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[8126-0013-0001] 可改善銅金屬層結構的表面處理方法
[摘要] 本發明涉及一種可改善銅金屬層結構的表面處理方法，包括下列步驟：(a)提供一表面具有介電層的半導體基底，且所述介電層形成有一溝槽；(b)在所述介電層表面及溝槽表面依序形成一順應性的阻障金屬層及銅晶種層；(c)施行一旋轉噴灑程序，在所述銅晶種層表面形成一液態活化層以活化所述銅晶種層表面；以及(d)施行一電鍍程序，以在所述銅晶種層表面形成一銅金屬層并填滿所述溝槽。利用本發明的方法將可改善所形成的銅金屬層結構，減少銅金屬層內部缺陷的出現。
[8126-0020-0002] 利用導熱元件擴大散熱模組面積的結構
[摘要] 本發明公開了一種利用導熱元件擴大散熱模組面積的結構，是在散熱片對應其基座的側邊鉆設復數個洞孔，再于兩兩散熱片的洞孔之間植入導熱元件，由該導熱元件將復數組散熱片連接，同時由導熱元件填補洞孔以達到高效率傳熱效果。
[8126-0060-0003] 等離子體處理裝置和高頻電力供給裝置
本發明的等離子體處理裝置包括：處理容器，其內部可減壓；第1電極，配置在所述處理容器內；處理氣體供給部件，用于將處理氣體供給到所述處理容器內；高頻電源部，輸出具有vhf帶頻率的高頻電力；匹配器與所述高頻電源部和所述第1電極電連接，獲得阻抗的匹配；以及傳輸線路，從所述高頻電源部至所述匹配器傳輸所述高頻電力。在所述處理容器內可配置被處理基板，通過傳輸到所述第1電極的所述高頻電力產生的等離子體，可對該被處理基板實施等離子體處理。所述傳輸線路比可產生所述高頻電力的第3高次諧波的諧振狀態的最短長度短。
[8126-0075-0004] 防止深渠溝的頂部尺寸擴大的領型介電層制程
[摘要] 一種防止深渠溝的頂部尺寸擴大的領型介電層制程，是于先進行一離子布植制程，于一深渠溝頂部開口周圍的半導體硅基底的表面區域形成一離子布植區，再去除深渠溝電容器以外的氮化硅層，而后再于該離子布植區以外的該深渠溝的暴露側壁上長成一第一氧化層。該離子布植制程是利用n2作為離子源，用來抑制該第一氧化層的成長，且該離子布植區的深度是相對應于一預定埋入帶擴散區域的深度，是至少環繞該深渠溝頂部開口的一部分外圍，且鄰近于一預定埋入帶擴散區域。
[8126-0052-0005] 長余輝發光二極管
[摘要] 本發明為一種長余輝發光二極管，由短波長發光二極管晶粒及添加長余輝熒光材料所組成，利用波長250、450nm的短波長發光二極管晶粒，只要經數分鐘短時間照射激發長余輝熒光材料，即可使長余輝熒光材料持續數小時發出熒光。其特點為通電時間短、發光時間長、具有省電、增加產品壽命、制作容易、可調整成任意光色及雙色使用。利用本產品的特點可應用于長時間指示用光源，尤其適于制作手機按鍵與液晶顯示幕背光，和災難停電時使用的逃生路線指示及照明，以及交通號志。
[8126-0175-0006] 固態成像裝置及其制造方法
[摘要] 涂敷粘合劑的傳輸薄膜被粘合到形成在玻璃基底上的多個隔板。玻璃基底放置在工作臺上，傳輸薄膜的一端被固定到纏繞輥。剝離引導器設置在傳輸薄膜之上的位置。纏繞輥在工作臺水平移動時，被驅動纏繞傳輸薄膜。在纏繞傳輸薄膜時，玻璃基底和傳輸薄膜之間的角度保持恒定。在傳輸薄膜被剝離之后，粘合劑被均勻地傳輸到每個隔板。
[8126-0023-0007] 組合式導熱模組
[摘要] 一種組合式導熱模組，是以壓鑄或鑄造技術將熱傳導超導管、體與熔融的金屬結合在一起，使得熱傳導超導管、體的全部或局部被包覆在金屬內并形成塊狀體，該塊狀體甚至可以同時一體成型出復數鰭片，使該塊狀體也具散熱性能或可在塊狀體以外加固定方式，加入單個或復數組鰭片，使該塊狀體也具有散熱性能；也可將復數個導熱模組以疊合的方式組合固定而形成導熱模組，以適于將該導熱模組固定在任何需要媒介快速傳熱、散熱之處。
[8126-0103-0008] 集成電路中檢查層之間的覆蓋偏移的修正
[摘要] 用于確定坐標系統的原點之間的偏移的第一方法，用于對其上排列集成電路的晶片檢查至少兩個不同的缺陷檢查，包括：建立包含集成電路晶片的至少兩個檢查層上排列的缺陷的位置數據的數據庫；確定層間缺陷的最大偏移；確定層內缺陷的最小間距；對間距大于最小間距的全部缺陷，從數據庫搜索包含偏移小于最大偏移的層間缺陷對；計算每個層間缺陷對的實際偏移；確定實際偏移是否是隨機分布；如果它們不是隨機分布，識別實際偏移的密集區；并得到至少兩層的原點之間的偏移估計和對所述實際偏移的估計的置信值。第二種方法包括：從數據庫識別至少一個有缺陷數nd的芯片，其中0≤nd≤k，此處k是小于或等于5的整數；在至少一個芯片上識別全部層間缺陷對；計算每個層間缺陷對的實際偏移，以代替確定層間缺陷的最大偏移和代替確定層內缺陷的最小間距。
[8126-0186-0009] 形成瓶型溝槽的方法及瓶型溝槽電容的制造方法
[摘要] 本發明揭示一種瓶型溝槽的制造方法。首先，在一基底的溝槽下半部填入一導電層，且其被一具摻雜層所包圍。接著，在基底上及溝槽上半部順應性形成一氮化硅層。之后，對基底實施一熱處理以在鄰近具摻雜層的基底中形成一摻雜區。接著，非等向性蝕刻氮化硅層以在溝槽上半部側壁形成一項圈氮化硅層，并作為罩幕以依序去除導電層及具摻雜層而露出摻雜區表面。接著，部分氧化摻雜區以形成一摻雜氧化區，再去除摻雜氧化區以構成一瓶型溝槽。最后，在瓶型溝槽下半部依序順應性形成一粗糙復晶硅層。本發明亦揭示一種瓶型溝槽電容的制造方法。
[8126-0131-0010] 基座軸的真空泵吸
[摘要] 在此所提供的是一種提高在將材料膜沉積到襯底的過程中所使用的基座的支撐板的平面度的方法，包括下列步驟：將軸的中空芯中的壓力減小到低于大氣壓的水平；以及將沉積室中的壓力減小到將材料膜沉積到襯底上所要求的水平，其中在軸的中空芯中的壓力作用于支撐板的下表面上，該下表面被連接到軸且與軸的中空芯相對接，沉積室中的壓力作用于支撐板的適于支撐襯底的上表面上，由此來提高平面度。還提供了基座和將膜沉積到被固定至本發明的基座上的襯底上的方法。
[8126-0107-0011] 封裝的管芯封裝件上的直接增加層
[8126-0063-0012] 場效晶體管的一種閘極結構的制造方法
[8126-0195-0013] 半導體芯片模塊及其散熱總成
[8126-0014-0014] 半導體器件的制造方法
[8126-0017-0015] 半導體裝置的制造方法
[8126-0008-0016] 相對于支撐臺定位基片的方法與設備
[8126-0034-0017] 半導體集成電路器件
[8126-0187-0018] 瓶型溝槽電容的制造方法
[8126-0157-0019] 微晶圖制作過程
[8126-0188-0020] 半導體集成電路器件
[8126-0097-0021] 發光二極管燈
[8126-0150-0022] 制造合并型半導體裝置的方法
[8126-0147-0023] 制程水路系統
[8126-0214-0024] 減少埋層接觸帶外擴散的半導體結構、其制造方法以及半導體存儲器裝置的形成方...
[8126-0011-0025] 多層半導體集成電路結構的制作方法及其電路結構
[8126-0027-0026] 固體攝象裝置及其制造方法
[8126-0206-0027] 靜電放電保護機構及應用此機構的液晶顯示板
[8126-0070-0028] 半導體裝置的制造方法
[8126-0130-0029] 制造熱穩定mtj單元的方法和裝置
[8126-0100-0030] 在絕緣體上的外延半導體結構和器件
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[8126-0173-0032] 半導體器件的制造方法
[8126-0183-0033] 基片支撐件
[8126-0055-0034] 采用微電-機系統制造技術的射頻元件及其制造方法
[8126-0170-0035] 用于非易失性存儲器的氧-氮-氧介電層制造方法
[8126-0192-0036] 形成cmos晶體管的方法
[8126-0035-0037] 半導體裝置
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[8126-0161-0039] 一種實時摻氮生長p型氧化鋅晶體薄膜的方法
[8126-0218-0040] 半導體器件及其制造方法
[8126-0163-0041] 具有局部蝕刻柵極的半導體結構及其制作方法
[8126-0109-0042] ac性能改進的高電壓npn雙極型器件的生產方法
[8126-0003-0043] 一種半導體測試用的檢測卡
[8126-0098-0044] 形成磁性隨機存取存儲器的磁性隧道結層的方法
[8126-0093-0045] 白光發光裝置
[8126-0210-0046] 可同時具有部分空乏晶體管與完全空乏晶體管的芯片及其制作方法
[8126-0132-0047] 薄膜形成裝置的洗凈方法
[8126-0204-0048] 半導體器件及其設計方法
[8126-0143-0049] 記憶胞元
[8126-0160-0050] 一種制備p型zno晶體薄膜的方法
[8126-0056-0051] 低電流和高速相變存儲設備及用于驅動這種設備的方法
[8126-0162-0052] 氣化器
[8126-0211-0053] 半導體器件
[8126-0182-0054] 用于測試半導體器件的處理器
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[8126-0001-0058] 樹脂密封半導體器件、樹脂密封的方法和成型模具
[8126-0105-0059] 通過交替層間電介質實現的無刻蝕阻止層的雙鑲嵌互連
[8126-0073-0060] 半導體裝置
[8126-0058-0061] 在絕緣體上制造應變結晶層的方法和半導體結構及得到的半導體結構
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[8126-0191-0065] 半導體裝置制造方法
[8126-0136-0066] 在充作基板之基礎芯片上具至少一半導體芯片之半導體組件及制造該組件之方法
[8126-0174-0067] 具有鰭片結構的半導體元件及其制造方法
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[8126-0040-0069] 快閃存儲胞及其制造方法
[8126-0155-0070] 具有用于防止水從外部進入電路區的保護環的半導體器件
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[8126-0087-0072] 固態成像裝置、信號處理裝置、攝像機及光譜裝置
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