器件制造的先進介電材料和工藝
    [8178-0023-0017] 紅外傳感器
    [8178-0217-0018] 制備層間絕緣層的工藝和其中使用的汽相淀積系統
    [8178-0072-0019] 形成半導體器件槽隔離的方法
    [8178-0005-0020] 備有執行閃速存儲器存取控制的存取電路的半導體存儲器
    [8178-0100-0021] 等離子體處理裝置及等離子體處理方法
    [8178-0032-0022] 半導體存儲器電路
    [8178-0076-0023] 用于半導體裝置中的絕緣膜和半導體裝置
    [8178-0103-0024] 壓電諧振器和包括它的電子元件
    [8178-0086-0025] 高壓CMOS結構的半導體器件及其制造方法
    [8178-0135-0026] 提高長期穩定性的有機電場致發光器件
    [8178-0206-0027] 金屬絕緣體半導體類型的半導體器件及其制造方法
    [8178-0048-0028] 制造鐵電存儲器件的方法
    [8178-0081-0029] 發光二極管裝置及其制造方法
    [8178-0089-0030] 電平變換電路
    [8178-0129-0031] 半導體器件及其使用的多層引線框架
    [8178-0009-0032] 形成隨機存取存儲器單元陣列的埋藏式電容陣列的方法
    [8178-0205-0033] 固態成像裝置
    [8178-0112-0034] 半導體存儲器
    [8178-0121-0035] 制造卡產品的方法及制造裝置
    [8178-0036-0036] 半導體集成電路器件和制造半導體集成電路器件的方法
    [8178-0060-0037] 制造半導體存儲器件的電容器的方法
    [8178-0145-0038] 制造半導體器件的方法
    [8178-0178-0039] 限流器
    [8178-0136-0040] 半導體器件及其制造方法
    [8178-0045-0041] 半導體器件及其制造方法
    [8178-0027-0042] 半導體光電探測器及其制造方法
    [8178-0030-0043] 異質結雙極型晶體管
    [8178-0022-0044] 碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件
    [8178-0046-0045] 帶有用于焊料塊的基底阻擋膜的半導體器件及其制造方法
    [8178-0201-0046] 制造半導體器件的方法
    [8178-0010-0047] 皇冠型電容結構的制造方法
    [8178-0042-0048] 快閃電性可抹除只讀存儲器
    [8178-0115-0049] 對準鍵合機或拾放機的焊頭的方法和裝置
    [8178-0014-0050] 半導體器件和半導體器件的制作方法
    [8178-0012-0051] 半導體器件及其制造方法
    [8178-0085-0052] 固態成像器件及其制造方法
    [8178-0040-0053] 制造半導體器件的方法
    [8178-0054-0054] 插塞的制造方法
    [8178-0015-0055] 用半球形晶粒制造電容的方法
    [8178-0126-0056] 一種熱電材料制成的鑄板
    [8178-0025-0057] 自對準非易失性存儲單元
    [8178-0156-0058] 熱電組件及其制作方法
    [8178-0149-0059] 帶半球形晶粒的電容器的制造方法
    [8178-0070-0060] 半導體器件的制造方法
    [8178-0020-0061] 半導體裝置、半導體芯片裝載用基板、它們的制造方法、粘合劑和雙面粘合膜
    [8178-0111-0062] 半導體存儲器件及其制造方法
    [8178-0069-0063] 帶有減少的線連接的存儲器
    [8178-0031-0064] 半導體裝置
    [8178-0095-0065] 半導體器件的制造方法
    [8178-0138-0066] 動態隨機存取存儲器單元裝置和其制造方法
    [8178-0061-0067] 形成半導體器件中的自對準接觸的方法
    [8178-0059-0068] 步進分析方法和系統
    [8178-0218-0069] 具有亞芯片規模封裝構造的半導體器件及其制造方法
    [8178-0216-0070] 具有晶片預行預燒的半導體元件與方法
    [8178-0125-0071] 控制半導體設備的方法
    [8178-0158-0072] 多顏色發光二極體
    [8178-0203-0073] 半導體器件生產方法
    [8178-0109-0074] 具有兩對晶體管和一對負載元件的靜態存儲單元
    [8178-0187-0075] 半導體器件
    [8178-0105-0076] 光電子元件與用于制造的方法
    [8178-0199-0077] 從氧化硅膜選擇蝕刻氮化硅膜的方法
    [8178-0058-0078] 降低在蝕刻氮化物時產生微負載的方法
    [8178-0116-0079] 碳化硅上的鋨整流肖特基和歐姆連接以及W/WC/TiC歐姆接觸
    [8178-0062-0080] 熱平衡射頻功率晶體管的均勻鎮流電阻
    [8178-0050-0081] 快閃存儲器分離柵極結構的制造方法
    [8178-0021-0082] 制造半導體薄膜的方法及其所用設備
    [8178-0107-0083] 在阱區間無臺階的半導體器件
    [8178-0096-0084] 半導體器件及其制造方法
    [8178-0184-0085] 非易失P溝道金屬氧化物半導體二晶體管存儲單元和陣列
    [8178-0124-0086] 光掩膜及其曝光方法
    [8178-0127-0087] 電荷耗散場發射器件
    [8178-0150-0088] 在化學敏感型光刻膠上形成圖形的方法
    [8178-0133-0089] 通過采用光滑底電極結構具有改進的存儲保持的薄膜鐵電電容器
    [8178-0174-0090] 半導體裝置及其制造方法
    [8178-0026-0091] 芯片模塊及制造芯片模塊的方法
    [8178-0033-0092] 半導體裝置
    [8178-0131-0093] 用于保持和保護半導體晶片的設備和方法
    [8178-0139-0094] 互補金屬氧化物半導體器件
    [8178-0170-0095] 濺射裝置及用其制造半導體器件的方法
    [8178-0049-0096] 快閃存儲單元的制造方法
    [8178-0188-0097] 具有偽鍵合線的半導體集成電路器件
    [8178-0094-0098] 半導體器件布線布局方法及存儲所用程序的介質
    [8178-0163-0099] 用于改善層厚控制的緩沖層
    [8178-0078-0100] 具有缺陷祛除區的半導體
    [8178-0106-0101] 光電功率產生蓋頂及其安裝方法
    [8178-0185-0102] 電容器及其制造方法
    [8178-0213-0103] 用于傳熱增強連接件的方法和裝置
    [8178-0172-0104] 半導體器件生產裝置及生產方法
    [8178-0088-0105] 半導體集成電路
    [8178-0066-0106] 超快速相變的有機電雙穩器件
    [8178-0068-0107] 熱沉及帶熱沉的存儲器模塊
    [8178-0057-0108] 制造具有不同柵氧化物層的半導體器件的方法
    [8178-0091-0109] 模壓球柵陣列型半導體器件及其制造方法
    [8178-0013-0110] 用于對物體進行視覺檢測的方法和裝置
    [8178-0208-0111] 千瓦功率管
    [8178-0016-0112] 晶片拋光設備及晶片拋光用襯墊
    [8178-0155-0113] 單片多層壓電驅動器及其制造方法
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    [8178-0071-0117] 半導體器件
    [8178-0084-0118] 半導體器件及其制造方法
    [8178-0039-0119] 在鋁/銅金屬線路上除去活性離子蝕刻后的聚合物
    [8178-0154-0120] 硅基片及其制造方法
    [8178-0052-0121] 具有分離柵極與源極注射的快閃存儲器及其制造方法
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    [8178-0123-0123] 一種用于生產具有雙重波紋結構的半導體器件的方法
    [8178-0104-0124] 太陽能電池組件及系統,帶太陽能電池的外罩及安裝方法
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    [8178-0215-0126] 半導體器件及其制造方法
    [8178-0181-0127] 半導體器件及其制造方法
    [8178-0151-0128] 結構化保護層和絕緣層的制備
    [8178-0195-0129] 利用有選擇的外延生長方法的半導體器件制造方法
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    [8178-0171-0131] 用于準確地轉換非均勻厚度光刻膠層中的潛像的工藝
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    [8178-0128-0133] 圖象傳感器芯片及圖象傳感器
    [8178-0063-0134] 集成電路封裝用的芯片級球形格柵陣列
    [8178-0175-0135] 耐腐蝕及耐氣候的分層結構
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    [8178-0093-0139] 半導體裝置
    [8178-0160-0140] 半導體裝置
    [8178-0102-0141] 半導體器件及其制造方法
    [8178-0130-0142] 電子部件和半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子設備
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    [8178-0165-0145] 金屬化系統
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