半導體晶體（生產方法、生產工藝）（168元/全套）
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1. 200580016035 Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法、Ⅲ族氮化物半導體器件及其制造方法以及發光器件
2. 03110311 半導體晶體基片的評價方法
3. 200610137998 半導體晶體的生產方法
4. 02107413 用于拉晶的方法和設備
5. 02102581 太陽能電池及其制造方法
6. 200780009564 半導體場效應晶體管及其制造方法
7. 02103590 太陽能電池及其制造方法
8. 200780012537 半導體晶體的制造方法和半導體襯底
9. 200810177773 半導體晶體生長方法、半導體晶體基板及其制造方法
10. 200480001850 加工氮化物半導體晶體表面的方法和由該方法得到的氮化物半導體晶體
11. 200610016822 有機半導體晶體薄膜及弱取向外延生長制備方法和應用
12. 200780030699 氧化鋅系半導體晶體的制造方法
13. 02804691 半導體晶體的制造方法和半導體發光元件
14. 200810188586 用于生長Ⅲ族氮化物半導體晶體的方法以及用于Ⅲ族氮化物半導體晶體的生長裝置
15. 200810177774 半導體晶體生長方法、半導體晶體基板及其制造方法
16. 200910079885 檢測半導體晶體或外延薄膜材料極性的方法及檢測系統
17. 02804627 半導體晶體成長方法和半導體發光元件
18. 200410077160 改善有缺陷的半導體材料質量的方法
19. 200780008791 半導體襯底、電子器件、光學器件及其制造方法
20. 200810177769 Ⅲ族氮化物半導體晶體基板和半導體器件
21. 95190610 半導體晶體包裝容器
22. 96107945 轉動拉晶機坩堝的裝置和方法
23. 01802460 III族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體、基于氮化鎵的化合物半導體發光器件、以及使用半導體發光器件的光源
24. 200380104547 III-V族化合物半導體及其制造方法
25. 03822501 Ⅲ-V化合物半導體晶體
26. 200510009422 電涌保護器及其制造方法
27. 200580016039 Ⅲ族氮化物半導體晶體和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體器件
28. 200610065381 結型半導體裝置及其制造方法
29. 200680012137 半導體激光器
30. 200910143035 N型Ⅲ族氮化物基化合物半導體及其制造方法
31. 01800613 半導體晶體的制造方法
32. 02120281 基于氮化物的化合物半導體晶體襯底結構及其制造方法
33. 03805078 Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體外延晶片
34. 200420095247 一種大功率半導體器件
35. 200410020097 晶體顆粒太陽電池及其制備方法
36. 200610093295 加工氮化物半導體晶體的方法
37. 88206324 適用于半導體晶體生長的雙溫加熱爐
38. 94108158 改進的生長硅晶的方法
39. 99812376 具有均勻分布的微細結構的半導體開關
40. 02132249 用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
41. 200510050089 Zn**-xCoxO稀磁半導體薄膜及其制備技術
42. 200580000804 太陽電池及其制造方法
43. 200510109318 磁性熒光復合材料及制備方法與應用
44. 200680021188 雙極半導體器件及其制造方法
45. 200610091279 用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
46. 200780046465 制造Ⅲ族氮化物基化合物半導體晶體的方法
47. 200810109052 化合物半導體晶片、發光二極管及其制備方法
48. 200810008534 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體襯底制造方法
49. 88109038 半導體功率元件
50. 94219851 一種開放式半導體致冷器
51. 200510064396 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體
52. 200610099937 氮化物半導體襯底及器件
53. 200610151667 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底、其制造方法及Ⅲ-Ⅴ族氮化物系發光元件
54. 200680050956 半導體器件的制造方法
55. 200680045152 氮化鎵半導體發光元件
56. 200810172909 半絕緣氮化物半導體襯底及其制造方法、氮化物半導體外延襯底和場效應晶體管
57. 89108602 載流子壽命的軸向調節方法
58. 92208680 油品凝固點分析儀用致冷器
59. 92208679 柴油凝固點分析儀
60. 96190732 半導體器件的制造方法
61. 96112497 化合物半導體的Ｎ型摻雜方法和用此方法生產的電子及光器件
62. 98813831 微機電調諧共焦垂直腔面發射激光器與法布里-珀羅濾光器
63. 98800457 氮化物半導體的生長方法
64. 00121630 半導體疊層襯底及其制造方法和半導體器件
65. 00806011 光電變換功能元件及其制造方法
66. 01823900 受光或發光用半導體裝置
67. 01804430 用于控制硅晶體生長使生長速率和直徑的偏差減至最小的方法
68. 01219207 籽晶桿裝置
69. 02136072 絕緣襯底上制備高質量半導體晶體薄膜的方法
70. 02806788 半導體發光元件
71. 02240252 一種摩托車坐墊
72. 03818754 用于制造封裝半導體器件的方法和設備,和適用于該方法的金屬載體
73. 200380108272 磷化硼基半導體發光器件及其制造方法
74. 03816640 高亮度機械發光材料及其制備方法
75. 200480003637 發光裝置
76. 200480001314 具有弱耦合層狀無機半導體的場效應晶體管
77. 200580019309 氮化物半導體發光器件
78. 200510052572 切割半導體晶片保護膜的方法和裝置
79. 200610138809 半導體發光元件
80. 200610137185 具有至少一個發光芯片晶體的發光元件
81. 200710104113 化合物半導體襯底及其檢測方法和表面處理方法和制造化合物半導體晶體的方法
82. 200710068863 一種制備Ⅳ-Ⅵ族半導體單晶薄膜的生長裝置
83. 200710142015 用于驅動發光二極管的方法及發光二極管
84. 200780025613 在離軸晶種上一百毫米SiC晶體的生長
85. 200710021000 硅襯底上以三族氮化物為主材的半導體晶體生長方法及器件
86. 200710135923 氮化物半導體襯底、其制法及氮化物半導體發光器件用外延襯底
87. 200710002314 形成半導體薄膜的方法
88. 200810171951 III族氮化物半導體制造系統
89. 200810147519 生長半導體晶體的方法、裝置和晶體產品及裝置支撐方法
90. 200910133694 場效應晶體管、半導體器件和半導體晶體生長方法
91. 86210073 新型等離子體成像儀
92. 91204133 制備半導體單晶用的雙層坩堝
93. 91101682 制備半導體單晶用的雙層坩堝
94. 93114676 制造液晶顯示器基板及評價半導體晶體的方法與裝置
95. 95191160 球狀晶體的制造方法
96. 97110548 等離子體源
97. 98104294 外延晶片及其制造方法以及使用該外延晶片的發光器件
98. 98100467 離子注入過程模擬裝置和模擬方法
99. 98116669 立方晶體氮化物半導體器件及其制造方法
100. 98115917 制造多晶半導體的方法和裝置 101. 99811816 用于拉晶設備的連續氧化方法
102. 99804508 控制半導體晶體生長的開環方法和系統
103. 99103447 場效應晶體管
104. 00131762 以鑲嵌工藝形成柵極的方法
105. 00803741 半導體晶片磨光的方法和系統
106. 00807420 在半導體晶體生長工藝中控制錐體生長的方法與系統
107. 01817364 半導體器件及其制造方法
108. 01817358 發光或受光用半導體模塊及其制造方法
109. 01800687 SiGeC半導體晶體及其制造方法
110. 01219206 蒸汽壓控制直拉單晶生長裝置
111. 02221653 環保型電子冷暖床墊
112. 02828388 晶體的制造方法
113. 02815865 以堅固支座、碳摻雜和電阻率控制及溫度梯度控制來生長半導體晶體的方法和裝置
114. 02285894 籽晶桿
115. 02106903 III-V族化合物半導體晶體結構及其外延生長方法和半導體器件
116. 200320107815 一種生長氧化鋅晶體薄膜的金屬有機化合物汽相沉積裝置
117. 200310108463 生長氧化鋅半導體薄膜的金屬有機化合物汽相沉積裝置
118. 200310118286 氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
119. 200480043316 三維微制造方法及高密度三維精細結構
120. 200480006874 Ⅲ-V族單晶半導體化合物平衡壓力生長裝置與方法
121. 200480001328 氮化物半導體生長用襯底
122. 200480012658 發光二極管及其制造方法
123. 200580018798 場效應晶體管、半導體器件、其制造方法和半導體晶體生長方法
124. 200510023578 共面柵陽極碲鋅鎘探測器的制備方法
125. 200510056945 氣相生長裝置
126. 200580036125 激光照射方法、激光照射裝置和制造半導體器件的方法
127. 200580024815 襯托器
128. 200510009614 IIB－IVA－VA*黃銅礦固溶體化合物
129. 200620130175 帶有水套的拉晶爐
130. 200610035748 三維半導體納米結構陣列及其制備方法
131. 200610064728 多組件陶瓷坩堝及其制造方法
132. 200710096319 氮化物半導體自支撐襯底和氮化物半導體發光元件
133. 200820169186 一種硅塊切割設備的防漲裂裝置
134. 200810071339 一種P型導電性的碘化亞銅單晶體及其水熱生長方法
135. 200820124585 內圓切片機防護罩
136. 200810176506 制造第Ⅲ族元素氮化物半導體的設備及制造該半導體的方法
137. 200810152950 馬鈴薯形二氧化硅溶膠及其制備方法
138. 200810000349 發光二極管及其制造方法
139. 200910009653 半導體發光元件及其制造方法
140. 200910007990 氮化物半導體器件及其制備方法
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