半導體,制造半導體器件,半導體襯底,半導體處理最新技術匯編(168元/全套)
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[8108-0007-0001] 除去光刻膠和蝕刻殘渣的方法
[摘要] 提供等離子體灰化的方法，以除去在介電層的前一等離子體蝕刻過程中形成的光刻膠殘余物和蝕刻殘渣。灰化方法使用牽涉兩步的等離子體工藝和含氧氣體，其中在第一清洗步驟中向基片施加低或零偏壓，從基片上除去大量光刻膠殘余物和蝕刻殘渣，另外從腔室表面上蝕刻并除去有害的氟烴殘渣。在第二步清洗步驟中向基片施加增加的偏壓，以便從基片上除去剩余的光刻膠和蝕刻殘渣。兩步工藝降低在常規的一步灰化工藝中常常觀察到的記憶效應。可使用終點檢測方法監控灰化工藝。
[8108-0112-0002] 具有表面橫向3d-resurf層的新型功率器件
[摘要] 本發明提供的一種具有表面橫向3d-resurf層的新型功率器件，它是在功率器件表面引入高摻雜的3d-resurf層，所述的表面橫向3d-resurf層結構是由導電類型相反的半導體區域4和半導體區域5相間排列而成，半導體區域4和半導體區域5的交接面與所述功率器件工作時的表面電壓降方向平行。通過提供一個低電阻通道來降低器件的導通損耗，與普通的功率器件相比，可以達到同等耐壓下導通電阻降低50％以上的目的，同時，它具有導通電阻對表面電荷不敏感和與vlsi工藝兼容的特點。
[8108-0207-0003] 集成電路模塊中的安裝結構
本發明的實施例包括用于高密度安裝的集成電路模塊結構。一實施例包括：一個布線板，在它的至少一個表面上具有一安裝空間，該空間具有在第一方向中確定的安裝長度和在第二方向中確定的安裝寬度；以及多個集成電路封裝，其具有的封裝安裝組合長度長于布線板的安裝長度。一個實施例也可以具有多個集成電路封裝中直接安裝在安裝空間上的一些封裝，同時其它封裝間接安裝在安裝空間上。本實施例可以具有水平上相互交疊并垂直上相互隔開的封裝。實施例允許即使當集成電路芯片或封裝尺寸增加時，在有限的面積中安裝多個芯片或封裝，同時不改變集成電路模塊的形狀因素。
[8108-0118-0004] 晶體管器件
[摘要] 一種晶體管器件(8)，包含基本透明鋼鐵礦材料的p型溝道(10)。源和漏接點(12、14)與該溝道(10)交接。柵電介質(18)位于柵接點(16)和該溝道(10)之間。
[8108-0108-0005] 固態取像裝置,固態取像系統和用于驅動該固態取像裝置的方法
[摘要] 一種固態取像系統，其包括柵電壓控制單元31和襯底電壓控制單元32，用于不增加讀出電壓而防止產生如殘留圖像的缺陷圖像。在讀出時段期間，柵電壓控制單元31將讀出電壓加到柵電極17上。襯底電壓控制單元32將固定反偏電壓穩定地施加到半導體襯底11上，以使過度地存儲在光電轉換單元14中的電荷溢出到半導體襯底11的一側，而不溢出到電荷存儲單元13，且在部分或全部讀出時段期間施加特定反偏電壓，該特定反偏電壓將半導體襯底11和阱12之間的勢壘升高到高于當施加固定反偏電壓時的其高度。
[8108-0033-0006] 半導體設備
[摘要] 公開了一種半導體設備，例如dram存儲器設備。半導體材料的基底(12)被提供有形式為盒狀區域(38)的能帶調整裝置，且該基底由一絕緣層(14)覆蓋。半導體層(16)其中形成有源區(18)和漏區(20)，用以限定各場效應晶體管的體(22)。盒狀區域(38)的摻雜濃度高于相鄰的體(22)，但低于對應的源區(18)和漏區(20)，且其調整體(22)的價帶和/或導帶，以提高可存儲于體(22)內的電荷的數量。
[8108-0202-0007] 集成電路組件與其制造方法以及三維集成電路組件
[摘要] 一種半導體集成電路與其制法，包括一基底與多個微電子組件，每個微電子組件包括一圖案化特征(patterned feature)于該基底上，其中該圖案化特征(patterned feature)包括至少一電性接觸窗，此集成電路也包括多層內聯機層用以將電能分布至多個微電子組件，此內聯機層包括多個導體構件與每個內聯機層相對應，其中該至少一隨后形成的內聯機層的構件與至少一與其相鄰的內聯機層的構件岔開，此集成電路組件尚包括多個接合墊與至少一個內聯機層的多個構件接觸。
[8108-0071-0008] 半導體裝置的制造方法、半導體裝置、電路基板、電子設備
[摘要] 一種半導體裝置的制造方法，其中，上述半導體裝置，包括從形成電子電路的基板的有源面側向該基板的背面側貫通的連接端子、在上述有源面上與上述連接端子電連接的導電圖形，上述制造方法，包括在上述有源面側形成用于埋入上述連接端子的孔部的工序、在上述孔部及與該孔部相連的有源面上的位置上匯總形成成為上述連接端子及上述導電圖形的導電膜的工序、通過研磨上述導電膜進行平整化的工序、減小上述基板的厚度使上述連接端子的一部分在上述基板背面側露出的工序。
[8108-0030-0009] 位線結構及其制造方法
[摘要] 本發明系有關于一種位線結構，這種位線結構系具有表面位線(dlx)及埋入位線(slx)，其中，埋入位線(slx)系形成于具有渠溝隔離層(6)之渠溝中，且，系經由渠溝上部區域之覆蓋連接層(12)及自對準接頭層(13)接觸摻雜區域(10)。
[8108-0074-0010] 半導體裝置測試裝置、測試系統及測試方法
[摘要] 本發明關于半導體裝置測試裝置（6）、半導體裝置測試系統（5）、及半導體裝置測試方法，用于使半導體裝置（1a、1b）上下定位測試接觸，其中連接至一個裝置模塊（2）的至少兩個半導體裝置（1a、1b）被提供，第一半導體裝置（1a）的至少一個端腳（3a）被電傳導地與墊片（4a）連接，第二半導體裝置（1b）的至少一個端腳（3b）被電傳導地與該墊片連接，包括：將第一值寫入該第一半導體裝置（1a）的內存胞元；將與該第一值不同的第二值寫入該第二半導體裝置的內存胞元；同時輸出對應于該第一半導體裝置的該端腳的該第一值之信號及對應于該第二半導體裝置的該端腳的該第二值之信號。
[8108-0133-0011] 半導體發光器件
[8108-0175-0012] 制備多晶系膜層的激光退火裝置及形成多晶系膜層的方法
[8108-0102-0013] 自修復半導體及其系統
[8108-0100-0014] 多管芯處理器
[8108-0048-0015] 制造半導體器件的方法和裝置
[8108-0049-0016] 半導體器件及其制造方法
[8108-0163-0017] 半導體器件及其制造方法
[8108-0198-0018] 復合式多流向散熱器
[8108-0032-0019] 薄膜晶體管陣列面板
[8108-0151-0020] 半導體處理系統中的端口機構
[8108-0015-0021] 具有位線隔離的內存制造方法
[8108-0147-0022] 半導體器件及形成圖形方法
[8108-0028-0023] 形成非易失可變電阻器件的方法以及形成包含硒化銀的結構的方法
[8108-0105-0024] 半導體器件的電容器及其制造方法
[8108-0157-0025] 有機半導體結構物、其制造方法和有機半導體裝置
[8108-0106-0026] 半導體集成電路器件
[8108-0093-0027] 芯片球柵陣列封裝結構
[8108-0068-0028] 半導體封裝件模制系統的多余物等分離裝置
[8108-0148-0029] 用壓電微涂布法形成印刷電路板的結構
[8108-0109-0030] 一種用于降低暗電流信號之影像傳感器及其制造方法
[8108-0203-0031] 具高靜電放電防護耐受能力的高壓組件結構
[8108-0135-0032] 多層雙軸取向隔離層結構及高溫超導涂層導體和制備方法
[8108-0180-0033] 扁平塑封球柵陣列封裝所用的載板的制造方法及其載板
[8108-0204-0034] 多芯片封裝、其中使用的半導體器件及其制造方法
[8108-0186-0035] 在半導體器件中形成接觸的方法
[8108-0016-0036] 半導體器件和半導體器件的組裝方法
[8108-0086-0037] 高布線能力的微過孔基板
[8108-0090-0038] 半導體裝置制造用粘結膜
[8108-0183-0039] 電子封裝測試結果的標記方法
[8108-0189-0040] 增大硅片單位面積金屬-電介質-金屬電容容量的方法
[8108-0009-0041] 用于可調靜電夾盤的可變溫度處理
[8108-0111-0042] 固態成像裝置及其制造方法
[8108-0029-0043] 非易失性觸發器
[8108-0154-0044] 半導體器件封裝件及具有懸伸出引線框接合區的管芯的引線框
[8108-0001-0045] al系ⅲ-v族化合物半導體的氣相生長方法、al系ⅲ-v族化合物半導體的制...
[8108-0138-0046] 低成本的半橋驅動器集成電路
[8108-0165-0047] 改善半導體組件不同圖案間關鍵尺寸的一致性的方法及裝置
[8108-0026-0048] 用于為電子電路制作復制保護的方法以及相應元件
[8108-0060-0049] 制造凹式柵極結構的方法
[8108-0018-0050] 載體、制造載體和電子器件的方法
[8108-0150-0051] 校準和使用半導體處理系統的方法
[8108-0129-0052] 半導體發光元件、其制造方法以及半導體裝置
[8108-0131-0053] 垂直結構的半導體芯片或器件（包括高亮度led）及其批量生產方法
[8108-0124-0054] 真空層壓裝置及真空層壓方法
[8108-0145-0055] 產生電感耦合等離子體的設備及其方法
[8108-0080-0056] 銅內連線的制作方法
[8108-0053-0057] 無線設備和半導體器件
[8108-0082-0058] 半導體集成電路的制備方法
[8108-0213-0059] 半導體器件中的節點接觸結構及其制造方法
[8108-0191-0060] 制造層順序方法及制造集成電路方法
[8108-0127-0061] 發光裝置
[8108-0196-0062] 覆晶封裝體
[8108-0212-0063] rram存儲器單元電極
[8108-0004-0064] 用于蝕刻通孔的改進方法
[8108-0187-0065] 犧牲無機聚合物金屬間介質鑲嵌布線和過孔襯里
[8108-0070-0066] 半導體裝置的制造方法
[8108-0195-0067] 可攜式電腦集成電路的散熱組件
[8108-0101-0068] 集成有功率檢測電路的無線輸出芯片及相關制造方法
[8108-0041-0069] 用于在響應電啟動以移動一對相對表面的裝置
[8108-0022-0070] 用于模制電壓差分器設計的動態電壓標定方案
[8108-0192-0071] 將電子編程到非易失性存儲單元浮柵上的改進方法
[8108-0059-0072] 選擇性電鍍半導體器件的輸入/輸出焊盤的方法
[8108-0020-0073] 電子器件的制造方法以及電子器件
[8108-0200-0074] 打線接合封裝體
[8108-0042-0075] 用于電阻可變存儲器的硒化銀/硫族化物玻璃疊層
[8108-0081-0076] 在半導體裝置中形成金屬接點的方法
[8108-0011-0077] 用于連結基片的處理和復合元件
[8108-0010-0078] 用于輸入/輸出位置的共用球型限制冶金
[8108-0172-0079] 等離子體處理方法和等離子體裝置
[8108-0117-0080] 薄膜晶體管的結構及其制造方法
[8108-0014-0081] 制造具低電阻的含金屬層之方法
[8108-0107-0082] 具有通過層疊模板層的局部非晶化和再結晶而形成的選定半導體晶向的平坦襯底
[8108-0160-0083] 改良的聚合物緩沖層及其在發光二極管中的應用
[8108-0002-0084] 窗型探針、等離子體監視裝置及等離子體處理裝置
[8108-0142-0085] 采用uhv-cvd制作的應變si基底層以及其中的器件
[8108-0216-0086] 半導體器件及其制備方法
[8108-0156-0087] 電信號傳輸線
[8108-0171-0088] 晶片保護裝置
[8108-0063-0089] 電容介電層結構及其制造方法
[8108-0019-0090] 制造電子器件的方法
[8108-0003-0091] 縱型熱處理裝置
[8108-0193-0092] 芯片封裝結構
[8108-0036-0093] 光發射器件及使用其的照明器
[8108-0023-0094] 互連結構及方法
[8108-0113-0095] 內置功率mos場效應晶體管和驅動電路的半導體裝置
[8108-0201-0096] 具有鋁配線的半導體器件
[8108-0087-0097] 布線電路板
[8108-0115-0098] 半導體器件及其制造方法
[8108-0094-0099] 半導體元件熱輻射結構及散熱器
[8108-0143-0100] 制造半導體器件的設備和方法及上述設備中用的清潔方法
[8108-0159-0101] 有機電子器件及其生產方法
[8108-0218-0102] 半導體器件
[8108-0088-0103] 布線電路板
[8108-0095-0104] 熱傳導性復合片材
[8108-0136-0105] 壓電泵
[8108-0176-0106] 一種形成翅片場效應晶體管的方法
[8108-0155-0107] 電子電路部件
[8108-0061-0108] 處理裝置部件的裝配機構及其裝配方法、鎖定機構及其鎖定方法
[8108-0125-0109] 太陽能電池組件
[8108-0208-0110] ic、ic上的隨機存取存儲器和保持ic中性能的方法
[8108-0069-0111] 用來對晶片層面封裝件進行流體填充的系統和方法
[8108-0152-0112] 半導體器件以及半導體器件的制造方法
[8108-0126-0113] 發光元件的電極結構
[8108-0078-0114] 具有自對準柵導電層的非易失性半導體存儲器及其制造方法
[8108-0217-0115] 具有一分開井結構的隔離的高電壓ldmos晶體管
[8108-0043-0116] 一種半導體熱工藝的水冷裝置
[8108-0045-0117] 一種半導體器件和制作方法
[8108-0038-0118] 熱電變換材料及其制造方法
[8108-0056-0119] 半導體元件和在其中形成多晶硅層的制造方法
[8108-0209-0120] 具有層疊的節點接觸結構的半導體集成電路及其制造方法
[8108-0177-0121] 一種mosfet半導體及其制造方法
[8108-0206-0122] 多芯片封裝體
[8108-0116-0123] 具有改善閉鎖電壓和導通電阻性能的橫向fet結構及方法
[8108-0169-0124] 溝槽的后處理方法與裝置
[8108-0166-0125] 高質量氮化物半導體薄膜及其制作方法
[8108-0024-0126] 包含集成格狀電容器結構的半導體組件
[8108-0040-0127] 響應于電氣激活移動具有一對相對表面的向后折疊臂的裝置
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[8108-0190-0130] 混合模式制程
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[8108-0162-0133] 半導體裝置的制造方法
[8108-0083-0134] 選擇性去除半球狀硅晶粒層的方法及深溝槽電容器的制法
[8108-0096-0135] 電路組件
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[8108-0077-0137] 插座/或轉接器裝置及將對應半導體組件加載插座/或轉接器裝置的裝置及方法
[8108-0099-0138] 靜電放電保護器件及其制造方法
[8108-0161-0139] 一種顯示面板的制作方法
[8108-0205-0140] 多芯片封裝
[8108-0067-0141] 半導體裝置的制造方法及其制造裝置
[8108-0130-0142] 氮化物半導體發光器件
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[8108-0012-0146] 脫模層轉移用薄膜及層合薄膜
[8108-0006-0147] 等離子體處理裝置及其隔板
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[8108-0052-0149] 設計圖形校正方法、掩模制造方法及半導體器件制造方法
[8108-0120-0150] 半導體裝置
[8108-0062-0151] 一種金屬配線的多步干法刻蝕方法
[8108-0076-0152] 表面檢查裝置
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[8108-0079-0154] 一種金屬布線上層間膜的二步淀積法
[8108-0132-0155] gan基ⅲ-ⅴ族氮化物發光二極管及其制造方法
[8108-0098-0156] 半導體器件
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[8108-0215-0176] 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法
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