半導體,半導體集成電路器件,半導體裝置,半導體組件類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8109-0127-0001] 具有改進的柵電介質表面的有機薄膜晶體管
[摘要] 本發明提供了一種有機薄膜晶體管，該晶體管包括插入在柵電介質和有機半導體層之間的自組裝單層。單層為柵電介質與自組裝單層母體反應的產物。半導體層包括選自被至少一個給電子基團、鹵原子或它們的組合取代的并苯，或任選地被至少一個給電子基團、鹵原子或它們的組合取代的苯并-稠合的并苯或聚苯并-稠合的并苯中的材料。本發明還提供了制造薄膜晶體管的方法和包括薄膜晶體管的集成電路。
[8109-0204-0002] 電源裝置和車輛用燈具
[摘要] 本發明提供一種電源裝置，用于正確地向多個光源部104供電。本發明的電源裝置配備有：電壓輸出部，向并聯連接的多個負載施加電壓；以及多個輸出側線圈，分別與多個負載對應設置，并且彼此采用變壓器耦合，這些輸出側線圈與對應的負載串聯連接，分別流過電壓輸出部向對應的負載提供的電流。
[8109-0133-0003] 剝離裝置和剝離方法
一種剝離裝置(11)包括：一個吸附器(15)，該吸附器設置有一個吸附表面(20a)，該吸附表面能夠對晶片(w)進行吸附并將其保持到合適位置上；一個剝離機構(17)，該剝離機構可將粘在晶片(w)上的薄片材料夾住并通過相對吸附器(15)的相對移動將保護薄片(h)從晶片(w)上剝離下來。該吸附器(15)和所述剝離機構(17)被設置成能夠在交替執行剝離操作和反剝離操作的過程中通過相對移動將薄片材料(h)間斷性地從晶片(w)上剝離下來的結構形式。
[8109-0011-0004] 具有減小尺寸帶基薄膜的帶型電路襯底
[摘要] 一種帶型電路襯底，包括：帶基薄膜；設置在所述帶基薄膜上的第一布線和第二布線。該第一布線經由第一側延伸至芯片安裝部分中，并在芯片安裝部分內朝第二側彎曲。該第二布線經由第三側延伸至芯片安裝部分中，并在芯片安裝部分內朝第二側彎曲。所述第一、第二和第三側是芯片安裝部分中的不同側。因此，通過在芯片安裝部分內設置布線減小帶基薄膜的尺寸，進而降低帶基薄膜的成本，以進一步最小化使用帶型電路襯底的電子裝置，例如顯示板裝置。
[8109-0024-0005] 半導體功率模塊
[摘要] 本發明提供一種可以根據需要，更換作為濾波器元件使用的磁性部件，而且可使插件尺寸減少的半導體功率模塊。可改良通過igbt等電力用半導體元件的切換而進行直流電力和交流電力的電力變換的電變換裝置用的半導體功率模塊。配置環狀磁性部件(6c)，以包圍與模塊包(21)內的電力用半導體元件連接的端子(2a、2b)。這樣，隨著電力用半導體元件的切換，可以有效地抑制在端子(2a、2b)中流動的噪聲電流。
[8109-0069-0006] 低電阻電極和包括低電阻電極的化合物半導體發光器件
[摘要] 提供了一種低電阻電極和包括該低電阻電極的化合物半導體發光器件。低電阻電極沉積在由n型半導體層、有源層和p型半導體層構成的化合物半導體發光器件的p型半導體層上，包括：反射電極，設置在p型半導體層上，并且反射從有源層發出的光；和凝聚防止電極，設置在反射電極層上，用于防止在退火過程中產生反射電極層的凝聚。
[8109-0094-0007] 薄膜的形成方法
[摘要] 本發明公開了一種薄膜形成方法，其制作工序包括：在基板表面形成含有表面活性劑的薄膜的表面活性劑膜形成工序、使基板和含有二氧化硅衍生物的氣相接觸從而形成含有二氧化硅衍生物的薄膜的氣相生長工序、煅燒所述的薄膜形成的基板從而分解除去所述的表面活性劑的工序。本發明形成的電介質薄膜空孔度高，機械強度好，生產率高。
[8109-0078-0008] 有機半導體元件的制造方法
[摘要] 在制造使用有機tft的器件的過程中，主要開發了溝道長度短或溝道寬度窄的元件，以減小器件的尺寸。基于上述討論，本發明的一個目的提供了一種改善特性的有機tft。就上述問題而言，本發明的一個特征是在沉積有機半導體薄膜之后烘焙元件。更具體地說，本發明的一個特征是在大氣壓力條件下或者在減壓條件下加熱有機半導體薄膜。此外，烘焙處理可以在惰性氣體氣氛中進行。
[8109-0128-0009] 合成硒化鎘和硒化鎘硫化鎘核殼結構量子點的方法
[摘要] 本發明提供一種硒化鎘和硒化鎘/硫化鎘核殼結構量子點半導體發光材料的合成方法，采用氧化鎘、碳酸鎘、烷基羧酸、油酸、硒脲、硫脲為原料，在油酸或三正辛基氧化膦或十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺的包覆下，烷基羧酸鎘或油酸鎘的甲苯溶液與硒脲或硫脲的水溶液在界面反應形成半導體納米微粒，且穩定地存在于甲苯中，所制備的半導體納米顆粒在紫外燈能實現波長可調的可見光。
[8109-0197-0010] 絕緣柵極型半導體裝置及其制造方法
[摘要] 一種絕緣柵極型半導體裝置及其制造方法，其解決由于層間絕緣膜從襯底表面突出而產生的如下可靠性問題等，在形成于其上的源電極上產生有分步敷層，引線結合時的應力使層間絕緣膜或襯底產生裂紋，而不能均勻地形成源電極而配線電阻增大。將層間絕緣膜完全埋入槽內。由此，由于源電極可大致平坦地在柵電極上部形成，故可防止分步敷層產生的不良。在裂紋，源極區域底盤區域、層間絕緣膜形成的三個工序中使用一片掩膜，可減小掩膜的對準誤差的裕量，可實現比線寬限制的限界值更緊縮的設計。
[8109-0042-0011] 固態圖像拾取裝置
[8109-0047-0012] 圖像傳感器及其制造方法
[8109-0054-0013] 耐高壓的絕緣體上的硅型半導體器件
[8109-0095-0014] b-階底填密封劑及其應用方法
[8109-0191-0015] 電介質分離型半導體裝置及其制造方法
[8109-0170-0016] 百葉窗鰭片結構電子芯片散熱器
[8109-0075-0017] 一種含有合成反鐵磁結構的雙磁性隧道結及其制備方法
[8109-0084-0018] 電子元件安裝設備及其安裝方法
[8109-0001-0019] 半導體器件的制造方法
[8109-0028-0020] 半導體組裝體及其制造方法
[8109-0111-0021] 非易失性存儲器及其制造方法
[8109-0146-0022] finfet的制作方法以及至少包含一個finfet的集成電路
[8109-0101-0023] 真空中的襯底保持方法和裝置、液晶顯示裝置制造方法
[8109-0014-0024] 冷卻集成電路元件的裝置以及具有該裝置的盤驅動器
[8109-0212-0025] 一種在有機半導體器件的有機層中阻擋空穴的方法
[8109-0214-0026] 使一個板狀基片定位的裝置和方法
[8109-0206-0027] 發光二極管管芯及其制造方法
[8109-0009-0028] 包含電感元件的電路板和功率放大模塊
[8109-0164-0029] 半導體器件的制造方法
[8109-0190-0030] 一種有源陣列顯示裝置
[8109-0005-0031] 制造半導體器件的方法
[8109-0076-0032] 一種四氯苯醌/三苯基磷可控摻雜四取代酞菁銅薄膜及其制備方法
[8109-0184-0033] 半導體裝置
[8109-0181-0034] 具復合多晶硅層的半導體結構及其應用的顯示面板
[8109-0116-0035] 沙漏隨機訪問存儲器
[8109-0072-0036] 光半導體裝置
[8109-0086-0037] 熱處理裝置及熱處理方法
[8109-0050-0038] 半導體器件
[8109-0154-0039] 雙電熱絲熔切直接釬料凸點制作方法
[8109-0058-0040] 半導體裝置及其制造方法
[8109-0185-0041] 半導體芯片與半導體組件及其形成方法
[8109-0175-0042] 有源區鍵合兼容高電流的結構
[8109-0104-0043] 用于制作mim電容器的方法
[8109-0053-0044] 具有高介電常數柵極介電層的半導體組件及其制造方法
[8109-0140-0045] 半導體元件清洗用組合物
[8109-0102-0046] 半導體裝置的制造方法
[8109-0061-0047] 光電轉換裝置
[8109-0121-0048] ge光電探測器
[8109-0161-0049] 半導體裝置及內聯機結構的形成方法及銅制程整合方法
[8109-0091-0050] 研磨墊、平臺孔蓋及研磨裝置和研磨方法及半導體器件的制造方法
[8109-0089-0051] 半導體器件用基板的清洗液及清洗方法
[8109-0034-0052] 半導體器件及其制造方法
[8109-0035-0053] 半導體集成電路器件
[8109-0151-0054] 形成半導體封裝以及在其上形成引線框的方法
[8109-0186-0055] 鐵電體膜、鐵電存儲器、以及壓電元件
[8109-0020-0056] 半導體器件及其制造方法
[8109-0141-0057] 一種臺面整流器件的玻璃鈍化形成工藝
[8109-0003-0058] 半導體集成電路器件的制造方法
[8109-0136-0059] 制備gan晶體襯底的方法
[8109-0018-0060] 具有疊層芯片的半導體器件
[8109-0096-0061] 電子電路設備和其生產方法
[8109-0145-0062] 在finfet中形成翅片的后退法
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[8109-0057-0065] 半導體裝置及其制造方法
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[8109-0124-0067] 場效應晶體管類型發光器件
[8109-0216-0068] 在離散片上沉積多層涂層的裝置
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[8109-0168-0070] 電子元件的封裝結構及其制造方法
[8109-0193-0071] 具有低柵極電荷和低導通電阻的半導體器件及其制造方法
[8109-0174-0072] 具有晶片中的雙金屬鑲嵌結構的半導體器件及其制造方法
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