半導體,半導體發光,半導體封裝,化合物半導體元件類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8110-0088-0001] 光掩模的靜電放電保護的方法和結構
[摘要] 一種用于制造集成電路的掩模及其使用。所述掩模具有掩模襯底。所述掩模在掩模襯底的第一部分還具有有源掩模區。所述有源區適合于積累預定水平的靜電。所述掩模還具有第一保護環結構，該第一保護環結構包圍著所述有源掩模區的一部分，以將所述有源區與所述掩模襯底的外部區域隔離；以及第二保護環結構，該第二保護環結構具有至少一個包圍第一保護環結構的一部分的熔絲結構。該熔絲結構被可操作地連接到所述有源區，以吸收靜電電流。在保持所述有源區不受靜電損傷的同時，靜電被所述有源區積累到預定的水平，然后以電流形式放電到所述熔絲結構上。
[8110-0186-0002] 流體供給噴嘴、基板處理裝置及基板處理方法
[摘要] 本發明公開了一種流體供給噴嘴、基板處理裝置及基板處理方法，流體供給噴嘴(100)包括流入流宓牧魈辶魅氬?101)，蓄積流體的儲液部(102)，設置在流體流入部(101)和儲液部(102)之間的、具有用于邊降低流速邊使流體流入儲液部(102)的節流孔(103a)的流速調整壁(103)，以及具有用于由施加在儲液部(102)上的壓力排出流體的狹縫(105)的排出部(104)。基板處理裝置用這樣的流體供給噴嘴構成。另外，基板處理方法包括通過以連續的一層膜狀排出流體并供給到基板上來進行基板的處理的工序。因此，能使用流體供給噴嘴(100)。
[8110-0077-0003] 2f2存儲器件的系統和方法
公開了一種用于存儲器件的方法和器件，所述存儲器件具有減小了的存儲單元的外形尺寸平方。這種外形尺寸平方可以允許將類似于吉字節或更大容量的存儲器件制造在一個芯片或管芯上。所公開的方法和器件連同它們的變化，相對于其它僅在兩維中制造的存儲器件來說，利用了三維的方法。由此，所公開的方法和器件連同其變化包括水平和垂直組件。
[8110-0108-0004] 感光式半導體封裝件及其制法以及其導線架
[摘要] 一種感光式半導體封裝件及其制法與其導線架，其制法包括：制備一導線架；形成至少一凹部，并在該芯片座上形成至少一凹設區域；進行模壓工序，填充一封裝膠體，封裝膠體定義出一芯片空間；接置一芯片，令該非作用表面至少有部分粘置在該凹設區域上方的封裝膠體上；電性連接該芯片的作用表面與該多條管腳；以及以一透光單元封蓋住該芯片空間，進而可借該凹設區域提升該封裝膠體與導線架間的夾持力與結構強度、強化芯片座與封裝膠體間夾持力，不會使材料接口產生破裂，同時還能避免焊線斷裂，本發明具有工序簡易、成本低廉、操作很容易等特點。
[8110-0017-0005] 形成自動對準接觸窗方法
[摘要] 一種形成多晶硅緩沖的自動對準接觸窗的方法。首先，在一半導體襯底上形成多個堆疊結構，各個堆疊結構彼此分離且包含一第一多晶硅層、一絕緣層及一第二多晶硅層，其中絕緣層形成于第一多晶硅層上方，第二多晶硅層形成于絕緣層上方。接著在每一堆疊結構的側壁上形成間隙層，以及形成一介電層于該多個堆疊結構、該多個間隙層與該半導體襯底上。以部分第二多晶硅層為緩沖層，移除部分介電層以形成接觸窗于兩堆疊結構之間。
[8110-0071-0006] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種半導體器件，其中包括：在半導體基片(1)上形成的絕緣膜(14)；在該絕緣膜(14)中形成的溝槽(14b)和通孔(14a)；在至少一個溝槽(14b)和通孔(14a)中形成并且由導電材料所制成以防止銅擴散的第一底層(16)；在第一底層(16)上的至少溝槽(14b)和通孔(14a)之一中形成并且由銅或銅合金所制成的主導電層(19)；以及通過cvd方法在主導電層(19)和第一底層(16)之間形成并且形成在第一底層(16)上的第二底層(17)，其具有在第二底層(17)和主導電層(19)之間的界面上固熔在主導電層中的金屬元素。
[8110-0067-0007] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 半導體芯片(10)通過表面形成的涂層材料(11)變形為大致圓筒形后固定１湫蔚陌氳繼逍酒?10)與內插板(12)倒裝芯片連接。半導體芯片(10)在內插板(12)上用封裝樹脂(13)封裝。內插板(12)的背面配置有作為外部連接端子的焊錫球(14)。
[8110-0137-0008] 形成極限尺寸的電連接裝置的方法及包含該裝置的器件
[摘要] 本發明涉及在襯底上形成電連接裝置的方法，該方法包括以下步驟：a)在襯底(10)上形成材料中間層(14)，b)形成具有至少一個窗口(18)的蝕刻掩模(16)，c)根據該掩模蝕刻材料中間層以在其中形成至少一個孔(20)，d)用隔離物(22)涂敷該孔的側壁以使該孔變窄，e)沉積至少一種導體材料(24)以填充變窄了的孔，以及f)進行磨蝕操作以除去孔外面多余的導體材料。本發明用于實現布線線路、接觸墊以及通路。
[8110-0125-0009] 傳送晶片的工具和外延生長臺
[摘要] 一種用于傳送半導體材料晶片(100)的工具(7)被設計成用在外延生長臺中；工具(7)包括具有上面(21)和下面(22)的盤(20)，下面(22)被加工成僅沿著它的邊緣(103)與晶片(100)接觸；盤(20)內部設置有經由至少一個抽氣孔(25)與盤(20)的外部聯系并經由抽氣口(26)與自動裝置的臂的抽氣管道聯系的抽氣室(24)；盤(20)整體覆蓋晶片(100)并且抽氣孔(25)通向盤(20)的下面(22)，由此當晶片(100)與盤(20)的下面(22)接觸時，經由抽氣由工具(7)固定晶片。
[8110-0138-0010] 功率半導體模塊
[摘要] 功率半導體模塊(1)包括位于基材(2)上的半導體組件(6、7、8)，本發明的目標乃在防止基材抵抗一冷卻表面的壓力降低，及因變形引起的冷卻結果損失。達成此目標，俾基材(2)包含數基材區域(3、4、5)并使一或數連接區域(31、32)位于基材區域(3、4、5)間，藉此，該等基材區域乃如此連接，致彼此間可移動。
[8110-0101-0011] 用銅制造高電容量電容器的方法及其結構
[8110-0206-0012] 半導體集成電路器件的制造方法
[8110-0049-0013] 能量轉換器
[8110-0020-0014] 一種鐵電薄膜紅外探測器硅微橋腐蝕裝置
[8110-0172-0015] 半導體器件中形成插孔接觸點的方法
[8110-0096-0016] 評估半導體制程的方法
[8110-0107-0017] 制作高紫外-臨界電位電可擦除可編程只讀取存儲器的方法
[8110-0193-0018] 垂直碳納米管場效應晶體管
[8110-0092-0019] 一種制作具有延伸閘極晶體管的方法
[8110-0115-0020] 半導體集成電路隧道氧化窗口區域設計的結構及方法
[8110-0171-0021] 多晶硅薄膜晶體管的多晶硅膜的形成方法
[8110-0157-0022] 半導體器件的制造方法
[8110-0081-0023] 半導體發光元件、發光裝置及半導體發光元件的制造方法
[8110-0142-0024] 有機半導體溶液
[8110-0028-0025] 多規格直徑焊球自動投放裝置
[8110-0029-0026] 芯片同步時鐘的測試方法及可同步測試時鐘功能的芯片
[8110-0006-0027] 具有清除裝置的氣體處理裝置
[8110-0043-0028] 集成電路芯片結構
[8110-0097-0029] 定位結構及其定位方法
[8110-0214-0030] 半導體元件和隔離半導體元件的方法
[8110-0076-0031] 具有縱向超薄體晶體管的折疊位線動態隨機存取存儲器
[8110-0209-0032] 半導體集成電路器件的制造方法
[8110-0091-0033] 晶圓快速冷卻退火的方法和裝置
[8110-0168-0034] 低缺陷氮化物半導體薄膜及其生長方法
[8110-0055-0035] 一種層狀鈷基氧化物熱電材料的制備方法
[8110-0169-0036] 半導體器件的制作方法
[8110-0215-0037] 半導體器件的制造方法
[8110-0189-0038] 半導體裝置的制造方法
[8110-0046-0039] 非揮發性存儲器結構及其制造方法
[8110-0196-0040] 通過使用一個矩陣框架來制造一個半導體裝置的方法
[8110-0070-0041] 在原位干涉量測終點偵測及非干涉量測終點監控中執行氮化物墊片蝕刻工藝的方法...
[8110-0004-0042] 控片回收再生方法以及其控片結構
[8110-0048-0043] 畫素結構與薄膜晶體管陣列及其修補方法
[8110-0074-0044] 具有機械像素開關的發光顯示裝置
[8110-0058-0045] 一種具有高磁電阻效應的磁性隧道結及其制備方法
[8110-0112-0046] 用于將銅與金屬-絕緣體-金屬電容器結合的方法和結構
[8110-0179-0047] 襯底表面清洗方法、薄膜制造方法、半導體裝置及其制法
[8110-0022-0048] 硅片imd cmp后成膜方法
[8110-0054-0049] 溫差電元件與電極的壓接方法
[8110-0061-0050] 一種化學-機械拋光漿料和方法
[8110-0105-0051] rom存儲器及其制造方法
[8110-0200-0052] 形成倒裝芯片的凸塊焊盤的方法及其結構
[8110-0177-0053] 形成用于半導體器件的柵極結構的方法和半導體器件
[8110-0085-0054] 半導體制程設備的清潔方法
[8110-0094-0055] 無導線架的晶片封裝方法
[8110-0009-0056] 辨別不良圖形節距以增進微影制程的方法
[8110-0035-0057] 一種形成雙大馬士革結構中刻蝕阻擋層的方法
[8110-0123-0058] 金屬容器結構的平面化
[8110-0153-0059] 襯底處理器件及其清洗方法
[8110-0114-0060] 用做測試裝置的多金屬層sram存儲器
[8110-0212-0061] 電子裝置的通用矩陣托盤
[8110-0191-0062] 半導體器件的導線形成方法
[8110-0194-0063] 制造應變mosfet的結構和方法
[8110-0184-0064] 具有獨立限位環和多區域壓力控制結構的氣動隔膜式拋光頭及其使用方法
[8110-0207-0065] 使用具有真空通道的機械開槽的存儲托盤的管芯級檢驗
[8110-0145-0066] 半導體電路器件及其設計方法和半導體電路的設計方法
[8110-0167-0067] 激光照射方法以及晶質半導體膜的制作方法
[8110-0202-0068] 用于夾住引線的引線焊接設備和方法
[8110-0051-0069] 采用砷化鎵基含磷材料的紫外增強光電探測器及制作方法
[8110-0162-0070] 制造半導體器件中的電感的方法
[8110-0159-0071] 薄膜形成方法和裝置、有機電致發光裝置的制造方法
[8110-0012-0072] 可保持圖形完整性良好的厚外延方法
[8110-0185-0073] 半導體晶片的清洗方法
[8110-0199-0074] 應力衰減型電子元器件、布線板及其安裝體
[8110-0158-0075] 半導體組件制造系統及其熱力補償次系統
[8110-0047-0076] 大功率mos晶體管及其制造方法
[8110-0166-0077] 激光照射裝置、激光照射方法及晶質半導體膜的制作方法
[8110-0082-0078] 低成本的二維運動彎曲致動器
[8110-0072-0079] 半導體輻射襯底及其生產方法和組件
[8110-0001-0080] 半導體發光器件及制造方法、集成半導體發光設備及制造方法、圖像顯示設備及制...
[8110-0163-0081] 用于制造電子器件的結構體及使用它的電子器件制造方法
[8110-0036-0082] 使用光敏感材料有孔填涂大馬士革的工藝
[8110-0217-0083] 半導體裝置的制造方法
[8110-0173-0084] 抑制柵極氧化膜劣化的方法
[8110-0016-0085] 一種新的超薄含氮柵介質制備方法
[8110-0060-0086] 有機發光二極管的制作方法
[8110-0205-0087] 電子部件、電子部件制造方法及電子器械
[8110-0203-0088] 半導體芯片及其制造方法、和半導體裝置
[8110-0143-0089] 用于顯示裝置的密封結構
[8110-0144-0090] 顯示裝置及其制造方法
[8110-0042-0091] 利用多電平技術實現ic之間信號傳輸的方法
[8110-0083-0092] 具有安全保護功能的密碼芯片的制備方法
[8110-0131-0093] 對包含第viii族金屬的表面采用氧化性氣體的平面化方法
[8110-0032-0094] 一種無硬掩模的淺槽隔離工藝
[8110-0118-0095] 可控電阻型超導故障限流器
[8110-0113-0096] 立體集成電感及其制造方法
[8110-0216-0097] 用于低k介電材料的包括回蝕的鑲嵌互連結構
[8110-0066-0098] 使用一步快速熱退火工藝及尾端處理形成硅化鎳的方法
[8110-0121-0099] 具有分段行修復的半導體存儲器
[8110-0068-0100] 半導體裝置及其制造方法
[8110-0057-0101] 用于智能結構的形狀記憶合金增強型壓電驅動器及制作工藝步驟
[8110-0031-0102] 一種保護有源區面積的淺結隔離槽工藝
[8110-0116-0103] 發光二極管芯片模塊
[8110-0100-0104] 集成電路布局數據的處理方法
[8110-0190-0105] 制造半導體器件的方法
[8110-0128-0106] 電化學邊緣和斜面清潔工藝及系統
[8110-0164-0107] 圖形形成方法
[8110-0192-0108] 半導體裝置和半導體裝置的制造方法
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[8110-0080-0111] 發光二極管
[8110-0086-0112] 低溫多晶硅薄膜的制造方法
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[8110-0178-0114] 用于場效應晶體管的超薄高k柵介質的制作方法以及超薄高k柵介質
[8110-0005-0115] 一種在基板上轉移制作薄膜的方法
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[8110-0023-0117] 一種制備多孔低介電常數薄膜材料的方法
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[8110-0211-0119] 靜電卡盤、基片支持、夾具和電極結構及其制造方法
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