半導體,半導體存儲,半導體熱處理,半導體裝置類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8145-0112-0001] 集成電路結構表面涂覆金屬的方法
[摘要] 本發明涉及一種集成電路結構表面涂覆金屬的方法，其是在一包含有一基板以及一個以上安置于其上的芯片的集成電路結構，而芯片是可以打金線或覆晶等多種方式耦合于基板上，以及一封膠是至少覆于芯片及其附近基板之上。以金屬噴射方式在該集成電路結構的部分非導電區表面，噴射形成一涂覆在表面的金屬噴射層，而在噴射金屬層之前，可選擇性加入一保護膜作保護，該金屬噴射層的厚度可依所需輕易作控制改變，可達到良好的散熱效果以及防電磁波的效果，維持集成電路芯片的正常運作。
[8145-0152-0002] 半導體存儲裝置及其制造方法
[摘要] 提供一種可以提高數據保持特性的非易失性半導體存儲裝置及其制造方法。在存儲元件的上層，具備包含以下群中的至少1個以上的層：添加有氮的硅氧化膜；添加有al的硅氧化膜；al的氧化物；添加有ti的硅氧化膜；添加有氮和al和ti這3種中的2種的硅氧化膜；添加有氮和al和ti這3種的硅氧化膜；ti的氧化物；ti和al的氧化物；由ti、ni、co、zr、cu、pt、v、mg、u、nd、la、sc金屬群中之一種組成的單體金屬層；由包含這些金屬群中2個以上的金屬占全體的至少50％以上的二元以上的合金組成的層；由該合金的氮化物組成的層；或者由該合金的氫化物組成的層(例如al2o3膜10)。
[8145-0032-0003] 形成含鈦黏著層的方法
本發明提供一種形成一含鈦黏著層的方法，主要是進行一氮離子植入步驟，將氮離子經由接觸開口植入至一含有硼離子的離子摻雜區域與含鈦黏著層間的介面區域，以形成一含氮離子的離子摻雜區域。其次，以ticl4為基底并以化學氣相沉積法(cvd)共形地沉積一含鈦黏著層于該含氮離子的離子摻雜區域的表面上。由于，化學氣相沉積法使用的溫度較高，造成含氮離子的離子摻雜區域與含鈦黏著層的介面間有離子擴散的現象，使得鈦離子與氮離子接觸而在介面上形成一氮化鈦層。由于有含氮離子的離子摻雜區域以及氮化鈦層的存在，使得硼離子無法通過上述區域擴散至含鈦黏著層中，因此可以避免因為形成硼化鈦而造成的問題，而可減少硼離子擴散至含鈦黏著層。
[8145-0011-0004] 以氮化鎵為基底的半導體發光裝置
[摘要] 本發明涉及半導體發光裝置，其較佳實施例提供一種半導體發光二極管，包括一個基材、一個被設置在該基材上的n型材料層、一個被設置在n型材料層的一側上并與其相齊平的n++材料層。再者，一個p+材料層被設置在根據本發明的發光二極管的n++材料層上，而一個p型材料層被更進一步地設置在p+材料層上。一個p型披覆層被設置在p型材料層上。一個多重量子阱層被設置在p型披覆層上，并且一個n型披覆層被更進一步地設置在多重量子阱層上。一個第二n型材料層被設置在n型披覆層上。一個n+材料層被設置在根據本發明的發光二極管的第二n型材料層上。在進行局部蝕刻后，一個n型電極被形成而相對于n++材料層，并且一個第二n型電極(未進行蝕刻)被形成在n+材料層上。
[8145-0135-0005] 只讀存儲器的制造方法
[摘要] 一種只讀存儲器的制造方法，此方法提供具有存儲單元區與周邊電路區的基底，其中存儲單元區已形成存儲單元陣列，周邊電路區已形成多個晶體管。然后于存儲單元區形成具有多個第一開口的精準層，上述第一開口位于存儲單元陣列的每一存儲單元的信道區上方并具有相同的關鍵尺寸。接著，于基底上形成具有多個第二開口與第三開口的罩幕層，上述第二開口位于存儲單元區的多個欲編碼存儲單元區上方，且上述第三開口位于周邊電路區的晶體管的柵極上方。之后，以精準層與罩幕層為罩幕，進行一離子植入工藝，以對欲編碼存儲單元區內的存儲單元進行編碼并對晶體管進行臨限電壓調整。
[8145-0143-0006] 具有高觸發電流的靜電放電防護電路
[摘要] 一種具有高觸發電流的靜電放電防護電路。包含有一半導體控制整流器(scr)，一帶mos結構的雙極性極性晶體管。該scr包含有一陽極、一陽柵極、一陰柵極以及一陰極。該陽極耦接至一第一接合焊墊。該陰柵極與該陰極耦接至一第二接合焊墊。該雙極性接面晶體管具有一集電極以及一發射極。該集電極與該發射極其中之一僅僅耦接至該陽柵極；該集電極與該發射極其中之另一耦接至該第二接合焊墊。該esd防護電路需要較大的觸發電流才能使該scr產生栓鎖現象。如此，可以避免在正常操作時，噪聲意外引起栓鎖現象的事件發生。
[8145-0035-0007] 深次微米mos裝置及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種深次微米mos裝置及其制造方法，其制作方法是包括有形成在硅基底與第一介電層中多個主動區，隨后又在所述硅基底全面性地沉積第二及第三介電層。所述第三介電層是可異向性及選擇性地進行蝕刻形成多個側壁，這些側壁是為光罩以供在第二介電層的基部形成多個穿孔，所述穿孔再由一填充介電層填滿，而后再回蝕刻形成數個介電縱行，之后在移除所述第一及第二介電層后，這些介電縱行即為光罩，以形成多個導電柵極。前述制作方法使制成的柵極較一般使用制作技術制造更具較佳精密尺寸。
[8145-0118-0008] 半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板、半導體器件的測試方法、半導體器...
[摘要] 提供能夠保持良好的電接觸來進行具有微細電極構造的被測試電子部件的測試的半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板、半導體器件的測試方法及半導體器件的制造方法。該半導體測試裝置包括：測試電路(13)，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線(12)，與該測試電路電連接；接觸基板(5)，與被測試電子部件的電極電連接，配有傳送測試信號的導電通路(6)，設置有用絕緣性材料形成的、有上表面和下表面的至少一個以上的通孔；多層布線基板(7)，與導電通路和測試信號布線電連接，配置有在接觸基板的下表面上的至少一個以上的通孔(9)；以及吸附機構(11)，吸附并保持被測試電子部件、接觸基板、以及多層布線基板。
[8145-0141-0009] 一種集成電路的金屬焊墊及其制作方法
[摘要] 本發明揭露一種集成電路的金屬焊墊，其位于金屬焊墊窗口上，所述金屬焊墊窗口是利用微影與蝕刻技術在一保護層上所形成；本發明的重點在于，銅制程在搭配低介電材料時在打線的過程會發生焊不黏的情況，而焊不黏的原因起源于低介電材料散熱不易，所以發生于介層窗的底部當打線時造成結構上的損傷，在打第二次焊擊時的拉線過程發生了裂開的焊不黏；為了根本解決這一個問題，我們在金屬焊墊的結構設計上改良，將金屬焊墊在保護層上方向外延伸一個適當面積供打線之用。
[8145-0176-0010] 定義低介電常數介電層的方法
[摘要] 一種定義低介電常數介電層的方法。直接暴露在高能量流下來定義低介電常數介電層，而不需要使用任何的光阻層，借以使低介電常數介電層暴光的部分固化，而變的不溶于顯影溶液中，低介電常數介電層未曝光的部分則會溶解在顯影溶液中，并將會在顯影步驟中被移除，組件的效能與可靠度均可因此得到改善，且可以簡化工藝步驟。
[8145-0129-0011] 自對準可編程相變存儲器件及其制造方法
[8145-0046-0012] 具有開口部的半導體裝置的制造方法
[8145-0082-0013] 熱電模塊
[8145-0085-0014] 可調電容器及其制造方法
[8145-0077-0015] 在雜質擴散區之間具有減小的寄生電容的半導體器件
[8145-0099-0016] 包含劑量效應的離子注入高速模擬方法
[8145-0198-0017] 利用離子植入方法制作混合電路元件電容器的方法
[8145-0006-0018] 非易失半導體存儲器及其制造方法
[8145-0122-0019] 制造銅鑲嵌結構的方法
[8145-0030-0020] 能評價工藝性能的等離子體處理裝置
[8145-0086-0021] 音叉型壓電振蕩片及其制造方法，壓電器件
[8145-0081-0022] 樹脂封裝型led光源
[8145-0154-0023] 存儲器結構
[8145-0168-0024] 發光二極管的結構及其制造方法
[8145-0180-0025] 在絕緣體上硅材料基板上制作上接觸插塞的方法
[8145-0144-0026] 樹脂模制型器件及其制造裝置
[8145-0027-0027] 基板處理裝置
[8145-0093-0028] 半導體制造系統及其制程程序控制方法
[8145-0060-0029] 利用雙接面晶體管的靜電放電防護電路
[8145-0213-0030] 保護接觸墊下元件的網目圖案介層及結構
[8145-0137-0031] 電路基板和電子機器，以及其制造方法
[8145-0149-0032] 金屬-絕緣物-金屬電容的集成電路裝置及其制作方法
[8145-0014-0033] 晶片保護裝置
[8145-0134-0034] 溝道式編碼植入的罩幕式只讀存儲器的制作方法
[8145-0158-0035] 半導體存儲裝置
[8145-0211-0036] 應用于半導體晶片的雙封閉護環結構
[8145-0197-0037] 可降低微粒污染的真空吸引裝置
[8145-0121-0038] 淺槽隔離的方法
[8145-0184-0039] 具有防水窗口的研磨墊
[8145-0066-0040] 強電介質存儲裝置
[8145-0067-0041] 虛擬接地架構的閃存
[8145-0187-0042] 液體處理裝置和液體處理方法
[8145-0002-0043] 半導體器件及其制造方法
[8145-0053-0044] 半導體裝置及其制造方法、電光學裝置、電子機器
[8145-0174-0045] 復合光致抗蝕劑層結構
[8145-0037-0046] 改進的光學玻璃制程方法
[8145-0170-0047] 用于相變介質存儲裝置的低熱耗小接觸面積復合電極
[8145-0050-0048] 半導體裝置的制造方法
[8145-0124-0049] 制造半導體器件的方法
[8145-0017-0050] 改進微距一致性的方法
[8145-0126-0051] 在銅鑲嵌制程中制作mim電容器的方法
[8145-0177-0052] 用以制造半導體裝置的化學氣相沉積設備的噴頭
[8145-0150-0053] 非揮發性存儲器及其制造方法
[8145-0201-0054] 形成具有低應力無侵蝕區的淺溝渠隔離側壁氧化層的方法
[8145-0123-0055] 在半導體裝置中形成金屬互連層的方法
[8145-0005-0056] 存儲器結構
[8145-0157-0057] 一種具有電子俘獲擦除狀態的非易失半導體存儲單元及其操作方法
[8145-0203-0058] 形成低介電常數介電層的方法及導電內連線結構
[8145-0008-0059] 半導體裝置及其制造方法
[8145-0209-0060] p型氮化硅只讀存儲器器件的初始化方法
[8145-0041-0061] 膜狀粘合劑的粘貼裝置
[8145-0106-0062] 阻擋氫離子滲透的金屬層間介電層的制造方法
[8145-0173-0063] 半導體器件及其制造方法
[8145-0206-0064] 一種具有并行結構的大規模數字電路最大功耗估計方法
[8145-0212-0065] 半導體器件
[8145-0033-0066] 半導體裝置的制造方法
[8145-0127-0067] 使用雙軌電源供應的互補式金氧半晶體管組成的基本標準組件布局
[8145-0103-0068] 在具有金屬圖案的半導體基底形成堆疊式介電層的方法
[8145-0016-0069] lsi掩模制造系統、lsi掩模制造方法及lsi掩模制造程序
[8145-0024-0070] 用于制造半導體器件的強聲波清洗設備
[8145-0160-0071] 快閃存儲單元的結構及其制造方法
[8145-0186-0072] 實現單面拋光的雙面無蠟拋光方法
[8145-0051-0073] 半導體存儲元件的制造方法
[8145-0079-0074] ⅲ族氮化物發光二極管及其制造方法
[8145-0040-0075] 電子器件的制造裝置、制造方法以及制造程序
[8145-0169-0076] 分層半導體襯底和光學半導體元件
[8145-0147-0077] 半導體集成電路裝置
[8145-0151-0078] 一種存儲裝置及其護層形成方法
[8145-0140-0079] 適用于接合墊與檢測墊的金屬墊結構
[8145-0166-0080] 半導體器件
[8145-0097-0081] 可縮短光掩模制造周期的光掩模供給系統
[8145-0125-0082] 基于模塊變形的集成電路宏模塊布圖規劃和布局方法
[8145-0163-0083] 圖象拾取裝置的制造方法
[8145-0015-0084] 處理半導體設備變更制造流程屬性的方法
[8145-0115-0085] 視圖特性的測試方法及裝置
[8145-0113-0086] 半導體器件的制造方法
[8145-0193-0087] 制造陶瓷芯片封裝的方法
[8145-0142-0088] 具有銅布線的半導體器件
[8145-0023-0089] 一種改善化學機械拋光不均勻度的方法
[8145-0208-0090] 使用源極溝渠的分離柵極式快閃存儲器元件制作方法
[8145-0087-0091] 疇控制壓電單晶元件及其制造方法
[8145-0217-0092] 雙向過電壓與靜電放電防護裝置
[8145-0111-0093] 記憶體封裝方法及其裝置
[8145-0105-0094] 制造半導體器件的方法和設備
[8145-0043-0095] 表面檢查方法及表面檢查裝置
[8145-0214-0096] 內存儲存節點及其制造方法
[8145-0072-0097] 具高介電物質的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架構
[8145-0039-0098] 電子器件制造裝置、電子器件的制造方法以及電子器件的制造程序
[8145-0218-0099] 連接焊墊與靜電放電保護電路的電路結構
[8145-0057-0100] 制作封裝輸出輸入端點的方法以及其結構
[8145-0092-0101] 半導體元件及其制造方法
[8145-0028-0102] 化學機械拋光裝置及其控制方法
[8145-0026-0103] 具有浮動阻隔環的化學機械研磨頭
[8145-0191-0104] 在單面柔性基板背面形成凸點的方法
[8145-0190-0105] 用高溫氧化方法制備透明低阻/高阻復合膜
[8145-0083-0106] 采用電泳技術制備大面積高溫超導鋇釔銅氧厚膜的方法
[8145-0116-0107] 用以量測表面介電常數的探針及其量測方法
[8145-0178-0108] 三維取向氧化鋅薄膜的制備方法
[8145-0071-0109] 平面環繞柵極快閃存儲單元的結構及其制造方法
[8145-0156-0110] 半導體存儲器及向半導體存儲元件的電壓施加方法
[8145-0068-0111] 半導體器件和采用該半導體器件的半導體存儲器
[8145-0172-0112] 半導體器件及其制造方法
[8145-0029-0113] 減少反應室雜質含量的方法
[8145-0075-0114] 電荷耦合器件及其制造方法
[8145-0034-0115] 電鍍金屬退火的方法
[8145-0019-0116] 形成抗蝕圖的方法
[8145-0210-0117] 電光裝置、半導體裝置及它們的制造方法和投影裝置與電器
[8145-0069-0118] 包含溝槽式電容的半導體裝置及其制造方法
[8145-0059-0119] 一種靜電放電保護電路
[8145-0153-0120] 半導體裝置及其制造方法
[8145-0084-0121] 壓電元件及其制造方法
[8145-0128-0122] 半導體集成電路中的墊氧化層的形成方法
[8145-0119-0123] 集成電路制造的推拉雙向式派工方法
[8145-0104-0124] 石英玻璃噴鍍部件及其制造方法
[8145-0162-0125] 對虛擬接地非易失內存陣列編程而不干擾相鄰單元的設備及方法
[8145-0012-0126] 用于發光二極管的基片
[8145-0020-0127] 制造ⅲ-v族化合物半導體的方法
[8145-0101-0128] 使用動態計算工藝參數的研磨方法
[8145-0108-0129] 半導體熱處理用反射板和該半導體熱處理用反射板的制造方法
[8145-0159-0130] 遮罩式只讀存儲器
[8145-0042-0131] 包含等離子體測量裝置的等離子體設備
[8145-0181-0132] 形成具有自我對準的金屬氧化物半導體晶體管的方法
[8145-0074-0133] 一種雙極型晶體管及應用它的半導體裝置
[8145-0139-0134] 半導體器件
[8145-0061-0135] 三維存儲器之設計
[8145-0089-0136] 集成電路裝置及神經元
[8145-0179-0137] 制作雙柵極結構的方法
[8145-0204-0138] 形成黏性強化層于銅層與蝕刻停止層間的方法
[8145-0164-0139] 半導體器件的制造方法
[8145-0065-0140] 半導體存儲裝置及其驅動方法
[8145-0052-0141] 半導體器件的制造方法
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[8145-0070-0144] 半導體存儲裝置
[8145-0007-0145] 多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
[8145-0199-0146] 具有溝槽電容的半導體的制造方法
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[8145-0036-0149] 高電流離子植入機的監控芯片與用其監控充電現象的方法
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[8145-0155-0191] 存儲器結構
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