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本套光盤目錄如下：

1 201020141941 一種半導體型探頭及包含該探頭的非侵入式電壓測量裝置 資
2 200910140393 金氧半導體電流*電路及線性穩壓器、電壓轉換電路 料
3 201010207879 用于配置超低電壓瞬態電壓抑制器的底部源極N型金屬氧化物半導體觸發的齊納箝位 來
4 200880119865 半導體存儲器器件和存儲器基元電壓施加方法 源
5 200880119688 具有帶易于浮島形成的臺階式溝槽的電壓維持層的功率半導體器件的制造方法 :
6 200910177752 半導體存儲裝置的內部電壓產生電路 萬
7 200880128225 高擊穿電壓的雙柵極半導體器件 息
8 201010155590 帶有低電容和正向電壓降以及耗盡的半導體控制整流器作為控向二極管的瞬態電壓抑制器 數
9 200910260315 高電壓金屬介電質半導體晶體管 據
10 200880111827 高電壓半導體器件
11 200910006817 一種高電壓電流金屬氧化物半導體電路結構 0
12 201010118793 對施加到半導體開關元件的電壓進行測定的半導體裝置 2
13 200910174044 執行全電源電壓位線預充電方案的半導體存儲器件 8
14 200910260507 帶有減小的擊穿電壓的金屬氧化物半導體場效應管器件
15 200810240827 一種調節互補金屬氧化物半導體的閾值電壓的方法 :
16 200910207293 使用半導體裝置使母線電壓放電的系統和方法 6
17 200810201792 防止位線之間穿通電壓降低的方法及半導體存儲器 5
18 200880010313 用于一致觸發具有可調觸發電壓的多觸指半導體器件的結構和電路技術 8
19 200880002338 可實現三維電荷耦合的高電壓半導體功率組件結構 1
20 200920083551 一種半導體激光器光功率、驅動電流、電壓圖示儀 8
21 200820189031 半導體制冷電源智能除霜電壓控制器 3
22 200780051738 在直流電壓中間電路短路時*具有功率半導體的變流器損壞的方法 5
23 200780051398 半導體集成電路器件和電源電壓控制系統 6
24 200910145634 具有內部電壓發生電路的半導體集成電路
25 200810097609 發出輻射的半導體元件及降低其操作電壓的方法
26 200910145695 應用高電壓輕摻雜漏極的互補金屬氧化物半導體技術的靜電釋放保護
27 200910142796 用于向半導體集成電路器件提供多個電源電壓的電源電路
28 200780048921 集成互補低電壓射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體
29 200680039179 具有雙重閾值電壓控制手段的低閾值電壓半導體器件
30 200810091119 半導體存儲器的電壓調整器
31 200680056562 在電壓中間電路變流器中用于控制直流側的短路的半導體保護元件
32 200910006802 在功率半導體開關的驅動器內發送信號電壓的電路和方法
33 200780034918 用于功率金屬氧化物半導體場效應晶體管及集成電路的遞減電壓多晶硅二極管靜電放電電路
34 200910005558 擊穿電壓提高的金屬氧化物半導體MOS晶體管及其制造方法
35 200680051574 用于過電壓保護的包括電壓可變換材料的半導體器件
36 200810170454 具有高擊穿電壓晶體管的半導體器件
37 200810175824 高電壓半導體器件及其制造方法
38 200810149731 電壓控制的容性元件及半導體集成電路
39 200810144343 半導體器件和偏移電壓調節方法
40 200680050811 高電壓碳化硅半導體器件的環境堅固鈍化結構
41 200780000936 過電壓保護電路、保護電路免于過電壓的方法以及具有該過電壓保護電路的半導體設備
42 200810136120 電壓驅動型半導體元件的驅動電路和逆變器裝置
43 200810070010 增加擊穿電壓的半導體結構及制造方法
44 200810070011 不同摻雜濃度多分區高擊穿電壓淺結低溫半導體結構及制造方法
45 200810108820 使用多個電源電壓的半導體器件
46 200810094754 高電壓半導體器件及其制造方法
47 200710064858 金屬氧化物半導體場效應晶體管閾值電壓的測試方法
48 200810087475 生成溫度補償用電壓的半導體裝置
49 200710300950 進行電壓比較防止電壓比較精度惡化的半導體集成電路
50 200710063961 修正半導體引腳測試電壓來校正輸出電流的方法
51 200680028987 電流或電壓測量電路、讀出電路、非易失性半導體存儲器及差動放大器
52 200710036860 一種提高P溝道金屬氧化半導體的崩潰電壓的方法
53 200810004578 半導體存儲器器件的電壓生成電路及其方法
54 200810003312 具有高崩潰電壓與高電阻值的半導體結構及其制造方法
55 200680022229 具有高擊穿電壓的半導體器件及其制造方法
56 200710185175 半導體器件的電壓控制設備
57 200710184919 低電壓互補金屬氧化物半導體制作的三態緩沖器
58 200710167319 一種電壓驅動型功率半導體器件關斷過電壓保護電路
59 200680015850 電壓驅動型半導體元件的驅動裝置
60 200710004056 包括高電壓產生電路的半導體器件及產生高電壓的方法
61 200610156459 半導體器件的高電壓發生器件
62 200710004441 包括高電壓產生電路的半導體器件及產生高電壓的方法
63 200710101103 抑制浪涌電壓的半導體器件
64 200710103268 半導體存儲器件中的電壓監視裝置
65 200710138333 用于半導體器件的具有降低的電阻的電源電壓分配系統
66 200710135773 包含反熔絲寫電壓生成電路的半導體存儲器裝置
67 200680003237 高耐熱合成高分子化合物以及高耐電壓半導體裝置
68 200620122164 電壓控制晶體管和橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管
69 200620122249 半導體裝置及電壓夾止裝置
70 200620002937 金屬氧化物半導體電壓基準電路
71 200620135593 電壓控制的半導體結構、電阻器
72 200710128246 電壓箝位電路、半導體芯片和電壓箝位方法
73 200710008089 具有多個電壓檢測器的半導體器件的方法、系統及功率控制
74 200610076009 互補金屬氧化物半導體共源共柵高增益電流電壓轉換器
75 200710087948 電壓電平移位電路和半導體集成電路
76 200710088621 由低電壓晶體管實現的用于半導體存儲器的電平轉換器
77 200710088509 具備內部電壓發生電路的半導體器件
78 200610009493 具有不同電壓承受力的半導體元件的制造工藝
79 200610137402 電壓控制的半導體結構、電阻器及其制造方法
80 200610094035 高電壓金屬氧化物半導體裝置
81 200580030713 用于電壓*的半導體結構
82 200710006257 根據溫度變化控制高壓生成器輸出電壓的半導體存儲裝置
83 200710007727 減少位線之間電壓耦合的半導體存儲裝置
84 200610171775 在半導體器件中提供電壓的裝置及方法
85 200580026117 基于減小的面積、減小的編程電壓的互補金屬氧化物半導體電子熔絲的可掃描式非易失性存儲器位單元
86 200580022890 用于無源地穩定半導體元件的電源電壓的裝置
87 200580013420 具有高擊穿電壓的半導體裝置及其制造方法
88 200610141921 接通半導體電路的電壓源的方法和裝置及相應半導體電路
89 200580008214 錐形單元的金屬氧化物半導體高電壓器件結構
90 200610151372 參考電壓產生電路、半導體集成電路及其裝置
91 200580006912 具有高擊穿電壓的半導體裝置及其制造方法
92 200610110904 輸出電壓檢測電路、絕緣型開關電源及半導體器件
93 200510093069 非揮發性存儲器及其相關臨限電壓驗證方法與半導體裝置
94 200580002989 電壓箝位電路、開關式電源器件、半導體集成電路器件和電壓電平轉換電路
95 200610109581 用于降低半導體器件中工作電壓的結構
96 200610105818 具有改善的開態電阻和擊穿電壓性能的半導體結構
97 200610105819 具有改善的開態電阻和擊穿電壓性能的半導體結構
98 200610101531 電壓測量方法電測試方法和裝置半導體器件制造方法和器件襯底制造方法
99 200480038875 電壓發生電路和半導體集成電路器件
100 200510082018 單段或多段觸發式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造
101 200610100148 設有以不同閾值電壓存數據的存儲單元的半導體存儲裝置
102 200510115475 電壓供應電路和半導體存儲器
103 200480032676 施加單相方波交流吸附電壓時通過使用力延遲在具有微加工表面的J－R靜電吸盤上吸附和釋放半導體晶圓
104 200510126864 只用單溝道晶體管對所選字線傳送電壓的半導體存儲裝置
105 200610074610 用于制造能夠改善擊穿電壓特性的半導體器件的方法
106 200610071659 電壓電平變換電路及半導體集成電路裝置
107 200480024021 半導體集成電路器件及采用其的電源電壓監視系統
108 200610051303 在半導體存儲器件中產生提升電壓的電路和方法
109 200510136190 用于產生高電壓的方法和電路以及相關的半導體存儲器件
110 200610009347 電源電壓遞降電路、延遲電路以及具有后者的半導體裝置
111 200480020947 多電源電壓半導體器件
112 200610067867 具有電壓反饋電路的半導體器件及利用它的電子設備
113 200610071108 基于GaN半導體的電壓變換器件
114 200610004969 半導體存儲元件的電源開關電路及其電源電壓施加方法
115 200610006114 半導體存儲器裝置的位線電壓供應電路及其電壓供應方法
116 200510126865 只用單溝道晶體管對所選字線傳送電壓的半導體存儲裝置
117 200510077623 用于向半導體集成電路設備提供多個電源電壓的電源電路
118 200510074995 低電壓半導體存儲器裝置
119 200510105602 隔離各種操作電壓的集成電路的半導體結構
120 200510084804 半導體存儲裝置的內部電壓產生器
121 200480009519 半導體芯片中具有降低的電壓相關性的高密度復合金屬－絕緣體－金屬電容器
122 200510077138 測量感測放大器偏移電壓的方法及半導體存儲器裝置
123 200510059029 具有提高的擊穿電壓的半導體器件
124 200480005203 半導體二極管、電子元件、電壓耦合變換器和控制方法
125 200510087835 半導體存儲器件及其陣列內部電源電壓產生方法
126 200510058858 嵌入高電壓橫向擴散金屬氧化物半導體的快閃存儲器制程
127 200410025738 用于高電壓操作的金屬氧化物半導體器件及其制造方法
128 200510008297 能夠調整閾值電壓的半導體器件及其制造方法
129 200510068440 多閾值電壓互補金屬氧化物半導體觸發器及其電路及方法
130 03824600 電壓發生電路、電壓發生裝置、半導體器件及其驅動方法
131 200510067781 電壓檢測電路、電源裝置以及半導體裝置
132 200510003875 半導體存儲裝置的內部電壓產生電路
133 200510065666 切換半導體電路電壓范圍的電源的方法和相應的半導體電路
134 200510056365 用于電壓驅動型半導體元件的驅動電路
135 200510009468 偏置電壓施加電路和半導體存儲裝置
136 200410070306 半導體存儲裝置內的內電壓產生電路
137 200410081781 提供多個工作電壓的半導體器件卡
138 200410090601 具有晶片上參考電壓產生器的半導體裝置
139 02826543 一種用于形成如圖5所示具有襯底2、帶有至少一個溝槽52的電壓維持外延層1、以及鄰接并環繞該溝槽的摻雜區（5a）的功率半導體器件的方法
140 02825190 有改善的較小正向電壓損耗和較高截斷能力的半導體結構
141 200410011853 能夠抑制要提供給外部電路的電流或電壓的變化的半導體器件
142 200410079820 半導體結構及其應用、尤其是*過電壓的應用
143 200410074904 利用地電壓或電源電壓位線預充電方法的半導體存儲裝置
144 02819658 具有浮島電壓維持層的功率半導體器件的制造方法
145 02819657 具有帶易于浮島形成的臺階式溝槽的電壓維持層的功率半導體器件的制造方法
146 01273039 半導體制冷冰箱的電源電壓控制電路
147 91220163 一種電壓型半導體發光器件
148 03225865 低電壓半導體過壓保護器件
149 02817513 半導體器件和電壓調節器
150 200410038567 高耐電壓的半導體器件以及制造該器件的方法
151 03800627 用于測量半導體外延晶片耐受電壓的方法和半導體外延晶片
152 200310110823 利用擊穿電壓的半導體存儲單元薄氧化層的測試方法
153 200410033533 電壓控制的容性元件及半導體集成電路
154 200410005258 具增加擊穿電壓的半導體結構及制造該半導體結構的方法
155 200410007023 高耐電壓場效應型半導體設備
156 200310103604 設有沖擊電壓保護電路的半導體裝置
157 02809392 用于高擊穿電壓半導體器件的高阻碳化硅襯底
158 200310119840 具有電壓反饋電路的半導體器件及利用它的電子設備
159 200310114856 電壓提升電路及靜態隨機存取存儲器、半導體裝置
160 02146168 雙金屬氧化物－氮化物－氧化物半導體的控制柵極及字線電壓升壓設計
161 03153352 提供適當編程電壓的非易失性半導體存儲設備
162 03149790 具有可控的內部電源電壓的半導體集成電路
163 03149813 低電源電壓下亦可產生穩定恒流的半導體集成電路器件
164 03145337 半導體存儲器件中的內部電壓源發生器
165 01816268 內部電壓電平控制電路和半導體存儲裝置以及其控制方法
166 03137860 電壓變換電路和半導體器件
167 03102926 可在電源電壓相異的兩個系統中使用的半導體裝置
168 03123078 參考電壓發生裝置及半導體集成電路、其檢查裝置及方法
169 03107528 半導體存儲器及向半導體存儲元件的電壓施加方法
170 02102561 線性電流電壓特性的金屬氧化物半導體輸出驅動電路
171 02155576 提高起始電壓穩定性的金屬氧化物半導體的制作方法
172 02157570 雙極電源電壓發生器及其半導體器件
173 02129855 具有將電源電壓轉換為工作電壓的降壓電路的半導體裝置
174 02152974 無需擊穿電壓為電源電壓兩倍的晶體管的半導體升壓電路
175 02132194 非對稱高電壓金屬氧化物半導體元件
176 02151469 超薄絕緣體基外延硅金屬氧化物半導體晶體管的閾值電壓調節方法
177 02142963 恒定電壓產生電路及半導體存儲器件
178 02141887 計算金屬氧化物半導體場效應晶體管門限電壓的方法
179 02142204 半導體器件和電源電壓控制方法
180 02119359 電壓測量方法電測試方法和裝置半導體器件制造方法和器件襯底制造方法
181 00810497 液驅電路、半導體集成電路、基準電壓緩沖電路的控制方法
182 00807585 電壓保護的半導體電橋發火器元件
183 01137955 參考電壓半導體
184 01120869 只用單溝道晶體管對所選字線傳送電壓的半導體存儲裝置
185 01121714 集成半導體電路內連接線上補償不同電壓的電路裝置
186 99809492 一種用于控制受電荷電壓控制的功率半導體器件的裝置
187 00131495 電壓供給裝置和半導體裝置、電光學裝置和電子機器
188 99126388 具有用于模擬開關的背柵電壓控制器的半導體器件
189 99121366 帶有用于實現直流電壓轉換器的集成電路的半導體器件
190 98116187 一種用于有浮動電壓端的半導體器件的表面耐壓層
191 98101491 改善高崩潰電壓的半導體功率整流器電壓突降的方法
192 97198000 具有線性電流電壓特性的半導體元件
193 98106128 在低電源電壓下高速動作的靜態型半導體存儲裝置
194 99101709 具有浮動柵極的金屬氧化物半導體晶體管的參考電壓發生電路
195 98105351 制作雙電壓金屬氧化物半導體晶體管的方法
196 98104027 改善了低電壓工作特性的半導體集成電路裝置
197 98106240 能在外部監視內部電壓的半導體集成電路裝置
198 98103619 在多電平電源電壓下穩定動作的半導體集成電路裝置
199 95197783 在半導體芯片上用于轉換高電壓的MOS電路裝置
200 95197745 在半導體芯片上轉換較高電壓的電路裝置和控制該裝置的方法
201 97113842 中間電壓發生電路及含有該電路的非易失半導體存儲器
202 96190936 電壓檢測電路、電源通-斷復位電路及半導體裝置
203 96122645 能根據工作方式設定基片電壓幅度的半導體存儲裝置
204 95116780 半導體存儲設備中的內電壓提升電路
205 96110768 用于改善靜*穿電壓的半導體器件的輸入保護電路
206 95192109 用于使串聯的門極控制半導體上電壓分配均衡方法和設備
207 96103673 基準電壓半導體器件
208 95106891 半導體集成電路的電源電壓變換電路
209 95103297 帶應力電路的半導體集成電路及其應力電壓的供給方法
210 94100698 一種擊穿電壓高的薄有源層半導體器件
211 91102987 半導體存儲器件基準電壓生成電路
212 90104365 半導體集成電路中的內電壓變換器
213 87103188 半導體電壓控制變容器
214 86107071 半導體三極管發射結反向過電壓保護電路和有保護能力的可調直流穩壓電源

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