壓電,壓電陶瓷彎曲,半導體發光,半導體存儲類技術資料(168元/全套)貨到付款歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F320295
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[8154-0118-0001] 半導體裝置的制造方法
[摘要] 一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列步驟：在某導電型的半導體襯底內形成第一相反導電型阱區域的步驟；在上述半導體襯底內形成其雜質濃度比上述第一相反導電型阱區域的雜質濃度高的第二相反導電型阱區域的步驟；在上述第一相反導電型阱區域上形成第一柵絕緣膜的步驟；在上述第二相反導電型阱區域上形成比上述第一柵絕緣膜薄的第二柵絕緣膜的步驟；以貫通上述第一和第二柵絕緣膜的條件向上述第一和第二相反導電型阱區域內注入第一某導電型雜質的步驟；以及以不貫通上述第一柵絕緣膜、貫通上述第二柵絕緣膜的條件，向上述第二相反導電型阱區域內注入第二某導電型雜質的離子注入步驟。
[8154-0173-0002] 局部形成硅化金屬層的方法
[摘要] 本發明主要是提供一方法以在集成電路上局部形成硅化金屬層，并且避免同一字元線上存儲器間形成硅化金屬而造成遺漏電流現象。本發明的方法主要是利用設計法則適當地安排元件間的距離以達到目的。在一實施例中為在集成電路上形成硅化金屬但是要避免在同一字元線上相鄰存儲器間形成硅化金屬，則可事先在相鄰兩個存儲器間的間隔區域內形成一介電層以作為幕罩層。如此則可在之后的選擇性蝕刻步驟中保護在上述間隔區域內的硅底材避免裸露出來。故可避免于此間隔區域內形成硅化金屬。而達到本發明之目的。
[8154-0169-0003] 制作雙擴散漏極的方法
本發明揭露了一種制作雙擴散漏極的方法。本發明利用單一種類摻質而非傳統的兩種摻質來形成雙擴散漏極。首先進行一次輕摻雜離子布植過程。接著執行一第一熱過程以驅入(drive in)摻質。再者執行一重摻雜離子布植過程。最后進行一第二熱過程以形成雙擴散漏極。
[8154-0019-0004] 多位存儲單元的參考位穩定方法
[摘要] 本發明提出一種多位存儲單元的參考位穩定方法，此參考位穩定方法首先在多位存儲單元的制造過程中，預先將一個多位存儲單元中的一個第一位程序化至適當的高準位狀態。之后，再于使用時讀取此多位存儲單元中，除前述的第一位外的一位以做為參考位。
[8154-0035-0005] 防止天線效應的氮化硅只讀存儲器組件的結構
[摘要] 一種防止天線效應的氮化硅只讀存儲器的結構，此結構由一字符線、一電荷捕捉層以及一金屬保護線所組成。其中字符線覆蓋于基底上，且字符線是由一硅化金屬層與一多晶硅層組成。電荷捕捉層位于字符線與基底之間，且電荷捕捉層為一氧化硅/氮化硅/氧化硅(ono)復合層結構中的氮化硅層。金屬保護線覆蓋于基底上，連接字符線以及位于基底中的一接地摻雜區，且金屬保護線的阻值高于字符線。工藝過程中所產生的電荷可以經由金屬保護線導入基底中。而金屬保護線的阻值高于字符線，可于工藝過程結束后，通過施加一高電流以燒斷金屬保護線，使只讀存儲器組件可以正常操作。
[8154-0047-0006] 半導體器件及其制備方法
[摘要] 集電區102上形成有起基區之作用且由i-si1-xgex層和p+si1-xgex層構成的si1-xgex層111b，且在p+si1-xgex層上積了會成為發射區的si覆蓋層111a。在基區開口部分118內si覆蓋層111a之上形成有發射區引出電極129，它又包括形成在含有其濃度在它在單晶硅中的固溶度以下的磷的n-多晶硅層129b和含有高濃度磷的n+多晶硅層129a。抑制了高濃度的磷(p)過分地摻雜到si覆蓋層111a中，而將基區層內雜質的濃度分布維持得很合適。si覆蓋層111a的上部可含有p型雜質。npn型雙極晶體管中基區層內的p型雜質的濃度分布被維持得很合適。
[8154-0011-0007] z3ms刻蝕后的干法去膠工藝
[摘要] 本發明屬于半導體集成電路制造工藝技術領域，具體涉及z3ms刻蝕后的干法去膠工藝。隨著器件尺寸愈來愈小，互連rc延遲對器件開啟速度影響愈來愈大。目前人們用銅和低介電材料來減少rc互連延遲。z3ms是一種新的低介電材料，在工藝集成過程中還需要解決一些相關工藝問題，如刻蝕后的去膠工藝。本發明采用n2/o2干法去膠，并通過調整，優化了三個主要參數：n2、o2和偏壓rf功率，為z3ms的干法去膠找到了一種新工藝。本發明工藝簡單，容易操作，穩定性好，適用于大生產線。
[8154-0116-0008] 薄膜晶體管的制造方法
[摘要] 一種制造半導體器件的方法，其特征是，提供了高速的運行和高可靠性，其中由cw激光結晶的半導體層用于tft的有源層。當由cw激光結晶一個半導體層時，由于寬度方向上的能量密度分布，一部分形成大晶粒，而另一部分形成微型晶粒。前者展現了良好的電氣特性。后者的電氣特性很差，因為晶粒邊界阻礙電荷的移動，由此當用作一個晶體管的有源層時會引起麻煩。因此，對電路進行設置，將大晶粒形成的半導體層用于每個tft的有源層。
[8154-0181-0009] 半導體裝置
[摘要] 一種半導體裝置。將一根導線在芯片下環繞其他圖形延伸，芯片固定在圖形上，將輸入端子用電極座連接在從芯片露出的導線上。由此，實現在csp的組件內rf信號路徑實質交叉的電路，實現在用戶側安裝時裝置的小型化，但由于高頻信號路徑通過芯片之下，所以絕緣惡化。在芯片與在芯片之下環繞的rf信號路的重疊部分，設置構成高頻gnd電位的導電圖形，屏蔽高頻信號。
[8154-0132-0010] 干式快速散熱器
[摘要] 在機電設備中，常要用到各種各樣的干式散熱器，通常是用金屬材料做成，如銅、鋁以及它們的合金。在這種散熱器的基礎上還能不能做得使散熱器更好更快的散熱呢？本發明提供了一種方法，即在原散熱器的基礎上，改變其金屬的內部結構，使得散熱器金屬與空氣接觸面更大，熱阻減小，散熱速度加快。這樣一來就使得機電設備中的元器溫升減小，熱降快。
[8154-0066-0011] 晶片及評價其載體濃度的方法
[8154-0207-0012] 波像差測定裝置,波像差測定方法,曝光裝置及微型器件的制造方法
[8154-0217-0013] 薄膜晶體管
[8154-0085-0014] 一種散熱結構
[8154-0203-0015] 發光元件及其制造方法和用于制造發光元件的引線框
[8154-0005-0016] 半導體制造裝置用旋轉機的壽命預測方法和半導體制造裝置
[8154-0064-0017] 安裝電子元件后的零件的制造方法及其制造裝置
[8154-0107-0018] 疊合標記及其應用方法
[8154-0194-0019] 具有多重閘極絕緣層的非揮發性存儲器組件
[8154-0034-0020] 半導體存儲裝置
[8154-0197-0021] 四象限光電探測器檢測與應用的模型法
[8154-0140-0022] 半導體集成電路及其測試方法
[8154-0038-0023] 發光設備及其制造方法
[8154-0130-0024] 具中央引線的半導體封裝組件及其封裝方法
[8154-0124-0025] 雙重鑲嵌結構的制造方法
[8154-0025-0026] 半導體裝置
[8154-0164-0027] 基板干燥裝置以及使用該裝置的基板干燥方法
[8154-0021-0028] 基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅組件的制造方法
[8154-0178-0029] 快閃存儲胞形成方法
[8154-0195-0030] 具有雙浮置閘極存儲晶胞的集成電路及其制造方法
[8154-0087-0031] 半導體器件及其制造方法
[8154-0196-0032] 四象限光電探測器光敏面四個區的光電轉換平衡校正方法
[8154-0028-0033] 用于對地或電源而屏蔽傳輸線的裝置
[8154-0001-0034] 復合壓電變壓器
[8154-0079-0035] 氮化硅只讀存儲器的結構與制造方法
[8154-0068-0036] 一種系統整合芯片的制作方法
[8154-0158-0037] 壓電陶瓷彎曲變換器及其應用
[8154-0039-0038] 非對稱高電壓金屬氧化物半導體元件
[8154-0138-0039] 半導體集成電路
[8154-0104-0040] 可表面裝配的發光二極管光源和制造發光二極管光源的方法
[8154-0188-0041] 電平移動器
[8154-0022-0042] 氮化硅只讀存儲器組件的制造方法
[8154-0094-0043] 氮化只讀存儲器的結構及其制造方法
[8154-0153-0044] 非接觸互連系統
[8154-0029-0045] 改善玻璃鈍化硅器件高溫反向特性的鈍化玻璃涂敷液
[8154-0191-0046] 半導體記憶裝置
[8154-0014-0047] 其上結合有薄膜電容器的多層布線基板的制造工藝
[8154-0113-0048] 低介電常數材料薄膜的制造方法
[8154-0092-0049] 半導體存儲器件
[8154-0215-0050] 形成玻璃窗的光電裝置
[8154-0006-0051] 半導體器件制造方法、制造裝置及其清洗方法和制造系統
[8154-0142-0052] 一種功率型多晶硅發射極晶體管
[8154-0009-0053] 發熱體cvd裝置及采用該裝置的發熱體cvd方法
[8154-0037-0054] 減小cmos圖像傳感器暗電流的表面鈍化
[8154-0070-0055] 雙monos單元制造方法及數組結構
[8154-0024-0056] 膜載帶
[8154-0154-0057] 半導體能束探測元件
[8154-0189-0058] 具有提供在存儲單元中的阱抽頭的半導體器件
[8154-0192-0059] 三維只讀存儲器集成電路
[8154-0183-0060] 半導體器件和其制造方法
[8154-0208-0061] 采用氨中退火來建立超薄柵極絕緣體的方法
[8154-0088-0062] 半導體集成電路及其制造方法
[8154-0114-0063] 半導體器件的制造方法和制造裝置
[8154-0144-0064] 薄膜晶體管的多晶硅層及其顯示器
[8154-0057-0065] 一種氧摻雜硅碳化合物蝕刻停止層
[8154-0108-0066] 半導體設備的制造方法
[8154-0105-0067] 受保護超導體組件及其制造方法
[8154-0170-0068] 金氧半導體晶體管的制造方法
[8154-0185-0069] 功率半導體次級組件及功率半導體組件
[8154-0201-0070] 疊置晶片全彩色發光二極管的封裝結構及方法
[8154-0160-0071] 一種處理半導體晶片的方法和所用的半導體晶片的襯底
[8154-0054-0072] 半導體器件的制造方法
[8154-0115-0073] 蝕刻液
[8154-0082-0074] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8154-0018-0075] 以金屬硬遮罩層制作雙鑲嵌插銷的方法
[8154-0156-0076] 光能轉換裝置
[8154-0166-0077] 形成具有高深寬比的溝槽的蝕刻方法
[8154-0044-0078] 半導體基板洗滌劑和洗滌方法
[8154-0151-0079] 晶片制備設備
[8154-0141-0080] 半導體器件及其制造方法
[8154-0205-0081] 壓電變壓器
[8154-0184-0082] 多層布線結構的半導體器件及其制造方法
[8154-0112-0083] 半導體裝置的制造方法以及研磨裝置
[8154-0168-0084] 利用減少漏極植入范圍而縮小器件尺寸的方法
[8154-0062-0085] 低阻值晶體管元件的制作方法
[8154-0063-0086] 制造薄膜晶體管的方法
[8154-0172-0087] 安裝半導體芯片的裝置
[8154-0213-0088] 用單附加掩模注入操作制造雙閾值電壓n溝道和p溝道mosfet的方法
[8154-0050-0089] 在基底上制作印刷線路的方法
[8154-0157-0090] galnn半導電層及其制備方法；包括該層的發光二極管和包括該發光二極管的...
[8154-0032-0091] 非易失性半導體存儲器
[8154-0150-0092] 用pld法制備具有室溫正巨磁阻效應的鐵碳薄膜材料
[8154-0048-0093] 具減低捕捉之三族氮化物基礎場效晶體管和高電子移動晶體管及其制造方法
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[8154-0134-0098] 半導體組件
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[8154-0027-0101] 引線架、樹脂密封模型及使用它們的半導體
[8154-0171-0102] 半導體模塊及其生產方法以及用于ic卡等的模塊
[8154-0002-0103] 磁阻效應元件和磁阻效應型磁頭
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