半導體,半導體電路,半導體晶片,半導體元件類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8166-0180-0001] 用于生產半導體器件的工藝
[摘要] 一種工藝：在帶電路表面和背面的晶片中形成切割深度小于晶片厚度且從電路表面延伸的凹槽；表面保護層粘到電路表面后研磨背面，把晶片分成間隔的芯片；把包括基底和粘合層的切片／模片接合層粘到背面形成接觸；剝離表面保護層暴露切片／模片接合層的粘合層；切割該粘合層；把粘有粘合層的芯片從切片／模片接合層的基底上分離；把這樣的芯片接合到襯底上。可在極薄的芯片背面形成適量粘合層，避免芯片或封裝斷裂、開裂，提高生產率。
[8166-0048-0002] 電子部件及其制造方法
[摘要] 本發明的目的在于，提供能夠在內壁具有梯級的組件的規定位置上高精度安裝元件的電子部件。因此，在組件13的內壁具有梯級26，梯級26的上端面上形成內壁連接電極14。又，在組件13的底面形成密封電極15，在密封電極15上通過連接層16固定元件17。元件17與內壁連接電極14用導線19進行電氣連接。在將元件17和導線19中的至少一個固定于規定的位置時對位置利用設置于組件13底面的未形成電極部18a、18b進行。
[8166-0168-0003] 壓電的彎曲變換器和由多個壓電的彎曲變換器組成的組件
本發明涉及一種壓電的彎曲變換器（１）以及一種包括多個壓電彎曲變換器（１）的組件（３４）。為了與外電源連接，設導電彈性體（２０）形式的電的插塞接點（１５、１６、１７），它被設計成可通過彈性變形可拆式地置入觸針（２６、２７、２８）。由于取消了焊接的引出線，所以這種壓電的彎曲變換器（１）和這種組件（３４）使用壽命長和維護非常方便。
[8166-0188-0004] 組合元件分離方法、薄膜制造方法和組合元件分離設備
[摘要] 本發明涉及一種組合元件分離方法，在與第一元件（１）和第二元件（２）之間的鍵合界面不同的位置上，分離具有分離層（４）和在分離層（４）上的轉換層（５）的第一元件（１）與第二元件（２）鍵合的組合元件該方法包括對組合元件的端面部分施加相對于界面非對稱性的力而形成從第一元件（１）表面穿過轉換層（５）延伸到分離層（４）的裂紋（７Ａ）的步驟和然后沿著分離層（４）增長裂紋以致完全分離組合元件的步驟。
[8166-0145-0005] 半導體電路裝置
[摘要] 本發明涉及包括驅動器電路(13)的半導體電路，該電路是集成在第一種導電類型的半導體襯底(1)內的，和由接通正值和/或零值電壓電平的PV開關晶體管(2)，和由接通負值和/或零值電壓電平的NV開關晶體管(3)組成的，而且控制電路位于驅動器電路(13)前面和同樣構成在半導體襯底(1)內，這個是與襯底電壓相連。驅動器電路(13)的NV開關晶體管(3)是構成在外槽(10)內，這個槽是置入在半導體襯底內和具有與第一種導電類型相反的第二種導電類型，和外槽(10)是與供電電壓相連的。
[8166-0191-0006] 多層壓電元件及其制造方法
[摘要] 一種電子部件，其中包括主要部件、接線電極和一層膜。所述的主要部件包括燒結的壓電陶瓷元件，其中交替地疊積多層內部電極層和壓電層。接線電極是在燒結的壓電陶瓷元件的邊緣上制成的，并為內部電極導電。所述的膜是在燒結的壓電陶瓷元件和暴露內電極的表面上形成的，是由玻璃絕緣材料制造的。
[8166-0060-0007] 加工方法與裝置
[摘要] 一種加工裝置包括：具有為固定被吸附的電子部件(1)的位置的吸附孔(C12)、把電子部件作位置調整時吸附電子部件的位置調整用吸附孔(C11)的平臺(5)、確定此平臺上的電子部件的位置的位置調整爪(7)、可以控制對該平臺上的電子部件作位置調整時的位置調整吸附力的位置調整吸附力控制部(22、1100)。
[8166-0115-0008] 改進工藝窗口制作全自對準薄膜場效應晶體管的方法
[摘要] 在半導體器件突起區域開孔抗蝕劑的方法包括：在溝道絕緣層上制作導電層形成突起部分，溝道絕緣層與柵電極對準；形成光致抗蝕劑層，用灰度光掩模圖形化光致抗蝕劑減少突起部分上光致抗蝕劑的曝光量，使在突起部分上面導電層上的光致抗蝕劑厚度在顯影后小于周圍區域光致抗蝕劑的厚度。腐蝕光致抗蝕劑，使之減薄，在光致抗蝕劑中形成直達導電層的間隙，但其他部分的光致抗蝕劑仍保留，腐蝕導電層形成與溝道絕緣層自對準的源漏電極。
[8166-0063-0009] 其電極具有大量均勻邊沿的等離子聚合設備
[摘要] 本發明涉及等離子聚合設備，包括：聚合室，用于通過高壓放電在襯底的表面進行聚合；放電電極，安裝在聚合室的內部；相對電極，具有多個均勻邊沿以便在電極的表面形成均勻的電場；高壓加載單元，用于將高壓施加到電極；氣體提供單元，用于向聚合室內提供單體氣體和非單體氣體；和泵吸單元，用于保持聚合室內的真空。本發明可以保持電極的均勻性，因此通過保持電極每個部分上的電流密度和碳化程度可以制造出高質量的聚合膜。
[8166-0006-0010] 芯片封裝焊接用錫球的制造方法
[摘要] 本發明公開了一種芯片封裝焊接用錫球的制造方法，其特征是它按以下步驟依次完成：裁切、球體成型、球體定形、清洗和防氧化處理、烘干、篩選、防氧化包裝。它具有產成品率高、原料消耗少、產品質量好、制造方法簡單的特點。
[8166-0119-0011] 引線框、半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
[8166-0214-0012] 與硅具有穩定結晶界面的半導體結構的制造方法
[8166-0208-0013] 電致發光顯示器件
[8166-0143-0014] 高壓屏蔽
[8166-0068-0015] 受熱表面上帶有突出部分的散熱器
[8166-0139-0016] 通過混合物流沉積的多納米孔隙二氧化硅
[8166-0081-0017] 二分旋轉全組合材料合成方法
[8166-0098-0018] 防止金屬腐蝕的半導體工藝的清洗方法
[8166-0207-0019] 發光器件
[8166-0099-0020] 一種鍍敷絕緣物質的方法
[8166-0147-0021] 鐵電晶體管、其在存儲單元系統內的應用及其制法
[8166-0120-0022] 半導體裝置及其制造方法
[8166-0198-0023] 一種用一連續頂部電極匹配電容器陣列的改進的布局技術
[8166-0184-0024] 燈退火器及用于控制其處理溫度的方法
[8166-0059-0025] 生產晶體管的方法
[8166-0154-0026] 利用溝道技術和介質浮柵的每單元8位的非易失性半導體存儲器結構
[8166-0037-0027] 老化裝置的冷卻系統
[8166-0007-0028] 形成無鉛凸點互連的方法
[8166-0209-0029] 模擬小波變換器件
[8166-0038-0030] 用于封裝或測試應用中的多線格柵
[8166-0108-0031] 金屬互接件以及采用金屬互接件的有源矩陣基底
[8166-0171-0032] 靜電保護電路以及使用了該電路的半導體集成電路
[8166-0043-0033] 具有分離柵的自對準雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管
[8166-0211-0034] 太陽能電池的制造方法
[8166-0030-0035] 板狀體、引線框和半導體裝置的制造方法
[8166-0129-0036] 蝕刻溶液,蝕刻制品和制造蝕刻制品的方法
[8166-0106-0037] 芯片倒裝型半導體器件及其制造方法
[8166-0015-0038] 半導體裝置及其制造方法
[8166-0023-0039] 半導體晶片及其制造方法
[8166-0159-0040] 用作電源開關的碳化硅N溝場效應晶體管及其制造方法
[8166-0026-0041] 直流或交流電場輔助退火
[8166-0050-0042] 用于制造混合式半導體器件的引線框架
[8166-0083-0043] 涂敷和顯影系統
[8166-0039-0044] 改進了的集成電路結構
[8166-0170-0045] 薄膜晶體管的制造方法
[8166-0206-0046] 半導體裝置,液晶顯示裝置和它們的制造方法
[8166-0212-0047] 熱電轉換材料及其制作方法
[8166-0201-0048] 加強埋置溝道P場效應晶體管性能和可靠性的深草皮掩模
[8166-0177-0049] 半導體器件及其制造方法
[8166-0061-0050] 光斷續器及其框架
[8166-0088-0051] 組合式散熱片的制作方法及用該方法制的組合式散熱片
[8166-0117-0052] 半導體器件及其制造方法、層疊型半導體器件和電路基板
[8166-0027-0053] 使用粘結劑制造半導體器件
[8166-0082-0054] 成膜裝置
[8166-0078-0055] 可調節擊穿電壓而不增加寄生電容的二極管及其制造方法
[8166-0144-0056] 高密度集成電路
[8166-0160-0057] 固體攝像裝置及固體攝像元件
[8166-0172-0058] 銅深腐蝕方法
[8166-0135-0059] 用于壓電驅動器的、經改進的錘子以及制造該錘子的方法
[8166-0022-0060] 用于涂敷和顯影的方法和系統
[8166-0089-0061] 板狀體和半導體器件的制造方法
[8166-0057-0062] 具有防止電磁輻射作用的集成電路芯片
[8166-0210-0063] 帶自對準柵極的快閃存儲單元及其制造方法
[8166-0131-0064] 提高集成電路中互連金屬化性能的方法和組合物
[8166-0140-0065] 使納米級微孔二氧化硅機械強度最優化的方法
[8166-0011-0066] 半導體器件及其制造方法
[8166-0127-0067] 工件振動緩沖器
[8166-0150-0068] 氫損壞的鐵電薄膜的惰性氣體恢復性退火
[8166-0204-0069] 載帶自動鍵合式半導體裝置
[8166-0190-0070] 電聲換能器及其制造方法和使用該器件的電聲換能裝置
[8166-0116-0071] 半導體器件的制造方法
[8166-0175-0072] 硅膜的形成方法和噴墨用油墨組合物
[8166-0066-0073] 散熱器制造裝置及方法
[8166-0067-0074] 從低缺陷密度的單晶硅上制備硅－絕緣體結構
[8166-0179-0075] 散熱器及其制造方法
[8166-0218-0076] 與晶軸對準的垂直側壁器件及其制造工藝
[8166-0049-0077] 扁平型半導體裝置、其制造方法及使用該裝置的變換器
[8166-0164-0078] 布線基板、具有布線基板的半導體裝置及其制造和安裝方法
[8166-0032-0079] 光電元件及其制造方法和包線與導體的連接方法
[8166-0158-0080] 混合屋頂覆蓋件
[8166-0045-0081] 一種紅外探測器用的硅鍺/硅異質結材料
[8166-0114-0082] 半導體金屬蝕刻工藝的方法
[8166-0012-0083] 半導體封裝及其制造方法
[8166-0121-0084] 在絕緣體上硅中形成抗熔絲的結構和方法
[8166-0166-0085] 電子束曝光方法以及所使用的掩膜和電子束曝光系統
[8166-0138-0086] 金屬用研磨液及研磨方法
[8166-0004-0087] 安裝半導體芯片的方法
[8166-0053-0088] 光生伏打裝置
[8166-0146-0089] 晶體管陣列
[8166-0077-0090] 半導體器件
[8166-0122-0091] 具有集成電容器的霍耳效應傳感元件
[8166-0148-0092] 玻璃的二氧化硅膜織構化
[8166-0126-0093] 高速半導體光電探測器
[8166-0183-0094] 半導體器件的制造方法和設備
[8166-0033-0095] 3－5μm硅鍺/硅異質結內發射紅外探測器及其制備方法
[8166-0093-0096] 具備偏轉系統的陰極射線管裝置
[8166-0124-0097] 自發光器件及采用自發光器件的電氣設備
[8166-0130-0098] 側壁堆積物除去用組合物和側壁堆積物除去方法
[8166-0176-0099] 光產生電力裝置的制造方法
[8166-0054-0100] 控制液體中溶解氣體濃度的方法和系統
[8166-0031-0101] 采用碳素物質的可重寫數據存儲器及其寫/讀方法
[8166-0156-0102] 受光器件陣列和受光器件陣列芯片
[8166-0163-0103] IC模塊處理裝置的冷卻系統
[8166-0080-0104] 制備光電探測器的方法
[8166-0102-0105] 模擬缺陷晶片和缺陷檢查處方作成方法
[8166-0193-0106] 用于制造電子元件的濕法處理方法
[8166-0008-0107] 各向異性導電粘接材料及連接方法
[8166-0182-0108] 氫離子敏場效應管封裝方法
[8166-0091-0109] 雙電鍍模具的導線架制造方法
[8166-0072-0110] 半導體電路及其制造方法
[8166-0074-0111] 具陶瓷基板及晶粒結構的二極管制造方法
[8166-0069-0112] 顯示裝置
[8166-0090-0113] 半導體器件及其制造方法
[8166-0024-0114] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8166-0055-0115] 立式器件中背面歐姆觸點的低溫形成方法
[8166-0087-0116] 在低壓制造工藝中實現高壓信號輸入的電壓轉換裝置
[8166-0157-0117] 太陽能電池模塊
[8166-0046-0118] 發光二極管及其制法與胚片
[8166-0042-0119] 多發射區擴散層接觸孔圓形構造
[8166-0111-0120] 發光二極管燈
[8166-0073-0121] 使半導體晶片適于使用液態導電材料的方法
[8166-0086-0122] 用于將半導體芯片安裝到基片上的設備
[8166-0044-0123] 影像感測器封裝結構及其封裝方法
[8166-0161-0124] 半導體裝置及其制造方法
[8166-0056-0125] 存儲單元的制法
[8166-0173-0126] 硅氧化膜的形成方法
[8166-0162-0127] 混合熔絲技術
[8166-0084-0128] 具有原位除去污物的離子束注入機
[8166-0025-0129] 半導體器件的包封金屬結構及包括該結構的電容器
[8166-0118-0130] 具有浮置柵的內存組件的制造方法
[8166-0079-0131] 具有平頂和陡邊響應的半導體光電探測器及實現方法
[8166-0034-0132] 面發光裝置
[8166-0103-0133] 鑲嵌結構的制造方法
[8166-0149-0134] 清洗晶片用的盛器
[8166-0070-0135] 自掃描型發光裝置的掩模圖形設計方法
[8166-0065-0136] 具有改進的內部收氣的熱退火晶片
[8166-0013-0137] 集成電路元件用連接模塊及適用于它的集成電路元件
[8166-0014-0138] CMOS半導體器件及其制造方法
[8166-0136-0139] 作為發光二極管的穩定電子注入電極的金屬氧化物薄層
[8166-0181-0140] 掩膜檢測裝置和掩膜檢測方法
[8166-0001-0141] 激光處理方法
[8166-0125-0142] 垂直MOS三極管及其制造方法
[8166-0203-0143] 表面安裝元件和表面安裝元件的安裝結構
[8166-0112-0144] 空穴傳輸劑和包括它的光電轉化設備
[8166-0217-0145] 帶有包含可修整電容器的薄膜電路的模塊
[8166-0075-0146] 疊層柵式快閃存儲器的制造方法
[8166-0128-0147] 蝕刻溶液,蝕刻制品和制造蝕刻制品的方法
[8166-0076-0148] 以氧化鋁為埋層的絕緣層上硅結構的襯底材料及制備方法
[8166-0058-0149] 半導體器件及其制造方法
[8166-0028-0150] 半導體集成電路器件的制造方法
[8166-0113-0151] 堅固地粘附于下層的低阻硅化鎢膜和使用它的半導體器件
[8166-0105-0152] 半導體元件連接用金線及半導體元件的連接方法
[8166-0199-0153] 制備與硅平面工藝兼容的納米晶SnO2薄膜的方法
[8166-0137-0154] 元件粘貼方法和設備
[8166-0187-0155] 固定基片的裝置
[8166-0200-0156] 電子束曝光方法
[8166-0189-0157] 處理高縱橫比結構的方法
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[8166-0096-0160] 發光器件和電器
[8166-0186-0161] 發光半導體器件
[8166-0194-0162] 形成薄膜的方法
[8166-0003-0163] 不需打線之電子器件
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[8166-0202-0165] 一種半導體的封裝結構
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[8166-0169-0167] 薄膜晶體管的制造方法
[8166-0085-0168] 用于塑封的砷化鎵芯片鈍化方法
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[8166-0167-0181] 半導體裝置的制造方法、半導體裝置、窄間距用連接器、靜電傳動器、壓電傳動器...
[8166-0041-0182] 半導體器件
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[8166-0036-0193] 成膜方法、半導體器件及制造方法、記錄媒體的制造方法
[8166-0153-0194] 集成電路芯片、集成電路元件、印刷電路板及電子設備
[8166-0132-0195] 存儲單元裝置
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