半導體,制造半導體器件,半導體襯底,半導體組件最新技術匯編(168元/全套)
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[8116-0210-0001] 發光二極管
[摘要] 一種超高亮度和超高效率的發光二極管，它利用全反射或鏡面反射錐形光反射器和聚光透鏡使由發光二極管芯片發出的光近１００％得到利用。其光利用率與現有發光二極管相比，可增加1.5倍以上，在相同出射光分布角條件下，亮度可增加1.5倍以上，有效發光效率增加1.5倍以上，或在相同亮度和相同出射光分布角條件下，耗電可節省６０％以上。可用于室內外顯示器、交通燈、汽車燈、光通信及紅外發光二極管等。
[8116-0102-0002] 半導體襯底的制造方法
[摘要] 半導體襯底的制造方法，包括以下步驟，提供硅制成的第１襯底，對襯底硅多孔化，使第１襯底上有多孔硅層，在多孔硅層上外延生長無孔單晶硅層，將第１襯底層疊在第２襯底上，使第１和第２襯底的至少一層疊面有氧化硅層，并使無孔單晶硅層位于層疊的襯底之間，腐蝕除去多孔硅層，其中用腐蝕無孔單晶硅層和氧化硅層各自的腐蝕速率不大于１０ａ／分鐘的腐蝕液腐蝕多孔硅層。
[8116-0149-0003] 制造半導體器件的方法和半導體器件的制造設備
用熱壁型加熱爐對大直徑半導體晶片的快速熱處理中，將儲熱板（１０）預熱到熱處理溫度，然后使晶片８位于一對儲熱板（１０）之間，或處于緊靠儲熱板（１０）的附近處，可使晶片表面的溫度分布均勻。晶片（８）可以與儲熱板（１０）接觸。因此由來自儲熱板（１０）的輻射熱或傳導熱加熱晶片（８）。
[8116-0123-0004] 檢測相移掩模相偏差的方法
[摘要] 本申請公開了一種用相移掩模簡單方便地檢測相偏差的方法，其步驟為：在透明基片上按一定間隔設置多個具有預定寬度的相移圖形，用來移動透過相移掩模的透明基片的預定區域的光；設置用來檢測相偏差的圖形，其中有預定寬度的光屏位于透明基片的預定區域和相移掩模之間；用相移掩模和檢測相偏差的圖形將基片圖形化；通過散焦比較發生相移處的圖形尺寸和沒有發生相移處的圖形尺寸；及利用圖形尺寸的差異檢測相偏差。
[8116-0173-0005] 外形可控多芯片組件
[摘要] 一種具有形成有可選擇縱橫比的構造的能力的多芯片組件構造。上述縱橫比本身對在模擬的形式下集成度的更高的級別形成了一個基礎。該模塊化構造應用了聚合物上邊的已圖形化的銅的靈活的連接方法以連續地在連續級別之間對連接面定向，允許組件級別的選擇性堆積以制作該多芯片組件的所希望的縱橫比。在級別之間的互連可以用焊錫電流法、直接樹突壓焊法或者通過一個樹突狀插入物進行連接等方法來實現。
[8116-0101-0006] 一種在半導體器件中形成精細接觸孔的方法
[摘要] 一種形成精細接觸孔的方法，包括以下步驟：在進行干腐蝕的時候，在接觸孔的側壁上形成隔離層，其能使到接觸孔的通路加寬，所以接觸區幾乎不受腐蝕劑的損傷。然后按照本發明的干腐蝕工藝，能減少襯底的損傷，這是因為要露出的襯底是位于絕緣保護層４３的下面，襯底的損傷可以小于１００ａ°。
[8116-0198-0007] 集成電路中介電層的制造方法
[摘要] 一種集成電路中介電層的制造方法，其主要步驟如下：首先，沉積一層金屬導電層，并利用活性離子式電漿蝕刻技術制定所述金屬導電層的圖案，使金屬導電層圖案并與半導體元件電性接觸，然后利用等離子增強式化學沉積法沉積一介電層，其為介電層底層，最后以熱解化學氣相沉積法，利用四乙氧基硅烷和臭氧氣體在介電層底層上沉積形成另一介電層，此介電層厚度均勻且可完全填滿所述金屬導電層圖案之間的空隙，以達到平坦化效果。
[8116-0129-0008] 制作金屬線的方法
[摘要] 本發明涉及一種在半導體元件中制做金屬線的方法，在ｃｖｄ制造工藝中基于淀積一ｔｉｎ層的重復制造工藝，經由接觸孔與一較低使導層接觸和以ｎ2，ｈ2或此二者的混合氣體來等離子處理ｔｉｎ層的表面以及使接觸電阻最小化，以此改善金屬線制造工藝的效率和半導體元件的可靠度。
[8116-0175-0009] 形成半導體器件金屬引線的方法
[摘要] 本發明提供一種形成半導體金屬引線的方法，它包含以下步驟：提供半導體襯底；在半導體襯底上形成絕緣膜；在絕緣膜上形成由多晶硅層和金屬硅化物層構成的下部引線；在下部引線上形成具有接觸孔的層間絕緣膜，通過接觸孔部分暴露金屬硅化物層；在金屬硅化物層的暴露部分注入雜質離子以在金屬硅化物層中形成非晶部分；熱處理金屬硅化物層的非晶部分，從而使金屬硅化物層非晶部分晶化；以及在金屬硅化物層結晶部分形成上部引線。
[8116-0200-0010] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明公開了散熱性質與電性質有了改進的適用于具有一批電極的半導體器件及其制造方法。使上面形成有隆起部的半導體晶片的表面與上面形成有焊盤的電路基片相互面對。由聚酰亞胺帶與ｔａｂ引線組成ｔａｂ帶。隆起部與焊盤通過扁平的ｔａｂ帶相互電連。焊盤通過電路基片中的互連線與內部連接電極電連。從隆起部延伸到焊盤的ｔａｂ引線的長度減小，因而使通過ｔａｂ引線的信號能改進電特性。ｔａｂ帶的應用可使此半導體器件適用于具有多個隆起部的半導體晶片。
[8116-0045-0011] 半導體器件及其制造方法,以及上述工藝所用的引線框架
[8116-0092-0012] 半導體壓力傳感器及其制造方法
[8116-0165-0013] 導電性球搭載裝置
[8116-0011-0014] 用于制造半導體元件的樹脂封裝壓模
[8116-0042-0015] 溝槽型雙擴散型mos裝置及其制造方法
[8116-0049-0016] 形成半導體器件精細圖形的方法
[8116-0087-0017] 半導體芯片封裝件的制造方法
[8116-0188-0018] 復合式絕緣體上硅薄膜基片及其制作方法
[8116-0164-0019] 助粘層及應用了助粘層的散熱器部件和助粘層的制造方法
[8116-0070-0020] 功率半導體組件
[8116-0077-0021] 光電元件、它的電極結構及其制造方法
[8116-0216-0022] 制造具有互補金屬氧化物半導體結構半導體器件的方法
[8116-0023-0023] 半導體器件的曝光掩模及其制造方法
[8116-0105-0024] 半導體器件及其制造方法
[8116-0138-0025] 手動插拔機
[8116-0093-0026] 含有帶無源元件的薄膜結構的電子元件
[8116-0009-0027] 表面裝式半導體裝置,半導體裝配部件以及它們的制造方法
[8116-0207-0028] 制造適于表面貼裝的半導體器件的方法
[8116-0209-0029] 氮化物半導體器件
[8116-0201-0030] 用柵電極易處置隔層形成單邊緩變溝道半導體器件的方法
[8116-0005-0031] 半導體器件的制造方法和半導體器件
[8116-0157-0032] 不殘留氫的非單晶薄膜晶體管的半導體器件的制造方法
[8116-0186-0033] 具有降低應力成模襯底部分的撓性層的高密度互連電路模件
[8116-0002-0034] 清潔處理基片的方法
[8116-0068-0035] 內聯式超薄弱光型非晶硅光電池生產線
[8116-0180-0036] 半導體襯底的制備
[8116-0177-0037] 垂直擴散爐的舟
[8116-0030-0038] 存貯器集成電路及其制造方法
[8116-0204-0039] 用于半導體器件的外延膜生長方法
[8116-0217-0040] 半導體晶片清洗裝置
[8116-0176-0041] 有穩定雙極晶體管和肖特基二極管的半導體器件制造方法
[8116-0065-0042] 一種在快速eeprom單元中形成結的方法
[8116-0185-0043] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8116-0072-0044] 萬門級互補場效應晶體管集成電路的制造方法
[8116-0061-0045] 砷化鎵表面微波放電鈍化膜的自體生長方法
[8116-0205-0046] 半導體器件及其制造方法
[8116-0151-0047] 雜質的導入方法及其裝置和半導體器件的制造方法
[8116-0027-0048] 制造半導體器件的方法
[8116-0199-0049] 靜電式夾盤
[8116-0156-0050] 非紡玻璃纖維部件的表面側覆蓋材料的太陽能電池組件
[8116-0007-0051] 一種半導體光發射器件及其制作方法
[8116-0050-0052] 關于分析半導體器件失效的剝層處理方法
[8116-0190-0053] 用于亞微米超大規模集成電路的金屬間介質平面化
[8116-0187-0054] 能防止金屬線路之間串擾的半導體器件及其制造方法
[8116-0132-0055] 半導體器件及其制造方法
[8116-0133-0056] 薄膜半導體器件
[8116-0036-0057] 柵電極形成的改進
[8116-0071-0058] 球網格陣列型半導體器件
[8116-0119-0059] 利用連接材料的凸粒的相互連接系統
[8116-0025-0060] 半導體器件的制造方法
[8116-0106-0061] 半導體器件及其制造方法
[8116-0021-0062] 芯片連接的一種改進方法
[8116-0117-0063] 半導體器件的生產方法
[8116-0193-0064] 功率半導體器件
[8116-0031-0065] 半導體集成電路中調整電路元件值的電路和方法
[8116-0192-0066] 半導體圓片標記
[8116-0178-0067] 絕緣體上的硅(soi)襯底的制造工藝
[8116-0150-0068] 用改進的小型區抑制何短溝道的mos晶體管及其制造方法
[8116-0019-0069] 制造半導體器件的方法
[8116-0010-0070] 制造半導體器件的電容器的方法
[8116-0099-0071] 用于單個晶片工具的晶片溫度就地控制裝置
[8116-0038-0072] 一種利用福勒-諾德海姆可編程可擦的低壓晶體管閃速電可擦可編程只讀存貯器單...
[8116-0080-0073] 半導體集成電路
[8116-0103-0074] 制作半導體臺面側向電流限制結構的技術
[8116-0086-0075] 零件在基體上的焊接方法及其裝置
[8116-0134-0076] 功率半導體組件系統
[8116-0208-0077] 晶體性半導體膜的形成方法、薄膜晶體管的制造方法、太陽電池的制造方法及其有...
[8116-0075-0078] 半導體裝置及其制造方法
[8116-0158-0079] 函數發生電路
[8116-0162-0080] 具有低量廢留樹脂的半導體器件樹脂密封模具組
[8116-0213-0081] 絕緣柵雙極晶體管
[8116-0089-0082] 用于半導體器件缺陷調查的試驗片的制造方法
[8116-0015-0083] 半導體器件中的晶體管及其制造方法
[8116-0128-0084] 形成電子元件電極的設備和方法
[8116-0196-0085] 互補型金氧半場效應晶體管的制造方法
[8116-0114-0086] 陶瓷電路基板
[8116-0140-0087] 柵電極及其形成方法
[8116-0013-0088] 具有增強耦合的薄膜壓電陣列及其制造方法
[8116-0046-0089] 半導體器件的電極結構、形成方法及安裝體和半導體器件
[8116-0218-0090] 半導體晶片清洗裝置
[8116-0124-0091] 紅外傳感器、制造傳感器用的托座和制造紅外傳感器的方法
[8116-0108-0092] 具有樹脂封殼的元件及其制作方法
[8116-0110-0093] 用離子注入濕化學蝕刻使基底上的構圖結構平面化的方法
[8116-0098-0094] 半導體裝配方法和裝置
[8116-0122-0095] 半導體基片及其制造方法
[8116-0060-0096] 具有加熱裝置的劈頭
[8116-0037-0097] 從離子束中和裝置和注入裝置就地清除污染物用的方法和裝置
[8116-0063-0098] 制造芯片卡的方法及其裝置
[8116-0183-0099] 絕緣體上硅薄膜晶體管
[8116-0083-0100] 半導體封裝裝置及成型物質引起的寄生電容的計算方法
[8116-0028-0101] 形成半導體器件接觸孔的方法
[8116-0090-0102] 半導體器件中cvd鋁膜的制造方法
[8116-0109-0103] 注入磷形成補償的器件溝道區的半導體器件的制造方法
[8116-0120-0104] 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的柵極氧化層工藝
[8116-0081-0105] 半導體裝置
[8116-0182-0106] 紅外探測器
[8116-0091-0107] 金屬－絕緣體－金屬型非線性元件的制造方法、金屬－絕緣體－金屬型非線性元件...
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[8116-0152-0109] 半導體器件及其制造方法
[8116-0137-0110] 按芯片尺寸封裝型半導體器件的制造方法
[8116-0084-0111] 半導體器件的三維缺陷分析方法
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[8116-0095-0117] 一種帶有透明窗口的半導體封裝及其制造方法
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[8116-0191-0122] 含由導電極和托盤形導電層構成的電容電極的半導體器件
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[8116-0057-0132] 一種半導體器件的引線框以及其制造方法
[8116-0144-0133] 在集成電路上形成導電路徑的導體和方法
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[8116-0008-0135] 塑料模制的具有小平直度偏差引線的集成電路組件
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[8116-0202-0137] 薄膜器件工藝形成凹狀光致抗蝕劑剝離外形的方法及器件
[8116-0012-0138] 溫度發電裝置的制造方法
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[8116-0214-0144] 半導體器件、該器件的制造方法和所使用的引線架
[8116-0035-0145] 用干法刻蝕在半導體襯底上形成金屬布線的方法
[8116-0067-0146] 聲駐波(saw)器件及其制造方法
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