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[8142-0056-0001] 非易失性靜態隨機存取存儲器存儲單元
[摘要] 本發明是有關于一種非易失性靜態隨機存取存儲器存儲單元，為一在電源消失后具有存儲功能的存儲單元，包括有一靜態隨機存取單元與一非易失性存儲單元，其具有靜態隨機存取存儲器的隨機存取的特性，同時在電源關閉后，亦可將數據存入非易失性存儲單元中，待電源供應后，又能自動將非易失性存儲單元中的數據回復至靜態隨機存取單元中。
[8142-0211-0002] 半導體裝置的制造方法
[摘要] 本發明提供一種半導體裝置的制造方法，優點是在將多個半導體元件混合集成而成的半導體裝置中，制造時既采用fsa工藝，又可以容易并且確實地安裝各半導體元件。該制造方法的特征是：在對應多個半導體激光元件的配置圖形的位置分別形成具有開口部(30a、30b)的模板(30)，然后保持模板在配置各半導體激光元件的安裝用的晶圓(10a)的主面上。接著，將多個半導體激光元件分散在液體中，通過將分散了多個半導體激光元件的液體流經模板(30)保持的晶圓(10a)上，從而將多個半導體激光元件自行調整地分別嵌入到模板(30)的各開口部(30a、30b)內。
[8142-0181-0003] 制造含有粘接于-目標基片上的-薄層的-疊置結構的方法
本發明涉及一種制造含有至少一層粘接到一目標基片上的薄層的一疊置結構的方法，該方法包括如下步驟：a)用一個初始基片形成一層薄層，該薄層的自由面稱作第一接觸面；b)使第一接觸面與一個中間支撐的一個面進行粘結接觸，得到的結構可兼顧以后初始基片的變薄；c)將所述初始基片弄薄，從而顯示出一個稱作第二接觸面的薄層自由面，該自由面與所述第一自由面對置；d)使目標基片的一個面與所述第二接觸面的至少一部分進行粘結接觸，得到的結構可兼顧以后去掉所述中間支撐的全部或部分；e)去掉所述中間支撐的至少一部分，這樣就能得到所述的疊置結構。
[8142-0140-0004] 模塊式三次元芯片層疊構裝
[摘要] 本發明是一種模塊式三次元芯片層疊構裝(3d stacked icpackage)，主要是由一適當的芯片載板(可為有機基材，軟質pi基材……)上以倒裝片方式(flip chip)或引線接合(wire bonding)方式來作芯片與載板的連接；另以一組相同的載板與接合的芯片設于原載板頂面，二載板間并由一可撓式電路板于第一載板與第二載板的內側間以異方向性導電薄膜/膠接通為一立體構裝的基本結構。另可在該基本結構最頂面載板上再設置一芯片與之接合為另一延伸結構。又可在該基本結構上另以最頂層為新增的底層，設置一個以上相用于基本結構的又一延伸結構。
[8142-0049-0005] 半導體裝置及其制造方法、光電裝置和電子儀器
[摘要] 本發明提供了一種能夠解決在襯底上機械安裝芯片半導體元件時的問題的半導體裝置及其制造方法、光電裝置以及電子儀器。一種半導體裝置包括：微瓦片狀元件(1)，其粘結在襯底(10)上；絕緣性功能膜(12)，設置其以覆蓋至少一部分微瓦片狀元件(1)。
[8142-0162-0006] 減少微電子封裝中芯片拐角和邊緣應力的結構與工藝
[摘要] 把一種微電子芯片與一個封裝襯底對齊，并使用焊球將微電子芯片附接于封裝襯底。使用一種導熱的粘合劑，把一個特定形狀的熱擴散器(較佳的做法是令熱擴散器的熱膨脹系數(cte)類似于硅的cte)附接于芯片的后側。使用一種施與工藝或傳遞模塑工藝，通過襯底或熱擴散器中的一個貫通孔，把基于環氧樹脂的包封材料匯入芯片、襯底、以及熱擴散器之間的縫隙。通過把熱擴散器緊靠芯片拐角與/或邊緣加以定位，芯片上的應力明顯地得以減少或消除。
[8142-0100-0007] 發光元件及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種發光元件及其制造方法，利用該方法能夠得到從可見區透過紫外區光的無色透明的導電體，該導電體可用于基板作為垂直結構，可將基板一側作為取光面。在可控制的氣體保護高溫爐中設置坩堝(6)，坩堝(6)中裝有原料熔液(9)和具有縫隙(8a)的縫模(8)，原料熔液(9)利用毛細管現象連續沿縫隙(8a)上升到熔液表面，通過縫模(8)和坩堝(6)，用efg法培養截面形狀與上述縫模(8)的上面相同的單晶體，如此將原料熔液(9)制造成基板。在該基板上，用mocvd法生長iii-v族、ii-vi族、或兩者的薄膜。
[8142-0168-0008] 發光裝置及其制造方法
[摘要] 一種發光裝置，包括：配置在支承體(105)上的發光元件(101)、和將吸收該發光元件(101)發出的光并進行波長轉換而發光的熒光體、覆蓋在發光元件(101)表面的涂敷層(108和109)。所述涂敷層(108和109)，由至少含有選自si、al、ga、ti、ge、p、b、zr、y、sn、pb、或堿土類金屬一組中的一種以上元素的氧化物和氫氧化物的無機材料構成。另外，粘接層(110)也由與涂敷層(108和109)相同的無機材料構成。
[8142-0184-0009] 輻射芯片
[摘要] 一個發光芯片(3)具有一個透鏡狀耦合輸出窗(4)，該耦合輸出窗的基面(5)具有一個鏡面(6)。在耦合輸出窗(4)的一個耦合輸出面(7)上，設有一個層系列(9)，它包括一個發出光子的pn結(10)。來自pn結的光子在鏡面(6)上反射并可以通過耦合輸出面(7)離開耦合輸出窗(4)。
[8142-0196-0010] 聚合物設備的固態壓花
[摘要] 一種用于形成有機或部分有機開關設備的方法，包括：通過溶液處理和直接印刷，沉積導電、半導電層和/或絕緣層；通過固態壓花在多層結構中定義密紋；以及在密紋內形成開關設備。
[8142-0158-0011] 膜評價方法、溫度測定方法及半導體裝置的制造方法
[8142-0016-0012] 光掩模、光掩模的制造方法和電子元件的制造方法
[8142-0135-0013] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8142-0048-0014] 半導體裝置
[8142-0201-0015] 源側硼注入的非易失存儲器
[8142-0180-0016] 半導體晶片檢查設備
[8142-0130-0017] 用于半導體器件的插座
[8142-0003-0018] 包括氮化層的半導體器件
[8142-0178-0019] 拋光布,拋光裝置和半導體設備的制備方法
[8142-0138-0020] 半導體裝置
[8142-0200-0021] 在襯底中的大高寬比部件的蝕刻
[8142-0025-0022] 半導體芯片安裝設備和安裝方法
[8142-0167-0023] 半導體器件及其制造方法
[8142-0165-0024] 半導體器件的制造
[8142-0110-0025] 高介電系數柵電介質材料氮鋁酸鉿薄膜及其制備方法
[8142-0058-0026] 影像感測器微透鏡組、影像感測器及其制造方法
[8142-0170-0027] 氮化物半導體器件及其制造方法
[8142-0046-0028] 形成半導體器件及其結構的方法
[8142-0096-0029] 表面黏著發光二極管的封裝結構及其制造方法
[8142-0155-0030] 兩種或兩種以上有機分子構成的有機半導體及其加工方法
[8142-0080-0031] 同心圓對準裝置
[8142-0150-0032] 提高inas/gaas量子點半導體材料發光效率的方法
[8142-0092-0033] 以庫侖阻塞原理設計的單電子存儲器及其制備方法
[8142-0109-0034] 半導體器件的制造方法
[8142-0006-0035] 發光二極管封裝結構及其方法
[8142-0173-0036] 半導體制造裝置的凈化方法和半導體器件的制造方法
[8142-0157-0037] 曝光設備、曝光法及器件制造法
[8142-0129-0038] 半導體封裝件用插座
[8142-0215-0039] 利用復合控制模式的研漿流量控制方法及系統
[8142-0203-0040] 電子線路裝置及其制造方法
[8142-0074-0041] 全自動對準工藝制備晶體管的方法
[8142-0166-0042] 半導體裝置和通信系統用機器
[8142-0052-0043] 具有在存儲單元上方形成的信號布線線路的半導體存儲器件
[8142-0076-0044] 引線鍵合方法以及凸點形成方法和凸點
[8142-0061-0045] 太陽電池自動封裝機構
[8142-0107-0046] 縮小導體圖案的間距的方法及使用此方法形成的結構
[8142-0120-0047] 半導體裝置及其制造方法
[8142-0189-0048] 半導體裝置的制造方法
[8142-0055-0049] 具有存儲區域和外圍區域的半導體存儲器件及其制造方法
[8142-0042-0050] 冷卻裝置、電子設備、顯示單元和生產冷卻裝置的方法
[8142-0085-0051] 一種適應于高熱流均溫散熱的換熱技術
[8142-0124-0052] 用于半導體器件處理機的具有載體組件的測試托盤
[8142-0103-0053] 清除聚合物的方法以及用于清除聚合物的裝置
[8142-0013-0054] 晶片的制造方法和粘接帶
[8142-0075-0055] 倒裝片組裝的底層填充封膠處理及其裝置
[8142-0152-0056] 半導體發光器件
[8142-0022-0057] 液相外延制備鐵電厚膜的方法
[8142-0101-0058] 層疊型壓電部件的制造方法及層疊型壓電部件
[8142-0078-0059] 簡易升級型高容量式半導體晶片測試裝置
[8142-0033-0060] 接觸窗的制造方法
[8142-0171-0061] 用于半導體制造裝置的控制系統
[8142-0209-0062] 壓電功能部件及其制造方法
[8142-0210-0063] 半導體制程機臺
[8142-0202-0064] 雙擴散型金氧半導體晶體管的制造方法
[8142-0005-0065] 硅納米線陣列太陽能轉換裝置
[8142-0153-0066] 高溫超導材料本征結的制備方法
[8142-0125-0067] 形成接觸窗的方法
[8142-0154-0068] 壓電元件、噴墨頭、角速度傳感器及其制法、噴墨式記錄裝置
[8142-0066-0069] 發光器件
[8142-0118-0070] 形成硅化鈷的方法和裝置組及具有該硅化鈷的半導體元件
[8142-0115-0071] 半導體器件及其制造方法
[8142-0190-0072] 集成電路電感器結構以及非破壞性蝕刻深度測量
[8142-0206-0073] gan基的半導體元件的制造方法
[8142-0217-0074] 定義氧化硅/氮化硅/氧化硅介電層的方法
[8142-0177-0075] 基片加工方法
[8142-0062-0076] 半導體器件及包括該半導體器件的光學器件
[8142-0123-0077] 半導體器件處理機中的測試溫度偏差補償裝置
[8142-0091-0078] 非易失半導體存儲裝置
[8142-0029-0079] 測試光掩模、光斑評估方法以及光斑補償方法
[8142-0174-0080] 基片缺陷修補裝置
[8142-0185-0081] 壓電執行元件
[8142-0045-0082] 電路元件，電路元件組件，電路元件內置模塊及其制造方法
[8142-0164-0083] 模塊部件
[8142-0192-0084] 硅中淺槽隔離層的形成方法
[8142-0028-0085] 集成電路的商標位置檢測裝置
[8142-0069-0086] 形成半導體器件的方法及其結構
[8142-0149-0087] 用于制造太陽能電池的纖維和窄帶材
[8142-0148-0088] 多層電池、特別是液晶顯示電池或電化學光電池
[8142-0098-0089] 一種制作白光發光二極管的方法
[8142-0041-0090] 晶片封裝基板
[8142-0156-0091] 接觸孔圖案化用的明場圖像反轉
[8142-0035-0092] 抑制分閘快閃存儲單元位元線漏電流的方法
[8142-0031-0093] 一種分割一半導體集成電路圖案的方法
[8142-0142-0094] 并行光互連集成電路芯片
[8142-0070-0095] 具有自對準節接觸孔的半導體器件及其制造方法
[8142-0137-0096] 半導體器件
[8142-0083-0097] 氮化硅只讀存儲元件的操作方法
[8142-0099-0098] 表面發射型發光二極管及其制造方法
[8142-0218-0099] 半導體存儲器件及其制造方法
[8142-0097-0100] 發光二極管結構
[8142-0144-0101] 半導體器件
[8142-0119-0102] 硅高速半導體開關器件制造方法
[8142-0207-0103] 光電子元件及其制造方法、具有許多光電子元件的組件和具有這樣一個組件的裝置
[8142-0193-0104] 一種用于改善對靜電放電斷電的保護的帶有可變寬度金屬條的二極管
[8142-0060-0105] 半導體器件及其制造方法
[8142-0151-0106] 光電元件部件
[8142-0038-0107] 可應用自動對準金屬硅化物的屏蔽式只讀存儲器的制造方法
[8142-0012-0108] 剝離方法
[8142-0216-0109] 介電層的制造方法
[8142-0039-0110] 自行對準編碼的罩幕式只讀存儲器的制造方法
[8142-0108-0111] 制備深亞微米柵的方法
[8142-0179-0112] 用于制造互連結構的方法和裝置
[8142-0044-0113] 具有吸附式制冷機的冷卻系統
[8142-0001-0114] 固體攝像裝置及其制造方法
[8142-0032-0115] 同層形成上層熔絲的半導體及其制造方法
[8142-0128-0116] 閃存元件的制造方法
[8142-0106-0117] 圖形轉印用光掩模的圖形布局方法及圖形轉印用光掩模
[8142-0019-0118] 利用高能量全面離子植入法的硅晶圓去疵方法
[8142-0024-0119] 半導體功率元件裝置及其封裝方法
[8142-0161-0120] 高頻模件板裝置
[8142-0027-0121] 結晶薄膜品質監控系統及方法
[8142-0054-0122] 基于碳納米管單電子晶體管設計的單電子存儲器及制法
[8142-0086-0123] 半導體器件
[8142-0043-0124] 冷卻裝置、電子設備和音響設備、及制造冷卻裝置的方法
[8142-0182-0125] 具有改進的靜電放電耐壓的半導體裝置
[8142-0002-0126] 半導體器件的結構及其制造方法
[8142-0199-0127] 研磨裝置及半導體器件的制造方法
[8142-0194-0128] 經降低線間電容及串話噪聲的半導體器件
[8142-0214-0129] 形成接觸孔的方法
[8142-0088-0130] 具有金屬-金屬電容器的集成電路的結構及其形成方法
[8142-0114-0131] 化學機械研磨設備
[8142-0141-0132] 半導體存儲模件
[8142-0063-0133] 有機發光二極管顯示器
[8142-0111-0134] 高介電系數柵電介質材料鋁酸鉿薄膜及其制備方法
[8142-0104-0135] 在半導體基底上形成光阻層的方法
[8142-0176-0136] 用于第ⅲ族氮化物化合物半導體器件的n-電極
[8142-0195-0137] 包含有機層的發光元件
[8142-0208-0138] 在ⅲ-v族氮化物半導體基板上制作產生輻射的半導體芯片的方法以及產生輻射的...
[8142-0160-0139] 基板和制造該基板的方法
[8142-0053-0140] 半導體存儲器件及使用側壁間隔層的半導體存儲器件的制造方法
[8142-0113-0141] 增進晶圓清洗效率與改善工藝合格率的方法
[8142-0081-0142] 半導體組件中電容器的制備方法
[8142-0018-0143] 制造薄膜晶體管的方法
[8142-0147-0144] 半導體器件及其制造方法
[8142-0172-0145] 用于提高光刻膠附著的無定形碳層
[8142-0037-0146] 屏蔽式只讀存儲器的制造方法
[8142-0145-0147] 固體攝像裝置及其制造方法
[8142-0183-0148] 具有無鎵層的iii族氮化物發光器件
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[8142-0087-0153] 集成電路和分層引線框封裝
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