半導體激光器制造技術生產工藝專利大全-光盤(198元/全套）
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"01、穩定半導體激光器工作波長的裝置
02、一種半導體激光器掩蔽膜的制作方法
03、一種可調諧半導體激光器
04、表面發射的半導體激光器裝置以及用于制造表面發射的半導體激光器裝置的方法
05、具有腔內反射特征的半導體激光器的設計方法、半導體激光器及其制造方法
06、基于重構-等效啁啾技術制備半導體激光器的方法及裝置
07、不對稱的脊形氮化鎵基半導體激光器及其制作方法
08、基于半導體激光器自混合效應的高反射率測量方法
09、半導體激光器泵浦的中*固體激光器
10、一種大功率半導體激光器
11、具有邊模抑制的半導體激光器
12、用于半導體激光器中光柵制作的腐蝕液及制作方法
13、半導體激光器驅動裝置、光頭裝置和光信息記錄再生裝置
14、分布反饋型半導體激光器
15、面發光型半導體激光器
16、低光反饋噪聲的自脈沖半導體激光器
17、載波抑制光脈沖串產生方法以及模同步半導體激光器
18、大功率650nm量子阱半導體激光器及其制作方法
19、V型耦合腔波長可切換半導體激光器
20、脊形波導式半導體激光器及其制作方法
21、具有垂直發射方向的表面發射的半導體激光器部件
22、氮化物半導體激光器裝置及其制造方法
23、大功率半導體激光器偏振耦合裝置及其方法
24、*化鎵基量子級聯半導體激光器材料及生長方法
25、添加導引光的條陣大功率半導體激光器的整形方法
26、光盤裝置、半導體激光器驅動器和光拾取器
27、氮化物半導體激光器元件及其制作方法
28、氮化物半導體發光器件和制備氮化物半導體激光器的方法
29、無源模式同步半導體激光器和光時鐘信號提取裝置
30、半導體激光器部件、用于該半導體激光器部件的光學裝置以及用于制造該光學裝置的方法
31、高能半導體激光器發散角測試方法及其裝置
32、控制半導體激光器的光功率和消光比
33、使用可變熱阻抗對半導體激光器的波長進行溫度調諧
34、光抽運的表面發射半導體激光器件及其制造方法
35、半導體激光器裝置及其制造方法
36、半導體激光器及其控制方法、光學器件以及激光器裝置
37、一種應用光纖耦合的半導體激光器的外腔相干鎖相方法
38、半導體激光器注入電流調頻無機械飛點掃描干涉系統
39、用于電吸收調制半導體激光器高頻封裝的熱沉
40、大功率980nm量子阱半導體激光器半無鋁結構
41、高功率高亮度半導體激光器組件
42、雪崩量子子能帶間躍遷半導體激光器
43、半導體激光器驅動方法和光盤設備
44、半導體激光器整形裝置
45、單片2波長半導體激光器及其制造方法
46、半導體激光器蝶形封裝器件
47、單一ELOG生長的橫向P-N結氮化物半導體激光器
48、多波長半導體激光器器件
49、脊條形半導體激光器
50、雙光束半導體激光器
51、具有結構化波導的面發射半導體激光器
52、受光電路、半導體激光器件和光拾取裝置
53、發光元件的制造方法、半導體激光器及其制造方法
54、半導體激光器件、其制造方法以及使用其的光學拾取器件
55、采用調制摻雜量子阱結構的陣列式半導體激光器
56、半導體激光器同軸器件的L型支架封裝
57、光學泵浦的半導體激光器設備
58、半導體激光器設備
59、全內反射式微棱鏡陣列實現面陣半導體激光器光束整形的方法
60、半導體激光器及其制造方法
61、半導體激光器溫度特性參數即升即測測試裝置及方法
62、大出光孔垂直腔面發射半導體激光器的多芯電注入結構
63、外部共振器型半導體激光器
64、高注入效率大功率808nm量子阱半導體激光器結構
65、半導體激光器驅動控制裝置
66、光抽運的表面發射半導體激光器件及其制造方法
67、數字多功能光盤用大功率650nm半導體激光器及制作方法
68、微處理器控制的原子分子穩頻半導體激光器及穩頻方法
69、大功率半導體激光器陣列光束準直系統
70、Q-調制半導體激光器
71、半導體激光器泵浦光源的驅動方法
72、表面發光半導體激光器陣列及使用其的光傳輸系統
73、半導體激光器件及其制造方法
74、帶有電吸收光柵結構的Q-調制半導體激光器
75、一種以半導體激光器為光源的移動式激光加工系統
76、化合物半導體激光器件
77、一種超短腔半導體激光器及其制備方法
78、半導體激光器的雙波長輸出光子混頻產生太赫茲波的裝置
79、智能大功率半導體激光器驅動裝置
80、一種高光功率密度808nm大功率量子阱半導體激光器
81、一種高可靠性980nm大功率量子阱半導體激光器
82、一次外延形成半導體激光器和模斑轉換器的方法
83、雙波導技術制作半導體激光器和模斑轉換器的方法
84、半絕緣襯底長波長半導體激光器及其制作方法
85、半導體激光器參數測量裝置
86、制造氮化物半導體的裝置和方法及獲得的半導體激光器件
87、非共面電極半導體激光器芯片高頻特性測試臺
88、在表面發射半導體激光器中產生波導結構的方法及表面發射半導體激光器
89、半導體激光器高頻封裝*有微帶結構的熱沉
90、帶有減小的反作用靈敏度的半導體激光器
91、波長可變半導體激光器和使用該激光器的氣體檢測器
92、半導體激光器、其安裝方法、安裝其的結構和光盤系統
93、半導體激光器件制造方法和半導體激光器件
94、具有大的光學超晶格波導的高功率半導體激光器
95、半導體激光器組件及具備半導體激光器組件的光拾取裝置
96、半導體激光器
97、半導體激光器無源對準耦合與高頻封裝用硅基版
98、半導體激光器件和設置有其的光信息記錄設備
99、半導體激光器裝置
100、分布反饋半導體激光器及其制造方法
101、一種帶望遠鏡諧振腔的垂直外腔面發射半導體激光器
102、表面發光型半導體激光器及其制造方法
103、制造表面發射半導體激光器中的掩埋式隧道結的方法
104、半導體激光器直接倍頻產生短波長激光器裝置
105、一種帶凸凹反射鏡的垂直外腔面發射半導體激光器
106、鋁銦磷或鋁鎵銦磷材料大功率半導體激光器及制作方法
107、半導體激光器元件的制造方法
108、雙棱角反射微棱鏡列陣實現面陣半導體激光器整形的方法
109、半導體激光器芯片條的夾具
110、衍射微光學元件實現半導體激光器面陣的光束整形方法
111、一種磷化銦基量子級聯半導體激光器及制作方法
112、磷化銦基量子級聯半導體激光器材料的結構及生長方法
113、模式同步半導體激光器裝置和模式同步半導體激光器裝置的波長控制方法
114、表面發射半導體激光器及其制造方法
115、半導體激光器驅動方法和光盤設備
116、表面發射型半導體激光器
117、波長可調諧分布布拉格反射半導體激光器的制作方法
118、用于半導體激光器的光功率監測
119、半導體激光器件及其制造方法
120、集成有調制器的半導體激光器件
121、半導體激光器和制作方法
122、粗糙元型半導體激光器有源熱沉結構及制備方法
123、半導體激光裝置及半導體激光器裝配體
124、半導體激光器熱弛豫時間的測試裝置及其測量方法
125、半導體激光器及其制造工藝
126、外諧振腔半導體激光器及其制造方法
127、基于激光輻射較高模的光子帶隙晶體調解過濾效應的半導體激光器及其制造方法
128、氮化物半導體激光器件
129、半導體激光器、其制造方法和電子器件的制造方法
130、一種半導體激光器陣列的光纖耦合器及制作方法
131、一種多段式分布反饋半導體激光器
132、一種提高半導體激光器成品率的方法
133、半導體激光器驅動電流控制方法及多模式工作的驅動電源
134、混合集成的可調諧半導體激光器
135、半導體激光器裝置、半導體激光器模塊及光纖放大器
136、一種面陣半導體激光器準直微列陣元件
137、折反棱鏡堆實現條陣半導體激光器整形的方法
138、鎖模光纖光柵外腔半導體激光器結構
139、一種半導體激光器腔面鈍化的方法
140、同軸對稱型微反射鏡陣實現半導體激光器光束整形方法
141、背冷式高功率半導體激光器微通道熱沉結構及制備方法
142、多邊形大功率半導體激光器疊層陣列模塊
143、兩-波長半導體激光器件及其制造方法
144、帶有錐形增益區的脊型波導高功率半導體激光器結構
145、同軸封裝半導體激光器陶瓷插針
146、半導體激光器件
147、半導體激光器裝置和它的制造方法
148、半導體激光器
149、半導體激光器裝置和它的制造方法以下為最近更新1低光反饋噪聲的自脈沖半導體激光器
2載波抑制光脈沖串產生方法以及模同步半導體激光器
3具有改善的高頻特性的VCSEL、半導體激光器件及光發送裝置
4通信用半導體激光器、其制造方法及光發送模塊
5氮化物半導體激光器件
6連續可調納秒脈沖半導體激光器驅動電源
7大功率半導體激光器耦合封裝組件
8半導體激光器模塊
9大功率半導體激光器陣列光束準直系統
10一種面陣半導體激光器的光束整形裝置
11一種垂直外腔面發射半導體激光
12反波導大光學腔半導體激光器
13半導體激光器及電子設備
14一種外腔大功率半導體激光器迭陣光源
15半導體激光器溫度控制系統
16高功率半導體激光器可靠性檢測方法
17半導體激光器和其制造方法
18半導體激光器陣列及其制作方法
19功率穩定的半導體激光器諧波變頻模塊
20半導體激光器
21疊層脈沖半導體激光器光束準直方法
22半導體激光器模塊
23可調諧半導體激光器的制作方法及可調諧半導體激光器
24半導體激光器裝置
25分布反饋注入放大半導體激光器
26半導體激光器熱沉""
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