器件,發光器件,存儲器件,半導體器件制造最新技術匯編(168元/全套)
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[8143-0128-0001] 支撐裝置
[摘要] 一種支撐裝置，適用于化學氣相沉積機臺中，在反應爐內支撐基板用，本發明的目的在于提供一種能夠減少對基板造成刮傷的支撐裝置，從而提高產能以及提高合格率，其基座與支撐部分離的設計，可根據不同的工作環境選擇最適合的材料來制作支撐部，不需要整體使用同一材料一體成型，不僅可以降低制作成本，同時可以提供便利的更換方式。本發明的支撐裝置包括一基座，一支撐部，一固定部，其中支撐部大體為圓頂的凸粒。在組裝支撐裝置時，將支撐部置于基座上，再用固定部將基座與支撐部耦合。
[8143-0043-0002] 摻雜半導體層的方法,制造薄膜半導體器件的方法及薄膜半導體器件
[摘要] 在優異的控制之下，可以形成一較低濃度雜質擴散區，即使是采用低耐熱材料的基底。在摻雜半導體層時，由能量束穿透的例如側壁(24)的掩模形成在半導體層(21)的表面的一部分，摻雜離子(25)吸附在半導體層表面上除了形成掩模的區域之外的區域，并且一能量束ebl輻射到具有形成的掩模的半導體層(21)上，以將摻雜離子引入到半導體層(21)。在例如側壁(24)的掩模的較低部分，發生橫向的擴散，可以在優異的控制之下以優異的重復性形成較低濃度雜質擴散區域。
[8143-0023-0003] 半導體器件及其制造方法
一種半導體器件，具備：半導體襯底；設置在上述半導體襯底上邊的層間絕緣膜；使得其表面在與上述層間絕緣膜的表面大體上為一個面上露出來那樣地埋入到上述層間絕緣膜內的第1金屬布線；在上述層間絕緣膜和上述第1金屬布線上邊形成，防止構成上述第1金屬布線的金屬的擴散的擴散防止膜；設置在上述擴散防止膜上邊的摻氮氧化硅膜；設置在上述摻氮氧化硅膜上邊的摻氟氧化硅膜；使得其表面在與上述摻氟氧化硅膜的表面大體上為一個面上露出來那樣地埋入到上述摻氟氧化硅膜內，與上述第1金屬布線電連的第2金屬布線。
[8143-0026-0004] 芯片上抖動的測量裝置及方法
[摘要] 本發明涉及一種芯片上抖動(jitter)的測量裝置及方法，測量裝置包括延遲組件，以及第一與第二組電路。每一延遲組件具有一關聯延遲(associateddelay)，及一組態為接收一輸入時鐘信號的輸入端。第一組電路檢測該輸入時鐘信號的重要時刻(significant instant)，并組態為響應該輸入時鐘信號的重要時刻而輸出一信號。第二組電路接收響應該輸入時鐘信號的重要時刻的該信號，及一第一觸發信號。并且，第二組電路鎖定(latch)響應該輸入時鐘信號的重要時刻的該信號，且進一步響應于該第一觸發信號的一重要時刻。一抖動的測量值便是從響應該輸入時鐘信號的重要時刻的該鎖定信號來決定。
[8143-0018-0005] 半導體存儲裝置中產生初始化信號的方法
[摘要] 一種用于產生初始化信號的方法，該初始化信號能夠防止由于施加外部電源引起的安裝在半導體存儲裝置中的內部電路的初始不穩定運行。該方法包括步驟：(a)接收用于對半導體存儲裝置進行預充電的預充電指令；(b)根據所接收的預充電指令激活初始化信號達到第一電平；(c)在收到預充電指令后接收用于刷新半導體存儲裝置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于設置半導體存儲裝置的運行模式的模式設置指令；以及(e)根據所接收的模式設置指令去激活初始化信號達到第二電平。
[8143-0122-0006] 非致冷紅外焦平面器件用低應力復合介質膜的制備方法
[摘要] 本發明公開了一種非致冷紅外焦平面器件低應力復合介質膜的制備方法，該方法是在常規的單頻率射頻源的pecvd設備上通過改變工藝條件生長出折射率在1.48～1.59之間的壓應力介質膜和折射率在1.65～2.0之間的張應力介質膜，并通過改變兩種膜的厚度比例，使應力性質相反的張應力膜和壓應力膜的應力相互抵消，從而得到應力較小的復合膜。本發明方法生長的這種復合介質膜的優點是：介質膜應力較低，在一定范圍內應力性質和大小可以控制，介質膜性質穩定，工藝重復性好，制備設備要求相對較低。
[8143-0060-0007] 保護帶的貼附和剝離方法
[摘要] 用保護帶貼附裝置在由一吸盤平臺吸附支承的一薄片表面上貼附保護帶。保護帶由一切割單元切割成薄片的形狀。這個過程重復多次，以將多層保護帶貼附到薄片的表面上。使用一個保護帶剝離設備的剝離裝置來從最上層保護帶開始接連地剝離所貼附的諸層保護帶。
[8143-0089-0008] 肖特基勢壘二極管及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種肖特基勢壘二極管及其制造方法。該方法通過在陽極鍵合接點下設置絕緣區域，可以將陽極鍵合接點直接固定在襯底上。而不象現有技術那樣在鍵合接點下設置用于防止破裂的聚酰亞胺層，通過鍍金來形成鍵合接點。另外，在鍵合接點下幾乎沒有寄生電容的同時，層間絕緣膜可以用氮化膜來代替，所以成本降低。此外，還可簡化制造流程，沒有鍵合時的應力造成的破裂、剝落。
[8143-0118-0009] 制造自裝配微結構的方法
[摘要] 一種通過液體傳送將微結構組裝到襯底上的方法。呈成型模塊(19)的微結構自對準到位于襯底(50)上的凹槽區域(55)，使微結構變成與襯底結合起來。所改進的方法包括將成型模塊移入液體形成一種懸浮物的步驟，然后將這種懸浮物均勻地傾倒在其上具有凹槽區域的襯底的頂面(53)的上方。通過成型和流體的作用微結構跌落到襯底的表面，自對準并接合到凹槽區域。
[8143-0187-0010] 具有利用激光方法成型的接觸電極的接觸器
[摘要] 通過對由導電材料構成的接觸電極照射激光束，成型具有具有預定形狀的接觸電極。在將接觸端相對側的、每個接觸電極的端部接合到接觸板上后，可以照射激光束，以使接觸電極變形，從而使接觸端位于預定位置。在加熱或冷卻激光束照射部分對面的接觸電極部分時，照射激光束。
[8143-0082-0011] 發光器件、發光器件驅動方法、以及電子設備
[8143-0078-0012] 強電介質記憶裝置及其制造方法
[8143-0148-0013] 光纖電荷耦合器件及其制造方法
[8143-0104-0014] 功率晶體管模塊和功率放大器及其制造方法
[8143-0116-0015] 單晶硅及soi基板、半導體裝置及其制造方法、顯示裝置
[8143-0080-0016] 互補金屬氧化物半導體器件
[8143-0160-0017] 集成電路封裝壓力釋放裝置和方法
[8143-0061-0018] 低介電常數材料層的制造方法
[8143-0192-0019] 淺溝槽隔離構造及其制造方法
[8143-0182-0020] 利用側壁聚合物柵極結構形成輕摻雜漏極的方法
[8143-0106-0021] 發光元件
[8143-0055-0022] 組合產品的制造系統和制造方法
[8143-0145-0023] 半導體器件
[8143-0102-0024] 采用平面薄膜電極的靜電吸盤
[8143-0063-0025] 存儲器封裝工藝方法
[8143-0126-0026] 具有導電凸塊的覆晶基板及其導電凸塊的制造方法
[8143-0168-0027] 圖案形成方法`
[8143-0093-0028] 有機發光器件結構中具有重堿金屬鹵化物的濺射陰極
[8143-0092-0029] 采用有機量子阱結構作空穴傳輸層的有機電致發光器件
[8143-0036-0030] 肖特基勢壘二極管及其制造方法
[8143-0037-0031] 電光裝置和電子設備
[8143-0157-0032] 新型寬溫域巨磁致伸縮材料及其制備方法
[8143-0193-0033] 形成雙鑲嵌結構的方法
[8143-0021-0034] 壓鑄的功率器件及其制造方法
[8143-0144-0035] 具有延伸肖特基結的高速高壓功率集成器件
[8143-0004-0036] 一種硅化物全自對準槽柵絕緣柵雙極晶體管設計及制備工藝
[8143-0140-0037] 靜電放電保護電路
[8143-0017-0038] 避免于內存組件形成多晶硅縱梁的方法
[8143-0097-0039] 有機薄膜晶體管及制備方法
[8143-0151-0040] 無鋁珠析出的硅太陽電池背場合金配方
[8143-0098-0041] 設有晶片輸送機械臂用嵌入座的大氣壓下晶片輸送模件及其實施方法
[8143-0085-0042] 半導體放電管半導體芯片
[8143-0058-0043] 多晶硅膜的制造方法
[8143-0141-0044] 類似覆晶型的發光二極管組件封裝
[8143-0129-0045] 真空處理裝置的有孔內部部件的涂覆方法及利用該方法涂覆的有孔內部部件
[8143-0001-0046] 芯片洗凈裝置和方法
[8143-0159-0047] 消去光刻膠與osg之間的反應的方法
[8143-0200-0048] 氮化物只讀存儲器存儲單元的制造方法
[8143-0003-0049] 半導體器件的制造方法
[8143-0207-0050] 金屬內連線結構
[8143-0120-0051] 半導體器件制造設備
[8143-0191-0052] 半導體器件
[8143-0196-0053] 多層配線的形成方法及其檢查方法
[8143-0064-0054] 內存的區段同步化測試方法與電路
[8143-0069-0055] 扁平單元結構的掩膜只讀存儲器制造方法
[8143-0112-0056] 結晶裝置、結晶方法及相位轉換機構
[8143-0211-0057] 具有體偏置電路的半導體集成電路器件
[8143-0133-0058] 半導體器件
[8143-0033-0059] 縱向晶體管、存儲裝置以及用于制造縱向晶體管的方法
[8143-0101-0060] 靜電吸盤,基座及其制造方法
[8143-0016-0061] 用單個掩模的淺溝道隔離方法
[8143-0045-0062] 電元件的封裝和制造方法
[8143-0132-0063] 半導體集成電路的設計方法
[8143-0166-0064] γ-lialo2/α-al2...
[8143-0119-0065] 晶圓上的校正符號的清潔方法以及化學機械研磨制程后續再清潔制程的方法
[8143-0030-0066] 光傳感器系統及影像讀取方法
[8143-0010-0067] 形成金屬-絕緣層-金屬電容器的方法
[8143-0013-0068] 減少隔離元件對于主動區域的應力與侵蝕效應的方法
[8143-0007-0069] 用于傳送基片和在基片上安裝半導體芯片的設備
[8143-0031-0070] 金屬氧化物半導體場效應晶體管
[8143-0185-0071] 制造半導體器件的方法、用于該方法的粘附薄片和半導體器件
[8143-0162-0072] 熱電器件
[8143-0186-0073] 測量金屬氧化半導體場效晶體管有效電流通道長度的方法
[8143-0094-0074] 半導體發光元件和半導體發光裝置
[8143-0208-0075] 含鈀和/或鉑中間層的結構及其制作方法
[8143-0150-0076] mos晶體管及其制造方法
[8143-0213-0077] 存儲器器件的結構及其制造方法
[8143-0009-0078] 利用有機材質形成金屬硅化物保護電路的方法
[8143-0024-0079] 半導體組件及其制造方法
[8143-0204-0080] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器
[8143-0090-0081] 透明的n-型氧化鋅／p－型金剛石薄膜異質結及其制備
[8143-0214-0082] 半導體器件及其制造方法
[8143-0125-0083] 金屬氧化物半導體電晶體的制造方法
[8143-0056-0084] 半導體器件及其制造方法
[8143-0042-0085] 防滑移臥式半導體晶片舟皿
[8143-0180-0086] 半導體器件的制造方法
[8143-0051-0087] 薄膜晶體管的制造方法和液晶顯示裝置
[8143-0011-0088] 用于制造半導體器件的非氧化隔離襯致密化方法
[8143-0189-0089] 諸如晶片的基片的定量質量檢驗的方法和裝置
[8143-0034-0090] 薄膜晶體管陣列基板結構
[8143-0074-0091] 半導體集成電路裝置、安裝襯底和安裝體
[8143-0217-0092] 圖像拾取設備及其制造方法
[8143-0215-0093] 非揮發記憶胞元
[8143-0165-0094] znal2o4/α-al
[8143-0108-0095] 自供電遙控裝置及包括該裝置的電氣設備和設施
[8143-0218-0096] 固體攝像器件和使用該攝像器件的攝像機
[8143-0096-0097] 一種鈣鈦礦型稀土錳氧化物巨磁電阻材料、制備工藝及其用途
[8143-0149-0098] 半導體器件及其制造方法
[8143-0203-0099] 散熱模組
[8143-0131-0100] 形成多層低介電常數雙鑲嵌連線的制程
[8143-0198-0101] 調整快閃存儲單元啟始電壓的方法
[8143-0143-0102] 具有微機電系統的半導體器件
[8143-0161-0103] 用改進的減反射元件封裝的紅外檢測器
[8143-0052-0104] 通過使用保護層制造半導體結構的方法和半導體結構
[8143-0216-0105] 半導體存儲裝置
[8143-0202-0106] 用于封裝電子器件的封蓋及其制造方法
[8143-0176-0107] 等離子體處理裝置和可變阻抗裝置的校正方法
[8143-0044-0108] 底柵型薄膜晶體管,其制造方法和使用該晶體管的液晶顯示裝置
[8143-0032-0109] 金屬氧化物半導體及其形成方法
[8143-0121-0110] 蝕刻方法
[8143-0210-0111] 具有傳輸線類型噪聲濾波器的電子電路
[8143-0099-0112] 氮化鎵層在藍寶石基體上的懸掛外延生長
[8143-0123-0113] 激光裝置、激光照射方法和半導體器件制造方法
[8143-0107-0114] 壓電元件
[8143-0156-0115] 半導體器件和一種使用該半導體器件的光學器件
[8143-0170-0116] 半導體制造裝置的監控系統以及監控方法
[8143-0015-0117] 形成淺溝渠隔離的方法
[8143-0100-0118] 生產封裝集成電路裝置的方法及所生產的封裝集成電路裝置
[8143-0184-0119] 影像傳感器封裝法
[8143-0019-0120] 防止氮化物內存晶胞被充電的制造方法及其裝置
[8143-0057-0121] 圖形形成方法
[8143-0039-0122] 具有分散電流與提高發光面積利用率的發光二極管
[8143-0155-0123] algainp發光二極管組件
[8143-0005-0124] 肖特基勢壘二極管的制造方法
[8143-0079-0125] 以一次可編程熔斷器/抗熔斷器組合為基礎的存儲單元
[8143-0169-0126] 氮化物半導體元件的制造方法和氮化物半導體元件
[8143-0038-0127] 氧化鋅紫外光電探測器原型器件的制備方法
[8143-0008-0128] 檢測接觸窗蝕刻結果的方法
[8143-0177-0129] 在銅金屬圖案表面形成密封層的方法
[8143-0088-0130] 半導體裝置及其制造方法
[8143-0135-0131] 散熱器及其制作方法
[8143-0136-0132] 散熱器的組合方法
[8143-0127-0133] 微電子器件可靠性快速評價方法
[8143-0152-0134] 倒扣封裝背照式光電探測器芯片制作方法
[8143-0081-0135] 對比度檢測能力強的半導體攝像元件
[8143-0062-0136] 激光照射方法和激光照射器件以及制造半導體器件的方法
[8143-0083-0137] 發光器件和使用該器件的電子設備
[8143-0209-0138] 用于芯片上靜電放電保護的雙極結晶體管及其方法
[8143-0053-0139] 剝離方法及半導體器件的制造方法
[8143-0050-0140] 在單面上帶塊形連接的垂直導電倒裝芯片式器件
[8143-0114-0141] 集成電路制造方法
[8143-0137-0142] 散熱裝置組合
[8143-0146-0143] 低消耗功率金屬-絕緣體-半導體半導體裝置
[8143-0105-0144] 內插裝置
[8143-0205-0145] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8143-0065-0146] 用于旋轉式托架的環形容器
[8143-0028-0147] 交叉點陣列中存儲單元的隔離
[8143-0175-0148] 晶圓研磨環及其制造方法
[8143-0095-0149] 光發射單元、光發射單元組件和由多個光發射單元組裝的發光設備
[8143-0111-0150] 制造絕緣體上硅鍺襯底材料的方法以及該襯底
[8143-0194-0151] 自行對準鈷硅化物的接觸窗制作工藝技術
[8143-0087-0152] 具有硅化物膜的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法
[8143-0115-0153] 具應變通道層的晶圓的制作方法
[8143-0154-0154] 發光二極管金屬電極的制造方法及其制造裝置
[8143-0188-0155] 計算實際增加的缺陷數目的方法
[8143-0066-0156] 防止金屬導線間短路的方法
[8143-0113-0157] 半導體元件的制造方法
[8143-0067-0158] 制造半導體集成電路的方法
[8143-0012-0159] 淺槽隔離結構的形成方法
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[8143-0212-0161] 雙功函數互補金氧半導體晶體管及其制法
[8143-0201-0162] 半導體器件
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[8143-0035-0164] 肖特基勢壘二極管及其制造方法
[8143-0091-0165] 白色發光二極管的制造方法
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[8143-0068-0167] 制造集成半導體裝置的方法、半導體裝置和存儲單元
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[8143-0158-0173] 半導體芯片的制造方法
[8143-0025-0174] 具有平衡結構的構裝集成電路
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[8143-0006-0176] 制作金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
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[8143-0147-0181] 一種快閃存儲器結構及其制作方法
[8143-0020-0182] 一種形成閃存晶胞的方法
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