半導體,半導體結構,半導體元件,半導體集成類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8130-0083-0001] 半導體裝置及其制造和安裝方法、電路基板以及電子機器
[摘要] 本發明提供一種半導體裝置。該半導體裝置，包含：具有與集成電路(12)電連接的電極(14)的基板(10)；與電極(14)電連接的外部端子(40)；設置在基板(10)的外部端子(40)側的面上的具有光穿透性的絕緣層(50)；設置在基板(10)上并被絕緣層(50)所覆蓋，可以透過絕緣層(50)而識別的標記(30)。由此，可以容易地判別半導體裝置的方向。
[8130-0062-0002] 等離子體處理裝置及靜電吸盤的制造方法
[摘要] 提供一種具有廉價的、高可靠性的靜電吸盤的半導體制造裝置。該靜電吸盤具有以下特征：由絕緣體基板(6)、在其表面上形成的由鋁構成的多個導電薄膜(4a，4b)以及將導電薄膜的表面陽極氧化而形成的鈍化鋁膜(2a、2b)構成。通過分別向導電薄膜(4a、4b)施加方向相反的直流電壓，使該靜電吸盤的吸附晶片(7)的面形成為靜電雙極形式。
[8130-0145-0003] 用于清洗襯底表面的晶片清洗組件及其方法
在用于清洗襯底表面的方法中，在襯底(102)的表面上施加一定量溶液。在表面上施加溶液之后，開始溶液結晶(104)以形成液-晶混合物。在形成液-晶混合物之后，在液-晶混合物與襯底之間產生相對運動(106)以除去粘附在襯底上的污染物。在一個可選擇的方法中，在襯墊上提供溶液。在另一個可選擇的方法中，將襯底放入溶液池中。還描述了一種晶片清洗組件。
[8130-0057-0004] 用于處理晶片的設備和方法
[摘要] 公開了一種用于制造半導體器件的設備和方法。根據本發明，用于將晶片從晶片存儲容器傳送到晶片處理設備的晶片傳送裝置包括用來減小可能進入晶片容器的雜質量的流動室。該晶片傳送設備提供用于允許兩種氣體流過傳送設備的流動室的兩個氣體入口。這些導致減小能進入晶片容器的雜質的數量，依次導致用更可靠的性能特征以及高制造成品率制造器件。
[8130-0160-0005] 插入組件和方法
[摘要] 一種插入組件(10)包括具有多個接觸通孔(14)的電介質板(12)，其中的接觸通孔延伸通過板且接觸件(20)位于每個通孔中。每個接觸件包括一對橫向隔開的接觸點(50)，它們位于板的上部和下部。將插入組件夾在兩個基片(86)之間使得每個彈簧臂(42)上的接觸點和墊(84)接合，彈性地使接觸件彎曲并在接觸點和墊之間形成多余的高壓強的擦抹電連接。
[8130-0015-0006] 插入器、插入器組件及使用這種插入器的裝置組件
[摘要] 本發明提供一種插入器(120，200?00，400)、插入器組件(110)和使用插入器的裝置組件(100)。一個插入器(120，200，300，400)包括一個用半導體材料制成的基板并具有設置在其第一主表面上方的第一輸入/輸出觸頭(122，340，360)和設置在其第二主表面上方的第二輸入/輸出觸頭(126，330，415)，其中第二輸入/輸出觸頭電連接到第一輸入/輸出觸頭上；設置在基板的第一主表面上方的第一輸入/輸出觸頭固定到連接插入器的裝置(140，210，310，410)的輸入/輸出焊墊(142)上，其中設置在第二主表面上方的第二輸入/輸出觸頭有助于將插入器連接到部件(220)的觸頭上，插入器也與該部件相連。
[8130-0125-0007] 通過離子注入產生具有本征吸除的絕緣體襯底硅結構的方法
[摘要] 本發明涉及一種用于產生具有本征吸除的絕緣體襯底硅(soi)結構的方法，其中硅襯底經受理想析出晶片熱處理，所述理想析出晶片熱處理使襯底能在基本上是任何任意的電子器件制造工藝熱處理周期過程中形成一種理想氧析出物非均勻深度分布，及其中介電層通過在表面下方注入氧或氧離子、或分子氧并使晶片退火而在晶片表面的下方形成。此外，硅片可以開始包括一個外延層，或者可以在本發明的方法過程中在襯底上淀積外延層。
[8130-0017-0008] 半導體保護元件、半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明提出了一種半導體保護元件，在其中熱量不會以集中的方式產生，甚至將靜電電流施加于具有高電阻值的區域上，而且半導體器件的面積沒有增加。半導體保護元件由n型阱，具有其雜質濃度比n型阱的雜質濃度高的一對n+擴散層的p型半導體襯底，以及部分地形成于兩個n+擴散層的每一個之上的硅化物層所構成。n型阱具有第一暴露區域，暴露于半導體襯底之上，并且硅化物層的形成使得兩個n+擴散層中的每一個都部分地具有第二暴露區域，第二暴露區域被先后暴露出來，以便與第一暴露區域相接觸。第一暴露區域被夾于兩個n+擴散層中間。
[8130-0037-0009] 雙柵極場效應晶體管及其制造方法
[摘要] 一種雙柵極場效應晶體管結構及其這種結構的形成方法，其中源/漏區下的寄生電容顯著減少。在本發明中，提供自對準隔離區以減少dgfet結構中的寄生電容。此外，本發明密封了含si溝道并使背柵極氧化到更大的程度，由此減小了更遠結構的寄生電容。
[8130-0010-0010] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明提供了一種半導體器件，該半導體器件包括：半導體芯片，該芯片形成有半導體元件或集成電路，在表面上形成低介電常數絕緣膜，并且以突出該低介電常數絕緣膜的形態在該表面上形成多個凸點電極；布線基板，該基板具有與所述凸點電極電連接的多個連接電極；以及樹脂密封體，填充作為所述半導體芯片和所述布線基板之間的空間，并且填充排列了電連接的所述凸點電極和所述連接電極的該空間；其中，所述樹脂密封體具有助熔劑功能，由在所述凸點電極和所述連接電極連接時所述凸點電極為熔融狀態時從液體狀態變為固體的樹脂構成。
[8130-0091-0011] 半導體器件及其制造方法
[8130-0019-0012] 半導體器件
[8130-0116-0013] 處理裝置和處理方法
[8130-0047-0014] 金屬材料的黏著方法
[8130-0174-0015] 具有形成凹凸的基板的半導體發光元件
[8130-0197-0016] 基板的處理裝置及運送裝置調整系統
[8130-0181-0017] 用于洗滌顯像光阻層的方法和揮發溶液
[8130-0011-0018] 有機發光二極管顯示器的薄膜電晶體導線結構以及制程
[8130-0085-0019] 感光元件封裝材料組合物及其使用方法
[8130-0146-0020] 通過ild柱結構性加強多孔隙、低k介電薄膜
[8130-0178-0021] 降低制造過程中表面張力的襯底制備設備和方法
[8130-0184-0022] 改變漿料中氧化劑的濃度進行化學機械拋光(cmp)的方法
[8130-0003-0023] 電子裝置及其制造方法
[8130-0105-0024] 氮化鎵基發光二極管n型層歐姆接觸電極的制作方法
[8130-0082-0025] 低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法
[8130-0206-0026] 具有高密度互連的電子封裝件和相關方法
[8130-0213-0027] 晶體管和包括該晶體管的顯示器件
[8130-0131-0028] 免焊接印刷電路板組合
[8130-0157-0029] 用于電氣部件的鈍化材料及多層結構的壓電部件
[8130-0023-0030] 半導體裝置、電子設備及它們制造方法，以及電子儀器
[8130-0055-0031] 硅基微機械微波/射頻開關芯片的制備方法
[8130-0009-0032] 電子裝置及其制造方法
[8130-0142-0033] 超小間距毛細管
[8130-0123-0034] 用于控制摻碳氧化物薄膜的蝕刻偏差的方法
[8130-0126-0035] 具有集成器件的數據載體
[8130-0118-0036] 熱處理裝置以及熱處理方法
[8130-0140-0037] 由記憶效應電致發光單元矩陣構成的圖像顯示面板
[8130-0076-0038] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0104-0039] 活化p-型半導體層的方法
[8130-0136-0040] 裝備有電極的透明基片
[8130-0204-0041] 液體冷卻的功率半導體器件熱沉
[8130-0098-0042] 半導體器件及其制造方法
[8130-0095-0043] 設有浪涌保護電路的半導體裝置
[8130-0165-0044] mos晶體管柵角的增強氧化方法
[8130-0120-0045] 切割方法、集成電路元件的檢查方法、基板保持裝置和粘接薄膜
[8130-0133-0046] 電路制作方法
[8130-0094-0047] 多路復用器單元的布局結構
[8130-0202-0048] 多種材料在電子器件的氣穴封裝中的應用
[8130-0103-0049] 高耐電壓場效應型半導體設備
[8130-0208-0050] 包含多個集成電路器件的單個封裝件
[8130-0198-0051] 外延生長基座與外延生長方法
[8130-0121-0052] 拋光方法及研磨液
[8130-0069-0053] 不具有小凸起的柵層及其制造方法
[8130-0162-0054] 半導體工藝用的具有遠程第二陽極的電鍍系統
[8130-0115-0055] 用于安裝襯底操作系統的基準板
[8130-0075-0056] 靜電吸盤裝置用電極板和使用它的靜電吸盤裝置
[8130-0143-0057] 可拆除基片或可拆除結構及其生產方法
[8130-0185-0058] 用于超大規模集成的多層銅互連的方法
[8130-0107-0059] 發光二極管光源組件
[8130-0106-0060] 氮化物半導體器件
[8130-0050-0061] 封裝結構及其制作方法
[8130-0051-0062] 發光二極管的熱傳導及光度提升結構的改進
[8130-0172-0063] 采用單晶sic檢測電磁輻射
[8130-0209-0064] 生產燈的方法
[8130-0038-0065] 場效應晶體管
[8130-0159-0066] 包括熱分布板和邊緣支撐的組合裝置
[8130-0024-0067] 半導體裝置、電子設備及它們的制造方法，以及電子儀器
[8130-0155-0068] 具有增強的亮度和優先視角的平面板彩色顯示器
[8130-0034-0069] 有帶集成濾色層的微透鏡的圖像傳感器及其制造方法
[8130-0110-0070] 具有在被釘扎層中含半金屬鐵磁性哈斯勒合金的交換耦合結構的磁電阻器件
[8130-0166-0071] 淺結半導體器件的制造方法
[8130-0109-0072] 光源組件
[8130-0093-0073] 半導體集成器件及用于設計該半導體集成器件的設備
[8130-0070-0074] 具有抬升的源極和漏極結構的金氧半晶體管及其制造方法
[8130-0154-0075] 具有較低柵極電荷結構的溝槽mosfet
[8130-0141-0076] 在減低壓力的情況下摻雜、擴散及氧化硅片的方法和裝置
[8130-0018-0077] 具有整合于殼體并由共享接觸夾完成接觸之至少兩芯片之半導體組件
[8130-0173-0078] 光源連接件、發光裝置、圖案化導體以及用于制造光源連接件的方法
[8130-0215-0079] 有源矩陣電致發光顯示板及制作這種顯示板的方法
[8130-0021-0080] 層疊型半導體封裝件
[8130-0002-0081] 電子裝置及其制造方法
[8130-0134-0082] 量子裝置
[8130-0205-0083] 經過改良的表面固定包裝
[8130-0211-0084] 用于集成電路裝置的集成式環形線圈電感器
[8130-0073-0085] 半導體元件的錫焊方法與半導體裝置
[8130-0079-0086] 溝槽式電容及其形成方法
[8130-0127-0087] 半導體集成電路器件的制造方法
[8130-0007-0088] 用于防止集成電路過熱的故障保護機制
[8130-0149-0089] 氮氧化合物淺溝槽隔離及其形成方法
[8130-0048-0090] 太陽能電池及其制備方法
[8130-0113-0091] 抬升及支撐裝置
[8130-0035-0092] 互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法
[8130-0059-0093] 溝渠電容器氧化物頸圈之制造方法
[8130-0148-0094] 芯片引線框架
[8130-0182-0095] 利用在氫氣環境中退火在碳化硅層上制備氧化物層的方法
[8130-0132-0096] 相變存儲器單元的雙溝槽隔離結構及其制造方法
[8130-0044-0097] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0028-0098] 半導體器件
[8130-0031-0099] 內嵌單層多晶硅非易失性存儲器的集成電路
[8130-0026-0100] 樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[8130-0045-0101] 半導體裝置
[8130-0199-0102] 等離子體清洗氣體和等離子體清潔方法
[8130-0175-0103] 半導體霍爾傳感器
[8130-0200-0104] 氣相生長裝置
[8130-0101-0105] 光接收裝置及其制造方法和包括該裝置的光電集成電路
[8130-0004-0106] 電子元件裝置及其制造方法
[8130-0167-0107] 陶瓷靜電卡盤組件及其制備方法
[8130-0012-0108] 降低應力遷移的多重金屬內連線布局及其制造方法
[8130-0030-0109] 半導體基板中增加儲存電容之電容器排列
[8130-0042-0110] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0001-0111] 電路裝置及其制造方法
[8130-0108-0112] 發光二極管光源組件
[8130-0014-0113] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0147-0114] 具多晶硅射極雙極性晶體管的制造方法
[8130-0054-0115] 氮化鎵基發光二極管管芯的制作方法
[8130-0036-0116] 具增加擊穿電壓的半導體結構及制造該半導體結構的方法
[8130-0196-0117] 光電子器件集成
[8130-0071-0118] 薄膜晶體管的制造方法
[8130-0033-0119] 非易失性半導體存儲器
[8130-0207-0120] 引線框架及其制造方法
[8130-0056-0121] 基板處理裝置和基板處理方法
[8130-0089-0122] 具有輸入輸出端子可配置功能的芯片及其方法
[8130-0022-0123] 半導體裝置、電子設備及它們的制造方法，以及電子儀器
[8130-0020-0124] 半導體裝置及其制造方法、電子設備及其制造方法
[8130-0186-0125] 在圓片和儀器上形成半導體器件的光刻方法
[8130-0129-0126] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子儀器
[8130-0029-0127] 局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅結構及其制造方法
[8130-0119-0128] 用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
[8130-0171-0129] 溝槽式肖特基勢壘整流器及其制作方法
[8130-0008-0130] 半導體封裝結構及其電路板的電性軌跡
[8130-0156-0131] 第ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件
[8130-0005-0132] 半導體裝置及其制造方法
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[8130-0077-0135] 三維結構存儲器的制造方法及使用方法
[8130-0039-0136] 側面擴散金屬氧化半導體晶體管的結構及其制作方法
[8130-0016-0137] 具有共通源極導線的半導體結構
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[8130-0064-0140] 半導體器件的制造方法和半導體器件的制造設備
[8130-0152-0141] 倒裝芯片的高性能硅接觸
[8130-0040-0142] 半導體器件
[8130-0130-0143] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子儀器
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