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本套光盤目錄如下:
1-BG154493 半導體器件薄膜的平面化方法
2-BG154493 為非平面型半導體器件形成頂部接觸
3-BG154493 利用平面化技術制造半導體器件的方法
4-BG154493 電路板平面化方法和制造半導體器件的方法
5-BG154493 平面化腐蝕半導體器件的方法
6-BG154493 能改善平面化的半導體器件的制造方法
7-BG154493 自鈍化非平面結三族氮化物半導體器件及其制造方法
8-BG154493 平面型半導體器件及其制造方法
9-BG154493 用于制造具有平面接觸的半導體器件的方法以及半導體器件
10-BG154493 有部分或全包圍柵電極的非平面半導體器件及其制造方法
11-BG154493 一種三維多層平面互補金屬氧化物半導體器件結構及其制備方法
12-BG154493 具有相同平面上的熔絲和電容器的半導體器件及制造方法
13-BG154493 一種具有多個接地平面的半導體器件
14-BG154493 平面雙柵極半導體器件
15-BG154493 有機硅氧烷膜、使用它的半導體器件及平面顯示器件以及原料液
16-BG154493 半導體器件和同一芯片上集成角形器件與平面器件的方法
17-BG154493 平面雙擴散金屬氧化物半導體器件及其制作方法
18-BG154493 平面雙擴散金屬氧化物半導體器件及其制作方法
19-BG154493 硅平面半導體器件的玻璃鈍化方法
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

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