半導體,半導體晶片,半導體處理,制造半導體器件類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8133-0148-0001] 半導體器件、電子設備及它們的制造方法和電子儀器
[摘要] 一種半導體器件、電子設備及它們的制造方法和電子儀器，通過將突出電極(24)，(36)分別結合于在承載基板(11)上設置的連接臺(12c)，承載基板(21)，(31)的端部分別配置在半導體芯片(13)上，將承載基板(21)，(31)分別安裝在承載基板(11)上。根據本發明實現不同種類組件的三維安裝結構。
[8133-0162-0002] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 一種半導體裝置及其制造方法，通過使構成要求高速的信號處理的第1dram部(102)的存儲單元所具有的電容比構成要求充分的信號保持特性的第2dram部(103)的存儲單元所具有的電容小來使存儲單元的電荷蓄積特性實現最佳化。此外，使通過用栓來連接dram部的電容元件與半導體襯底而產生的電阻實現最佳化。解決了在現有的dram混合裝載系統lsi芯片中，即使是在芯片上安裝了多個dram部的情況，也由同一結構的單元電容器構成了全部的dram部，因此存在難以兼顧需要高速地存取的dram部和需要充分的信號保持特性的dram部的問題。
[8133-0006-0003] 圓片測試參數分析方法
一種圓片測試參數分析方法，其用以分析多批分別具有一批號的產品，本方法包括以下步驟：依據成品率將產品分為一高成品率產品組及一低成品率產品組；依據高成品率產品組的圓片測試參數值產生一第一標準值；對比低成品率產品組與第一標準值，以自低成品率產品組中刪除等于或優于第一標準值的產品批號；判斷低成品率產品組的剩余批號的數量是否為零；當數量不為零時，自數據庫中搜索與圓片測試項目相關的樣品測試項目、線上品質檢測項目或工藝流程站別；以及當數量為零時，停止搜索操作。
[8133-0095-0004] 強電介體薄膜的制造方法
[摘要] 本發明提供一種強電介體薄膜的制造方法。由兩種以上的原料溶液構成的強電介體薄膜在基板的某一平面內在膜厚方向中使之均勻地混合。或者在一平面內在膜厚方向中使之具有原料溶液分布地混合。由具有兩個以上的噴墨頭的噴墨裝置將兩種原料溶液(105、106)由各自的噴墨頭以一定的噴出量噴出，因此可以制作在一平面內均勻混合的強電介體薄膜，通過反復進行這個作業，在薄膜的膜厚方向也可以制作均勻混合的強電介體薄膜。而且，通過改變膜厚方向或面內方向的噴出量，可以制作具有原料溶液分布混合的強電介體薄膜。
[8133-0074-0005] 紅外傳感器及其制造方法
[摘要] 一種紅外傳感器(2)，包括多個具有紅外光結構的吸收層(20)的像素(12)，該結構層處于傳感器的上表面上。根據本發明，吸收層(20)是由膠質微粒形成的，尤其是浸入或凝結在粘結劑中的石墨小薄片或金屬氧化物。設計形成結構層要同時利用常規技術沉積含有膠質微粒的分散體吸收層，然后再局部去除如此形成的吸收層，以便獲得多個基本吸收區，這些吸收區分別與多個像素連接。
[8133-0115-0006] 用于改善銅金屬層對勢壘層的粘附性的半導體器件制造方法
[摘要] 根據本發明的制造半導體器件的方法形成帶有銅金屬層和勢壘金屬的疊層金屬膜，且在進行熱處理之前，曾把疊層金屬膜浸入包含帶有至少一個羧基的有機酸的溶液中，從而從疊層金屬膜上除去氧化物，該氧化物是在熱處理中進行擴散的氧的來源。
[8133-0156-0007] 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法和半導體集成電路及系統
[摘要] 一種非易失性半導體存儲裝置，其特征在于：具有：配置在行方向的多條字線；配置在與字線正交的列方向的位線；配置在列方向，并且具有通過多條字線的任意一條，分別控制電荷存儲狀態的電荷存儲層的存儲單元晶體管；在存儲單元晶體管的排列的一端一側，在列方向相鄰配置，并且選擇排列的存儲單元晶體管的多個第一選擇晶體管；連接了第一選擇晶體管的各柵極的第一選擇柵布線。
[8133-0133-0008] 半導體裝置的制造方法
[摘要] 本發明公開了一種半導體裝置的制造方法。本發明要解決的課題是，得到高電阻，溫度系數小，而且薄膜電阻的單晶片面內均勻性優良的電阻元件。解決課題的手段是，在半導體基板(1)上形成場氧化膜(2)，在該場氧化膜(2)上用lpcvd法形成非摻雜的硅膜(3)。硅膜(3)是非晶硅膜或多晶硅膜。向該硅膜(3)進行bf2+離子注入。并且在該離子注入前或離子注入后進行750℃以下低溫的n2退火。
[8133-0039-0009] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明提供通過防止tft截止動作時增大漏泄電流的現象，從而提供可靠性高的半導體裝置及其制造方法。該半導體裝置配有薄膜晶體管，該晶體管具有：含有溝道區、源區和漏區的半導體層；設置在半導體層上的柵極絕緣膜；以及控制溝道區的導電性的柵電極，半導體層的表面有微小的凸部，柵電極的側面的傾斜角大于半導體層的凸部的傾斜角。
[8133-0105-0010] 微電子壓電結構
[摘要] 通過首先在硅晶片上生長一個鈦酸鍶層(104)，可以在大硅晶片上生長高質量的單晶pb(zr，ti)o3外延層(110)。該鈦酸鍶層(104)為單晶層，與所述硅晶片之間隔有一個氧化硅無定形中間層(116)。
[8133-0185-0011] 半導體晶片的處理裝置
[8133-0131-0012] 形成金屬導線的板及使用該板形成金屬導線的方法
[8133-0212-0013] 半導體器件的制造方法
[8133-0189-0014] 半導體裝置的制造方法
[8133-0143-0015] 半導體器件及其制造方法
[8133-0057-0016] 半導體集成電路器件和用于制造半導體集成電路器件的方法
[8133-0093-0017] 蝕刻液組合物
[8133-0097-0018] 用于微電子封裝制造的分配工藝
[8133-0088-0019] 氮化物半導體、其制造方法以及氮化物半導體元件
[8133-0112-0020] 拋光墊及制造半導體器件的方法
[8133-0047-0021] 等離子體處理裝置及等離子體處理方法
[8133-0020-0022] 用于在其上安裝電子器件的薄膜載帶
[8133-0050-0023] 干蝕刻方法
[8133-0179-0024] 半導體加工機床檢測的自動化管理系統及方法
[8133-0014-0025] 模擬和射頻集成電路的物理設計方法
[8133-0011-0026] 半導體裝置的制造方法
[8133-0078-0027] 半導體片的分割方法
[8133-0096-0028] 填膠組合物
[8133-0108-0029] 形成多層互連線路的光掩模組和用它制造的半導體器件
[8133-0070-0030] 寬光譜含鋱石榴石磷光體及其結合構成的白色光源
[8133-0178-0031] 一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
[8133-0022-0032] 半導體器件及其制造方法
[8133-0209-0033] 布線圖形埋入檢查方法、半導體器件制造方法及檢查裝置
[8133-0144-0034] 半導體器件及其制造方法
[8133-0064-0035] 具氫陰障層的微電子結構
[8133-0075-0036] 可溶物質的淀積
[8133-0137-0037] 覆晶封裝結構
[8133-0035-0038] 功率半導體裝置及功率半導體裝置的制造方法
[8133-0055-0039] 半導體裝置及其制造方法
[8133-0118-0040] 具有平臺式隔離的應變通道場效應晶體管及其制造方法
[8133-0161-0041] 半導體內存組件及其制造方法
[8133-0027-0042] 電路裝置及其制造方法
[8133-0084-0043] 球格陣x射線定向標志
[8133-0030-0044] 氮化硅只讀存儲器及其制造方法
[8133-0194-0045] 切割晶片的方法
[8133-0089-0046] 發光元件驅動裝置及具備發光元件的電子儀器
[8133-0183-0047] 半導體器件的制造方法以及半導體器件
[8133-0176-0048] 表面粘著型發光二極管的制造方法
[8133-0073-0049] 第ⅲ族氮化物化合物半導體發光元件
[8133-0216-0050] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8133-0068-0051] 接觸裝置
[8133-0010-0052] 面向工藝移植的晶體管級集成電路優化方法
[8133-0029-0053] 具有冗余功能的半導體裝置
[8133-0141-0054] 半導體器件及其制造方法
[8133-0031-0055] 一種有機發光顯示裝置
[8133-0080-0056] 用于對被處理基板實施半導體處理的系統和方法
[8133-0052-0057] 用于銅互連的阻擋層增強工藝
[8133-0132-0058] 電容器及其制備方法
[8133-0122-0059] 尤其用于半導體裝置之殼體、半導體裝置腳及腳制造方法
[8133-0211-0060] 具有多柵極絕緣層的半導體裝置及其制造方法
[8133-0087-0061] 氮化物半導體元件
[8133-0191-0062] 經拋光的半導體晶片及其制造方法
[8133-0158-0063] 具有拼合頂板結構的鐵電記憶體裝置及其制造方法
[8133-0142-0064] 半導體器件及其制造方法
[8133-0190-0065] 半導體襯底、其制造方法以及半導體器件的制造方法
[8133-0040-0066] 半導體器件及其制造方法
[8133-0106-0067] 可促進電子遷移率提高的緩沖層及含該層的薄膜晶體管
[8133-0196-0068] 低溫液相沉積法以及液相沉積設備的清理方法
[8133-0146-0069] 半導體器件及其制造方法
[8133-0181-0070] 半導體器件及其制造方法
[8133-0059-0071] 用于雙柵極邏輯器件的中間制品
[8133-0125-0072] 容納及電接觸個別分離晶元的載具
[8133-0025-0073] 具有多層互連結構的半導體器件及其制造方法
[8133-0036-0074] 漏極開路電路的mosfet及其半導體集成電路器件
[8133-0173-0075] 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法和用于該面板的掩膜
[8133-0041-0076] 高晶格匹配性的發光元件
[8133-0063-0077] 電子部件壓接裝置及其方法
[8133-0101-0078] 半導體器件及其制造方法
[8133-0051-0079] 具有帶倒圓拐角孔之導電材料的微電子基板及去除導電材料的相關方法
[8133-0188-0080] 半導體器件的電容器底電極及其制造方法
[8133-0003-0081] 硅化鈷膜形成方法和具有硅化鈷膜半導體裝置的制造方法
[8133-0005-0082] 半導體裝置的制造方法、半導體裝置、電路基片和設備
[8133-0218-0083] 非易失性存儲元件
[8133-0019-0084] 負熱膨脹系統器件及微電子封裝中的導電彈性體互連
[8133-0124-0085] 半導體集成電路裝置及其檢查方法和制造方法
[8133-0153-0086] 集成電路器件及其制造方法
[8133-0177-0087] 發光光源、發光光源陣列和采用該發光光源的設備
[8133-0091-0088] 具儲存效應的開關裝置
[8133-0147-0089] 半導體芯片及其制作方法
[8133-0139-0090] 封裝光學半導體元件的樹脂，含該封裝元件的設備及其制法
[8133-0205-0091] 安裝電子器件的薄膜型載帶及使用該載帶的最后缺陷標記方法
[8133-0001-0092] 鐵電薄膜及其形成方法
[8133-0015-0093] 用于校驗受研究系統的完整模型的屬性的方法和系統
[8133-0200-0094] 布線基板及其制造方法、半導體裝置、電子模塊及電子儀器
[8133-0086-0095] 移動式太陽能-蓄電池充電臺
[8133-0152-0096] 阻塞電路的增強相位抖動抗擾度的延遲鎖定環路及其方法
[8133-0119-0097] 具有由氨氣中側氮化處理的多金屬柵結構的柵電極的半導體器件
[8133-0053-0098] 以沉積工藝將互連區域選擇性合金化的方法
[8133-0197-0099] 有機絕緣膜、其制造方法、使用該有機絕緣膜的半導體器件及其制造方法
[8133-0203-0100] 半導體元件的引線成形裝置和引線成形方法
[8133-0071-0101] 制造發光裝置的方法
[8133-0192-0102] 壓印制造方法、其制造裝置、磁記錄媒體的制造方法及其制造裝置
[8133-0208-0103] 使用非易失性鐵電體存儲器的測試模式控制裝置
[8133-0023-0104] 電路裝置及其制造方法
[8133-0008-0105] 集成電路的次品的檢測方法
[8133-0155-0106] 半導體器件
[8133-0210-0107] 在同一層次處制造金屬絕緣體金屬電容器和電阻器的方法
[8133-0102-0108] 電氣元件的基片及其制造方法
[8133-0103-0109] 包含個別可尋址存儲單元之存儲單元陣列及其制造方法
[8133-0213-0110] 金屬鑲嵌的制造方法及其結構
[8133-0033-0111] 雙柵極場效應晶體管及其制造方法
[8133-0083-0112] 具有電鍍電阻器的印刷電路板的制造方法
[8133-0199-0113] 激光輻照方法，用于制造半導體器件的方法，以及激光輻照系統
[8133-0066-0114] 高頻集成電路(hfic)微系統組件及其制作方法
[8133-0193-0115] 粘性帶的施加方法及設備
[8133-0081-0116] 門氧化膜形成用硅化鉿鈀及其制造方法
[8133-0154-0117] 半導體電路裝置以及該電路仿真方法
[8133-0045-0118] 壓電器件及其方法
[8133-0157-0119] 鐵電電容器及其制造方法
[8133-0201-0120] 射出成型影像感測器封裝方法
[8133-0170-0121] 具有存儲功能的單電子晶體管及其制造方法
[8133-0037-0122] 晶體管器件及其制造方法
[8133-0174-0123] 新型硅pn結光電二極管
[8133-0061-0124] 半導體晶片舉升裝置以及實施方法
[8133-0207-0125] 用于快速在線電光檢測晶片缺陷的方法和系統
[8133-0038-0126] 埋入柵型半導體器件
[8133-0062-0127] 沉積方法、沉積設備、絕緣膜及半導體集成電路
[8133-0046-0128] 大有機器件及其制造方法
[8133-0100-0129] 半導體記憶裝置及其制造方法
[8133-0164-0130] 半導體器件
[8133-0009-0131] 晶片平坦度評價方法、實行該評價方法的裝置及其應用
[8133-0044-0132] 一種制備釔鋇銅氧高溫超導膜的方法
[8133-0054-0133] 為了改進的焊劑清洗在外殼容器和小硅片之間有較大間隙的高壓半導體裝置殼體
[8133-0098-0134] 接觸連接電組件至具導體結構基板的方法
[8133-0180-0135] 元件形成用襯底及其制造方法和半導體裝置
[8133-0163-0136] 集成電路裝置
[8133-0077-0137] 半導體片的分割方法
[8133-0159-0138] 強電介質薄膜及其制造方法、強電介質存儲元件、強電介質壓電元件
[8133-0085-0139] 橫向pin二極管及其處理方法
[8133-0113-0140] 在半導體裝置中形成阻擋金屬的方法
[8133-0182-0141] 金屬元件、半導體器件、電子器件和電子設備及其制法
[8133-0002-0142] 側壁阻擋結構及制造方法
[8133-0168-0143] 改善主動式有機發光二極管的顯示均勻度的方法
[8133-0099-0144] 基板臺及其制造方法以及等離子體處理裝置
[8133-0072-0145] 生產第ⅲ族氮化物化合物半導體器件的方法
[8133-0076-0146] 處理裝置和處理方法
[8133-0067-0147] 無焊劑倒裝芯片互連
[8133-0104-0148] 半導體裝置及其制造方法
[8133-0021-0149] 功率模塊
[8133-0056-0150] 半導體集成電路
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