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[8154-0124-0001] 雙重鑲嵌結構的制造方法
[摘要] 一種雙重鑲嵌結構的制造方法，此方法的步驟如下：首先提供已形成導電層的基底，于此基底上依序形成第一介電層、第二介電層以及同時作為底層抗反射層的頂蓋層。然后，定義頂蓋層、第二介電層與第一介電層以形成暴露導電層的介層窗開口。接著，于頂蓋層上形成一負光阻層，再圖案化負光阻層以形成一開口。接著以負光阻層為罩幕，移除暴露的頂蓋層與第二介電層以形成暴露第一介電層的溝渠，再移除負光阻層。然后，依序于溝渠與介層窗開口內形成共形的障礙層以及導體層，且導體層填滿溝渠與介層窗開口。
[8154-0097-0002] 寬譜域低溫疊層硅基薄膜太陽電池
[摘要] 本發明的名稱是寬譜域低溫疊層硅基薄膜太陽電池，涉及疊層電池結構的設計，屬于太陽電池技術領域。一般的疊層電池或者光電轉換效率低，或者工藝復雜，為此本發明在設頻緋厥保詰?1)個pin的n層與第2個pin電池的p層之間加一特殊增反射層，該增反射層只反射第1個pin電池吸收范圍的光，透射第2個pin電池吸收范圍的光，在第2個電池pin的n層與金屬電極之間加另一個增反射層，負責反射第2個pin電池吸收范圍的光，這樣，可以提高電池的光電轉換效率、減薄吸收層厚度，不容易發生光衰退，大大縮短制備時間，降低成本。
[8154-0175-0003] 平面單元存儲元件的硅化物膜制造方法
一種平面單元存儲元件硅化物膜制造方法。平面單元陣列區硅基片中形成字線和位擴散層、外圍電路區硅基片中形成字線和源/漏結，僅除外圍電路區之外平面單元陣列區字線間填平間隙填充(gap fill)絕緣膜，在整個基片形成絕緣膜，干法蝕刻絕緣膜直至露出字線表面和外圍電路區基片表面，在外圍電路區字線側壁形成襯墊，平面單元陣列區字線上部形成硅化物膜同時，外圍電路區字線上部及基片表面形成硅化物膜。在整個基片形成字線，采用硅化物防護膜保護平面單元陣列區中除字線之外激活區同時，使全部字線上部和外圍電路區激活區露出，進行硅化物工序，可降低字線布線電阻，還可降低外圍電路區的源/漏接觸電阻，提高高集成度平面單元元件速度。
[8154-0162-0004] 具有雙柵極氧化物層的半導體器件的制造方法
[摘要] 本發明公開了一種具有雙柵極氧化物層的半導體器件的制造方法，其包括步驟：a)在一半導體襯底上形成一柵極氧化物層；以及b)通過進行退耦等離子體處理，增加部分柵極氧化物層的厚度。因為雙柵極氧化物層是用退耦等離子體形成的，所以不需要額外的熱處理。此外，因為硅襯底沒有損傷，所以可以確保半導體器件的溝道特性。此外，因為在沒有額外的溝道離子注入的情況下單元區內的閾值電壓增加，所以半導體器件的電特性可提高。
[8154-0039-0005] 非對稱高電壓金屬氧化物半導體元件
[摘要] 一種非對稱高電壓金屬氧化物半導體元件，包括：一底材，具有一絕緣層和于絕緣層上的第一導體型半導體層。數個淺溝渠隔離形成于半導體層內以限定一主動區域。一場氧化區域形成于主動區域的半導體層上。一第二導體型的漂移區域形成于場氧化區域下的半導體層內。一基極結構形成于半導體層上以覆蓋部份場氧化區域，至少包括一基極介電層及一導體層。一第一發射極區域及第一集電極區域相對形成于基極結構側邊的半導體層內并具有第二導體型及一第一摻雜濃度，場氧化區域隔離基極結構與第一集電極區域。第二發射極區域及第二集電極區域具有第二導體型及一第二摻雜濃度，并分別形成于第一發射極區域及第一集電極區域內，第二摻雜濃度較第一摻雜濃度高。
[8154-0131-0006] 半導體器件
[摘要] 提供了一種批量生產和焊接安裝性能良好的半導體器件，其結構為一種具備基板11、配置在該基板11上邊的半導體芯片14和形成在基板11內、與半導體芯片14連接的電極13的無引腳封裝結構。本發明的半導體器件包括：設置在基板11的側面上的凹部16，該凹部從基板11的背面凹下去到達不到表面的深度為止，使電極13的至少一部分露出來；和在該凹部16內的電極13的露出來的部分上形成的金屬17，該金屬的厚度達不到基板11的上述側面。
[8154-0016-0007] 標記位置檢測裝置
[摘要] 本發明提供一種即使在形成標記的像的成像光學系統中殘存畸變像差，也能正確地檢測標記的位置的標記位置檢測裝置。包括：照明裝置(13～19)，對基板(11)上的被檢標記(30)進行照明；成像光學系統(19～24)，對來自被檢標記的光l2進行成像，形成被檢標記的像；光學元件支持裝置20a，以垂直于光軸o2的x軸、y軸為中心，可傾斜地支持成像光學系統的一部分的光學元件20；攝像裝置25，拍攝由成像光學系統形成的被檢標記的像，輸出圖像信號；以及計算裝置26，從攝像裝置輸入上述圖像信號，計算出被檢標記的位置。
[8154-0130-0008] 具中央引線的半導體封裝組件及其封裝方法
[摘要] 一種具中央引線的半導體封裝組件及其封裝方法。為提供一種封裝制程簡單、成本低、固定效果好的半導體封裝組件及其封裝方法，提出本發明，其封裝組件包括貫設長槽并于下表面形成復數訊號輸出端的基板、長度略小于長槽的長度并設有復數焊墊的半導體元件、復數條導線及封膠體；固定于基板上半導體元件令長槽的一端形成孔道；覆蓋于半導體元件及復數條導線的封膠體經孔道呈銜接狀；本發明封裝方法包括提供具有長槽的基板、長度小于基板上長槽的長度的半導體元件；固定半導體元件令基板長槽一端形成孔道；以復數條導線與半導體元件及基板電連接；由基板上表面灌注的封膠體流經長槽的孔道往下流入基板的長槽及下表面，以覆蓋位于長槽內的復數條導線。
[8154-0113-0009] 低介電常數材料薄膜的制造方法
[摘要] 一種低介電常數材料薄膜的制造方法，此方法是在一基底上形成一旋涂式低介電常數材料薄膜后，對旋涂式低介電常數材料薄膜進行一烘烤工藝。然后利用一能量流均勻照射旋涂式低介電常數材料薄膜，使旋涂式低介電常數材料薄膜結構能夠固化并鏈接完全，有效降低低介電常數材料薄膜的漏電流。
[8154-0164-0010] 基板干燥裝置以及使用該裝置的基板干燥方法
[摘要] 本發明提供一種可控制空氣消耗量并高效地干燥基板、且高效節能的基板干燥裝置以及使用該裝置的基板干燥方法。把向基板(2)的表面(2a)噴射空氣的方柱狀的氣刀噴嘴(4)的長度方向沿與基板運送方向傾斜交叉地配置。把該氣刀噴嘴(4)分隔為第1及第2空氣噴射室(4c)、(4d)，并配置控制從第1及第2空氣噴射室(4c)、(4d)噴射的空氣量的流量控制器(6a)、(6b)。并且，在第2空氣噴射室(4d)面對基板(2)的后方角部(2c)時，由流量控制器(6a)、(6b)增加從第2空氣噴射室(4d)噴射的空氣量，同時停止從第1空氣噴射室(4c)的空氣噴射。
[8154-0178-0011] 快閃存儲胞形成方法
[8154-0020-0012] 半導體器件及其制造方法
[8154-0108-0013] 半導體設備的制造方法
[8154-0115-0014] 蝕刻液
[8154-0156-0015] 光能轉換裝置
[8154-0199-0016] 具有存儲多個位的存儲單元的半導體存儲器及其驅動方法
[8154-0177-0017] 埋入式源/漏極區的存儲器組件的制造方法
[8154-0078-0018] 垂直式的氮化物只讀存儲單元的制造方法
[8154-0146-0019] 提供生產有機發光二極管裝置的結合掩模的定位掩模部分
[8154-0007-0020] 曝光裝置、曝光方法以及元件制造方法
[8154-0088-0021] 半導體集成電路及其制造方法
[8154-0173-0022] 局部形成硅化金屬層的方法
[8154-0147-0023] 半導體發光裝置
[8154-0100-0024] 電子裝置的外殼組件
[8154-0019-0025] 多位存儲單元的參考位穩定方法
[8154-0030-0026] 具有熔線的半導體器件及其制造方法
[8154-0033-0027] 半導體存儲器
[8154-0026-0028] 半導體器件及其制造方法
[8154-0048-0029] 具減低捕捉之三族氮化物基礎場效晶體管和高電子移動晶體管及其制造方法
[8154-0203-0030] 發光元件及其制造方法和用于制造發光元件的引線框
[8154-0172-0031] 安裝半導體芯片的裝置
[8154-0204-0032] 一種制作高溫超導器件的離子表面改性方法
[8154-0109-0033] 電子裝置用襯底，電子裝置用襯底的制造方法，及電子裝置
[8154-0166-0034] 形成具有高深寬比的溝槽的蝕刻方法
[8154-0160-0035] 一種處理半導體晶片的方法和所用的半導體晶片的襯底
[8154-0011-0036] z3ms刻蝕后的干法去膠工藝
[8154-0029-0037] 改善玻璃鈍化硅器件高溫反向特性的鈍化玻璃涂敷液
[8154-0042-0038] 半導體發光器件及其制造方法
[8154-0003-0039] 碳膜覆蓋部件
[8154-0106-0040] 包封的陶瓷超導體
[8154-0176-0041] 非平面結構的非揮發性存儲器單元及制作方法
[8154-0140-0042] 半導體集成電路及其測試方法
[8154-0073-0043] 半導體集成電路器件的制造方法
[8154-0217-0044] 薄膜晶體管
[8154-0009-0045] 發熱體cvd裝置及采用該裝置的發熱體cvd方法
[8154-0092-0046] 半導體存儲器件
[8154-0214-0047] 用于冷卻高功率微處理器的平行板/針狀翅片混合的銅散熱裝置
[8154-0017-0048] 安裝在芯片上的接觸彈簧
[8154-0074-0049] 半導體集成電路器件的制造方法
[8154-0118-0050] 半導體裝置的制造方法
[8154-0206-0051] 用于多種處理的立式配置腔室
[8154-0047-0052] 半導體器件及其制備方法
[8154-0208-0053] 采用氨中退火來建立超薄柵極絕緣體的方法
[8154-0149-0054] 壓電變壓器的驅動電路、冷陰極管發光裝置、液晶面板
[8154-0051-0055] 半導體襯底制造方法
[8154-0138-0056] 半導體集成電路
[8154-0134-0057] 半導體組件
[8154-0038-0058] 發光設備及其制造方法
[8154-0180-0059] 制作罩幕式只讀存儲器的埋藏位元線的方法
[8154-0034-0060] 半導體存儲裝置
[8154-0057-0061] 一種氧摻雜硅碳化合物蝕刻停止層
[8154-0071-0062] 可預先測試效能的芯片制作流程及其測試方法
[8154-0183-0063] 半導體器件和其制造方法
[8154-0072-0064] 半導體裝置的設計方法和半導體裝置
[8154-0119-0065] 攝像傳感器芯片封裝方法及結構
[8154-0091-0066] 相聯存儲器及其存儲單元
[8154-0169-0067] 制作雙擴散漏極的方法
[8154-0155-0068] 具有改進的導通狀態特性的高壓薄膜晶體管及其制造方法
[8154-0037-0069] 減小cmos圖像傳感器暗電流的表面鈍化
[8154-0125-0070] 金屬內連線的制造方法
[8154-0012-0071] 減少微粒產生的方法
[8154-0196-0072] 四象限光電探測器光敏面四個區的光電轉換平衡校正方法
[8154-0184-0073] 多層布線結構的半導體器件及其制造方法
[8154-0010-0074] 用于化學機械研磨的研磨頭
[8154-0082-0075] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8154-0142-0076] 一種功率型多晶硅發射極晶體管
[8154-0018-0077] 以金屬硬遮罩層制作雙鑲嵌插銷的方法
[8154-0187-0078] 包含復合集成電路結構的集成電路及其設計方法
[8154-0002-0079] 磁阻效應元件和磁阻效應型磁頭
[8154-0102-0080] 非揮發性內存裝置用的雙重間隔器方法
[8154-0081-0081] 薄膜晶體管陣列基板的制造方法及其結構
[8154-0207-0082] 波像差測定裝置,波像差測定方法,曝光裝置及微型器件的制造方法
[8154-0212-0083] 面結型場效應晶體管及其制造方法
[8154-0128-0084] 用于光電模塊的副支架以及利用該支架的封裝方法
[8154-0215-0085] 形成玻璃窗的光電裝置
[8154-0024-0086] 膜載帶
[8154-0059-0087] 改善dxz氧化硅對silk粘附性的工藝
[8154-0013-0088] 硅的游離基氧化方法和裝置
[8154-0141-0089] 半導體器件及其制造方法
[8154-0182-0090] 暴露信號線以及在信號線與基片之間有間隙的半導體器件
[8154-0185-0091] 功率半導體次級組件及功率半導體組件
[8154-0170-0092] 金氧半導體晶體管的制造方法
[8154-0163-0093] 化學溶液輸送裝置和制備懸浮液的方法
[8154-0054-0094] 半導體器件的制造方法
[8154-0077-0095] 靜態隨機存儲器的制造方法
[8154-0104-0096] 可表面裝配的發光二極管光源和制造發光二極管光源的方法
[8154-0022-0097] 氮化硅只讀存儲器組件的制造方法
[8154-0070-0098] 雙monos單元制造方法及數組結構
[8154-0067-0099] 雙重鑲嵌結構的制造方法
[8154-0133-0100] 散熱板熱管制造方法
[8154-0150-0101] 用pld法制備具有室溫正巨磁阻效應的鐵碳薄膜材料
[8154-0158-0102] 壓電陶瓷彎曲變換器及其應用
[8154-0122-0103] 具有溝槽隔離的半導體器件及其制造方法
[8154-0021-0104] 基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅組件的制造方法
[8154-0080-0105] 一種嵌入式存儲器的制作方法
[8154-0052-0106] 一種只讀碼掩模及其應用方法
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[8154-0218-0110] 藉由內部及外部光學組件之使用而加強發光二極管中的光放出
[8154-0114-0111] 半導體器件的制造方法和制造裝置
[8154-0136-0112] 半導體器件
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