半導體,半導體晶片,半導體集成電路器件,半導體封裝類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8121-0024-0001] 使用激光的半導體晶片分割方法
[摘要] 一種通過使用激光束沿切割道充分精確地分割半導體晶片的方法，同時完全避免或抑制在半導體晶片正面上的矩形區域中形成的電路變臟，而不使正面上的矩形區域產生缺口。從半導體基底的背面和正面的其中之一的旁邊應用激光束，并將激光束聚焦于半導體基底的背面和正面的另一個上或其附近，部分損壞從半導體基底的背面和正面的另一個延伸到預定深度的至少一個區域。
[8121-0070-0002] 底柵控制型多晶硅薄膜晶體管的制造方法
[摘要] 一種薄膜晶體管的形成方法，包括：在基板上形成柵極；在柵極上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成非晶硅層；使對應柵極的有源區中的非晶硅層結晶，以形成多晶硅層；蝕刻非晶硅層，使非晶硅的蝕刻速度大于多晶硅的蝕刻速度，以在有源區中形成多晶硅半導體層；和在半導體層上形成源極和漏極。
[8121-0095-0003] 反熔絲型存儲器組件的結構與制造方法
本發明公開了一種反熔絲型存儲器組件的結構與制造方法，包括下列步驟：首先，提供一基板并形成一金屬層于該基板上。其后，形成一硅層于該金屬層上并使該金屬層與部分該硅層反應以形成一金屬硅化物層且未被反應的硅層做為第一型導電層。接下來，形成一反熔絲層于該第一型導電層上。圖形化該第一型導電層、金屬硅化物層、反熔絲層以形成字符線并形成一第二型導電層于該反熔絲層上，最后圖形化該第二型導電層以形成位線。本發明可以減少多晶硅的沉積步驟，以簡化形成金屬硅化物的制程，縮減制程時間，減低制造成本及減少傳導層的總體阻質。
[8121-0079-0004] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 一種提高可靠性的半導體封裝件及其制造方法。其具有：準備多個被密封設備(半導體集成電路、ccd等)形成的半導體晶片(10)和支撐該半導體晶片(10)并且密封被密封設備的玻璃基板(11)，并在玻璃基板(11)對面的半導體晶片(10)的主面或半導體晶片(10)對面的玻璃基板(11)的主面的任何一個上涂敷常溫硬化樹脂(12)的工序；在常溫下，介由常溫硬化樹脂(12)粘合半導體晶片(10)和玻璃基板(11)的工序；將半導體晶片(10)沿其劃線進行劃片，分割成各個半導體封裝件的工序。
[8121-0102-0005] 儲存電容器之埋入式帶接觸及其制造方法
[摘要] 在一存儲單元的溝槽電容器及后續形成的該存儲單元的選擇晶體管間的一埋入式帶接觸以此種方式被制造，使得該內部電容器電極層在該溝槽電容器的溝槽內被回蝕及接著該未被覆蓋絕緣體層在該溝槽壁被移除以定義該埋入式帶接觸面積的區域。之后，該內襯層被沉積以覆蓋在該溝槽的該內部電容器電極層及該未被覆蓋的溝槽壁及因而形成阻擋層。具該內部電極層的材料之間隔物層接著形成于在該溝槽壁的該內襯層。最后，該未被覆蓋的內襯層在該內部電極層上方被移除且該溝槽以該內部電極層的材料填充以制造該埋入式帶接觸。
[8121-0172-0006] 光器件及其制造方法
[摘要] 本發明是由將陶瓷基板層疊而形成的凹形外殼(13)、設置在該外殼(13)的內部底面的溝槽(19)、設置詬霉擋?19)的內部的光半導體元件(20)、覆蓋外殼(13)的開口部分而設置的蓋體(12)、以及在該蓋體(12)上形成的透鏡(11)所構成的光器件，通過在蓋體(12)上形成透鏡(11)，能夠提供廉價的光器件，能夠實現光器件的小型化，并能降低高度。
[8121-0176-0007] 固體攝像裝置
[摘要] 本發明得到一種以簡易的結構強化emc噪聲耐性來提高工作穩定性的固體攝像裝置。本發明中，與固體攝像元件(1)的電源焊墊連接的電源布線(11、12)和與集成電路芯片的電源焊墊連接的電源布線(13、14)以非常近的間隔平行配置，電源布線(11～14)具有一定的寬度，同時使彎曲部分以預定曲率以下平滑地彎曲而形成于柔性布線板(3)上，另外，使固體攝像元件(1)或集成電路芯片(2)的高電位側和低電位側的電源焊墊相鄰接。
[8121-0046-0008] 具有高介電常數介電層的柵極結構及其制作方法
[摘要] 本發明提供一種具有高介電常數介電層的柵極結構及其制作方法。包括下列步驟：提供一半導體基底，于上述半導體基底上形成一具有高介電常數的柵極介電層。形成一柵極導電層于介電層上。于上述柵極導電層上形成一圖案化罩幕，以干蝕刻法蝕刻柵極導電層及部分具有高介電常數的柵極介電層，再利用濕蝕刻法蝕刻剩余部分具有高介電常數的柵極介電層，以形成一具有高介電常數柵極介電層的柵極結構。
[8121-0053-0009] 激光束處理方法和激光束處理裝置
[摘要] 一種用于半導體晶片的激光束處理方法，該半導體晶片具有形成在半導體基底前表面上的低電介質絕緣膜，被網格道分劃的多個電路，和部分形成在每個網格道上的測試金屬圖案，該方法包括：激光束處理步驟用于在不同處理環境下，把激光束射到金屬圖案所在區域和低電介質絕緣所在區域的位置，以去除該金屬圖案和低電介質絕緣膜。
[8121-0175-0010] 使用高幀頻的具有幀相加和運動補償的cmos圖像傳感器
[摘要] 一種利用cmos圖像傳感器形成復合圖像的方法。該方法包括使用圖像傳感器拍攝多個幀，在每幀中確定一個參考點，并利用該參考點將這些幀對齊。最后，將這些幀組合成復合圖像，例如將這些幀算術相加。
[8121-0056-0011] 研磨墊、研磨裝置及晶片的研磨方法
[8121-0195-0012] 半導體組件
[8121-0101-0013] 制造快閃存儲裝置的方法
[8121-0164-0014] 電容器及其制造方法
[8121-0084-0015] 在基底蝕刻制程中的干涉終點偵測
[8121-0112-0016] 半導體封裝構造用的基板
[8121-0191-0017] 薄膜晶體管、有源矩陣基板、顯示裝置和電子設備
[8121-0006-0018] 模塊部件
[8121-0181-0019] 異質結雙極型晶體管及其制造方法
[8121-0096-0020] 制造半導體器件的方法和使用該方法的半導體器件制造裝置
[8121-0074-0021] 半導體器件的制造方法
[8121-0077-0022] 中央焊墊記憶體堆疊封裝組件及其封裝制程
[8121-0068-0023] 半導體裝置的制造方法及半導體襯底
[8121-0093-0024] 半導體集成電路器件的制造方法
[8121-0027-0025] 用于半導體處理的氣體分配設備
[8121-0217-0026] 在凹槽刻蝕之前通過干涉法實現的現場監測進行平坦化刻蝕的方法
[8121-0002-0027] cvd設備以及使用cvd設備清洗cvd設備的方法
[8121-0132-0028] 具有對角方向線路的半導體集成電路器件及其布置方法
[8121-0023-0029] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0182-0030] 絕緣柵型雙極晶體管及其制造方法以及變流電路
[8121-0031-0031] 半導體晶片、半導體元件及其制造方法
[8121-0045-0032] 等離子體摻雜裝置
[8121-0059-0033] 基片接合方法和設備
[8121-0021-0034] 圖形處理方法與裝置
[8121-0131-0035] 半導體裝置
[8121-0033-0036] 形成多層互連結構方法、電路板制造方法及制造器件方法
[8121-0160-0037] 非易失性半導體存儲裝置、電子卡及電子裝置
[8121-0099-0038] 具有一非易失性內存的集成電路及其制造方法
[8121-0080-0039] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0028-0040] 使用混合耦合等離子體的裝置
[8121-0120-0041] 芯片封裝結構
[8121-0076-0042] 半導體器件的制造方法及半導體制造裝置
[8121-0036-0043] 一字排列式顯影處理裝置及顯影處理方法
[8121-0103-0044] 存儲節點觸點形成方法和用于半導體存儲器中的結構
[8121-0142-0045] 電源裝置
[8121-0065-0046] 氮化硅膜、半導體器件、顯示器件及制造氮化硅膜的方法
[8121-0064-0047] 半導體器件制造方法和蝕刻系統
[8121-0008-0048] 以離子植入增加局部側壁密度的方法
[8121-0173-0049] 水平控制的影像感測晶片封裝結構及其封裝方法
[8121-0069-0050] 形成低溫多晶硅薄膜晶體管的方法
[8121-0162-0051] 鐵電隨機存取存儲器電容器及其制造方法
[8121-0212-0052] 有機發光二極管顯示面板及制造方法
[8121-0055-0053] 清潔部件和清潔方法
[8121-0198-0054] 太陽能電池模塊
[8121-0050-0055] 透明電極膜的形成方法
[8121-0208-0056] 紅外投射裝置
[8121-0007-0057] 電子器件及其制造方法
[8121-0124-0058] 半導體裝置及混合集成電路裝置
[8121-0072-0059] 半導體裝置的制造方法
[8121-0058-0060] 半導體晶片的清洗方法和清洗裝置
[8121-0121-0061] 半導體器件及其制造方法
[8121-0190-0062] 高壓組件及其制造方法
[8121-0178-0063] 光電二極管和其制造方法及半導體裝置
[8121-0052-0064] 盤狀工件分割裝置
[8121-0149-0065] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0030-0066] 表面紋理化的方法
[8121-0060-0067] 基板支持裝置及基板取出方法
[8121-0039-0068] 帶有抗蝕膜的基片的制造方法
[8121-0100-0069] 具有凹入的柵極電極的半導體器件的集成方法
[8121-0113-0070] 高密度芯片尺寸封裝及其制造方法
[8121-0166-0071] 非易失性半導體存儲器件
[8121-0035-0072] 半導體裝置的制造方法及使用這種方法的半導體襯底的制造方法
[8121-0042-0073] 經涂覆的半導體晶片、及制造該半導體晶片的方法及裝置
[8121-0091-0074] 具有溝槽形式的裝置隔離層的半導體裝置的制造方法
[8121-0134-0075] 多指型靜電放電保護元件
[8121-0114-0076] 形成包封器件和結構的方法
[8121-0004-0077] 在半導體晶片上形成劃線的方法以及用以形成這種劃線的設備
[8121-0085-0078] 具有晶圓定位柱的晶圓貯存容器
[8121-0156-0079] 電平位移電路
[8121-0015-0080] 光電元件
[8121-0111-0081] 電路模塊及其制造方法
[8121-0086-0082] 開放框架托盤夾
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[8121-0205-0086] 發光器件和發光器件的制造方法以及照明裝置
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[8121-0215-0088] 處理裝置和處理方法
[8121-0155-0089] 微分電容器、差動天線元件和差動諧振器
[8121-0135-0090] 對稱高頻scr結構和方法
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[8121-0127-0093] 半導體載體用膜、及使用其的半導體裝置和液晶模塊
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[8121-0186-0095] 垂直雙溝道絕緣硅晶體管及其制造方法
[8121-0200-0096] 全方向反射鏡及由其制造的發光裝置
[8121-0184-0097] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0148-0098] 有部分或全包圍柵電極的非平面半導體器件及其制造方法
[8121-0032-0099] 制造超窄溝道半導體器件的方法
[8121-0107-0100] 絕緣體上sige襯底材料的制作方法及襯底材料
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[8121-0161-0107] 含有非易失性存儲器的半導體器件及其制造方法
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[8121-0041-0109] gan基底和其制備方法、氮化物半導體器件和其制備方法
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[8121-0188-0111] 具有凸起的結區域的pmos晶體管應變最優化
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