大功率,大功率激光,光纖激光器,半導體激光器裝置最新技術匯編(168元/全套)
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[8318-0188-0001] 表面發射半導體激光器及其制造方法
[摘要] 表面發射半導體激光器包括：襯底；具有設置在襯底上并在其頂表面上具有接觸區的第一柱體結構的激光器部分；以及具有設置在襯底上的第二柱體結構的電極部分。電極部分包括與接觸區電連接并從其中延伸的導電層。
[8318-0190-0002] 氮基半導體激光器件和其生產方法
[摘要] 氮基半導體激光器件(10)具有一種依次堆疊放置的第一接觸層(14)，第一包覆層(16)，有源層(20)，第二包覆層(24)，第二接觸層(26)和第二電極(30)的結構。第二包覆層(24)包括一個下層(24a)和上層(24b)，第一包覆層(14)，有源層(20)和第二包覆層的下層(24a)具有臺面結構，第二包覆層的上層(24b)和第二接觸層(26)具有脊形結構。在對應于臺面結構的頂表面的第二包覆層的下層的一部分上形成絕緣層(40)，絕緣層(40)至少部分覆蓋第二包覆層的上層(24b)的對側面，另外，從絕緣層(40)的頂表面到第二電極(30)的頂表面上形成金屬層(42)，金屬層(42)具有和臺面結構基本相同的寬度。
[8318-0048-0003] 脊形波導式半導體激光器件及其制作方法
脊形波導式半導體激光器件及其制作方法，層狀結構，包括底座和條狀脊背，底座以半導體為襯底基片，襯底基片的下層面為下部金屬電極層，襯底基片的上層面依次為下部包被層、下部導波層、激光活性層、上部導波層和上部包被層；條狀脊背是在條狀包被層上覆蓋接觸層，其上表層為上部金屬電極層。其特征是，作為電流通道，在位于激光活性層之上的包被層中，或是在位于激光活性層之下的下部包被層中，或是激光活性層本身，以選擇性蝕刻形成寬度較之條狀脊背更窄、以使通過其間的激光驅動電流值更低的窄帶電流限制層。本發明既能保持低成本，又能保持激光器的高性能。
[8318-0069-0004] 半導體激光裝置及其制造方法
[摘要] 在本發明的半導體激光裝置中，一p型擴散區3a被設置在硅底襯16的n外延層2上，一n型擴散區4a被設置在p型擴散區3a上。p型擴散區3a和n型擴散區4a位于紅光激光二極管14之下，且紅光激光二極管14在沒有絕緣膜的條件下通過電極7，8直接與n型擴散區4a連接。這樣，可以防止紅光激光二極管14和硅底襯16之間的短路。因此，根據這種半導體激光裝置，可以防止在高溫操作時半導體發光元件發生損壞或故障。
[8318-0007-0005] 用于gaas材料系統的長波長假同晶inganpassbi型和ii型有源層
[摘要] 本發明公開一種改進結構的和用于形成光處理(例如光發射和光接收/傳感)技術的器件，尤其是垂直腔表面發射激光器(vcsel)，比如發現用于通信的應用。所公開的vscal器件和制造方法提供一生長在含有gaas的襯底上的具有量子阱的有源區結構，因此提供適合處理具有1.0到1.6μm范圍波長的光的處理器。有源區結構結合在量子阱中具有不同帶線的應變補償勢壘，以達到發射長補償光，而同時在結構中降低應變。所公開的器件的改進的作用是建立了具有大量組分的多成分合金層。每一合金層可根據所公開的選擇成分選擇，以提供累積應變和長波長的發射/吸收的不同的構造。另外最小應變勢壘層補償或者進一步改善在結構總應變方面提供幫助，因此，降低最適宜的位錯影響水平或者其它有損器件性能和器件壽命的缺陷。本發明公開的在推薦合金層中的關鍵組分用于有源區的物質，如氮(n)，適合于降低聯合層的帶隙能(即增加光波長)，而同時降低聯合結構的晶格常數并因此降低應變。
[8318-0035-0006] 氮化鎵半導體激光器
[摘要] 本發明提供可以發射接近圓形的基本橫模的激光且工作電流及元件電阻低的氮化鎵半導體激光器結構。在gan構成的基底層的上部，按下部包覆層2、有源層4、上部包覆層7及電極的順序層積，在有源層與下部包覆層之間和/或前述有源層與上部包覆層之間設置一個或兩個以上的光導層1，以380nm以上420nm以下的波長振蕩的氮化鎵半導體激光器，在設光導層的總層厚為h(μm)，下部包覆層2的層厚為d1(μm)，具有與下部包覆層2的平均折射率相同折射率的algan體結晶的al組成為x，具有與上部包覆層7的平均折射率相同折射率的algan體結晶的al組成為y時，滿足如下條件：0.15≤h、|x-y|≤0.02、0.02≤x≤0.06及0.34x-0.49≤d1+2h。
[8318-0066-0007] 1.3μm波段超脈沖摻釹晶體激光器
[摘要] 一種1.3μm波段超脈沖摻釹晶體激光器，是以nd∶yag、nd∶yvo4、nd∶yap、nd∶ylf、nd∶bel中的一種激光晶體為激光激活介質，在氪燈或氙燈為泵浦源或以半導體激光器為泵浦源下，在脈沖工作方式下，該器件輸出超脈沖1.3μm波段基波，或輸出經過放置腔內或腔外的非線性光學變頻晶體產生的相干輻射。在諧振腔內插入具有削波作用的聲光調制器或電光調制器組件，再加上5-20千赫茲的調制，那么，它產生的新型高峰值功率脈沖與高能超脈沖co2整形激光相比，其刀峰更利、焦痂更小、熱損傷更輕。這種激光器，在醫療上有較好的應用前景。
[8318-0133-0008] 分布反饋型激光裝置
[摘要] 本發明旨在提供能夠抑制因制造偏差引起的光耦合系數的變動的、使制造合格率得以提高的分布反饋型激光裝置，其中設有：位于inp襯底(1)上激活層(4)兩側的包覆層，以及位于任一包覆層中的、與包覆層折射率不同的、帶有在光出射方向以預定間距在與該出射方向相交的方向上延伸的棧狀格子的衍射光柵(6)；還至少設有一層光分布調整層(2)，該層位于與所述衍射光柵相分離的包覆層內，其成分與所述衍射光柵的相同。
[8318-0003-0009] 波長變換裝置
[摘要] 一種波長變換裝置，利用shg變換波長，產生激光的波長變換裝置，備有：具有多個電極的襯底；和安裝在襯底上電連接多個電極的半導體激光器件；和具有使從半導體激光器件射出的激光作導波，變換其波長的光導波線路的非線性光學元件。然后，非線性光學元件被安裝在該襯底上，該非線性光學元件的光導波線路與襯底的中心線隔開。以此，獲得在半導體襯底上集成化安裝半導體激光器件和光導波線路裝置的小型波長變換裝置，使用該波長變換裝置的光盤的光拾取部分可小型化。
[8318-0212-0010] 一種固體可調諧激光器
[摘要] 一種固體可調諧激光器涉及激光晶體和固體激光器設計領域。將同時摻雜稀土和過渡族金屬離子的非線性光學晶體作為激光運轉介質來代替目前常用的兩塊激光晶體加上一塊非線性光學晶體的功能，利用紅外光泵浦輸出固體可調諧激光。該器件由單一激光晶體與調諧元件和激光腔鏡構成，結構簡單緊湊，穩定性和可靠性高。
[8318-0067-0011] 多棒串接的雙燈泵浦大功率固體激光器
[8318-0025-0012] 含有光纖元件的光學裝置
[8318-0037-0013] 短波長激光模件及其制造方法
[8318-0001-0014] 光放大光纖和使用該光纖的光放大器
[8318-0106-0015] 半導體激光器件及其設計方法
[8318-0012-0016] 半導體激光器光頻光強調制器
[8318-0138-0017] 雙包層光纖腔內倍頻激光器
[8318-0128-0018] 控制光學放大器性能的方法
[8318-0056-0019] 一種摻釹釩酸釔/鈦氧磷酸鉀晶體組對的動態粘結方法
[8318-0008-0020] 氣體激光器和光學系統
[8318-0094-0021] 半導體激光元件及其制造方法
[8318-0054-0022] 半導體激光器老化篩選設備和篩選方法
[8318-0016-0023] 超晶格全固態紅、綠、藍三色激光器
[8318-0077-0024] 圓柱形排布的脈沖雙包層光纖放大器
[8318-0117-0025] 超晶格全固態紅、黃、綠三色激光器的設置方法
[8318-0125-0026] 激光振蕩方法和激光裝置
[8318-0124-0027] 一種同光束雙波長雙脈沖激光的產生方法
[8318-0074-0028] 半導體激光器件象散校正板以及設置象散校正板的方法
[8318-0075-0029] 用于控制起放大作用的媒介,尤其是光導纖維的方法和裝置
[8318-0180-0030] 半導體激光器
[8318-0002-0031] 超穩定光學諧振腔的調節機構
[8318-0058-0032] 用于泵浦固體激光器的大功率激光二極管列陣泵浦腔
[8318-0170-0033] 用自變頻晶體腔內和頻產生黃光的黃色激光器
[8318-0040-0034] 近紅外乳腺診斷儀中的激光光源裝置
[8318-0166-0035] 激光二極管管芯測試工作臺的光探測器調整架
[8318-0053-0036] 量子阱混合
[8318-0129-0037] 激光放大器的吸水裝置和制造這種裝置的方法
[8318-0174-0038] 雙波長釹激光器腔外倍頻、和頻的紅綠藍三基色激光器
[8318-0130-0039] 與微光學器件和電子集成電路集成在一起的頂部照明光電子器件
[8318-0116-0040] 用離子注入制備釹摻雜釩酸釔晶體波導激光的方法
[8318-0093-0041] 半導體激光器件
[8318-0165-0042] 泵浦光源的光纖側邊耦合方法
[8318-0154-0043] 用于光發射設備的驅動電路
[8318-0033-0044] 氮化物半導體激光元件
[8318-0181-0045] 超短激光脈沖單脈沖選擇裝置
[8318-0013-0046] 面發光激光器及其制造方法和光接收元件及其制造方法
[8318-0036-0047] 通過形成絕緣疊層對表面發射激光器進行橫模和偏振控制
[8318-0021-0048] 發光元件的安裝方法
[8318-0073-0049] 一種可調諧紫色激光晶體cr3+：rea3...
[8318-0142-0050] 利用垂直腔面發射半導體激光器制作相控陣激光裝置
[8318-0145-0051] 半導體激光器件以及光盤再現和記錄裝置
[8318-0018-0052] 含柱透鏡的激光諧振腔
[8318-0024-0053] 半導體激光元件
[8318-0065-0054] 光增益光纖
[8318-0160-0055] 一種上轉換自倍頻紫外激光器
[8318-0086-0056] 用于光學放大器的通用控制器
[8318-0199-0057] 脊形波導型半導體激光裝置
[8318-0055-0058] 功率控制電路
[8318-0185-0059] 半導體激光器及其制造方法
[8318-0207-0060] 一種用于半導體激光器腔面反射涂層的結構
[8318-0051-0061] 泵激各向異性激光晶體的裝置
[8318-0090-0062] 射頻激勵共電極折疊雙通道波導co2激光器
[8318-0043-0063] 大功率全固態紅、黃、藍光激光裝置
[8318-0171-0064] 一種上轉換自和頻紫外激光器
[8318-0151-0065] 光抽運的表面發射半導體激光器件及其制造方法
[8318-0153-0066] 半導體激光器件
[8318-0147-0067] 一種具有側向光限制的半導體激光二極管
[8318-0167-0068] 激光二極管管芯的自動高速測試工作臺
[8318-0107-0069] 分離半導體激光二極管的方法
[8318-0082-0070] 能抑制光發射端面中漏電流的半導體激光器及制造方法
[8318-0108-0071] 用于取樣光柵分布型布拉格反射激光器的改進反射鏡和腔
[8318-0017-0072] 實現準位相匹配及相關非線性光學過程非周期光學超晶格設計方法
[8318-0127-0073] 半導體激光器件及其制造方法和使用該器件的光拾取器
[8318-0072-0074] 光路延時削波法控制的1.3μm波段納秒級摻釹晶體激光器
[8318-0136-0075] 長波段光放大器
[8318-0150-0076] 半導體激光器及其制造方法
[8318-0162-0077] 可見波段雙波長固體激光器
[8318-0122-0078] 一種可變波長輸出光纖激光器
[8318-0014-0079] 激光系統
[8318-0135-0080] 連續自對準半導體光電子器件與模斑轉換器的集成
[8318-0047-0081] 傾斜離子注入型垂直腔面發射激光器及其制作方法
[8318-0196-0082] 斯塔克啁啾脈沖時間展寬器
[8318-0179-0083] 激光二極管模塊、裝置和包括相同裝置的光學發射器
[8318-0131-0084] 摻鐿可調諧光纖激光器
[8318-0210-0085] 表面催化劑紅外激光器
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[8318-0137-0087] 氣體激光器
[8318-0194-0088] 氮化物系半導體元件及其制造方法
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[8318-0164-0090] 折疊型內腔變反射率光參量振蕩器
[8318-0161-0091] 一種上轉換腔內倍頻紫外激光器
[8318-0105-0092] 泵式激光器的選模刻面層
[8318-0126-0093] 光學器件和光學頭設備的安裝方法
[8318-0032-0094] 集成式波長監測器
[8318-0118-0095] 超晶格全固態紅、黃、綠、藍四色激光器的設置方法
[8318-0178-0096] 半導體器件
[8318-0023-0097] 大功率半導體激光器迭陣的制備
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[8318-0038-0103] 半導體激光器功率控制方法和控制裝置,光磁記錄媒體記錄再生裝置和方法以及光...
[8318-0028-0104] 一種多波長輸出光纖激光器
[8318-0208-0105] 用于有效光學放大的共摻雜劑聚合物
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[8318-0063-0107] 自動功率控制和激光器斜率歸一化電路
[8318-0152-0108] 氮化物半導體基板及制法和使用該基板的氮化物半導體裝置
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[8318-0184-0118] 半導體激光器件的制造方法
[8318-0006-0119] 半導體激光裝置
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