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[8145-0186-0001] 實現單面拋光的雙面無蠟拋光方法
[摘要] 一種實現單面拋光的雙面無蠟拋光方法為：將加工目標放置于雙面拋光機的拋光盤上，并控制雙面拋光的工藝條件如下：上拋盤轉速20～35rpm，下拋盤轉速1～7rpm，中心齒輪轉速3～10rpm，拋光壓力250～350daN，拋漿流量150～250ml/min。使用上述實現單面拋光的雙面無蠟拋光方法，既可保留無蠟雙面拋光平整度高的優點，又能在無蠟雙面拋光機上實現單面拋光的目的。
[8145-0081-0002] 樹脂封裝型LED光源
[摘要] 本發明的LED光源包含矩形的LED芯片和內藏該芯片的透明樹脂封裝體。在樹脂封裝體內設置凸透鏡部，用于把LED芯片發出的光射出到封裝體的外部。LED芯片具有以面對該凸透鏡部的方式設置的、相互鄰接的兩個側面。
[8145-0175-0003] 半導體元件的線的制造方法
一種半導體元件的線的制造方法，提供具有一沉積層的基底，隨后于沉積層上形成一光阻層。接著，使用一光罩施行一微影工藝，以圖案化光阻層，其中此一光罩是考慮到近接效應與蝕刻的微負載效應而設計出來的。然后，以圖案化光阻層作為蝕刻罩幕，進行一蝕刻工藝，借以形成數條線。由于在圖案化光阻層時一并考慮到近接效應與其后的蝕刻工藝所帶來的微負載效應，所以在經過蝕刻工藝后，可將圖案密度較高的區域與圖案密度較低的區域的線寬差異縮至最小。
[8145-0169-0004] 分層半導體襯底和光學半導體元件
[摘要] 利用GaAs襯底，提供一種低成本和高性能的長波長光學半導體元件。該光學半導體元件包括：有相對的第一表面和第二表面的GaAs襯底；襯底第一表面上形成的InjGa1-jAs1-kNk緩沖層(0≤j≤1，0.002≤k≤0.05)；緩沖層上形成的第一導電型包層；形成在第一導電型包層上并包含InzGa1-zAs(0≤z≤1)阱層的激活層，阱層的帶隙小于第一導電型包層的帶隙，激活層的厚度大于該襯底基于平衡理論的臨界厚度；和激活層上形成的第二導電型包層，其帶隙大于阱層的帶隙。
[8145-0069-0005] 包含溝槽式電容的半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種包含溝槽式電容的半導體裝置及其制造方法，裝置包括：一具有溝槽的半導體基底，用以當作第一下電極板，還包括一設置于溝槽內部的第一導電結構，該第一導電結構的底部與半導體基底電性連接，當作第二下電極板；還有一第一介電層，形成于該溝槽的側壁；一第二導電結構，絕緣地設置于第一導電結構的周圍，當作上電極板；還包括一第二介電層，形成于第一導電結構與第二導電結構之間，絕緣第一與第二導電結構；一第三導電結構，設置于該半導體基底的表面，并且與第二導電結構連接。本發明可以在既定的溝槽深度下，依藉在同心環狀的介電層填入導電材料而構成并聯電容，明顯提高了儲存電容的容量。
[8145-0009-0006] 具有黑矩陣的平板顯示器及其制造方法
[摘要] 本發明公開了一種具有黑矩陣的平板顯示器及其制造方法，該平板顯示器為一種有機電致發光顯示器，其中，在與像素電極相同的表面上形成了黑矩陣，該黑矩陣具有透明材料和金屬材料的濃度梯度。該有機電致發光顯示器的黑矩陣和像素電極僅用一道掩模操作形成。黑矩陣具有以下結構的濃度梯度，該結構即：連續梯度結構，其中隨著黑矩陣厚度增加，透明材料成分連續減少，而金屬材料成分連續增多；階躍梯度結構，其中隨著黑矩陣厚度增加，透明材料成分逐步減少，而金屬材料成分逐步增多；或者多重梯度結構，其中連續梯度結構和/或階躍梯度結構是重復的。
[8145-0083-0007] 采用電泳技術制備大面積高溫超導鋇釔銅氧厚膜的方法
[摘要] 本發明涉及用電泳技術制備大面積高溫超導鋇釔銅氧厚膜的方法。該方法包括：將預先燒結好的YBa2Cu3O7-δ粉末研磨顆粒度小于0.1-10μm；在MgO單晶基底上蒸發一層金屬膜，將此基片固定在負極上備用；將YBa2Cu3O7-δ粉末與有機溶劑混合，其混合比例為20克/升混合，然后攪拌使YBa2Cu3O7-δ在有機溶劑中完全分散均勻，配制成YBa2Cu3O7-δ電泳液；將制備的YBa2Cu3O7-δ電泳液4與裝有基片的電極放入洗凈的電泳池中，在正負電極上通20-900V的直流電，并保持沉積時間5-1600秒鐘，在基片上沉積一層均勻的YBa2Cu3O7-δ膜。采用該方法制備的厚膜超導性能優良、質地均勻、致密。本發明工藝簡單，膜層生長迅速，膜厚可以控制，并且成本低廉，適合工業化應用。
[8145-0024-0008] 用于制造半導體器件的強聲波清洗設備
[摘要] 提供一種用于去掉晶片上的污染物顆粒的強聲波清洗設備。強聲波清洗設備包括壓電變換器和能量傳輸棒。壓電變換器用于產生強聲波能量。沿著晶片徑向安裝在晶片上的能量傳輸棒用于給晶片上的清洗液分配能量和用于振動清洗液。能量傳輸棒的形狀和尺寸使得通過清洗液在晶片徑向均勻分配能量，由此從晶片去掉污染物顆粒。
[8145-0041-0009] 膜狀粘合劑的粘貼裝置
[摘要] 一種膜狀粘合劑的粘貼裝置(10A)，可防止因將膜狀粘合劑卷成滾筒狀的膜狀粘合劑供給卷筒的折邊而引起的粘合劑層擠出和膜狀粘合劑的粘連現象。該粘貼裝置包括：安裝膜狀粘合劑供給卷筒(5)用的供給卷筒鉤搭部(11)，該供給卷筒用于將基膜(2)和形成于基膜上的粘合劑層(3)所構成的膜狀粘合劑(1)卷繞成滾筒狀；熱壓接機構(18)，用于把從膜狀粘合劑供給卷筒(5)拉出的膜狀粘合劑(1)熱壓接在粘附體上；卷取卷筒鉤搭部(17)，用于安裝卷取熱壓接后的膜狀粘合劑(1)的基膜(2)的卷取卷筒(16)。該膜狀粘合劑的粘貼裝置設有溫度控制機構(熱屏蔽板(19)、冷卻器等)，用于將安裝在供給卷筒鉤搭部(11)上的膜狀粘合劑供給卷筒(5)的溫度控制在規定溫度。
[8145-0149-0010] 金屬-絕緣物-金屬電容的集成電路裝置及其制作方法
[摘要] 本發明揭示一種包含高品質因子的金屬-絕緣物-金屬(MIM)電容的集成電路裝置及其制作方法。本發明的包含MIM薄膜電容的集成電路裝置，其特點是MIM電容的薄介電層是以一種具有相對高的介電常數且可被當作一防反射光層(anti-reflection coating，ARC)的材質所組成。因此在進行圖案化MIM電容的電極板的制作時，便不需在金屬層上方沉積一防反射光層，而直接以MIM電容的薄介電層作為防反射光層，省卻在金屬層上方沉積一防反射光層的步驟。
[8145-0043-0011] 表面檢查方法及表面檢查裝置
[8145-0091-0012] 形成混合性抗反射層的方法
[8145-0064-0013] 半導體存儲器
[8145-0141-0014] 一種集成電路的金屬焊墊及其制作方法
[8145-0128-0015] 半導體集成電路中的墊氧化層的形成方法
[8145-0005-0016] 存儲器結構
[8145-0099-0017] 包含劑量效應的離子注入高速模擬方法
[8145-0201-0018] 形成具有低應力無侵蝕區的淺溝渠隔離側壁氧化層的方法
[8145-0167-0019] 光半導體器件
[8145-0073-0020] 有內置光接收元件的半導體器件、制造方法及光學拾波器
[8145-0122-0021] 制造銅鑲嵌結構的方法
[8145-0194-0022] 利用圖案化金屬結構增加氮化硅表面粘著度的方法
[8145-0036-0023] 高電流離子植入機的監控芯片與用其監控充電現象的方法
[8145-0127-0024] 使用雙軌電源供應的互補式金氧半晶體管組成的基本標準組件布局
[8145-0075-0025] 電荷耦合器件及其制造方法
[8145-0115-0026] 視圖特性的測試方法及裝置
[8145-0214-0027] 內存儲存節點及其制造方法
[8145-0192-0028] 影像感測器封裝方法
[8145-0097-0029] 可縮短光掩模制造周期的光掩模供給系統
[8145-0106-0030] 阻擋氫離子滲透的金屬層間介電層的制造方法
[8145-0022-0031] 半導體器件及其制造方法
[8145-0109-0032] 半導體器件的制造方法
[8145-0133-0033] 非易失存儲單元的讀取方法
[8145-0165-0034] 場效應晶體管及其應用器件
[8145-0120-0035] 一種改善淺槽隔離可靠度的方法
[8145-0033-0036] 半導體裝置的制造方法
[8145-0071-0037] 平面環繞柵極快閃存儲單元的結構及其制造方法
[8145-0074-0038] 一種雙極型晶體管及應用它的半導體裝置
[8145-0065-0039] 半導體存儲裝置及其驅動方法
[8145-0090-0040] 增加模擬/數字轉換芯片合格率的方法及其產品
[8145-0188-0041] 一種含硅低介電常數材料刻蝕后的預清洗工藝
[8145-0215-0042] 半導體器件中的布線結構
[8145-0026-0043] 具有浮動阻隔環的化學機械研磨頭
[8145-0156-0044] 半導體存儲器及向半導體存儲元件的電壓施加方法
[8145-0209-0045] P型氮化硅只讀存儲器器件的初始化方法
[8145-0205-0046] 具有規則鑲嵌構造輪廓的制造方法
[8145-0052-0047] 半導體器件的制造方法
[8145-0067-0048] 虛擬接地架構的閃存
[8145-0084-0049] 壓電元件及其制造方法
[8145-0046-0050] 具有開口部的半導體裝置的制造方法
[8145-0153-0051] 半導體裝置及其制造方法
[8145-0216-0052] 低阻抗去耦裝置
[8145-0183-0053] 等離子加工方法和設備及用于等離子加工的托架
[8145-0118-0054] 半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板、半導體器件的測試方法、半導體器...
[8145-0039-0055] 電子器件制造裝置、電子器件的制造方法以及電子器件的制造程序
[8145-0050-0056] 半導體裝置的制造方法
[8145-0140-0057] 適用于接合墊與檢測墊的金屬墊結構
[8145-0112-0058] 集成電路結構表面涂覆金屬的方法
[8145-0134-0059] 溝道式編碼植入的罩幕式只讀存儲器的制作方法
[8145-0189-0060] 氣相有機材料沉積方法和使用該方法的氣相有機材料沉積設備
[8145-0173-0061] 半導體器件及其制造方法
[8145-0101-0062] 使用動態計算工藝參數的研磨方法
[8145-0158-0063] 半導體存儲裝置
[8145-0042-0064] 包含等離子體測量裝置的等離子體設備
[8145-0045-0065] 使用雙波紋技術制造半導體器件的方法
[8145-0161-0066] 非揮發性只讀存儲器及其制造方法
[8145-0198-0067] 利用離子植入方法制作混合電路元件電容器的方法
[8145-0027-0068] 基板處理裝置
[8145-0148-0069] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8145-0012-0070] 用于發光二極管的基片
[8145-0145-0071] 用以抑制電感Q值下降的電感式結構
[8145-0023-0072] 一種改善化學機械拋光不均勻度的方法
[8145-0103-0073] 在具有金屬圖案的半導體基底形成堆疊式介電層的方法
[8145-0211-0074] 應用于半導體晶片的雙封閉護環結構
[8145-0104-0075] 石英玻璃噴鍍部件及其制造方法
[8145-0151-0076] 一種存儲裝置及其護層形成方法
[8145-0125-0077] 基于模塊變形的集成電路宏模塊布圖規劃和布局方法
[8145-0202-0078] IC淺溝渠隔絕的方法
[8145-0131-0079] 一種降低快閃存儲器隨機位故障的方法
[8145-0007-0080] 多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
[8145-0160-0081] 快閃存儲單元的結構及其制造方法
[8145-0203-0082] 形成低介電常數介電層的方法及導電內連線結構
[8145-0010-0083] 用于發白光二極管的燐光體和發白光二極管
[8145-0212-0084] 半導體器件
[8145-0040-0085] 電子器件的制造裝置、制造方法以及制造程序
[8145-0111-0086] 記憶體封裝方法及其裝置
[8145-0176-0087] 定義低介電常數介電層的方法
[8145-0207-0088] 閃存結構及其制作方法
[8145-0213-0089] 保護接觸墊下元件的網目圖案介層及結構
[8145-0032-0090] 形成含鈦黏著層的方法
[8145-0132-0091] 非易失存儲單元的抹除方法
[8145-0108-0092] 半導體熱處理用反射板和該半導體熱處理用反射板的制造方法
[8145-0016-0093] LSI掩模制造系統、LSI掩模制造方法及LSI掩模制造程序
[8145-0025-0094] 具有高選擇比的平坦化方法
[8145-0162-0095] 對虛擬接地非易失內存陣列編程而不干擾相鄰單元的設備及方法
[8145-0190-0096] 用高溫氧化方法制備透明低阻/高阻復合膜
[8145-0056-0097] 電子元件的側吹式散熱鰭片組合
[8145-0086-0098] 音叉型壓電振蕩片及其制造方法，壓電器件
[8145-0048-0099] 半導體器件的制造方法
[8145-0177-0100] 用以制造半導體裝置的化學氣相沉積設備的噴頭
[8145-0154-0101] 存儲器結構
[8145-0157-0102] 一種具有電子俘獲擦除狀態的非易失半導體存儲單元及其操作方法
[8145-0146-0103] 濾波器芯片和濾波器設備
[8145-0172-0104] 半導體器件及其制造方法
[8145-0102-0105] 基板處理裝置
[8145-0135-0106] 只讀存儲器的制造方法
[8145-0168-0107] 發光二極管的結構及其制造方法
[8145-0018-0108] 細微圖案形成方法
[8145-0124-0109] 制造半導體器件的方法
[8145-0121-0110] 淺槽隔離的方法
[8145-0196-0111] 基于電路靜態時延特性的冒險檢測和消除方法
[8145-0147-0112] 半導體集成電路裝置
[8145-0164-0113] 半導體器件的制造方法
[8145-0117-0114] 接觸器、制造此接觸器的方法、以及使用此接觸器的測試方法
[8145-0015-0115] 處理半導體設備變更制造流程屬性的方法
[8145-0130-0116] 改善非揮發性存儲單元可靠度的方法及其結構
[8145-0051-0117] 半導體存儲元件的制造方法
[8145-0038-0118] 電子器件制造裝置、電子器件的制造方法以及電子器件的制造程序
[8145-0184-0119] 具有防水窗口的研磨墊
[8145-0126-0120] 在銅鑲嵌制程中制作MIM電容器的方法
[8145-0003-0121] 無晶體管結崩潰效應的電位轉換電路
[8145-0181-0122] 形成具有自我對準的金屬氧化物半導體晶體管的方法
[8145-0137-0123] 電路基板和電子機器，以及其制造方法
[8145-0200-0124] 形成隔離元件時消除應力與損傷的方法
[8145-0028-0125] 化學機械拋光裝置及其控制方法
[8145-0171-0126] 晶圓辨識標號的制作方法
[8145-0166-0127] 半導體器件
[8145-0096-0128] 訂貨者可靠地選擇接受訂貨者用的選擇方法
[8145-0098-0129] 防止氣體逆流的轉接器及方法
[8145-0013-0130] 第Ⅲ族元素氮化物半導體元件的生產方法
[8145-0030-0131] 能評價工藝性能的等離子體處理裝置
[8145-0076-0132] 半導體器件及晶體管的短信道效應最小化的方法
[8145-0199-0133] 具有溝槽電容的半導體的制造方法
[8145-0060-0134] 利用雙接面晶體管的靜電放電防護電路
[8145-0193-0135] 制造陶瓷芯片封裝的方法
[8145-0070-0136] 半導體存儲裝置
[8145-0143-0137] 具有高觸發電流的靜電放電防護電路
[8145-0206-0138] 一種具有并行結構的大規模數字電路最大功耗估計方法
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[8145-0094-0141] 半導體裝置和電光學裝置
[8145-0191-0142] 在單面柔性基板背面形成凸點的方法
[8145-0178-0143] 三維取向氧化鋅薄膜的制備方法
[8145-0054-0144] 半導體裝置，圖像讀取組件及圖像形成裝置
[8145-0210-0145] 電光裝置、半導體裝置及它們的制造方法和投影裝置與電器
[8145-0031-0146] 減少廢氣排放量的蝕刻方法
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