器件,形成半導體器件,制造半導體器件,電子器件封裝類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8127-0166-0001] 測量半導體器件結區漏電流的方法
[摘要] 一種測量半導體器件結區漏電流的方法，該法是在隔離元件的氧化膜形成之后通過實行簡單的加工步驟能完成漏電流的簡單而精確的測量。該法包括以下各步驟：制備一塊主導電類型的硅基片；在該主導電類型硅基片上形成隔離元件的氧化膜，因而在所說的主導電類型的硅基片內確定了有源區和場區；將次導電類型的雜質離子注入到主導電類型的硅基片的有源區，因而形成雜質擴散區。
[8127-0069-0002] 制造金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[摘要] 公開了一種制造ｍｏｓｆｅｔ的方法，其包括下列步驟，在半導體襯底上形成柵氧化層；在所述柵氧化層上淀積本征半導體層；在所述本征半導體層上形成摻雜半導體層所述本征半導體層和摻雜半導體進行退火處理，把所述摻雜半導體層中的雜質擴散到本征半導體層中，使所述本征半導體層和摻雜半導體層形成圖形，以便形成柵電極，因此，可能防止由于雜質引起的氧化層特性變壞，由于滲入雜質而使柵氧化膜變厚和器件工作變壞。
[8127-0199-0003] 制造具有精細接觸孔的半導體器件的方法
本發明提供一種形成半導體器件接觸孔的方法，其包括下列步驟：設置一襯底，在所述襯底上形成第一絕緣層，通過腐蝕所述第一絕緣層的一部分，形成接觸孔開孔，以便露出所述襯底的一部分；在所獲得的結構上形成非均勻厚度的第二絕緣層，其中，淀積在接觸孔側壁上所述第二絕緣層的厚度薄于所述第一絕緣層上面的第二絕緣層的厚度；對所述第二絕緣層進行各向異性腐蝕，直到露出所述襯底的一部分，結果，在所述開孔側壁上形成絕緣的隔離層。
[8127-0104-0004] 激光退火方法
[摘要] 采用具有簡正分布型或類似的光束分布的線性脈沖激光束光照硅膜，使非晶形硅膜結晶中，線性脈沖激光束以一種疊加方式作用，可以取得類似于采用激光照射功率以階躍方式多次掃描中逐步增加然后下降的方法所取得的效果。
[8127-0086-0005] 半導體裝置
[摘要] 一種半導體裝置，它有一個基板，基板中有一用于并在其中裝半導體器元件的空腔和在腔的周邊上的降下臺階表面，用于并在其上邊裝配片狀部件。裝配在半導體器件和片狀部件易于由導體連到外部電路上。基板上加蓋并把密封材料灌注到蓋和基板之間的空間中使腔密封，并在可以沿著腔的整個周邊延伸的降下臺階表面上使片狀部件封成囊狀包。蓋可以包括一個用于緊靠到降下臺階表面側壁上的凸出，或者降下臺階表面可包括一個側壁，側壁有一用于緊靠到蓋的周邊上的凸出。還可有附加到半導體器件上的散熱器。
[8127-0038-0006] 太陽能電池元件組,太陽能電池組件及其制造方法
[摘要] 通過用金屬箔件以串聯或并聯方式連接多個太陽能電池元件而獲得太陽能電池元件組，其特征在于，把絕緣帶以與金屬箔件相平行的方式粘貼在和跨于多個相互靠近排列的太陽能電池元件的背面。一種太陽能電池組件，其特征在于，使上述的太陽能電池元件覆蓋以聚合有機樹脂。還有，一種制造該太陽能電池組件的方法包括以下各步驟：排列多個太陽能電池元件、把絕緣帶粘貼在多個太陽能電池元件、用金屬箔件以串聯或并聯方式連接多個太陽能電池，以及用聚合有機樹脂覆蓋各元件。
[8127-0125-0007] 閾值電壓穩定的場效應晶體管及其制造方法
[摘要] 低電壓場效應晶體管結構（２０）其閾值電壓容許源注入區(41)的位置發生改變的工藝變化。辭?41)附近形成第一和第二暈圈區(33、36),在后續熱處理之后在鄰近源區(41)的溝道區(23)形成導電類型與源區(41)相反的恒定摻雜分布輪廓。實施例只在源區(41)附近形成得到單向器件也可在源區(41)和漏區(40)附近形成摻雜分布輪廓以得到雙向器件。另一實施例在源區(41)形成第二注入區以減小結漏和電容。
[8127-0084-0008] 高電遷徒阻力的多層金屬化結構及其設計方法
[摘要] 一種高電遷徙阻力的多層金屬化結構及其設計方法屬于ｖｌｓｉ，ｕｌｓｉ及微波器件金屬化結構的制造技術領域，其特征在于：在離ｓｉｏ2絕緣層歐姆接觸窗口的一個回流長度處在底層導電層al-1%si上開有一個盡可能小的縫隙,并給出了臨界回流長度的計算公式。它利用了與電遷徙現象同時共存的回流效應來徹底消除電遷徙現象，以便從根本上解決多層金屬化結構的電遷徙失效問題，從而提高了ｖｌｓｉ，ｕｌｓｉ及微波器件的壽命。
[8127-0045-0009] 金剛石膜上的薄層硅結構芯片材料及其制備方法
[摘要] 金剛石膜上的薄層硅結構屬用于制作電子器件的芯片材料。制備過程大致是在鍵合單晶硅（５）上順次形成ｓio2過渡層(6)、金剛石膜（７）、si3n4保護層（８），其上再生長的多晶硅經氧化形成鍵合二氧化硅層（３）。鍵合單晶硅（５）上形成的鍵合二氧化硅層（３）跟襯底單晶硅（１）上的襯底二氧化硅層（２）經親水處理、水中密合、高溫鍵合及退火處理形成ｓｏｄ結構。本發明ｓｏｄ結構薄層硅晶格完整、鍵合牢固、成品率高；制作電子器件具有良好的抗輻射性能、導熱性能和絕緣性能。
[8127-0186-0010] 用于軸外照明的標度掩模板
[摘要] 一種用于軸外照明的標度掩模板具有不同尺寸的間距，其中輔助圖形是以標度掩模板的全部圖形的衍射角相同或相近的方式在間距圖形處形成，該間距圖形的尺寸比最大焦點范圍裕度的間距大，這樣，用軸外照明是不合適的。重復設置的輔助圖形是點狀或突出形狀的，它們的大小不足以在晶片上形成圖象。因此，邊界間距的尺寸與最大焦點范圍裕度的圖形相等或相近，所以，使對大間距圖形有益的小工藝裕度與對小間距圖形有益的工藝裕度一樣大。因此，使半導體制造中的工藝容差均勻增大，同時使可靠性和成品率以及圖形的均勻性得到充分改善。
[8127-0010-0011] 具有雙溝道的薄膜晶體管及其制造方法
[8127-0157-0012] 隔離柵半導體器件及其制造方法
[8127-0155-0013] 封裝引線框架的方法和預壓坯以及預壓坯的加工設備
[8127-0102-0014] 絲焊方法,半導體器件,絲焊的毛細管及球塊形成方法
[8127-0043-0015] 半導體器件及其制造方法
[8127-0160-0016] 有機器件的鈍化
[8127-0033-0017] 半導體器件的金屬接觸法
[8127-0088-0018] 用肉眼檢查半導體器件引線的方法及設備
[8127-0147-0019] 一種半導體器件的制造方法
[8127-0068-0020] 用于樹脂密封半導體器件的引線框和樹脂密封半導體器件的制造方法
[8127-0142-0021] 制作半導體器件中圓筒形疊層電容器的方法
[8127-0082-0022] 制造半導體器件的方法
[8127-0101-0023] 分析半導體器件的缺陷的方法
[8127-0210-0024] 用于形成鎢布線的方法
[8127-0161-0025] 用于清洗半導體晶片的裝置和方法
[8127-0148-0026] 在半導體器件中形成鎢插頭的方法
[8127-0122-0027] 半導體發光器件及其制造方法
[8127-0201-0028] 形成三阱的方法
[8127-0162-0029] 半導體組件的制造方法及半導體組件
[8127-0034-0030] 半導體器件及其制造方法
[8127-0128-0031] 形成半導體器件金屬互連的方法
[8127-0013-0032] 降低集成電路溫漂和全溫程失調的修正技術
[8127-0037-0033] 具有高非離子載流子遷移率有機材料的應用
[8127-0021-0034] pmosfet及由此制造的cmos器件
[8127-0071-0035] 半導體器件及其有關集成電路
[8127-0085-0036] 帶有塑料封裝的半導體器件
[8127-0146-0037] 耗散熱量的半導體器件
[8127-0017-0038] 靜電放電保護電路
[8127-0024-0039] 集成電路的布局方法
[8127-0064-0040] 射頻功率晶體管的布局
[8127-0109-0041] 包括z軸導電膜的微電子組件
[8127-0087-0042] 快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
[8127-0208-0043] 制造半導體器件中的場氧化層的方法
[8127-0055-0044] 橫向型霍爾器件
[8127-0136-0045] 電源檢測電路
[8127-0218-0046] 高輸出功率的高頻靜態感應晶體管
[8127-0080-0047] 氣體傳熱等離子體處理裝置
[8127-0057-0048] ｍｉｓ門復合半導體裝置及其驅動方法以及電源轉換裝置
[8127-0011-0049] 半導體集成電路器件及其制造工藝
[8127-0150-0050] 用于形成半導體器件雜質結區的方法
[8127-0185-0051] 形成半導體器件的電荷儲存電極的方法
[8127-0188-0052] 用于生產半導體封裝引線框架的工藝
[8127-0180-0053] 帶突出電極的電子部件的制造裝置和制造方法
[8127-0200-0054] 高粘度材料用成型模、高粘度材料用成型裝置及高粘度材料的成型方法
[8127-0135-0055] 表面安裝型發光二極管
[8127-0108-0056] 用于形成歐姆電極的疊層體和歐姆電極
[8127-0137-0057] 電子元件的接頭
[8127-0046-0058] 壓電陶瓷組合物
[8127-0100-0059] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8127-0097-0060] 太陽電池裝置
[8127-0170-0061] 恒溫電熱管
[8127-0182-0062] 制造金屬氧化物場效應晶體管的方法
[8127-0194-0063] 用于電子封裝的超薄貴金屬涂層
[8127-0016-0064] 半導體器件的制造方法
[8127-0121-0065] 熱電式冷卻裝置、其所用半導體的制備方法及熱電式冷凍機
[8127-0189-0066] 形成半導體器件精細圖案的方法
[8127-0156-0067] 連接襯底的結構和方法
[8127-0089-0068] 用于以良好生產率密封半導體芯片的模塑模具和用于安裝半導體芯片的引線框架
[8127-0009-0069] 陶瓷膜結構體及其制造方法
[8127-0023-0070] 雙極晶體管電路元件
[8127-0111-0071] 絕緣柵異質結雙極晶體管
[8127-0007-0072] 外延片及其制造方法
[8127-0030-0073] 用于電子器件封裝中的吸附劑套殼
[8127-0091-0074] 光電池、光電池陣列及其組成的電解裝置
[8127-0132-0075] 形成半導體器件中金屬間絕緣層的方法
[8127-0001-0076] 利用晶界形成半導體器件中的兩層多晶硅柵極的方法
[8127-0059-0077] 半導體器件的結構及形成該器件外殼的方法
[8127-0004-0078] 固態成像器件及其制造方法
[8127-0171-0079] 制造半導體器件電容器的方法
[8127-0062-0080] 半導體器件及其制造方法
[8127-0159-0081] 半導體器件及其制造
[8127-0152-0082] 半導體元件互連器件及其制造方法
[8127-0051-0083] 載片及其制造方法和安裝方法
[8127-0195-0084] 用于半導體器件的引線框組件
[8127-0048-0085] 薄膜晶體管及其制造方法
[8127-0206-0086] 快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
[8127-0003-0087] 制造薄膜晶體管的方法及設備
[8127-0115-0088] 光電轉換器件與圖象讀取器件
[8127-0005-0089] 防止焊墊金屬剝離的裝置
[8127-0054-0090] 薄膜太陽能電池
[8127-0029-0091] 散熱器
[8127-0110-0092] 具有浮動集電區的絕緣體上的硅器件
[8127-0095-0093] 半導體基板的表面處理液、用該液的表面處理方法和裝置
[8127-0190-0094] 形成半導體器件金屬布線的方法
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[8127-0169-0096] 感離子場效應管傳感器的靜電放電保護
[8127-0131-0097] 制造半導體器件的方法
[8127-0118-0098] 用于把兩個集成電路直流上相互隔離的方法和設備
[8127-0139-0099] 單片高頻集成電路結構及其制造方法
[8127-0209-0100] 硅片的制造方法及其裝置
[8127-0052-0101] 半導體裝置的制造方法
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[8127-0092-0103] 化合物半導體發光器件及其制備方法
[8127-0129-0104] 測定發光器件老化的方法及使用該方法的光發射驅動裝置
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[8127-0114-0107] 使用壓電體的發電方法、發電裝置和電子機器
[8127-0120-0108] 突起形成體及突起的形成方法
[8127-0040-0109] 多層混合集成的厚膜電路
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[8127-0151-0111] 厚膜電阻元件制造方法
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[8127-0090-0116] 場致發光裝置
[8127-0077-0117] 器件隔離方法
[8127-0106-0118] 超小型半導體器件及其制造和連接方法
[8127-0204-0119] 化學處理基片的方法和裝置
[8127-0015-0120] 半導體器件場氧化層的形成方法
[8127-0041-0121] 半導體器件
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[8127-0006-0123] 形成半導體器件隔離的方法
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[8127-0061-0128] 用于制造半導體器件的曝光裝置
[8127-0174-0129] 用于在半導體器件的諸金屬布線之間形成絕緣薄膜的方法
[8127-0019-0130] 具有至少一個應力釋放端部的壓電/電致伸縮膜元件
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