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[8113-0044-0001] 具有改進微型結構的層狀超晶格材料的制造方法
[摘要] 在制造集成電路時，第一電極(48)形成在襯底(28)上。在第一實施例中，在第一電極(48)的頂部形成鉭酸鍶鉍層(5)和第二電極(52)。在最后晶化退火之前，對第一電極(48)、鉭酸鍶鉍層(50)和第二電極(52)進行構圖。然后在襯底(28)上進行最后晶化退火。在第二實施例中，在第一和第二層(50)、(132)的頂部形成第二電極(52)之前，在鉭酸鍶鉍層(50)的頂部淀積第二層鉭酸鍶鉍層(132)。在第三實施例中，在鉭酸鍶鉍層(50)上進行精細控制的uv烘焙工藝。在第四實施例中，在構圖工藝之后和最后晶化退火工藝之前，在襯底上進行附加的快速熱退火工藝。
[8113-0004-0002] 具鋸緣保護芯片之晶片級封裝
[摘要] 本案為與具有芯片邊緣保護的芯片的晶片級封裝及其方法有關的發明，其中所述的晶片級封裝包含可在各種狀況下設于適宜載板上的個別芯片。本發明的目的在于提供一種排除了已知技術的缺點、排除了熱不匹配以及襯底層級可靠度的問題、實現了適當的薄形結構，并實現了可信賴的芯片邊緣保護的晶片級封裝。再者，藉由所提供的方法，上述的晶片級封裝乃可得以實施。此乃是因為所述芯片(1)乃自后側被極度地薄形化且接合于一纖維強化合成樹脂片(4)，以形成一堅固接合裝配，其在慣常溫度范圍內不會分離，且所述裝配的邊緣乃至少部分地被一高分子(8)所涂覆。
[8113-0183-0003] 半導體集成電路
鑒于在不增加安裝到半導體集成電路上的電壓產生電路中芯片占據面積的情況下而控制輸入電源時的過沖，內部電壓產生電路包括利用從外部輸送的第一電壓產生第二電壓的電壓產生電路和用于產生對應于第二電壓的第三電壓的輸出緩沖器。第三電壓用做內部電路的工作電源。而且，還提供用于使第二電壓的輸出節點導通到預定電位的第一開關和用于響應第一電壓的輸入而接通第一開關一預定時間周期的控制電路。輸出緩沖器的輸出端不被箝位，而是在前級的電壓產生電路的輸出被箝位到預定電壓。與輸出緩沖器的輸出晶體管相比，用于箝位電壓的第一開關的晶體管顯著減小了尺寸。相應地，沒有擴大芯片占據面積。
[8113-0024-0004] 多指狀晶體管
[摘要] 本發明公開了一種多指狀晶體管，它包括多個并列的晶體管。每一個晶體管包括柵介電層與柵極、源/漏極區，以及位于源/漏極區外圍基底中的漂移區，其中漂移區分隔源/漏極區與柵極下的通道區。在所述多指狀晶體管中，漂移區自源/漏極區側邊延伸出的寬度從多指狀晶體管的邊緣部分朝中間部分遞增。
[8113-0068-0005] 采用水平電場的薄膜晶體管基板及其制造方法
[摘要] 本發明公開了一種采用水平電場的薄膜晶體管基板結構，該結構包括一基板；在基板上由第一導電層彼此平行地形成的柵極線和公共線；在基板、柵極線和公共線上形成的柵極絕緣膜；由第二導電層在柵極絕緣膜上形成的數據線，該數據線與柵極線和公共線交叉以限定一像素區；連接到柵極線和數據線的薄膜晶體管；覆蓋數據線和薄膜晶體管的保護膜；由第三導電層形成的連接到公共線的公共電極，該公共電極設置在貫穿保護膜和柵極絕緣膜的第一孔內；以及連接到薄膜晶體管并且由第三導電層形成的像素電極，該像素電極設置在像素區貫穿保護膜和柵極絕緣膜的第二孔內，所設置的像素電極和公共電極限定一水平電場。
[8113-0213-0006] 反射鏡設備、曝光設備以及器件制造方法
[摘要] 本申請公開了一種反射鏡設備、曝光設備以及器件制造方法。在通過反射引導曝光光線的曝光設備中，用在反射光學系統中的反射鏡設備具有：一個具有一個反射所述曝光光線的反射表面的反射鏡；用于散熱冷卻的散熱板，被設置在離開所述反射鏡的外表面的位置。所述散熱板的設置確保入射到所述反射表面上并從該反射表面反射的所述曝光光線的通道區域。另外，用流過冷卻管的冷卻液體對各散熱板進行溫度控制。這樣，可以抑制用在曝光設備的反射光學系統中的反射鏡的溫度上升，保持反射鏡反射面的面形狀的精度。
[8113-0077-0007] 制造閃存裝置的方法
[摘要] 本發明涉及一種制造閃存裝置的方法。在單一蝕刻設備中蝕刻多個導電層及介電層，從而形成控制柵極及浮動柵極。在其中浮動柵極的厚度超過1500的柵極形成過程中，可解決現有過程中較短的過程時間及較小的大容量生產限度方面的問題，同時完全剝離介電層柵。
[8113-0021-0008] 半導體器件以及制造該器件的方法
[摘要] 本發明的目的是減小元件所占據的面積并將多個元件集成在一個有限的面積中，使得傳感器元件能夠具有較高的輸出和較小的尺寸。在本發明中，通過對使用非晶半導體薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的傳感器元件的單元化，以及對包括在能夠經受諸如焊料回流處理工藝之類安裝工藝中的溫度的塑料基片上采用具有晶體結構的半導體薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作為有源層的tft的輸出放大電路的單元化，就能夠獲得較高的輸出和小型化。根據本發明，能夠獲得可抵御彎曲應力的傳感器元件。
[8113-0181-0009] 半導體集成電路裝置
[摘要] 本發明提供一種半導體集成電路裝置，目的在于在電源關斷時保持在此之前的信息的低功耗模式中能進行高速的復歸。作為其一種方法，可考慮使用現有的數據保持型的觸發器，但為此而產生增大單元等的面積的額外消耗，這是不理想的。解決手段是用比一般的電源干線細的布線形成電源關斷時的數據保持用的電源線。較為理想的是，將數據保持電路的電源作為信號線來處理，在自動配置布線時進行布線。為此，在單元中預先與通常的信號線同樣地設置上述數據保持電路用電源用的端子來設計。本發明的效果是，在單元中不需要多余的電源線的布局，可謀求節省面積，同時可利用已有的自動配置布線工具來設計。
[8113-0081-0010] 半導體裝置鈍化方法
[摘要] 本發明公開一種半導體裝置鈍化(passivating)方法，其包括對一半導體裝置進行一高壓退火處理(high pressure annealing)以及對該半導體裝置進行一等離子體處理(plasma treatment)，用以消除在進行高壓退火處理后，積累于該半導體裝置內的電荷。該等離子體處理所使用的工藝氣體可以是氮、氫、水、一氧化二氮、氧、氨或其混合物。
[8113-0171-0011] 制造在互連孔的下部側壁處具有斜面的半導體器件的方法
[8113-0007-0012] 存儲器系統和存儲器模塊
[8113-0069-0013] 半導體器件及其制造方法
[8113-0206-0014] 白光發光裝置
[8113-0063-0015] 具有載流子傳輸性能的聚合物材料以及使用該材料的有機薄膜元件、電子器件和導...
[8113-0002-0016] 液體冷卻系統
[8113-0022-0017] 固體攝像元件的驅動方法
[8113-0130-0018] 在集成電路中使用的電極結構
[8113-0084-0019] 一種用于光電子器件封裝的精密對接裝置
[8113-0043-0020] 處理系統
[8113-0017-0021] 半導體集成電路器件
[8113-0098-0022] 散熱器及其制造方法
[8113-0086-0023] 搭接方法及其搭接裝置
[8113-0175-0024] 壓入密封型電子部件及其制造方法
[8113-0052-0025] 倒裝芯片結合器及其方法
[8113-0153-0026] 帶有用于提高漿液利用率的凹槽的研磨墊
[8113-0177-0027] 半導體裝置制造用粘合薄片、半導體裝置及其制造方法
[8113-0160-0028] 半導體封裝件
[8113-0209-0029] 氮化鎵基半導體器件及其制造方法
[8113-0006-0030] 半導體裝置及其制造方法
[8113-0071-0031] 制造多晶硅層的方法及其光罩
[8113-0156-0032] 半導體器件的制造方法
[8113-0162-0033] rfid標簽的制造方法
[8113-0201-0034] 太陽能電池組件及其制造方法
[8113-0029-0035] 半導體裝置
[8113-0005-0036] 改進的半導體導線架
[8113-0128-0037] 使用液體進行微球分布的方法、微球分布設備和半導體器件
[8113-0193-0038] 固體攝像裝置及其制造方法
[8113-0057-0039] 半導體器件及其制造方法
[8113-0138-0040] 電化學裝置
[8113-0218-0041] 用于單襯底或雙襯底加工的設備和方法
[8113-0194-0042] 固體攝像器件及其控制方法
[8113-0147-0043] 制造半導體器件的方法
[8113-0067-0044] 制作低溫多晶硅薄膜的方法
[8113-0106-0045] 堆疊式雙面電極封裝與堆疊式多芯片組裝
[8113-0108-0046] 制造半導體器件的方法
[8113-0101-0047] 具有帶加固圖形的多層布線布置的半導體器件及生產方法
[8113-0120-0048] 氮化物半導體發光二極管芯片及其制造方法
[8113-0058-0049] 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
[8113-0031-0050] 染料敏化太陽能電池及其電池組
[8113-0060-0051] 具有觸頭和支座凸塊的mems器件及其相關方法
[8113-0185-0052] 具有電容器的半導體器件及其制造方法
[8113-0107-0053] 半導體集成電路
[8113-0103-0054] 利用無電鍍化學的深通孔晶種修復
[8113-0166-0055] 半導體器件及其制造方法
[8113-0182-0056] 半導體設備的電容器和使用同樣電容器的存儲器設備
[8113-0195-0057] 固態成像設備
[8113-0155-0058] 旋涂玻璃組合物和在半導體制造工序中使用該旋涂玻璃形成氧化硅層的方法
[8113-0046-0059] 制造電容器之方法
[8113-0113-0060] 局部長度氮化物sonos器件及其制造方法
[8113-0080-0061] 形成氮氧化硅的方法
[8113-0013-0062] 具有互連的感應器和提供合成磁場的感應器部分
[8113-0151-0063] 半導體制造裝置和圖案形成方法
[8113-0163-0064] 淺溝槽填洞的測試圖案層
[8113-0034-0065] 發光二極管高效能散熱的支持裝置
[8113-0148-0066] 半導體元件的閘極結構的制造方法
[8113-0170-0067] 半導體裝置的絕緣膜形成方法及半導體裝置
[8113-0012-0068] 半導體芯片
[8113-0055-0069] 芯片模塊
[8113-0140-0070] 電路基板的搬運裝置及搬運方法、焊球搭載方法
[8113-0200-0071] 一種新型的有機太陽能電池結構及其制備方法
[8113-0141-0072] 用于修正卷到卷工藝中薄片變形的方法和系統
[8113-0090-0073] 半導體器件的制造方法
[8113-0203-0074] 提高氮化鎵光導型紫外光電探測器響應度方法及探測器
[8113-0079-0075] 氮化穿隧氧化層的形成方法
[8113-0074-0076] 半導體的清洗方法
[8113-0190-0077] 電極形成方法、電容元件及其制造方法
[8113-0114-0078] 太陽電池裝置及其制造方法以及電子設備
[8113-0186-0079] 具有相同平面上的熔絲和電容器的半導體器件及制造方法
[8113-0124-0080] 具改善阻障性質之阻障堆棧
[8113-0139-0081] 反應室處理的方法
[8113-0035-0082] 具有寬頻譜的氮化鋁銦鎵發光二極管及固態白光器件
[8113-0142-0083] 基板處理裝置及其控制方法
[8113-0191-0084] 半導體內存元件及其制造方法
[8113-0164-0085] 晶片基座
[8113-0026-0086] 垂直dmos晶體管裝置、集成電路及其制造方法
[8113-0014-0087] 用于顯示器件的薄膜晶體管基板及其制造方法
[8113-0083-0088] 具有高可布線性的高密度微過孔基板
[8113-0172-0089] 淺溝渠隔離結構及其溝渠的制造方法
[8113-0056-0090] 具有封裝內電源的較低外形封裝
[8113-0027-0091] 半導體裝置與其制造方法
[8113-0009-0092] 可編程電阻器元件及其形成方法與程序化方法
[8113-0061-0093] 半導體結構化工藝
[8113-0126-0094] 用低能量等離子體增強化學氣相沉積法形成高遷移率硅鍺結構
[8113-0192-0095] 半導體封裝窗用玻璃及所用玻璃窗及其制法和半導體封裝
[8113-0065-0096] 處理裝置及方法
[8113-0015-0097] 半導體器件和顯示器件
[8113-0050-0098] 臭氧處理裝置
[8113-0146-0099] 提高cosi2薄膜熱穩定性的方法
[8113-0125-0100] 基板檢查裝置、涂敷?顯影裝置和基板檢查方法
[8113-0037-0101] 電極結構以及具有該電極結構的半導體發光器件
[8113-0045-0102] 半導體生產系統用的陶瓷加熱器
[8113-0178-0103] 芯片轉接板的整腳治具
[8113-0048-0104] 半導體集成電路器件的制造方法
[8113-0075-0105] 化學機械拋光墊
[8113-0105-0106] 靜電破壞保護裝置
[8113-0064-0107] 位置動態編碼方法
[8113-0196-0108] 半導體顯示器件
[8113-0010-0109] 具有多個倒裝芯片的多芯片封裝及其制造方法
[8113-0016-0110] 多芯片封裝型存儲器系統
[8113-0003-0111] 連接墊結構
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[8113-0127-0113] 制備用于應變sicmos應用中的高質量弛豫的絕緣體上sige的方法
[8113-0152-0114] 帶有用于降低漿液消耗的凹槽排列的研磨墊
[8113-0184-0115] 半導體裝置
[8113-0097-0116] 半導體器件及其制造方法
[8113-0144-0117] 半導體制造裝置
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[8113-0028-0121] 薄膜晶體管及其制作方法
[8113-0082-0122] 半導體器件及其制造方法
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[8113-0134-0126] 非易失半導體存儲單元及制造方法
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