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[8155-0098-0001] 半導體用粘接膜、使用了該膜的引線框、半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明涉及半導體用粘接膜、使用了該膜的引線框、半導體裝置及其制造方法。該半導體用粘接膜的特征是由至少一層可用于半導體用粘接膜的樹脂形成的樹脂層構成，與引線框粘接后的樹脂層和引線框在25℃下的90度剝離強度在5n/m以上，用封裝材料封裝后的樹脂層與引線框及封裝材料在0～250℃的溫度范圍內的至少一個溫度下的90度剝離強度都在1000n/m以下。
[8155-0119-0002] 一種可自由變色的發光裝置
[摘要] 本發明公開了一種可自由變色的發光裝置，由燈罩、發光二極管和控制部分組成，發光二極管共用一個陽極，三個陰極的杯罩上分別放置紅色、綠色、藍色的發光晶片，與陽極導通，控制部分為內置有多種發光顏色組合模式的ic電路。發光二極管可采用燈泡型或貼片型。通過ic來實現改變二極管工作周期(duty cycle)，可任意改變光源的顏色，根據不同顏色調混后會產生各種豐富多彩的顏色的效果，而紅、藍、綠3個不同顏色的發光二極管發出的光就可以組合出各種顏色的光。可適用于大型戶外廣告、霓虹燈、路橋燈、電子顯示屏等燈具上。本發明具有體積小、功耗低，可靠性好、壽命長的特點。
[8155-0055-0003] 離子注入的方法和設備
一種離子注入方法同時采用在x方向往復掃描離子束和在與其正交的y方向用機械的辦法往復地驅動基片。注入離子的步驟包括在基片的表面上用不同的劑量分別對兩個注入區域注入離子，并在改變基片驅動速度的情況下在基片的中心處執行多次。使基片按預定角度繞其中心旋轉的步驟在對應注入步驟之間的每一間隔執行一次，同時離子不施加到基片上。
[8155-0026-0004] 單晶體管型磁隨機存取存儲器及其操作和制造方法
[摘要] 本發明公開了一種單晶體管型磁隨機存取存儲器及其操作和制造方法。該單晶體管型磁隨機存取存儲器包括襯底、第一和第二摻雜區、柵極介電層、磁隧穿結、字線、位線和絕緣層。第一和第二摻雜區通過將摻雜劑注入到半導體襯底中形成且彼此隔離。柵極介電層形成在半導體襯底的第一和第二摻雜區之間的部分上。磁隧穿結形成在柵極介電層上。字線形成在mtj上，并在與第二摻雜區相同方向的第一方向上延伸。位線在垂直于第一方向的第二方向上連接至第一摻雜區。絕緣層覆蓋柵極介電層、mtj和字線，以將柵極介電層、mtj和字線與位線絕緣開。第一和第二摻雜區、柵極介電層和mtj構成單晶體管。
[8155-0142-0005] 制造半導體器件的方法
[摘要] 為了得到其中關電流值很低、波動被抑制的tft，電子設備配備有該tft。基礎絕緣膜和非晶半導體膜之間的膜淀積溫度被設定為基本相同，以改善半導體膜的平整度。然后，進行激光照射。
[8155-0050-0006] 垂直結構lngan發光二極管
[摘要] 公開了一種能發射電磁波譜中紅光、綠光、藍光、紫光和紫外光部分的垂直結構發光二極管。所述發光二極管包括導電的碳化硅襯底、氮化鎵量子阱、在襯底和量子阱之間的導電緩沖層、以及在量子阱每個表面上的各自未摻雜氮化鎵層和在垂直結構方向上的歐姆性觸點。
[8155-0164-0007] 非易失性半導體存儲裝置
[摘要] 非易失性半導體存儲裝置具有存儲單元陣列區和第1、第2選擇區，其中，存儲單元陣列區在第1、第2方向上分別排列多個具有字柵極和控制柵極控制的2個monos存儲單元的存儲單元。存儲單元陣列區具有：沿著第1方向用延長形成到第1、第2選擇區的雜質層形成的多條子位線；在沿著第1方向延伸的多條子控制柵極線；以及沿著第2方向延伸的多條字線，第1、第2選擇區具有把多條子位線有選擇地連接到其數量比該多條子位線少的主位線的子位選擇電路。
[8155-0102-0008] 一種多層膜結構的半導體柵工藝處理方法
[摘要] 本發明是一種多層膜結構的柵工藝處理方法，具體是在柵成長之后首先成長一層摻磷濃度低的多晶硅，然后再生成一層濃度高的多晶硅，在溝槽全部填滿后，再生成一層摻磷濃度低或不摻磷的多晶硅，然后進行回刻。第一層摻磷低的多晶硅在回刻后表面比較平整，以保證柵附近在回刻后不出現凹陷，使柵不受到損傷。在第三層低摻磷或不摻磷多晶硅的回刻速率低，減少回刻后溝槽中心的凹陷深度，使之在后來成長金屬膜時不形成空洞。同時通過調整第一，第二層多晶硅的摻磷濃度和厚度，可以保證在回刻后獲得同等的柵極電阻。
[8155-0171-0009] cmos圖像傳感器
[摘要] 本發明公開了一種cmos圖像傳感器，包括：一作為光電轉換部分的光接收單元；一信號處理電路單元；一第一濾色鏡層陣列和一第一微透鏡陣列層，它們設置在光接收部分的上表面上；以及一包含濾色鏡層和微透鏡陣列層中的至少一種的第二層，該層設置在信號處理電路部分上表面的至少一部分的區域上。
[8155-0158-0010] 半導體裝置
[摘要] 一種半導體裝置，包括：(a)包括形成有所需電路的多個芯片區域，和分割多個芯片區域的劃線區域的半導體晶片；(b)由形成在劃線區域內的晶片檢查用多個晶體管構成的測試電路；(c)形成在劃線區域內并與測試電路連接的輸出點。在初期階段不僅可以對晶片的良否進行電路元件的dc檢查，而且還可以進行電路的延遲時間等ac檢查。
[8155-0170-0011] 半導體器件及電子裝置
[8155-0133-0012] 半導體結構
[8155-0019-0013] 可撓式散熱裝置
[8155-0143-0014] 制造原子分辨存儲器件的光滑表面的結晶相變層的方法
[8155-0053-0015] 半導體器件的制造方法
[8155-0205-0016] cmos圖像傳感器中具有減弱的暗電流的有源像素
[8155-0188-0017] 鐵電電容器的制造方法
[8155-0137-0018] 布線基片、半導體器件和布線基片的制造方法
[8155-0006-0019] 半導體熱處理工藝與設備及由該工藝熱處理的半導體
[8155-0185-0020] 隧道氧化層的制造方法
[8155-0145-0021] 顯像裝置的環境控制裝置及其環境控制方法
[8155-0204-0022] 圖像傳感器
[8155-0029-0023] 三維集成存儲器
[8155-0175-0024] 鈦基復合型薄膜光電極及其制備方法
[8155-0173-0025] 光電元件、它的電極結構及其制造方法
[8155-0115-0026] 一種集成電路工藝中掩模板設計配置方法
[8155-0062-0027] 深亞微米集成電路cu阻擋層的制備工藝
[8155-0178-0028] 板式磁阻感測片元件的固定裝置
[8155-0051-0029] 用環形接觸部件剝離半導體器件的方法和裝置
[8155-0101-0030] 加熱爐與半導體基板裝載治具的組合及半導體裝置的制造方法
[8155-0162-0031] 交叉點二極管存儲陣列尋址制造技術
[8155-0084-0032] 雙層對稱式固體電路變壓器
[8155-0022-0033] 引線框架、其制造方法及使用它的半導體器件的制造方法
[8155-0184-0034] 半導體集成電路器件的制造方法
[8155-0201-0035] 多階nrom的存儲單元及其操作方法
[8155-0087-0036] 電容元件及其制造方法和半導體裝置及其制造方法
[8155-0039-0037] 諧振腔增強的n型砷化鎵遠紅外探測器的反射鏡
[8155-0030-0038] 具溝渠源極線的快閃記憶體及其制作方法
[8155-0004-0039] 形成金屬硅化物的方法
[8155-0080-0040] 半導體集成電路
[8155-0069-0041] 半導體裝置的制造方法
[8155-0161-0042] 高耐壓半導體裝置
[8155-0038-0043] 半導體膜,半導體器件,和制造方法
[8155-0138-0044] 制作有源矩陣基片的方法
[8155-0165-0045] 半導體裝置
[8155-0148-0046] 半導體膜、半導體器件和它們的生產方法
[8155-0199-0047] 半導體集成電路
[8155-0213-0048] 用于被動相變熱管理的設備和方法
[8155-0056-0049] 晶圓的化學機械研磨方法及其裝置
[8155-0140-0050] 熱處理設備和用于熱處理的方法
[8155-0149-0051] 基板清洗系統
[8155-0193-0052] 陣列式焊墊的晶片封裝結構
[8155-0013-0053] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8155-0212-0054] 利用高溫去光阻以形成高品質的多重厚度氧化物層的方法
[8155-0110-0055] 自動化集成電路整機測試控制方法
[8155-0181-0056] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子設備
[8155-0042-0057] 修改磁性隧道結轉換場特性的方法
[8155-0121-0058] 鐵電電容器和半導體器件
[8155-0208-0059] 中空led發光二極管
[8155-0182-0060] 圖案形成方法
[8155-0129-0061] 發光二極管及其制造方法
[8155-0052-0062] 化學汽相淀積生成tin阻擋層的方法
[8155-0088-0063] 設于硅覆絕緣中的硅控整流器及其應用電路
[8155-0090-0064] 納米多晶生物薄膜光電池及其制作方法
[8155-0082-0065] 電子靜電放電保護器件及其制造方法
[8155-0104-0066] 一種高介電柵介質結構及其制備方法
[8155-0043-0067] 有機薄膜晶體管
[8155-0207-0068] 發光二極管芯片的多芯片封裝結構
[8155-0016-0069] 電子元件
[8155-0139-0070] 性能改善的雙擴散金屬氧化物半導體的晶體管結構
[8155-0198-0071] 半導體器件
[8155-0195-0072] 半導體封裝及其制造方法
[8155-0045-0073] 制備ⅲ族氮化物半導體的方法及ⅲ族氮化物半導體器件
[8155-0063-0074] 一種雙大馬士革結構中銅阻擋層的淀積方法
[8155-0072-0075] 基于a1材料的摻銅金屬布線工藝
[8155-0035-0076] 開關元件、顯示裝置、發光裝置及半導體裝置
[8155-0135-0077] 電子器件封裝
[8155-0209-0078] 白光光源的制作方法
[8155-0172-0079] 減少了延遲變動的場效應晶體管
[8155-0105-0080] 一種在鈦酸鍶基片上制備納米級有序微裂紋的方法
[8155-0031-0081] 一種具有平坦式區塊選擇晶體管的高密度掩模式非揮發性存儲器陣列結構
[8155-0041-0082] 諧振腔增強的遠紅外探測器反射鏡的制備方法
[8155-0123-0083] 形成浮動柵存儲單元的存儲器陣列自對準法和存儲器陣列
[8155-0027-0084] 半導體器件及其制造方法
[8155-0049-0085] 恒溫處理至少一種處理物體的裝置和方法
[8155-0107-0086] 硅鍺/絕緣體上外延硅互補金屬氧化物半導體及其制造方法
[8155-0150-0087] 涂層的處理方法及利用該方法制造半導體器件的方法
[8155-0018-0088] 散熱方法及其機構
[8155-0077-0089] 整合式散熱裝置
[8155-0021-0090] 引線框架以及利用該引線框架制造半導體裝置的方法
[8155-0186-0091] 激光輻照方法和激光輻照裝置以及制造半導體器件的方法
[8155-0081-0092] 集成電路管腳的雙用途以及在所述管腳上的信號切換
[8155-0174-0093] 太陽能電池組和光電發電系統
[8155-0166-0094] 非易失性半導體存儲裝置
[8155-0070-0095] 深亞微米底層無機抗反射層sion的集成方法
[8155-0214-0096] 疊層中的垂直電互連
[8155-0066-0097] 一種在硅襯底上形成mos器件的方法
[8155-0005-0098] 制造雙擴散漏極高電壓器件的工藝方法
[8155-0020-0099] 引線框架以及制造該引線框架的方法
[8155-0126-0100] 半導體器件
[8155-0024-0101] 半導體器件及其制造方法
[8155-0151-0102] 表面安裝器件封裝的引線接合方法
[8155-0122-0103] 可擦寫可編程只讀存儲器
[8155-0203-0104] cmos圖像傳感器的零直流電流讀出電路
[8155-0191-0105] 半導體器件的制造方法和半導體器件
[8155-0071-0106] 使用金屬硬罩幕的雙鑲嵌制程
[8155-0155-0107] 芯片封裝結構及結構中的基底板
[8155-0047-0108] 檢測光刻膠剝離過程終點的方法和裝置
[8155-0010-0109] 板狀物支撐部件及其使用方法
[8155-0217-0110] 半導體裝置
[8155-0048-0111] 橫向結型場效應晶體管
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[8155-0058-0114] 一種抗反射膜sion表面ch4等離子體處理方法
[8155-0218-0115] 包含電容二極管的電子元件、該元件在接收單元中的用途以及包含該元件的電路裝...
[8155-0036-0116] 化合物半導體裝置
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[8155-0057-0125] 晶圓的化學機械研磨裝置
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[8155-0054-0141] 半導體襯底、半導體元件及其制造方法
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[8155-0083-0143] 半導體集成電路
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[8155-0219-0219] 光電薄膜組件的制備方法
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