器件,發光器件,存儲器件,安裝半導體器件最新技術匯編(168元/全套)
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[8094-0128-0001] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種半導體器件，它包括在半導體襯底上形成的多個晶體管和連接到這些晶體管中的至少一個的金屬互連層，其中金屬互連層包括單層或多層，單層或多層中的至少一層由銅或銅合金形成，并整個地或部分地通過阻擋層連接到至少一個晶體管上，以及通過在金屬互連層形成之后進行選擇性離子注入來控制至少一個晶體管的閾電壓。
[8094-0214-0002] bi層狀結構強電介質薄膜的制造方法
[摘要] 以ｂｉ的有機化合物和金屬聚烷氧基化合物的混合物為原料，用ｃｖｄ等分子沉積法或旋轉涂布-燒結法在基板表面形成ｂｉ層狀結構的強電介質薄膜的方法。在收容槽１ａ和１ｂ中分別封入ｓｒ［ｔａ（oc2h5）6］2和ｂｉ（ｏｃ（ｃｈ３）２ｃ２ｈ５）３。第１供給系統（１ａ，１６ａ）保持在１５０℃，第２供給系統（１ｂ、１６ｂ）保持在８０℃，通過將載氣ｎ２流入第１和第２供給系統，將上述二原料的蒸汽導入成膜室５內。同時，向其導入氧氣，在已加熱的ｓｉ基片８上使上述二蒸汽熱分解。
[8094-0173-0003] 離子束中和方法及設備
離子束中和的方法和設備。離子束中和器（４４）位于離子處理臺上游，包括約束離子束路徑的密封結構（１２０）。電子源（１２６）位于密封結構內，向離子束發射電子。由密封結構支承的磁體陣列（１２４）產生用于把電子約束密封結構內運動的磁場。在密封結構內由多個軸向細長過濾桿（２０８）產生內過濾磁場，該桿具有約束離子束的封裝磁體（２２４）并平行于離子束路徑取向。此內磁場約束脫離離子束路徑的高能電子（３００）并使低能電子（３０１）隨離子束漂移。
[8094-0001-0004] 發光器件、發光器件的晶片及其制造方法
[摘要] 本發明可得到一種具有藍光亮度更高的發光器件。在ｇａａｓ襯底（８）上形成氮化鎵復合層（９），然后至少部分去除ｇａａｓ襯底（８）以形成發光器件。由于去除了ｇａａｓ襯底（８），與全部保留ｇａａｓ襯底（８）的情況相比，光吸收減少。這樣，可以得到藍光亮度更高的發光器件。
[8094-0059-0005] 用于制造半導體器件的接觸掩模
[摘要] 本發明的目的是防止由于過腐蝕構成接觸孔內表面的絕緣層所致的保護環區的光刻膠膜剝落，所述過腐蝕發生于利用其中形成有保護環圖形的接觸掩模形成接觸孔的工藝期間。腐蝕工藝期間，通過在任何一個保護環小孔圖形側邊不形成保護環小孔圖形，在任何一個保護環小孔側邊不形成保護環小孔。因此，保護環小孔區中的光刻膠膜和絕緣層之間具有足夠的接觸面積，因而，可以防止由于過腐蝕接觸孔中的光刻膠膜造成的光刻膠膜剝落。
[8094-0102-0006] 光電裝置及其制造方法
[摘要] 一種光電裝置，包括：光電元件，由具有導電表面的襯底，形成在襯底的導電表面上的半導體層，和形成在半導體層上的可穿透導電電極層構成；發電區，具有固定在光電元件的可穿透導電電極層上的金屬線；和固定所說的金屬線末端部分的固定區，其中金屬線通過粘合材料被固定到聚合物層。包括所說的光電裝置的太陽能電池模件、結構部件或能量生成裝置，一種用于制造所說的光電裝置的方法。
[8094-0030-0007] 半導體器件
[摘要] 適于高密度安裝的樹脂包封半導體封裝件和一種封裝結構。外引線從矩形封裝件的二個長邊伸出。與從一個長邊伸出的外引線連接的封裝件中的內引線，通過引線連接于封裝件中芯片的鍵合壓焊區，而與從另一長邊伸出的外引線連接的封裝件中的內引線，在封裝件中處于電浮置態。封裝件在卡式安裝板上沿一定方向排列，且毗鄰封裝件的正對著的外引線用安裝板上的布線進行電連接。此布線在半導體封裝件下方大致直線地延伸。
[8094-0029-0008] 半導體器件及利用其的電子裝置
[摘要] 本發明涉及ｂｇａ型半導體器件，由于電源或接地布線短，減少了電感，可能實現高速化和高集成化的半導體器件。$總之，本發明涉及ｂｇａ型半導體器件，把電源或者接地的布線設置在ｂｇａ基板中央附近，可能使其實現高速化和高集成化。$而且，利用該半導體器件，可使電子電路和電子裝置實現高速化和功能復雜化。
[8094-0193-0009] 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
[摘要] 具有電容器的半導體存儲器件制造方法：在基片上形成第一絕緣層，蓋住轉移晶體管；形成第一導電層，穿過第一絕緣層，與轉移晶體管漏極和源極區之一連接。在第一導電層上形成柱狀層，在柱狀層面和第一層電層上交互形成第一、第二膜層。構圖第二膜層，分開其在柱狀層上部分，構圖第二膜層、第一膜層與第一導電層，形成孔。在孔側壁形成第二導電層，第一、第二導電層與第二膜層構成存儲電容器的存儲電極。去除柱狀層與第一膜層，在第一、第二導電層和第二膜層露出面上，形成介電層。在介電層的面上，形成第三導電層構成存儲電容器的相對電極。
[8094-0194-0010] 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
[摘要] 有電容器的半導體存儲器件制造方法：在基片上形成第一絕緣層，蓋住轉移晶體管；在第一絕緣層上形成柱狀層；在該兩層上交互形成絕緣材料的第一導電材料的第二膜層，構圖第二膜層分開柱狀層上方部分。形成第一導電層，穿過第二和第一膜層、第一絕緣層，與轉移晶體管的漏極和源極區之一電連接，第一導電層和第二膜層構成存儲電容器的存儲電極。去除柱狀層和第一膜層。在第一導電層和第二膜層露出表面上，形成介電層。在介電層表面上，形成第二導電層構成存儲電容器的相對電極。
[8094-0064-0011] 面發光燈及配置面發光燈的液晶顯示裝置
[8094-0098-0012] 陶瓷膜片結構的制造方法
[8094-0151-0013] 互補雙極晶體管及其制造方法
[8094-0051-0014] 熱電半導體及其制造工藝
[8094-0134-0015] 絕緣柵場效應晶體管的制造方法
[8094-0046-0016] 片式半導體封裝及其制造方法
[8094-0147-0017] soi基片及其制造方法
[8094-0005-0018] 熱性能及電性能增強的柵陣列管腳塑料(ppga)封裝
[8094-0056-0019] 用凸框約束的凝膠來封裝易碎器件的方法
[8094-0007-0020] 光電元件的制造方法
[8094-0212-0021] 固定值存儲器單元裝置及其制造方法
[8094-0186-0022] 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
[8094-0047-0023] 帶電束曝光掩模及帶電束曝光方法
[8094-0035-0024] 半導體器件
[8094-0129-0025] 集成電路芯片
[8094-0065-0026] 大功率軟恢復隧道二極管spbd管芯結構
[8094-0108-0027] 帶有粘接層的芯片上引線封裝及其制造方法
[8094-0132-0028] 一種裝配半導體元件到襯底上的構件及其裝配方法
[8094-0115-0029] 半導體裝置及其制造方法
[8094-0164-0030] 半導體器件及其制造方法
[8094-0017-0031] 具有一個光學接口的光學部件封殼
[8094-0021-0032] 集成式電源電路裝置及其制造方法
[8094-0112-0033] 半導體器件的清洗裝置
[8094-0119-0034] lsi的定時劣化模擬裝置和模擬方法
[8094-0158-0035] 固定值存儲單元裝置及其制作方法
[8094-0039-0036] 半導體器件
[8094-0177-0037] 高能體供給裝置、結晶性膜的形成方法和薄膜電子裝置的制造方法
[8094-0083-0038] 用以形成半導體裝置的中間層絕緣薄膜的方法
[8094-0149-0039] 太陽能電池的制造工藝
[8094-0069-0040] 低α發射互連系統的芯片直接焊接
[8094-0175-0041] 壓電變壓器
[8094-0037-0042] 高電阻負載型靜態隨機存儲器單元及其制造方法
[8094-0074-0043] 產生歐姆接觸及制造設有該種歐姆接觸的半導體器件的方法
[8094-0025-0044] 用于電子部件的導件及其制造方法
[8094-0161-0045] 一種制備具有低漏電流和低極化疲勞性能的電器件的方法
[8094-0141-0046] 具有電容器的半導體存儲器件
[8094-0143-0047] 帶有熱產生裝置的芯片焊接裝置
[8094-0136-0048] 洗滌半導體晶片的方法
[8094-0157-0049] 構圖方法
[8094-0092-0050] 形成半導體器件的層間絕緣膜的方法
[8094-0066-0051] 短相干長度半導體集成光源
[8094-0094-0052] 半導體裝置之金屬布線制造方法
[8094-0002-0053] 射頻功率晶體管的鎮流監控
[8094-0116-0054] 用于集成電路的非擊穿觸發靜電放電保護電路及其方法
[8094-0055-0055] 用于汽車交流發電機整流橋的散熱器，帶有這種散熱器的整流器及交流發電機
[8094-0123-0056] 在半導體晶片上形成光刻膠圖形的方法
[8094-0140-0057] 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
[8094-0154-0058] 加工一個工件的方法
[8094-0113-0059] 一種超導薄膜的制造方法
[8094-0217-0060] 半導體元件安裝板及其制造方法、半導體器件及其制造方法
[8094-0122-0061] 半導體器件的制造方法及其中使用的研磨液
[8094-0032-0062] 夾層介質的平整方法及裝置
[8094-0188-0063] 具有電容器的半導體存儲器件
[8094-0170-0064] 探針卡及使用這種卡的試驗裝置
[8094-0117-0065] 封裝在塑料封裝中的半導體器件和生產它所用的金屬模具
[8094-0205-0066] 靜電放電保護器件
[8094-0168-0067] 半導體器件、制造該半導體器件的方法以及濺射裝置
[8094-0124-0068] 具有超淺端區的新型晶體管及其制造方法
[8094-0185-0069] 光電變換元件的安裝裝置及其制造方法
[8094-0009-0070] 半導體器件的金屬接觸結構及其形成方法
[8094-0156-0071] 絲焊裝置
[8094-0155-0072] 存儲器大規模集成電路特定部分的搜索方法和裝置
[8094-0093-0073] 刻蝕方法
[8094-0041-0074] 形成半導體金屬化系統及其結構的方法
[8094-0162-0075] 只讀存儲器單元及其制造方法
[8094-0006-0076] 雙摻雜層有機電致發光器件
[8094-0058-0077] 在超柔基片上絲焊集成電路的方法
[8094-0110-0078] 高密度金屬閘金屬氧化物半導體的制造方法
[8094-0040-0079] 半導體器件及其制造方法
[8094-0106-0080] 為實現靜電放電保護而使用非電阻特性物質的半導體元件
[8094-0053-0081] 半導體集成電路器件
[8094-0073-0082] 增強散熱引線框
[8094-0184-0083] 具有間斷絕緣區的半導體ic器件及其制造方法
[8094-0131-0084] 半導體器件
[8094-0118-0085] 除去基片的led顯示組件和其制作方法
[8094-0088-0086] 電子元件的裝配及其裝配方法
[8094-0178-0087] 多層靜電吸盤及制造方法
[8094-0165-0088] 半導體器件封裝
[8094-0031-0089] 芯片焊接裝置
[8094-0127-0090] 絕緣柵場效應晶體管
[8094-0012-0091] 形成快閃存儲器的浮置柵極的方法
[8094-0036-0092] 坐標輸入裝置
[8094-0019-0093] 壓電諧振器和使用該諧振器的電子部件
[8094-0072-0094] 晶片載片器
[8094-0082-0095] 抗裂半導體封裝,其制造方法以及所用制造設備
[8094-0150-0096] 光電轉換元件
[8094-0016-0097] 在一個光學部件上封裝材料的注塑
[8094-0023-0098] 片上型導線架及使用該導線架之半導體封裝
[8094-0068-0099] 半導體存儲器件
[8094-0103-0100] 半導體器件及其制作方法
[8094-0085-0101] 固體攝像裝置
[8094-0208-0102] 氮化鎢層制造方法及使用同樣原理的金屬連線制造方法
[8094-0057-0103] 反熔斷元件及其制造方法
[8094-0139-0104] 靜態隨機存取存儲器及其制作方法
[8094-0215-0105] 一種電路模塊的制造方法
[8094-0080-0106] 具有“金屬上的電容器”結構的半導體器件的制造方法
[8094-0060-0107] 輻射拋光板加熱器
[8094-0011-0108] 半導體器件的基片及其制造方法，及半導體器件、卡式組件、信息存儲器件
[8094-0153-0109] 半導體元件及其制造方法,半導體器件及其制造方法
[8094-0191-0110] 具有電容器的半導體存儲器件
[8094-0049-0111] 薄膜半導體器件、薄膜半導體器件的制造方法、液晶顯示裝置、液晶顯示裝置的制...
[8094-0043-0112] 半導體集成電路裝置的制造方法
[8094-0070-0113] 半導體裝置的制造方法
[8094-0216-0114] 引線框和使用該引線框的半導體裝置
[8094-0196-0115] 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
[8094-0213-0116] 芯片罩蓋
[8094-0133-0117] 半導體元件試驗裝置用處理機的恒溫槽
[8094-0187-0118] 具有電容器的半導體存儲器件
[8094-0182-0119] 開管汞自封碲鎘汞材料熱處理裝置
[8094-0026-0120] 清洗多層犧牲腐蝕的硅襯底的方法
[8094-0045-0121] 超音波振動連結芯片安裝器
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[8094-0018-0123] 用絲網印刷的方法形成聚酰亞胺涂層
[8094-0130-0124] 半導體裝置
[8094-0197-0125] 半導體晶片熱處理設備
[8094-0166-0126] 內引線帶槽的半導體器件的封裝
[8094-0095-0127] 形成半導體器件中芯柱的方法
[8094-0013-0128] 制造半導體器件的方法
[8094-0024-0129] 半導體裝置
[8094-0111-0130] 表面波等離子體處理裝置
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[8094-0038-0132] 多層立體集成電路
[8094-0097-0133] 在半導體器件上形成光刻膠膜的裝置及其形成方法
[8094-0144-0134] 半導體裝置外部引線修正機和外觀檢查裝置
[8094-0003-0135] 微電子組件的復合中間連接元件及其制法
[8094-0076-0136] 大功率快速軟恢復二極管siod管芯結構
[8094-0008-0137] 半導體裝置及其制造方法
[8094-0179-0138] 太陽能電池組件
[8094-0078-0139] 楔焊用金合金絲材及其在楔焊中的應用
[8094-0171-0140] 半導體制造系統
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[8094-0067-0142] 半導體元件和采用其的數據處理設備
[8094-0200-0143] 封裝的發射和接收組件
[8094-0054-0144] 半導體裝置及其制造方法
[8094-0190-0145] 具有電容器的半導體存儲器件
[8094-0202-0146] 半導體芯片上的電感的結構及其制造方法
[8094-0096-0147] 制造半導體器件的方法
[8094-0201-0148] 用于微電子襯底的焊料突點結構
[8094-0033-0149] 半導體器件及其制造方法
[8094-0218-0150] 片上引線式半導體芯片封裝及其制作方法
[8094-0089-0151] 一種改善存儲器的存儲元陣列和外圍電路的高度差的方法
[8094-0079-0152] 安裝半導體器件的封裝件
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[8094-0145-0155] 安裝芯塊的自動裝配裝置及安裝方法
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[8094-0206-0165] 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
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[8094-0048-0168] gan/al2o3復合材料在...
[8094-0135-0169] 制造場效應晶體管的方法
[8094-0160-0170] 具有混合層狀超點陣材料的集成電路及用于制備該電路的前體溶液
[8094-0189-0171] 具有電容器的半導體存儲器件
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[8094-0090-0174] 半導體器件的隔離區的制造方法
[8094-0091-0175] 半導體器件及其安裝方法
[8094-0086-0176] 閃速存儲器件的制造方法
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[8094-0204-0178] 薄膜晶體管及其制造方法
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[8094-0104-0182] 半導體集成電路裝置及其制造方法
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[8094-0195-0186] 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
[8094-0163-0187] 半導體器件和半導體器件的制造方法
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[8094-0105-0189] 片式半導體封裝及其制造方法
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