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[8163-0195-0001] 發光元件覆晶組裝的方法及其結構
[摘要] 發光元件覆晶組裝的方法及其結構，將一正電極及負電極朝向同一面的半導體發光元件，以直接晶片貼合的方式，借助異向性導電膠或焊料而與一預先形成有適當導線圖案以及接合墊的承載基板相結合。該發光元件是在一透明基板結晶成長而得，因此該發光元件所產生的光線能穿透該透明基板而取出。該正、負電極上預先形成適當的金屬凸塊或焊料凸塊，另外該正電極以高反射率的材料組成以增加光線取出的效率。
[8163-0114-0002] 薄膜晶體管平面顯示器
[摘要] 一種薄膜晶體管平面顯示器包括一基板，基板上包含晶體管區及連接墊區，其上形成柵極電極以及柵極墊。絕緣層覆蓋住柵極電極以及柵極墊的一第一區域。第一半導體層覆蓋于絕緣層上，第二半導體層設于第一半導體層的一區域上，金屬層設于第二半導體層上以形成間隔一通道的源極和漏極。第一透明導電層形成于源極、漏極電極與基板的表面但不覆蓋柵極墊。保護層覆蓋住源極與漏極電極上的第一透明導電層以及第一區域。第二透明導電層設于未覆蓋區域上且與第一透明導電層連接使柵極墊與金屬層連接。
[8163-0115-0003] 半導體存儲器電路的電容器的制造方法
一種堆疊式電容器的制造方法。形成字線和轉移柵晶體管后，沉積第一介電層、薄的氮化硅與第二介電層。蝕刻以形成存儲單元接觸窗。沉積第一多晶硅，在接觸窗內形成第一多晶硅插塞物。去除第二介電層以露出一部分第一多晶硅插塞物。形成第二多晶硅和第三介電層，對第三介電層回蝕刻以形成第三介電層側壁間隔物。形成第三多晶硅，回蝕刻第三多晶硅和第二多晶硅，以形成第三多晶硅側壁間隔物與第二多晶硅側壁間隔物。去除第三介電層側壁間隔物，剩余的第一多晶硅插塞物、第二多晶硅側壁間隔物與第三多晶硅側壁間隔物構成了電容器的電荷儲存電極。
[8163-0011-0004] 化合物半導體裝置的制造方法
[摘要] 一種化合物半導體裝置的制造方法，原來采用了將第1焊盤電極和第2焊盤電極積層在氮化硅膜上的焊盤結構，但因襯底和氮化硅膜較硬，故存在焊接時襯底容易裂開的缺點。本發明的化合物半導體的制造方法，在預定的柵極69上留下抗蝕劑層58，在把氧化膜附著在源極區56和漏極區57的表面及預定的焊盤區59的周邊部上的工序中，將焊盤氧化膜62敷設在第1焊盤電極70和第2焊盤電極77的周邊部的下面，由此，不用增加工序數即可實現能抑制周邊部的耗盡層的擴展的焊盤結構。
[8163-0047-0005] 螺旋接觸器及該裝置制造方法,以及應用該裝置的半導體檢測設備和電子元件
[摘要] 本發明提供一種螺旋接觸器1，其特征在于包括與半導體裝置或具有焊球的電子元件作電性連接，和具有俯視看為螺旋形的螺旋探針2，與凸起焊球連接并且當與絕緣基底上的焊接探針連接時隨著此螺旋探針的形狀而延展。能提供一螺旋接觸器、一半導體裝置(測試插槽、測試板、探測卡)以及電子元件(嵌入式插槽、嵌入式連接器)能夠應用于從小型半導體裝置到封裝、超微載芯片，而且還應用于晶圓以形成載流電路而不會引起軟式焊接探針變形或破裂，且能夠應用于焊球的密化，并提供合理價位及高可靠度的檢測。
[8163-0099-0006] 半導體裝置
[摘要] 在sic、gan、gaas等的襯底3上，交互、疊層生長厚度50nm左右的未摻雜層22和厚度薄到能發揮量子效應程度(例如10nm左右)的n型摻雜層23、形成有源區30。因n型摻雜層23的量子效應產生的次能級使載流子能分布到未摻雜層22上，由于在雜質少的未摻雜層22中雜質散射減少，能夠得到高的載流子遷移率，與此同時，當有源區全體耗盡化時，利用載流子從有源區30消失的現象，因未摻雜層22能夠得到大的耐壓值。
[8163-0218-0007] 氮化鎵基藍光發光二極管芯片的制造方法
[摘要] 一種氮化鎵基藍光發光二極管芯片的制造方法，采取如下步驟：a、檢測晶體外延片，進行p型層活化，形成p型層；b、依次進行隔離光刻、隔離干法刻蝕、n電極刻蝕光刻及n電極區干法刻蝕，形成n臺面；c、在n型層上形成n電極；d、在p型層上形成p電極；e、然后減薄，劃片，崩片，分管芯。其改變了現有制作工藝的流程，在刻蝕出n臺面后，先后在其上形成n、p電極，電極接觸電阻較小，透光率較好；避免了電極多次交替定位制作的煩瑣，定位精度和重復定位精度大大提高，生產效率和成品率進一步提高。
[8163-0163-0008] 可降低鄰近效應的光刻制作方法
[摘要] 一種可降低鄰近效應的光刻制作工藝方法，包括：提供一晶片，其上方形成一第一光致抗蝕劑，以一光掩模，進行第一曝光顯影制作工藝，圖案化第一光致抗蝕劑，光掩模上形成第一元件圖案與第一虛擬圖案，第一虛擬圖案位于第一元件圖案的周邊，將光掩模上的第一元件圖案與第一虛擬圖案轉移至第一光致抗蝕劑，并相對于第一光致抗蝕劑上形成第二元件圖案與第二虛擬圖案。在圖案化的第一光致抗蝕劑上形成第二光致抗蝕劑。進行第二曝光顯影制作工藝，移除部分第二光致抗蝕劑，并僅裸露出第一光致抗蝕劑的第二元件圖案。
[8163-0076-0009] 在親水性介電材質上形成低介電常數材質的方法及結構
[摘要] 一種在親水性介電材質上形成低介電常數材質的方法，包括提供一基底，基底上已形成有一低介電常數介電層及在此低介電常數介電層上形成有一親水性介電層。形成一hmds[((ch3)3si)2nh]附著層于此親水性介電層上。在此hmds附著層上形成一低介電常數介電層。
[8163-0177-0010] 具有外露晶片座的半導體封裝件
[摘要] 一種具有外露晶片座的半導體封裝件，包括一晶片；一具有晶片座與導腳的導線架，以及一用以包覆該晶片、電性連接元件與導線架的一部分的封裝膠體；其中，該導線架的晶片座的下表面系外露出該封裝膠體，使晶片產生的熱量得直接由該晶片座逸散至大氣，且該晶片座下表面的周緣形成有凹部，以在模壓時，，使流入該凹部內的封裝樹脂模流因吸收模具熱量的速度變快而增大黏度，從而令模流的流速減慢，故得避免封裝樹脂模流溢膠于外露出封裝膠體的晶片座的下表面上，而確保封裝成品的品質。
[8163-0034-0011] 埋置絕緣層上硅晶片頂層中制作有半導體元件的半導體器件的制造方法
[8163-0085-0012] 嵌入式集成電路組件
[8163-0036-0013] 有機薄膜半導體器件的制造方法
[8163-0024-0014] 散熱基板及半導體模塊
[8163-0216-0015] 利用超薄介質擊穿現象的半導體存儲器單元和存儲器陣列
[8163-0077-0016] 制造半導體側壁翼片的方法
[8163-0064-0017] 半導體發光元件及其制造方法
[8163-0159-0018] cmos技術中抑制窄寬度效應的方法
[8163-0063-0019] 半導體器件及其制造方法
[8163-0110-0020] 用激光束照射半導體層的激光加工裝置
[8163-0135-0021] 導電聚合物
[8163-0120-0022] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0167-0023] 改善cmos數字圖像傳感器成像質量的γ射線輻照方法
[8163-0018-0024] 一種焦平面讀出電路像素陣列的布圖方法和金屬布線結構
[8163-0023-0025] 半導體裝置和半導體模塊
[8163-0116-0026] 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
[8163-0123-0027] 太陽能電池
[8163-0160-0028] 大功率半導體器件的供電及散熱裝置
[8163-0041-0029] 成膜方法和成膜裝置
[8163-0181-0030] 具散熱結構的半導體封裝件
[8163-0084-0031] ic芯片封裝組件
[8163-0150-0032] 一種單電子晶體管及其制備方法
[8163-0068-0033] 改進的靜電放電二極管結構
[8163-0095-0034] 塑料芯片載具的無毛邊堡形通孔的制造方法和產品
[8163-0178-0035] 膠片球柵陣列式半導體封裝結構及其制作方法
[8163-0209-0036] 形成半導體器件的金屬線的方法
[8163-0026-0037] 一種半導體裝置及其形成方法
[8163-0158-0038] 具有降低接通電阻的超級自對準的溝－柵雙擴散金屬氧化物半導體器件
[8163-0139-0039] 形成透明導電基板的方法
[8163-0142-0040] 底部柵極型薄膜晶體管及其制造方法和顯示裝置
[8163-0133-0041] 具有低開啟電壓的磷化銦肖特基裝置及其制造方法
[8163-0155-0042] 具有反向隧穿層的發光二極管
[8163-0090-0043] 有包膜熒光粉的發光器件
[8163-0059-0044] 一種硅鍺器件
[8163-0092-0045] 傳輸晶片和環圈的方法
[8163-0002-0046] 存儲器裝置及其制造方法和集成電路
[8163-0113-0047] 接觸構件及其生產方法以及采用該接觸構件的探針接觸組件
[8163-0052-0048] 金屬導線的制造方法
[8163-0124-0049] 用聚焦離子束制造的具有超微結構的電子和光子器件
[8163-0140-0050] 用氧化或氮化方法提高電阻器的電阻值
[8163-0151-0051] 一種新穎整流元件的結構及其制法
[8163-0111-0052] 引線框架和引線框架的制造方法
[8163-0217-0053] 有控制柵隔片的浮柵存儲單元的半導體存儲陣列自對準方法及制造的存儲陣列
[8163-0122-0054] 納米晶膜太陽能電池電極及其制備方法
[8163-0030-0055] 磁阻裝置及/或多磁阻裝置
[8163-0187-0056] 多晶片集成電路封裝結構
[8163-0170-0057] 無晶片座的雙晶片結構
[8163-0117-0058] 半導體裝置及其制造方法和安裝方法
[8163-0204-0059] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0166-0060] 形成阻擋層的方法及形成的結構
[8163-0125-0061] 分體式熱電偶制冷和發電技術
[8163-0186-0062] 溝槽限定硅鍺靜電放電二極管網絡
[8163-0007-0063] 發光二極管
[8163-0154-0064] 氮化銦鎵發光二極管
[8163-0152-0065] 薄型感光式半導體裝置
[8163-0093-0066] 具有密封底層填料的填料的控制熔塌芯片連接(c4)集成電路封裝
[8163-0039-0067] 具有改進的抗氧和抗濕降解性的撓性有機電子器件
[8163-0157-0068] 集電極朝上的射頻功率晶體管
[8163-0029-0069] 溝道金屬氧化物半導體器件和端子結構
[8163-0054-0070] 互補式金屬氧化物半導體的制造方法
[8163-0108-0071] 金屬－絕緣體－金屬二極管及其制造方法
[8163-0038-0072] 具有透鏡的led光源
[8163-0105-0073] 具有二種不同的底層填充材料的可控崩塌芯片連接(c4)集成電路封裝件
[8163-0050-0074] 具有絕緣體上硅結構的半導體器件及其制造方法
[8163-0069-0075] 平板固態光源
[8163-0184-0076] 導線架具有凹部的半導體封裝件
[8163-0130-0077] 高密度電子封裝及其制造方法
[8163-0118-0078] 散熱器及其制造方法和擠壓夾具
[8163-0087-0079] 用于半導體集成電路的熔絲電路
[8163-0175-0080] 完全耗盡絕緣層上有硅元件的制造方法與結構
[8163-0164-0081] 半導體薄膜及其生產方法和設備、及生產單晶薄膜的方法
[8163-0031-0082] 一種有機薄膜場效應晶體管及其制備方法
[8163-0128-0083] 一種電可擦寫的分子基有機電雙穩薄膜器件及其制作工藝
[8163-0009-0084] 薄膜、半導體薄膜、半導體器件的生產方法
[8163-0033-0085] 用橫向生長制備氮化鎵層
[8163-0016-0086] 半導體裝置的制造方法
[8163-0067-0087] 雙向靜電放電二極管結構
[8163-0079-0088] 用于微調集成電路的電路和方法
[8163-0147-0089] 無晶片承載件的半導體裝置及其制法
[8163-0014-0090] 電路裝置的制造方法
[8163-0020-0091] 半導體裝置和使用它的液晶模塊以及液晶模塊的制造方法
[8163-0061-0092] 固體攝像裝置
[8163-0102-0093] 制造半導體產品的設備
[8163-0081-0094] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8163-0207-0095] 集成電路的預燒控制裝置
[8163-0053-0096] 復合集成電路的設計驗證方法
[8163-0137-0097] 一種用于結晶硅層的方法
[8163-0214-0098] 存儲器、寫入設備、讀取設備、寫入方法和讀取方法
[8163-0075-0099] 金屬柵極形成方法
[8163-0055-0100] 電荷耦合元件取像芯片封裝結構
[8163-0006-0101] 光元件用光學器件和用該光元件用光學器件的設備
[8163-0149-0102] 具有多個存儲體的數據存儲器
[8163-0190-0103] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0192-0104] 半導體存儲裝置及其制造方法
[8163-0042-0105] 磁性半導體/半導體異質液相外延生長方法
[8163-0060-0106] 半導體存儲器
[8163-0213-0107] 半導體集成電路系統
[8163-0193-0108] 一種集成電路的封裝結構
[8163-0212-0109] 電壓轉換電路
[8163-0129-0110] 具有溝道式電容器的動態隨機存儲器單元的制造方法
[8163-0183-0111] 高功率半導體模塊及其應用
[8163-0180-0112] 封裝膠體具有肩部的半導體封裝件及用以封裝該半導體封裝件的模具
[8163-0022-0113] 半導體裝置和半導體模塊
[8163-0043-0114] 電子零件的制造方法和制造裝置
[8163-0056-0115] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0015-0116] 樹脂封裝模具
[8163-0127-0117] 一種超導薄膜諧振器
[8163-0194-0118] 發光二極管晶片的封裝及其印刷電路板基底的結構
[8163-0162-0119] 氮化物半導體元件
[8163-0089-0120] 利用玻璃貼合制造高亮度發光二極體的方法
[8163-0010-0121] 電容器的連線結構的制造方法
[8163-0021-0122] 薄型封裝的半導體器件及其制造方法
[8163-0106-0123] 增強的互連結構
[8163-0008-0124] 半導體器件及其制造方法
[8163-0035-0125] 集成電路裝置
[8163-0094-0126] 金屬層或金屬硅化物層結構化法以及用該法制造的電容器
[8163-0141-0127] 有機硅類低介電常數材料的化學機械研磨平坦化的方法
[8163-0001-0128] 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
[8163-0066-0129] 半導體器件的制造方法及其制造生產線
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[8163-0174-0131] 補償型金屬氧化物半導體器件結構及其制造方法
[8163-0072-0132] 聚合物及其制備和應用
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[8163-0161-0134] 有機電致發光器件及其制造方法
[8163-0057-0135] 半導體裝置及其制造方法
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[8163-0049-0137] 遠程半導體測試方法和裝置
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