半導體,半導體元件,化合物半導體器件,半導體晶片類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8151-0038-0001] 自動對準形成錫凸塊的方法
[摘要] 一種自動對準形成錫凸塊的方法，它至少提供一半導體晶片，其表面上包含有多數個凸塊區域層；噴灑多數個錫球至半導體晶片表面上；震動半導體晶片，以篩落位于凸塊區域層以外的錫球；進行回流處理，以使位于凸塊區域層上的錫球形成一錫凸塊。具有精確對準和降低制造成本的功效。
[8151-0097-0002] 具有多次照射步驟的微影制程
[摘要] 一種具有多次照射步驟的微影制程。一光罩是對齊地放置于具有一光阻形成于其上的一晶片上方的一預定位置上。多次照射步驟是經過此一光罩依次執行于此光阻上。每一照射步驟的個別照射條件是相應光罩上一占空率(duty ratio)為最佳化。藉此多次照射步驟，可獲得從光罩轉移至光阻的一最佳化全間隙(through-pitch)圖案轉移。最后，一顯影步驟施予在此光阻上。
[8151-0082-0003] 磁阻元件
一種磁阻元件，其通過在磁阻效應膜的厚度方向上給出讀出電流而檢測磁阻的改變量，該磁阻效應膜包括至少一個底層、一個自由層、一個非磁性層、一個被固定層、一個固定層和一個保護層，該磁阻元件包括粒狀結構層，其中包括導電顆粒和包含分散狀態的導電顆粒并且具有小于導電顆粒的顆粒直徑的厚度的薄膜形式的絕緣基質材料，該粒狀結構層被插入在底層、自由層、非磁性層、被固定層、固定層以及保護層中的至少兩個相鄰層之間。
[8151-0009-0004] 半導體元件、電路、顯示器件和發光器件
[摘要] 提供一種能夠具有面積小、器件數量少的簡單結構、工作消耗電流低和可高效生產率的電流存儲電路。電流存儲電路應用在電流驅動型顯示器件如oled顯示器件中，可以改進像素的孔徑比率和顯示器件的可靠性并高度功能化顯示器件。本發明的特征是使用具有多個漏極或源極的晶體管形狀的新半導體元件。當半導體元件用于寫入元件和驅動元件中時，僅通過這兩個半導體元件就可以實現讀入和存儲電流值及輸出電流，因此很容易地顯著減少器件所占面積。
[8151-0067-0005] 半導體裝置
[摘要] 一種半導體裝置，在電荷泵裝置中，為防止閉鎖超載現象的發生，實現大電流化而使用。其使n型外延硅層51在p型單晶硅基板50上成長，在該外延硅層51內設置p型阱區域52。設有與p+型阱區域52的底部相接的p+型埋入層55和與該p+型埋入層55局部重疊而形成并將p型阱區域52自單晶硅基板50電分離的n型埋入層56。在p型阱區域52內設有mos晶體管。
[8151-0147-0006] 晶片熱處理的方法和設備
[摘要] 本設備提供一種溫度控制環境，用于半導體晶片的升溫處理。一熱壁的處理室被用于各處理步驟。該處理室包括三個區，各有獨立的溫度控制能力。該設備除了能在晶片之上提供氣流速度梯度，以改進溫度和處理的均勻性結果之外，還能旋轉晶片。
[8151-0148-0007] 利用快速熱退火與氧化氣體形成底部抗反射涂層的方法
[摘要] 本發明提供一種方法，該方法包含于基板層(105)上形成柵極介電層(110，410)，以及于柵極介電層(110，410)上形成柵極導體層(115，415)。該方法亦包括于柵極導體層(115，415)上形成無機底部抗反射涂覆層(120)，以及于進行快速熱退火處理期間以氧化處理法(130)處理無機底部抗反射涂覆層(120)。
[8151-0043-0008] 內連線的形成方法
[摘要] 一種內連線的形成方法，通過于絕緣層上提供一層金屬層，并于金屬層上形成圖案化的罩幕層；接著將罩幕層的圖案轉移至金屬層中，以形成貫穿罩幕層和金屬層的開口；于罩幕層、金屬層和絕緣層的表面形成順應性的襯氮化硅層后，進行反應性離子蝕刻，降低罩幕層和金屬層所構成的開口的高寬比，具有提高沉積的絕緣層的溝填能力的功效。
[8151-0079-0009] 半導體裝置和半導體裝置制造系統
[摘要] 具有沉陷和突起的絕緣膜形成于襯底上。半導體膜形成于絕緣膜上。這樣，為了用激光晶化，應變集中的部分選擇地形成于半導體膜中。更具體地，條形或矩形沉陷和突起提供在半導體膜中。然后，連續波激光沿著形成于半導體膜中的條形沉陷和突起或在矩形長軸或短軸的方向照射。
[8151-0132-0010] 具有部分soi結構的半導體器件及其制造方法
[摘要] 半導體器件包括第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層。第一半導體層設置于半導體襯底的第一區域。第二半導體層通過絕緣膜設置在半導體襯底的第二區域上。第三半導體層通過絕緣膜和第二半導體層設置在半導體襯底的第三區域上。第三半導體層的上表面高度比第二區域內的第二半導體層的上表面高度高。
[8151-0030-0011] 半導體晶圓的熱氧化制作工藝
[8151-0196-0012] ⅲ族氮化物半導體藍色發光器件
[8151-0109-0013] 識別半導體器件測試處理機中器件傳送系統的工作位置的裝置和方法
[8151-0209-0014] 保護膜圖案形成方法以及半導體器件制造方法
[8151-0065-0015] 電平變換電路
[8151-0175-0016] 一種同時形成圖形化埋氧和器件淺溝槽隔離的方法
[8151-0066-0017] 電荷泵裝置
[8151-0116-0018] 半導體器件內形成銅引線的方法
[8151-0090-0019] 組件中的嵌入式電容部件
[8151-0166-0020] 芯片元件供給裝置
[8151-0096-0021] 線上激光晶圓承座清潔裝置
[8151-0190-0022] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8151-0123-0023] 陣列型焊墊晶片內部電路結構及其制造方法
[8151-0168-0024] 晶圓級測試卡的探針構造及其制造方法
[8151-0192-0025] 利用金屬誘導橫向結晶的多柵薄膜晶體管及其制造方法
[8151-0176-0026] 鑲嵌式內連導線上形成選擇性銅膜的制造方法
[8151-0005-0027] 在低k互連上集成電線焊接的熔絲結構及其制造方法
[8151-0076-0028] 假同晶高電子遷移率晶體管功率器件及其制造方法
[8151-0139-0029] 光模塊、電路板及其電子機器
[8151-0171-0030] 復晶矽/復晶矽電容的制造方法
[8151-0179-0031] 高密度平坦單元型的罩幕式只讀存儲器制造方法
[8151-0217-0032] 半導體器件的測試系統
[8151-0098-0033] 形成半導體器件的薄膜的方法
[8151-0073-0034] 在單個存儲單元中存儲多值數據的非易失性半導體存儲器
[8151-0201-0035] 具有氧化物領狀體應用的sti的本地和異地腐蝕工藝
[8151-0207-0036] 處理液配制和供給方法及裝置
[8151-0124-0037] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0151-0038] 半導體器件及其制造方法
[8151-0015-0039] 半導體元件的結構及其制造方法
[8151-0046-0040] 半導體器件及其制造方法
[8151-0004-0041] 集成電路封裝裝置及其制造方法
[8151-0136-0042] 一種高耦合率快閃存儲器及其制造方法
[8151-0115-0043] 布線結構的形成方法
[8151-0118-0044] 設計系統大規模集成電路的方法
[8151-0083-0045] 用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所獲得的器件和電路
[8151-0105-0046] 柵狀數組封裝的插腳表面粘著的制作方法
[8151-0041-0047] 半導體元件的元件隔離膜的形成方法
[8151-0069-0048] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0102-0049] 避免尖峰現象的方法
[8151-0172-0050] 在銅鑲嵌制程中形成金屬-絕緣-金屬型(mim)電容器的方法
[8151-0060-0051] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0057-0052] 基片或芯片輸入輸出接點上金屬凸塊結構及其制造方法
[8151-0131-0053] 雙側連接型半導體裝置
[8151-0087-0054] 處理裝置及其維護方法、處理裝置部件的裝配機構及其裝配方法、鎖定機構及其鎖...
[8151-0100-0055] 匹配電路和等離子加工裝置
[8151-0059-0056] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0170-0057] 復晶矽/復晶矽電容的制造方法
[8151-0070-0058] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0203-0059] 雙極型晶體管
[8151-0194-0060] 硅光電器件以及利用這種器件的發光設備
[8151-0119-0061] 晶片的制造方法、使用了該晶片的半導體器件及其制造方法
[8151-0062-0062] 半導體芯片的封裝件
[8151-0156-0063] 半導體晶片表面保護粘結膜及使用其的半導體晶片加工方法
[8151-0114-0064] 內金屬介電層的制作方法
[8151-0072-0065] 半導體集成電路
[8151-0138-0066] 使用了部分soi襯底的半導體器件及其制造方法
[8151-0181-0067] 散熱模組及其制造方法
[8151-0104-0068] 層疊芯片封裝件的制造方法
[8151-0103-0069] 適用于plcc型封裝電路的分離器
[8151-0042-0070] 內金屬介電層的整合制造方法
[8151-0044-0071] 使用氧化線層作為介電阻擋層的雙鑲嵌制程
[8151-0165-0072] 制造半導體封裝件用打線方法及系統
[8151-0204-0073] 半導體器件
[8151-0028-0074] 保護帶條的粘貼和分離方法
[8151-0155-0075] 利用彈性體電鍍掩模做為芯片級封裝的方法
[8151-0016-0076] 周期性波導結構半導體光電探測器及制作方法
[8151-0150-0077] 半導體器件及方法
[8151-0113-0078] 槽型元件分離結構
[8151-0189-0079] 半導體器件及其制造方法
[8151-0019-0080] 半導體制造系統及其控制方法
[8151-0191-0081] 降低絕緣體上的硅晶體管源漏串聯電阻的結構及實現方法
[8151-0182-0082] 晶圓型態擴散型封裝結構及其制造方法
[8151-0153-0083] 注氧隔離技術制備全介質隔離的硅量子線的方法
[8151-0011-0084] 堆迭式閘極快閃記憶元件
[8151-0218-0085] 半導體器件的元件隔離膜的形成方法
[8151-0089-0086] 非易失性存儲單元的均勻位線交連
[8151-0023-0087] 膜形成裝置和膜形成方法以及清潔方法
[8151-0063-0088] 靜電防護電路
[8151-0093-0089] 壓電-彎曲換能器及其應用
[8151-0077-0090] 可對象限q4和q1響應的雙向靜態開關
[8151-0130-0091] 半導體裝置及其制造方法、線路基板及電子機器
[8151-0202-0092] 具有表面金屬敷層的半導體器件
[8151-0206-0093] 半導體裝置的制造設備
[8151-0068-0094] 電荷泵裝置
[8151-0078-0095] 功率金屬氧化物半導體場效晶體管裝置及其制造方法
[8151-0125-0096] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0002-0097] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0143-0098] 發光元件及其制造方法
[8151-0037-0099] 半導體器件及其制造方法、電路基板及電子裝置
[8151-0112-0100] 淺溝隔離制程的含有氮元素的氧化硅襯層的制造方法
[8151-0026-0101] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0050-0102] 氮化硅內存的制造方法
[8151-0142-0103] 具有縱向金屬絕緣物半導體晶體管的半導體器件及其制造方法
[8151-0174-0104] 淺溝槽隔離物的制造方法
[8151-0129-0105] ic芯片破損少的薄型高頻模塊
[8151-0034-0106] 閃光輻射裝置與光加熱裝置
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[8151-0022-0108] 具有雙柵極結構的溝槽型雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
[8151-0014-0109] 半導體存儲器及其制造方法
[8151-0036-0110] 一種具有散熱片的半導體封裝
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[8151-0144-0112] 層疊型壓電陶瓷元件的制造方法
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[8151-0133-0116] 半導體器件
[8151-0199-0117] 以磷摻雜硅并在蒸汽存在下生長硅上氧化物的方法
[8151-0213-0118] 保護帶條的粘貼方法與裝置以及保護帶條的分離方法
[8151-0006-0119] 雙層硅碳化合物阻障層
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