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[8101-0103-0001] 基于基片的未模制封裝
[摘要] 揭示了一種半導體管芯封裝。在一個實施例中，半導體管芯封裝具有一基片。它包括(i)包含具有管芯附著表面的管芯附著區域和具有引線表面的引線的引線框架結構以及(ii)模制材料。管芯附著表面和引線表面通過模制材料而暴露。半導體管芯位于管芯附著區域上，且半導體管芯電氣耦合到引線。
[8101-0094-0002] 通過植入n-及p-型簇離子及負離子制造cmos器件的方法
[摘要] 本發明揭示一種用于將簇離子植入半導體襯底中以進行半導體器件制造的離子植入系統(10)，并揭示一種制造一半導體器件的方法。其中為在cmos器件中形成晶體管，植入n-型及p-型摻雜劑簇。舉例而言，在植入期間分別使用as4hx+簇與b10hx或b10hx+簇作為as及b摻雜的摻雜源。本發明揭示一種用于將簇離子植入半導體襯底中以進行半導體器件制造的離子植入系統(10)。
[8101-0209-0003] 鐵電電容器及其制造方法
一種鐵電電容器，其包含：下部電極層、下部電極層上的鐵電層以及鐵電層上的上部電極層，其中在下部電極層上形成鐵電體，使得鐵電體具有主取向軸，并且，下部電極層具有多層結構，下部電極的這些層越接近鐵電層，則鐵電體的構成元素或由構成元素構成的化合物對下部電極的擴散系數越大。通過有機金屬汽相沉積法形成鐵電層，并且在形成該鐵電層時加熱襯底；使含有鐵電層的構成元素中至少一種的有機金屬原料通過，從而在下部電極上形成鐵電層的同時，使下部電極的與鐵電層相接的第一層的構成元素與鐵電層的構成元素形成為合金或化合物。由此獲得了結構形態良好并且鐵電體具有主取向軸的鐵電電容器。
[8101-0161-0004] 半導體元件及其晶片級芯片尺寸封裝
[摘要] 一種封入晶片級芯片尺寸封裝(wlcsp)的半導體器件，包括在半導體芯片的表面上形成的多個襯墊電極，其中在除襯墊電極以外的半導體芯片的表面上形成有第一絕緣層；在第一絕緣層的表面上形成有多個連接電極和至少一個散熱電極；通過第一布線部分使襯墊電極和連接電極互相連接；散熱電極與第二布線部分連接；且形成第二絕緣層以便密封電極和布線部分，其中在半導體芯片的熱部附近設置第二布線部分并且在除了對應于第一布線部分的預定區域以外的第一絕緣層的表面上形成第二布線部分。
[8101-0029-0005] 半導體器件及該半導體器件的制造方法
[摘要] 一種半導體器件，具有形成在襯底上的天線焊盤和測試焊盤。包含填料的絕緣樹脂層覆蓋測試焊盤，在天線焊盤上設置凸起。通過設置包含填料的絕緣樹脂層從而抑制該半導體器件中的特定數據被讀出或者改寫。
[8101-0206-0006] 半導體器件的制造方法及通過該方法得到的半導體器件
[摘要] 本發明涉及一種半導體器件(10)的制造方法，其中在具有臨時襯底(2)的半導體本體(1)中，在與該襯底(2)相對的半導體本體(1)的側面上形成至少一個半導體元件(3)，其具有至少一個連接區域(4)，以及在所述側面上形成電介質(5)并且被構圖成露出連接區域，之后在電介質(5)上提供金屬層(6)，從而與連接區域(4)接觸，該金屬層(6)作為連接區域(4)的電連接導體，之后除去臨時襯底(2)并且金屬層(6)作為器件(10)的襯底。根據本發明，在淀積金屬層(6)之前，在電介質(5)的構圖部分的周圍和在半導體元件(3)的周圍提供厚度大于電介質(5)的合成樹脂的環形區域(7)，金屬層(6)在矩形的環形區域(7)內。這樣，在淀積金屬層(6)之后能夠很容易的形成各個器件(10)，優選通過將器件(10)壓出該區域(7)。優選，選擇(不同的)光致抗蝕劑用于電介質(5)和區域(7)，本發明還包括以這種方法獲得的半導體器件(10)。
[8101-0168-0007] 集成電路結構及其形成方法
[摘要] 本發明公開的是一種集成電路結構，含有一個至少兩種類型晶向的襯底。第一類型的晶體管(例如nfet)形成在具有第一類型晶向的襯底第一部分上，以及第二類型的晶體管(例如pfet)形成在具有第一類型晶向的襯底第二部分上。一些襯底的第一部分包括非懸浮襯底部分，以及襯底的第一部分的剩余部分和襯底所有的第二部分包括懸浮襯底部分。
[8101-0008-0008] 半導體裝置的制造方法及其制造裝置
[摘要] 本發明提供一種半導體裝置的制造方法及其制造裝置。沿著與xy軸平面正交的一個軸，對電極(32)的形成面和導線(12)的形成面進行攝像。得到電極(32)的形成面和導線(12)的形成面的、向與z軸正交的一個面的投影圖像。在投影圖像中，計算一個電極(32)的圖像和一個導線(12)的圖像之間的偏移。為了不產生偏移計算所必需的、由基板(10)和半導體芯片(30)中的至少一方的膨脹或收縮引起的變形值。為了得到該變形值，計算必需的、基板(10)和半導體芯片(30)中至少一方的溫度變化。根據溫度變化，改變半導體芯片(30)和基板(10)中至少一方的溫度。因此提供了一種可高精度地連接半導體芯片的電極和基板的導線的技術。
[8101-0132-0009] 一種獲取均勻寬帶隙半導體薄膜的同軸進氣方法
[摘要] 本發明公開了一種獲取均勻寬帶隙半導體薄膜的同軸進氣方法，該方法是在由一系列同軸的石英管和石英環的反應器中進行的。其方法步驟是：(1)、將襯底6放置在襯底托7上，一并放入反應室，并將反應室抽真空；(2)、反應物i由進氣管1輸入，反應物ii由進氣環3輸入，隔離氣由進氣環2輸入，壓迫氣由進氣環4輸入；(3)、將襯底加熱至設定溫度，反應物i和反應物ii接近襯底6表面時均勻混合，并吸附在處于高溫的襯底6表面發生分解反應，從而在襯底6上生長成均勻寬帶隙的半導體薄膜。該方法成本低、技術難度小、實用性強、特別適用于各種gan基和zno基等寬帶隙結構材料的生長與器件結構材料的研究。
[8101-0061-0010] 半導體裝置
[摘要] 一種半導體裝置，具有第一層電極和平板狀第二層電極的雙極晶體管減少了引線接合的固定位置的限制，提高了組裝時的通用性。另外，由于第二層基極電極6和發射極電極僅以各自矩形的一個邊相鄰，故掩模的對位偏差或用于得到要求的抗蝕劑圖案的間隔距離僅考慮該部分即可。但是，由于外部端子的配置，而不能實現發射極電阻的降低或芯片的薄型化。將第一層基極電極形成梯狀的圖案，并在其間并行配置第一層發射極電極。另外，將第二層電極層構成平板狀，將第一層并行的發射極電極及基極電極和第二層電極鄰接的邊并行配置。由此，即使在梯狀匯接第一層基極電極的端部附近的第二電極上固定接合引線，也可以降低發射極電阻，使芯片薄型化。
[8101-0059-0011] 微型開關器件和制造微型開關器件的方法
[8101-0006-0012] 具有功率半導體模塊壽命檢測功能的馬達驅動裝置
[8101-0007-0013] 半導體裝置及其制造方法
[8101-0122-0014] 半導體裝置及其制造方法以及半導體制造裝置
[8101-0157-0015] 熱管式散熱器
[8101-0210-0016] 鰭形場效晶體管半導體存儲器的字線和位線排列
[8101-0109-0017] 表面安裝電源的發光晶粒封裝
[8101-0191-0018] 去除材料的系統和方法
[8101-0104-0019] 具有涂層引線的封裝半導體器件及其方法
[8101-0204-0020] 防止快速熱處理期間對準標記移動的方法
[8101-0063-0021] 有受防護發射極-基極結的雙極結晶體管的半導體器件
[8101-0113-0022] 有機半導體器件及其制造方法
[8101-0064-0023] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8101-0051-0024] 快閃存儲單元及其制造方法
[8101-0218-0025] 制造集成pin型二極管的方法及其電路裝置
[8101-0077-0026] 利用液相化學法制備硫族化合物熱電薄膜的方法
[8101-0066-0027] 半導體器件以及其制造方法
[8101-0159-0028] 應用于電子裝置的散熱裝置
[8101-0091-0029] 絕緣體上半導體裝置和方法
[8101-0137-0030] 制備具有w/wn/多晶硅分層薄膜的半導體器件的方法
[8101-0162-0031] 半導體裝置及其制造方法
[8101-0144-0032] 拋光墊與拋光盤之間的氣泡檢測方法
[8101-0192-0033] 研磨劑組合物、其制備方法及研磨方法
[8101-0044-0034] 集成電路器件
[8101-0048-0035] 非易失性半導體存儲器件
[8101-0141-0036] 半導體芯片安裝體的制造方法和半導體芯片安裝體
[8101-0147-0037] 形成有掩埋氧化物圖形的半導體器件的方法及其相關器件
[8101-0185-0038] 壓電/電致伸縮膜元件
[8101-0068-0039] 白光發光二極管單元
[8101-0203-0040] 半導體元件的支撐板
[8101-0110-0041] 半導體器件及其制造方法
[8101-0176-0042] 可變電容器與差動式可變電容器
[8101-0093-0043] 圖案形成基體材料及圖案形成方法
[8101-0120-0044] 表面安裝型發光二極管
[8101-0200-0045] 處理光電活性層和有機基光電元件
[8101-0018-0046] 顯示裝置及其制造方法，以及電視機接收器
[8101-0189-0047] 半導體基片保護裝置
[8101-0105-0048] 有源像素上具有光電導體的圖像傳感器
[8101-0083-0049] 通過大氣輝光放電產生屏蔽涂層
[8101-0086-0050] 半導體集成電路用絕緣膜研磨劑組合物及半導體集成電路的制造方法
[8101-0079-0051] 傳感元件的隔離方法和裝置
[8101-0101-0052] 在開口中形成導電材料的方法和與其相關的結構
[8101-0036-0053] 可承受高電壓及負電壓的靜電放電保護裝置
[8101-0012-0054] 測量占空比的方法
[8101-0039-0055] 半導體器件
[8101-0170-0056] 靜態隨機存取存儲器元件
[8101-0058-0057] 光半導體集成電路裝置
[8101-0082-0058] 維修系統、基板處理裝置、遠程操作裝置和通信方法
[8101-0151-0059] 集成電路晶體管與其形成方法
[8101-0167-0060] 集成電路
[8101-0178-0061] 氮化鎵基肖特基結構紫外探測器及制作方法
[8101-0140-0062] 晶片埋入式模組化電路板
[8101-0027-0063] 散熱模塊
[8101-0150-0064] 半導體集成電路器件的制造方法及探針卡
[8101-0057-0065] 光半導體集成電路裝置
[8101-0214-0066] 半導體器件及其制造方法
[8101-0195-0067] 形成半導體基體上的絕緣膜的方法
[8101-0145-0068] 測試裝置的探測頭
[8101-0015-0069] 半導體器件的制造方法
[8101-0193-0070] 腐蝕液及腐蝕方法
[8101-0152-0071] 具有硅襯底的電子電路器件
[8101-0213-0072] 固態攝像器件及其制作方法
[8101-0034-0073] 具有用以改善表面平整度的空置圖案的多層布線結構
[8101-0181-0074] 發光氮化物半導體器件及其制造方法
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[8101-0124-0076] 利用超臨界流體制造微電子器件的方法
[8101-0069-0077] 全彩可撓性發光燈條裝置
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[8101-0054-0079] 絕緣層上覆硅（soi）組件的聯機結構
[8101-0111-0080] 薄膜晶體管、液晶顯示設備及其制備方法
[8101-0171-0081] 主芯片、半導體存儲器、以及用于制造半導體存儲器的方法
[8101-0090-0082] sio2/sic 結構中界面態的氮鈍化
[8101-0164-0083] 靜電放電保護電路及消散靜電電荷的方法
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[8101-0123-0085] 用于前段工藝制造的原地干洗腔
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[8101-0184-0087] 壓電產生裝置
[8101-0172-0088] 具有增強的編程和擦除連接的閃速存儲器及其制造方法
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[8101-0009-0090] 缺陷原因分析的方法
[8101-0215-0091] 照相裝置、制造照相裝置的方法以及晶片尺度的封裝
[8101-0084-0092] 半導體器件的制造方法以及制造裝置
[8101-0148-0093] 具有鎢插塞的穩定金屬結構
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[8101-0056-0095] 紫外雙波段氮化鎵探測器
[8101-0043-0096] 集成電路器件及其制造方法以及形成釩氧化物膜的方法
[8101-0095-0097] 晶片級無電鍍銅法和凸塊制備方法,以及用于半導體晶片和微芯片的渡液
[8101-0108-0098] 圖像傳感器、包括圖像傳感器的照相機系統及其制造方法
[8101-0169-0099] 半導體集成電路
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[8101-0075-0106] 發光二極管
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