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[8152-0035-0001] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 解決了有關源/漏吸雜方法中的n溝道tft的現有技術中的問題。在n溝道tft中，其源/漏區僅僅含有n型雜質。因此，比之其源/漏區含有n型雜質和濃度更高的p型雜質的p溝道tft，n溝道晶體管溝道區中的吸雜效率更低。因此，借助于在其源/漏區末端處提供含有n型雜質和p型雜質二者且p型雜質的濃度設置為高于n型雜質的濃度的高效吸雜區，能夠解決n溝道tft中吸雜效率差的問題。
[8152-0098-0002] 發光二極管及半導體激光
[摘要] 雖可確認出于sr2cu2o2膜上成膜n型zno并顯現出二極管特性，然而未能確認出來自二極管的發光。本發明是于顯示出已層合于透明基板上的發光特性的n型zno層上，層合sr2cu2o2、cualo2或cugao2而成的p型半導體中的一種所形成的p-n接合而成為特征的半導體紫外線發光組件。透明基板為單晶基板，尤其以已平坦化成原子狀的三氧化二釔部分安定化氧化鋯(ysz)(111)基板即可。于透明基板上，在基板溫度200～1200℃成膜n型zno，再者于其上成膜由srcu2o、cualo2或cugao2而成的p型半導體層。在不加熱基板下，成膜n型zno層，照射紫外線至該zno膜上，亦可進行結晶化。
[8152-0187-0003] 硅毫微結構,硅量子線陣列的形成方法,以及基于此的設備
一種可控的形成硅量子線陣列之類的硅毫微結構的工藝。在超高真空中，在硅表面濺射氮分子離子的均勻流，以形成周期性波浪形的突起，其中所述突起的走向和soi材料的硅絕緣體邊界相齊。基于在9nm到120nm范圍選擇的波浪形突起的波長，確定離子能量、對于所述材料表面的離子入射角、硅層的溫度、波浪形突起的成型深度、所述波浪形突起的高度以及離子在硅中的穿透距離。具有懸垂邊的氮化硅掩模用于確定形成陣列的硅表面的大小。在濺射之前，在掩模窗口的硅表面上去除雜質。為了形成硅量子線陣列，將soi硅層的厚度選定為大于所述的成型深度、所述的高度和所述的離子穿透距離之和，由soi絕緣體的二次離子發射信號的閾值控制硅線的制造。該毫微結構可以用于諸如fet的光電子和毫微電子設備中。
[8152-0136-0004] 快擦寫存儲單元浮置柵極的制造方法
[摘要] 一種快擦寫存儲單元浮置柵極的制造方法，是使存儲單元(cell)的平坦化效果得以達成，其基本概念在于利用濺射蝕刻或干蝕刻等技術，來蝕刻多晶硅柵極和高密度等離子體氧化層，以定義浮置柵極。在本發明制造方法中，并不形成氮化硅，因而可以簡化工藝，并避免氮化硅所可能帶來的不利影響。
[8152-0039-0005] 發光裝置、制造發光裝置的方法和電子設備
[摘要] 本發明用塑料膜在真空中密封oled。能防止氧或水滲入其中的無機絕緣膜和具有比無機絕緣膜小的內應力的有機絕緣膜層疊在塑料膜的內部。通過將有機絕緣膜夾在無機絕緣膜之間，能釋放應力。另外，通過層疊多個無機絕緣膜，即使無機絕緣膜的一個有裂紋，其它無機絕緣膜也能有效地防止氧或水進入有機發光層中。另外，整個密封膜的應力能夠被釋放，且由應力引起的破裂不經常發生。
[8152-0139-0006] 晶片清洗裝置
[摘要] 一種晶片清洗裝置，其至少包含一旋轉臺面用以支撐晶片，及一旋轉裝置用以帶動該旋轉臺，一可移動或固定的曲型刷除裝置用以清洗晶片的表面，一化學清洗頭用以噴出化學溶劑于晶片的表面，及一阻擋墻，用以收集及阻擋清洗過后的清洗劑，根據本發明的裝置，可在不增加清洗劑使用量下，增進晶片清洗效能。
[8152-0116-0007] 集成電路的內建電感及利用深溝渠阻斷寄生電流的結構
[摘要] 一種在集成電路內利用內建電感元件阻斷寄生電流的元件結構，將側面形成如柵狀結構的相互平行的深溝渠電容元件。利用此深溝渠儲存電荷，可以阻斷基底產生的寄生損失電流。集成電路內有主動元件區，配置復數個主動元件，以場氧化層做隔離。電感在溝渠的正上方，溝渠以干蝕刻形成，深度為0.5微米至10微米之間。
[8152-0021-0008] 發光二極管外延片電致發光無損檢測方法
[摘要] 一種發光二極管外延片的檢測方法，屬檢測儀器領域。本發明是在發光二極管外延片的表面安置正負兩個電極，將一個高壓恒流源接在正負兩極，使發光二極管外延片中的p型層、n型層組成的反向二極管被擊穿。使整個電路導通，引發發光二極管外延片的發光層發光，從而達到檢測的目的。這種測量方法直接、無損、便捷，相對于光致熒光而言還可以得到正向導通電壓、反向漏電流等對于led外延片而言非常重要的電學參數。
[8152-0029-0009] 互補式金氧半圖像感測器的結構及其制造方法
[摘要] 一種互補式金氧半圖像感測器的制造方法，此方法是在基底中形成隔離層，以將基底區隔為二極管感測區以及晶體管元件區。接著，在晶體管元件區形成柵極結構之后，再在柵極結構兩側的晶體管元件區中形成源/漏極區，且同時在光二極管感測區中形成摻雜區。然后，在光二極管感測區上形成自對準絕緣層，再在基底上形成保護層。而后，依序在保護層上形成介電層、金屬導線，再在介電層以及金屬導線上形成保護層，其中介電層以及金屬導線的層數視制作工藝決定，并且在每一介電層之間都形成保護層。
[8152-0167-0010] 半導體存儲器件
[摘要] 半導體存儲器件具有構成存儲單元(mc)的多個完全耗盡型misfet。各misfet具備：半導體層(13)、源極區域(16)和漏極區域(17)，二者之間的半導體層將成為浮置狀態的溝道體、在溝道體的兩面上分別形成的主柵極(15)和輔助柵極(18)。上述misfet在上述溝道體變成為完全耗盡化的狀態下，而且以在上述溝道體的輔助電極一側上可以積累多數載流子的狀態為基準狀態，具有已積累有多數載流子的第1數據狀態和已放出了多數載流子的第2數據狀態。
[8152-0033-0011] 有非發光型顯示器的電子裝置
[8152-0027-0012] 半導體集成電路與d/a轉換器及a/d轉換器
[8152-0064-0013] 覆晶接合結構與形成方法
[8152-0016-0014] 半導體元件用金屬布線的后處理方法
[8152-0153-0015] 雙擺幅式電荷恢復低功耗電路結構
[8152-0190-0016] 采用導電的粘合膜的功率半導體管芯的連接方法
[8152-0192-0017] 用于半導體器件個性化的裝置與方法
[8152-0183-0018] zno基同質結發光二極管
[8152-0205-0019] 在半導體器件上形成多孔介電材料層的方法及形成的器件
[8152-0084-0020] 非易失半導體存儲器件及其制造方法
[8152-0112-0021] 自行對準轉接通道的制作方法
[8152-0143-0022] 金屬薄膜干蝕刻的后處理方法及蝕刻與去光阻的整合系統
[8152-0053-0023] 在非晶體材料上磁控濺射鍺晶體薄膜的方法
[8152-0106-0024] 具有間隙控制器的晶片處理設備的噴頭
[8152-0102-0025] 具有超淺結延伸區的mos裝置的制造方法
[8152-0171-0026] 非易失性半導體存儲裝置
[8152-0186-0027] 工件的超臨界處理的方法和裝置
[8152-0199-0028] 微型顯示器像素單元及其制作方法
[8152-0161-0029] 用于銅/低介電常數材料后段制程的接合墊結構
[8152-0050-0030] 光刻膠層中減小圖案大小的方法
[8152-0111-0031] 晶片組態設定的檢測方法
[8152-0080-0032] 減小尺寸的堆疊式芯片大小的組件型半導體器件
[8152-0013-0033] 改善多孔性低介電薄膜吸水性的方法
[8152-0156-0034] 半導體器件
[8152-0166-0035] 具有金屬硅化物隔離的存儲陣列
[8152-0037-0036] 半導體發光元件
[8152-0017-0037] 混合集成電路裝置的制造方法
[8152-0041-0038] 以有機高分子為粘結劑的三元復合磁電材料及其制備方法
[8152-0095-0039] 用傾斜壁基座進行的被動對齊
[8152-0082-0040] 包括納米管電子源的數據存儲裝置
[8152-0007-0041] 射頻等離子體分子束外延生長氮化鎵的雙緩沖層工藝
[8152-0068-0042] 一種可消除硅錐現象影響的雙硬掩膜cmp工藝
[8152-0174-0043] 長壽命的發光二極管集成器件
[8152-0175-0044] 用高介電系數膜的表面(橫向)耐壓結構
[8152-0071-0045] 細微孔的埋入方法
[8152-0107-0046] 射頻臺式硅二極管玻璃鈍化制備方法
[8152-0157-0047] 快閃存儲器位線上的電性絕緣層的制造方法
[8152-0059-0048] 于一半導體晶片表面上沉積一薄膜的方法
[8152-0140-0049] 制作電絕緣層的方法
[8152-0055-0050] 半導體片兩面實施材料去除切削的方法
[8152-0152-0051] 半導體器件及其制造方法
[8152-0009-0052] 用于切割的粘合片
[8152-0122-0053] 有機半導體器件及其制造工藝
[8152-0011-0054] 半導體器件的生產方法及其使用的漿體
[8152-0062-0055] 一種防止mos晶體管發生柵極貧化現象的方法
[8152-0036-0056] 半導體發光器件雙異質結構及發光二極管
[8152-0115-0057] 單片ic封裝
[8152-0044-0058] 具有最佳鍺分布的硅鍺雙級晶體管
[8152-0137-0059] 利用化學干蝕刻形成圓弧化邊角的方法
[8152-0073-0060] 抑制存儲器陣列位線間漏電的方法
[8152-0118-0061] 只讀存儲器
[8152-0141-0062] 制備無孔洞的金屬間介電層的方法
[8152-0125-0063] 傳送式基板處理裝置
[8152-0176-0064] 垂直溝道場效應晶體管及制備方法
[8152-0023-0065] 具有埋置的導電條的半導體結構,以及產生與埋置的導電條電接觸的方法
[8152-0088-0066] 制作濾光片的方法
[8152-0121-0067] 大功率照明發光二極管
[8152-0128-0068] 傾斜式除液裝置
[8152-0168-0069] 具有雙頂氧化層的氮化物唯讀記憶胞結構及其制造方法
[8152-0047-0070] 高速拾取與放置裝置
[8152-0214-0071] 金屬內連線的制作方法
[8152-0120-0072] 半導體裝置及其制造方法
[8152-0130-0073] 半導體器件
[8152-0046-0074] 雙位多值彈道monos存儲器及其制造方法和該存儲器的編程以及動作過程
[8152-0075-0075] 氮化硅只讀存儲器的制造方法
[8152-0158-0076] 氮化物只讀存儲器及其制造方法
[8152-0194-0077] 多層物體調溫處理的裝置和方法和多層物體
[8152-0146-0078] mos晶體管及其制造方法
[8152-0058-0079] 一種干法去除硅化物形成過程中多余金屬的方法
[8152-0034-0080] 有非發光型顯示器的電子裝置
[8152-0040-0081] 液相電沉積n-型及p-型一維納米線陣列溫差電材料及設備和制備方法
[8152-0030-0082] 制造半導體部件的方法和半導體部件
[8152-0057-0083] 晶片刻蝕機的操作方法
[8152-0210-0084] 處理機中半導體器件傳送裝置
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[8152-0054-0086] 制作不同電阻值的輕摻雜漏極的方法
[8152-0124-0087] 搖動噴淋型傳送式基板處理裝置
[8152-0008-0088] 半導體器件和制造半導體器件的方法
[8152-0005-0089] 半導體器件的制造方法和電子設備的制造方法
[8152-0086-0090] 絕緣雙極性柵晶體管裝置及制法、控制其切換速率的方法
[8152-0042-0091] 形成金屬布線的方法和用于形成金屬布線的半導體制造設備
[8152-0056-0092] 化合物半導體裝置的制造方法
[8152-0010-0093] 灰化裝置,灰化方法及用于制造半導體器件的方法
[8152-0127-0094] 密封件、以及使用該密封件的片料容納容器
[8152-0022-0095] 半導體存儲器件及其制造方法
[8152-0160-0096] 具高密度散熱鰭片的散熱器及其組裝方法
[8152-0150-0097] 測量集成半導體組件在高溫時的可靠性的裝置和方法
[8152-0077-0098] 電路板及其制作方法和高輸出模塊
[8152-0018-0099] 芯片封膠方法及其雙界面卡的封裝方法
[8152-0109-0100] 銅化學機械研磨中減少碟陷的方法
[8152-0076-0101] 半導體裝置
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[8152-0094-0103] 減少靜摩擦和鈍化微電機表面的晶片水平處理方法及其所用化合物
[8152-0138-0104] 碲鎘汞紅外雙波段探測器深臺面的腐蝕設備和方法
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