氮化鎵半導體技術研究應用（168元/全套）
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1. 200680000383 高電子遷移率晶體管、場效應晶體管、外延襯底、制造外延襯底的方法以及制造Ⅲ族氮化物
2. 200510068143 具金屬氧化導電層的發光二極管
3. 200910126226 制造氮化物半導體激光器的方法
4. 99803400 通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導體層的方法及由此制作的氮化鎵半導體結構
5. 200520015868 具金屬氧化導電層的發光二極管
6. 99813628 用橫向生長制備氮化鎵層
7. 200710114784 一種氮化鎵基半導體光電器件的制作方法
8. 200880000429 氮化物半導體發光器件以及氮化物半導體發光器件的制造方法
9. 96191004 藍色發光元件及其制造方法
10. 99807244 利用始于溝槽側壁的橫向生長來制造氮化鎵半導體層
11. 200880000776 氮化物半導體發光元件和其形成方法
12. 200910170653 氮化鎵半導體襯底和藍色發光器件
13. 200910170459 制造氮化物半導體光學器件和外延晶片的方法
14. 00817182 氮化鎵層在藍寶石基體上的懸掛外延生長
15. 200420120552 具有定位記號的發光二極管裝置
16. 200510000296 新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管及其生產工藝
17. 200510111361 一種檢測氮化鎵基半導體發光二極管結溫的方法
18. 200680045152 氮化鎵半導體發光元件
19. 200610089338 新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管
20. 200610067460 不對稱的脊形波導氮化鎵基半導體激光器及其制作方法
21. 200710121505 一種制備氮化鎵基半導體激光器的P型電極的方法
22. 200810092628 氮化鎵半導體元件和發光二極管
23. 00814189 第Ⅲ族元素氮化物層的單步驟懸掛和側向外延過生長
24. 00818903 制造氮化鎵半導體層和相關結構的方法
25. 200410027646 倒裝焊發光二極管芯片的制備方法
26. 200480031798 氮化鎵半導體襯底及其制造方法
27. 200410078346 基于氮化鎵半導體的紫外線光檢測器
28. 200410077378 一種發光二極管芯片及其制備方法
29. 200580021454 氮化鎵基半導體層疊結構、其制造方法以及采用該層疊結構的化合物半導體和發光器件
30. 200580011658 氮化鎵基半導體器件
31. 200510134125 氮化鎵半導體裝置的封裝
32. 200680000348 垂直氮化鎵半導體器件和外延襯底
33. 200610033365 具有緩沖電極結構的氮化鎵半導體芯片
34. 200710079804 制作氮化鎵半導體元件中劈裂鏡面的方法
35. 200780021504 在外延橫向過度生長氮化鎵模板上生長氧化鋅膜的方法
36. 200810126483 氮化鎵基半導體元件、使用其的光學裝置及使用光學裝置的圖像顯示裝置
37. 02141658 氮化鎵半導體激光器
38. 200310116177 制造氮化鎵半導體發光器件的方法
39. 03138736 一種多電極氮化鎵基半導體器件的制造方法
40. 03141115 半導體晶片、半導體裝置及其制造方法
41. 200410088165 氮化鎵基半導體器件及其制造方法
42. 200410086564 導電和絕緣復合氮化鎵基生長襯底及其生產技術和工藝
43. 200410031246 薄膜電極、采用它的氮化鎵基光學器件及其制備方法
44. 200410077337 改善氮化鎵基半導體發光二極管歐姆接觸的合金方法
45. 200410045889 氮化物發光器件及其制造方法
46. 200610110668 自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體元件的制造方法
47. 200610139775 氮化鎵基半導體發光二極管及其制造方法
48. 200680008040 金剛石上的氮化鎵發光裝置
49. 200880010360 基于氮化鎵的外延晶片和制造基于氮化鎵的半導體發光器件的方法
50. 200810095054 氮化鎵基半導體發光二極管及其制造方法
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