半導體,半導體封裝,半導體電路,半導體模塊類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8139-0206-0001] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種半導體器件及其制造方法。sicn層108、bcb層110和msq層112按此順序淀積在由阻擋金屬層104和銅層106構成的銅互連線上。bcb層110通過等離子聚合含二乙烯基硅氧烷雙苯并環丁烯單元的單體而形成。
[8139-0079-0002] 絕緣體上緩和sige層的制備
[摘要] 本發明公開了一種用于在絕緣體(74)的緩和sige(sgoi)上形成應變si或應變sige的方法，在半導體襯底上生長緩變si1-xgex層(20)和外延si1-ygey層，在所述si1-ygey層(30)中注入氫(70)，以形成富氫缺陷層，通過化學機械拋光平滑表面，通過熱處理將兩個襯底粘結在一起，并在富氫缺陷層分離兩個粘結的襯底。可以通過cmp對分離的襯底的上表面(75)進行平滑，該上表面用于外延淀積其它層。
[8139-0165-0003] 多功能管腳電路
本發明多功能管腳電路，該管腳電路具有三個輸出端a、b和c，其中a端通過一時鐘信號選通模塊與管腳相連，而b端通過一高電平選通模塊與管腳相連接，c端直接由管腳引出；所述時鐘信號選通模塊由一個4位二進制計數器和一個狀態鉗制觸發器組成；所述高電平選通模塊由一個32分頻電路和一個反饋狀態控制電路組成。本發明多功能管腳電路，它能根據外部為該管腳提供信號的不同，分別提供不同的、能對其它管腳或內部電路進行控制的控制電平，從而降低了器件所需的管腳數，簡化了電路設計，節省不必要的開發成本。
[8139-0067-0004] 電子部件的散熱結構體和用于該散熱結構體的散熱片材
[摘要] 本發明公開了一種用于放熱電子元件的散熱結構，特征在于其包括在放熱電子元件和散熱元件之間的包括金屬片材和堆疊其上的具有粘附性的導熱元件的散熱片材，其中金屬片材連接到放熱電子元件上，且具有粘附性的導熱元件連接到散熱元件上。
[8139-0087-0005] 采用超晶格的無電介質勢壘的開關裝置
[摘要] 為打破“縮小法則”的界限而提出來的應用了超導體的元件，由于在元件中使用的用于隔斷電流的電介質材料的存在，還沒有被實用化。申請人提出利用無電介質勢壘而對電流的流動進行控制的s-n-s接合的3端子元件。該元件在沒有通過破壞超導狀態而動作的元件的能量損失狀態下，可以在超高頻下動作。
[8139-0145-0006] 半導體器件的制造方法
[摘要] 提供可以使柵電極的功函數優化，而且可以防止特性或可靠性的降低的半導體器件的制造方法。具備n型mis晶體管和p型mis晶體管的半導體器件的制造方法，其特征在于具備：在要形成n型mis晶體管的第1區域上形成第1柵絕緣膜110的工序；在既是第1區域又是第1柵絕緣膜上，淀積含有從硅、鎢和鉬中選出的金屬元素，和從磷和砷中選出的雜質元素的第1導電膜111的工序；在要形成p型mis晶體管的第2區域上形成第2柵絕緣膜110的工序；在既是第2區域又是第2柵絕緣膜上，形成具有比第1導電膜還高的功函數的第2導電膜113的工序。
[8139-0188-0007] 制造晶體半導體材料的方法和制作半導體器件的方法
[摘要] 本發明涉及一種制造晶體半導體材料的方法和制作半導體器件的方法。使用從xecl準分子激光器發出的脈沖激光束(能量束)同樣地照射非晶體膜150次，以在部分熔化關于襯底的垂直方向具有{100}取向的晶粒和熔化非晶膜或者具有非{100}取向的晶粒的溫度下，加熱非晶膜。具有{100}取向的硅晶體新出現在氧化硅膜和液相硅之間，并且彼此隨機結合在一起，以新形成具有{100}取向的晶粒。重復這樣的晶粒形成步驟，形成具有關于襯底的垂直方向優先在{100}方向上生長的晶粒并因此具有清晰的正方形晶粒邊界的晶體膜。
[8139-0056-0008] 曝光裝置、曝光法和器件制造法
[摘要] 在掩模臺(rst)上固定一個其上形成有至少一個針孔狀圖案的基準板(rfm)，掩模臺(rst)上固持地移動掩模(r)。因此，例如可以不用任何特殊類型的測量用掩模，通過把連結型波前測量儀(80)設置到襯底臺(wst)上、利用照明系統(iop)照射基準板并利用波前測量儀接收通過投影光學系統在針孔狀圖案處產生的球面波，來測量投影光學系統(pl)的波前象差。因此，可以以理想的計時很容易地測量投影光學系統的波前象差，這使得能夠對投影光學系統進行充分地質量控制。因此，可以利用進行了充分地質量控制的投影光學系統把掩模圖案精確地轉印到襯底上。
[8139-0088-0009] 熱處理裝置和熱處理方法
[摘要] 熱處理裝置具有處理容器28和被放置到處理容器28內、多級支撐被處理體w的被處理體舟30。當操作員比如從輸入操作部18輸入所希望的作業識別記號j1～jh時，則通過利用該作業識別記號所特定的作業處方，分別從布局存儲部16和流程存儲部14讀出布局程序和流程程序，并按作業處方所表示的時間序列的順序依次執行這些程序。由此，只選擇作業識別記號就可以選擇各種布局程序和流程程序的組合。
[8139-0033-0010] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種半導體器件，包括半導體基板、層間絕緣膜以及在層間絕緣膜中形成的埋入布線，其中，層間絕緣膜包括在基板上形成的并且相對介電常數小于2.5的第一絕緣膜，以及為覆蓋第一絕緣膜而形成的并且相對介電常數大于第一絕緣膜的相對介電常數的第二絕緣膜。第二絕緣膜的底部在數個點埋入在第一絕緣膜中。
[8139-0195-0011] 半導體器件和固體攝象器件的制造方法
[8139-0092-0012] 鐵電體薄膜、金屬薄膜或氧化物薄膜、其制造方法和制造裝置以及使用薄膜的電子...
[8139-0183-0013] 太陽能電池模塊和用于該模塊的端面密封件
[8139-0178-0014] 場效應半導體裝置
[8139-0077-0015] 電子器件材料的制造方法
[8139-0001-0016] 包括單獨的抗穿通層的晶體管結構及其形成方法
[8139-0073-0017] 鐵電電容器及積體半導體內存芯片之制造方法
[8139-0015-0018] 制備低介材料的組合物
[8139-0032-0019] 一種大功率器件及其散熱器件的壓裝方法
[8139-0141-0020] 半導體裝置
[8139-0034-0021] 半導體裝置及使用該半導體裝置的處理系統
[8139-0083-0022] 薄膜晶體管結構及其制造方法和使用它的顯示器件
[8139-0054-0023] 氮化物系半導體發光元件
[8139-0133-0024] 電子部件封裝用薄膜載帶的檢查方法及其檢查裝置
[8139-0121-0025] 低阻t-柵極mosfet器件及其制造方法
[8139-0215-0026] 制作半導體器件的方法和生成掩膜圖樣的方法
[8139-0093-0027] 用于集成電路平面化的粘性保護覆蓋層
[8139-0192-0028] 半導體器件及其制造方法和裝置
[8139-0158-0029] 銅雙鑲嵌內連線的焊墊及其制造方法
[8139-0142-0030] 用于埋入式后端線結構的錯落金屬化
[8139-0052-0031] gan基多量子阱結構及采用該結構的發光二極管
[8139-0126-0032] 電路布線板及其制造方法
[8139-0187-0033] 結晶裝置、結晶方法及所使用的相移掩模和濾波器
[8139-0059-0034] 等離子體裝置及其制造方法
[8139-0008-0035] 微型溫差電池及其制造方法
[8139-0046-0036] 具有高架源/漏結構的半導體器件及其制造方法
[8139-0149-0037] 具有全金屬化過孔的封裝接口基板晶片的制造技術
[8139-0125-0038] 連結墊結構及其制造方法
[8139-0028-0039] 半導體裝置及其制造方法
[8139-0038-0040] 具有像素隔離區的圖像傳感器
[8139-0175-0041] 半導體裝置及其制造方法
[8139-0041-0042] 具有穩定開關特性的單電子晶體管
[8139-0066-0043] 散熱元件
[8139-0103-0044] 半導體制程派工控制方法以及制造半導體組件的方法
[8139-0055-0045] 用于加工半導體晶片的集成系統
[8139-0189-0046] 制造納米soi晶片的方法及由該法制造的納米soi晶片
[8139-0006-0047] 高亮度超薄光半導體器件
[8139-0010-0048] 元件運送裝置及元件運送方法
[8139-0002-0049] 半導體器件及其制造方法
[8139-0023-0050] 電子部件的接合方法和電子部件的接合裝置
[8139-0123-0051] 半導體器件及其制造方法
[8139-0153-0052] 散熱器和使用了該散熱器的半導體元件和半導體封裝體
[8139-0180-0053] 半導體膜、半導體膜的制造方法、半導體器件以及半導體器件的制造方法
[8139-0095-0054] 半導體模塊的中間載體、用它制造的半導體模塊及制造方法
[8139-0146-0055] 半導體封裝用基板及半導體裝置
[8139-0140-0056] 形成貫穿襯底的互連的方法
[8139-0208-0057] 一種多孔氧化硅膜的制備方法
[8139-0005-0058] 發光二極體結構
[8139-0018-0059] 形成功率器件的方法及其結構
[8139-0201-0060] 水蒸汽作為處理氣，用于離子植入后抗蝕劑剝離中硬殼、抗蝕劑和殘渣的去除
[8139-0091-0061] 熱處理方法和熱處理裝置
[8139-0152-0062] 模塑樹脂封裝型功率半導體裝置及其制造方法
[8139-0118-0063] 無氨低介電值材料的形成方法
[8139-0057-0064] 帶有超薄垂直體晶體管的快速存儲器
[8139-0197-0065] 薄膜半導體器件的制造方法
[8139-0176-0066] 主動式有機發光顯示器及其制造方法
[8139-0047-0067] 具有多個疊置溝道的場效應晶體管
[8139-0166-0068] 半導體器件及其制造方法
[8139-0184-0069] 白光發光二極管的制造方法及其發光裝置
[8139-0025-0070] 結晶化狀態的原位置監測方法
[8139-0012-0071] 電子裝置用襯底、電子裝置用襯底的制造方法、及電子裝置
[8139-0156-0072] 引線框架、樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[8139-0212-0073] 直接芯片連接的結構和方法
[8139-0104-0074] 集成電路的圖形設計方法、曝光掩模的制作方法及其應用
[8139-0105-0075] 零件保持裝置
[8139-0216-0076] 半導體器件的制造方法
[8139-0036-0077] 用于制備取向的pzt電容器的晶體構造電極的方法
[8139-0089-0078] 制造光學器件的方法以及相關的改進
[8139-0203-0079] 用于電化學機械拋光的導電拋光部件
[8139-0071-0080] 半導體器件的接觸部分和包括該接觸部分的用于顯示器的薄膜晶體管陣列板
[8139-0198-0081] 離子摻雜裝置及離子摻雜裝置用多孔電極
[8139-0084-0082] 太陽能電池組件和其安裝方法
[8139-0155-0083] 引線框及制造方法以及樹脂密封型半導體器件及制造方法
[8139-0049-0084] p型gaas基板znse系pin光電二極管及p型gaas基板znse系雪...
[8139-0159-0085] 半導體器件及其制造方法
[8139-0205-0086] 蝕刻液的再生方法、蝕刻方法和蝕刻系統
[8139-0173-0087] 半導體器件
[8139-0040-0088] 半導體器件及其制造方法
[8139-0181-0089] 氧化鋅膜和使用它的光電元件、以及氧化鋅膜的形成方法
[8139-0065-0090] 芯片轉移方法及裝置
[8139-0213-0091] 檢測光信號的方法
[8139-0042-0092] 高壓p型金屬氧化物半導體管
[8139-0069-0093] 混合集成電路器件及其制造方法和電子裝置
[8139-0050-0094] 光接收元件及其制造方法以及具有內建電路的光接收元件
[8139-0102-0095] 磁存儲元件、其制造方法和驅動方法、及存儲器陣列
[8139-0164-0096] 在芯片內部集成電阻電容乘積的時間常數測試電路
[8139-0014-0097] 包含背面研磨的半導體晶片加工方法
[8139-0045-0098] 用于動態閾值電壓控制的多晶硅背柵soi mosfet
[8139-0130-0099] 可在集成器件內精確測量組件電氣特性參數的電路
[8139-0168-0100] 含有絕緣柵場效應晶體管的半導體器件及其制造方法
[8139-0060-0101] 襯底處理裝置及襯底處理方法
[8139-0029-0102] 半導體器件
[8139-0150-0103] 半導體裝置及其制造方法
[8139-0160-0104] 具有熔絲的半導體器件
[8139-0086-0105] 太陽能電池和制造太陽能電池的方法
[8139-0111-0106] 自對準半導體接觸結構及其制造方法
[8139-0186-0107] 用于顯示器的有機發光二極管及其制造方法
[8139-0004-0108] 發光元件
[8139-0172-0109] 有效設計內部布線的半導體存儲裝置
[8139-0099-0110] 溝槽柵費米閾值場效應晶體管及其制造方法
[8139-0078-0111] 半導體器件用連接器裝置以及半導體器件的測試方法
[8139-0081-0112] 用于半導體器件的非鑄模封裝
[8139-0074-0113] 減少半導體容器電容器中的損傷
[8139-0100-0114] 高溫超導約瑟夫遜結及其形成方法、配備該結的超導電子器件
[8139-0024-0115] 具有氣泡消除裝置的監測系統
[8139-0062-0116] 用于高疲勞壽命無鉛焊料的結構及方法
[8139-0097-0117] 具esd保護之半導體組體
[8139-0151-0118] 半導體包封用環氧樹脂組合物及使用該組合物的半導體裝置
[8139-0051-0119] 一種多量子阱結構及采用該結構的發光二極管
[8139-0044-0120] 半導體器件及其制造方法
[8139-0119-0121] 以單一晶圓式化學氣相沉積的反應器連續形成氧化物/氮化物/氧化物絕緣層的制...
[8139-0080-0122] 具有從半導體芯片導熱的熱管的電子裝置
[8139-0098-0123] 半導體裝置
[8139-0048-0124] 半導體器件及其制造方法
[8139-0154-0125] 半導體集成電路裝置
[8139-0063-0126] 控制蝕刻選擇性的方法和裝置
[8139-0191-0127] 薄膜晶體管陣列板及其制造方法
[8139-0177-0128] 電力半導體器件
[8139-0113-0129] 切削裝置
[8139-0058-0130] 被處理件的處理方法及處理裝置
[8139-0122-0131] 覆晶封裝制程及其裝置
[8139-0082-0132] 半導體電路調節器
[8139-0026-0133] 傳送裝置
[8139-0109-0134] 降低基底缺陷的高摻雜波度的離子布植方法
[8139-0137-0135] 具有邊角保護層的淺溝槽隔離區制造程序
[8139-0070-0136] 半導體器件及其驅動方法
[8139-0068-0137] 多芯片電路模塊及其制造方法
[8139-0007-0138] 高效發光二極管及其制造方法
[8139-0009-0139] 一種磁電復合材料及其制法
[8139-0134-0140] 半導體器件的評估方法、制造方法及器件設計管理系統
[8139-0167-0141] cmos元件及其制造方法
[8139-0211-0142] 膠帶送料輥控制方法和半導體安裝裝置
[8139-0124-0143] 電子元件的封裝結構及其制造方法
[8139-0199-0144] 半導體集成電路器件的制造方法
[8139-0116-0145] 化學處理設備中降低晶圓報廢比例的方法
[8139-0209-0146] 薄膜半導體器件的制造方法
[8139-0075-0147] 等離子體cvd法及其裝置
[8139-0128-0148] 半導體裝置及其制造方法
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[8139-0120-0152] 高溫退火非摻雜磷化銦制備半絕緣襯底的方法
[8139-0112-0153] 半導體電路器件的制造方法
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