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[8127-0087-0001] 快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
[摘要] 根據本發明的拼合型快速ｅｅｐｒｏｍ單元當對以厚的絕緣膜將隧穿區與溝道隔開的結構施加高電壓進行編程和擦去時，可以防止因帶－帶隧穿和由結區與柵電極之間的重疊區所形成的強電場而產生的二次熱載流子所導致的單元隧道氧化膜的退化。
[8127-0071-0002] 半導體器件及其有關集成電路
[摘要] 一種薄膜晶體管或集成電路，包括一絕緣基片，在該基片上形成的ｔｆｔs（薄膜晶體管），以及多層導電互連。該電路具有成為柵電極與柵互連的第一金屬化層。第一金屬化層的表面經陽極氧化，氧化形成第一金屬化表面上的絕緣被覆膜，變成源與漏電極或導電互連的第二金屬層于是直接或經過一層間絕緣層形成在絕緣被覆膜上。隨之改進成品率及改善可靠性。
[8127-0121-0003] 熱電式冷卻裝置、其所用半導體的制備方法及熱電式冷凍機
一種熱電式冷卻元件組５，由以一定間隔排列的吸熱側電極８，形成在該電極之上的ｐ型半導體層10和n型半導體層11,以及將ｐ型半導體層１０和n型半導體層１１連接起來的散熱側電極１２構成。多個ｐ型半導體層１０和n型半導體層11平行排列并在電學上串聯(圖6)。在熱電式冷卻元件組５與吸熱器４之間以及在熱電式冷卻元件組５與散熱器６之間，分別形成了高熱導率的硅脂層１７、１７。
[8127-0135-0004] 表面安裝型發光二極管
[摘要] 一種表面安裝型發光二極管，其中至少包含接合線的基板上表面，覆蓋的防焊劑薄膜，平行于端子部分的鑄型部分兩個邊沿該接合線與基板連接。發明的結構方案可達到以下效果，即由于防焊劑薄膜材料比基板和導電型板的材料柔軟，所以為構成鑄型部分而通過金屬模進行擠壓時，只有防焊劑薄膜產生變形，避免基板產生任何變形，因而防止了割裂和剝離的發生，于是裝置不會產生不良的導電性，并且大大增強了裝置的可靠性。
[8127-0196-0005] 硅半導體二極管元件和芯片與絕緣胴體的結構及其制法
[摘要] 利用連結型二極管絕緣胴體構件可制造適于大量生產并適合元件或組件裝配使用的二極管芯片與絕緣胴體構件，其上每一單元制備一個或多個芯片安裝座，用粘結材料涂覆二極管芯片并將其粘結在安裝座中。從而得到結構新穎、制造裝配成本低、并適合自動化大量生產的性能優良的二極管制品。依據本發明所提供的硅半導體二極管元件及組件的芯片與絕緣胴體構件是一種以芯片與絕緣胴體主要結構件直接組合為特征之結構。
[8127-0066-0006] 具有動態可控閾電壓的mos晶體管讀出放大器
[摘要] 在讀出操作啟動之前，將ｎ溝道讀出放大器晶體管（２２４ｃ，２２４ｄ）的背柵極電位設置到大于操作電源電位和地電位之間的中間電位的背柵極預充電電位，然后在讀出操作期間，背柵極電位隨著ｎ型公共源極節點電位（ｃｓｎ）的下降而下降。ｎ型公共源極節點（２２１ｂ）預充電到該中間電位。設置背柵極預充電電位，使其不大于中間電位加上一個ｐｎ結擴散電位之和的電位，從而抑制了自每個讀出放大器晶體管的背柵極至源極或漏極的漏電流。
[8127-0117-0007] 未封裝半導體芯片的測試裝置
[摘要] 根據本發明的未封裝半導體芯片測試裝置包括：引線框，該引線框帶有與由膠帶支撐的其它引線隔離開并通過連線鍵合到引線上的芯片。引線框置于有窗口的支撐板上，以便可以通過窗口暴露出引線框的引線，使之與置于板下的測試探針接觸。底座容納基板，基板上的電纜穿過底座的開口，并與測試板相連，壓蓋按壓引線框時，支撐板上的引線框向下移動，引線與測試探針接觸。測試后，該壓蓋借驅動裝置復位，同樣引線框借助彈力復位。
[8127-0158-0008] 制造垂直雙極型晶體管的方法
[摘要] 重復制造垂直雙極型晶體管薄基區的方法：注入ｎ－型雜質到第一埋層上周圍部分和激活注入的ｎ－型雜質，生長外延層并外擴散激活雜質，形成第一埋層，第二埋層隔離晶體管各元件。第一埋層和第二埋層限定外延層的一部分，形成作為收集區的有源區。有源區中第一埋層上，形成亞收集區，有源區的第一上部分形成基區，疊層亞收集區。注入ｎ－型雜質和在氮氣中退火注入的ｎ－型雜質，可重復地形成薄基區寬度的基區，形成的第二埋層，保證隔離晶體管的各元件。
[8127-0199-0009] 制造具有精細接觸孔的半導體器件的方法
[摘要] 本發明提供一種形成半導體器件接觸孔的方法，其包括下列步驟：設置一襯底，在所述襯底上形成第一絕緣層，通過腐蝕所述第一絕緣層的一部分，形成接觸孔開孔，以便露出所述襯底的一部分；在所獲得的結構上形成非均勻厚度的第二絕緣層，其中，淀積在接觸孔側壁上所述第二絕緣層的厚度薄于所述第一絕緣層上面的第二絕緣層的厚度；對所述第二絕緣層進行各向異性腐蝕，直到露出所述襯底的一部分，結果，在所述開孔側壁上形成絕緣的隔離層。
[8127-0177-0010] 多孔半導體材料
[摘要] 制成了晶體硅(12)犘問降畝囁裝氳繼宀牧?它具有超過90%的孔隙率,并且用放大倍數為7,000的掃描電子顯微鏡基本分辨不出空洞、開裂和剝落。材料(12)犑峭?過以下方法制備的:將一個硅圓片(10)進行陽極處理以形成多孔硅,接著對多孔硅進行腐蝕以形成確定硅量子線的孔交錯。腐蝕之后,用超臨界干燥將多孔硅干燥。由此得到的材料具有良好的發光特性以及良好的表面形貌和結晶性。
[8127-0080-0011] 氣體傳熱等離子體處理裝置
[8127-0148-0012] 在半導體器件中形成鎢插頭的方法
[8127-0008-0013] 制造半導體器件的方法
[8127-0092-0014] 化合物半導體發光器件及其制備方法
[8127-0173-0015] 隱埋引線式芯片座及使用該座的芯片封裝
[8127-0149-0016] 半導體基片的清洗方法、清洗系統和制造清洗液的方法
[8127-0104-0017] 激光退火方法
[8127-0020-0018] 氮化物半導體發光器件
[8127-0055-0019] 橫向型霍爾器件
[8127-0058-0020] 樹脂密封式半導體裝置及其制造方法
[8127-0051-0021] 載片及其制造方法和安裝方法
[8127-0074-0022] 光檢測裝置及其制造方法
[8127-0011-0023] 半導體集成電路器件及其制造工藝
[8127-0052-0024] 半導體裝置的制造方法
[8127-0086-0025] 半導體裝置
[8127-0212-0026] 具有埋入觸頭的多層薄膜太陽能電池
[8127-0045-0027] 金剛石膜上的薄層硅結構芯片材料及其制備方法
[8127-0042-0028] 在半導體器件間設置隔離的方法
[8127-0114-0029] 使用壓電體的發電方法、發電裝置和電子機器
[8127-0130-0030] 制造半導體器件的方法及實施該方法的設備
[8127-0142-0031] 制作半導體器件中圓筒形疊層電容器的方法
[8127-0106-0032] 超小型半導體器件及其制造和連接方法
[8127-0209-0033] 硅片的制造方法及其裝置
[8127-0053-0034] 半導體器件制造方法
[8127-0023-0035] 雙極晶體管電路元件
[8127-0178-0036] 半導體器件及其制造方法
[8127-0100-0037] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8127-0111-0038] 絕緣柵異質結雙極晶體管
[8127-0195-0039] 用于半導體器件的引線框組件
[8127-0097-0040] 太陽電池裝置
[8127-0119-0041] 半導體器件及其裝配方法
[8127-0175-0042] 半導體器件及其制造方法
[8127-0217-0043] 以槽形外殼構件組構的半導體二極管及其封裝方法
[8127-0085-0044] 帶有塑料封裝的半導體器件
[8127-0146-0045] 耗散熱量的半導體器件
[8127-0089-0046] 用于以良好生產率密封半導體芯片的模塑模具和用于安裝半導體芯片的引線框架
[8127-0030-0047] 用于電子器件封裝中的吸附劑套殼
[8127-0151-0048] 厚膜電阻元件制造方法
[8127-0021-0049] pmosfet及由此制造的cmos器件
[8127-0015-0050] 半導體器件場氧化層的形成方法
[8127-0138-0051] 樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[8127-0057-0052] ｍｉｓ門復合半導體裝置及其驅動方法以及電源轉換裝置
[8127-0133-0053] 高速去膠法
[8127-0070-0054] 制備半導體器件中的電容器電荷儲存電極的方法
[8127-0091-0055] 光電池、光電池陣列及其組成的電解裝置
[8127-0198-0056] 用于形成半導體裝置的精細圖形的方法
[8127-0093-0057] 發光二極管結構
[8127-0141-0058] 形成半導體器件的旋涂玻璃膜的方法
[8127-0115-0059] 光電轉換器件與圖象讀取器件
[8127-0189-0060] 形成半導體器件精細圖案的方法
[8127-0050-0061] 半導體器件壓觸管殼
[8127-0157-0062] 隔離柵半導體器件及其制造方法
[8127-0024-0063] 集成電路的布局方法
[8127-0131-0064] 制造半導體器件的方法
[8127-0096-0065] 碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件
[8127-0076-0066] 制造掩模只讀存儲器的方法
[8127-0132-0067] 形成半導體器件中金屬間絕緣層的方法
[8127-0202-0068] 氮化硅電路板
[8127-0038-0069] 太陽能電池元件組,太陽能電池組件及其制造方法
[8127-0139-0070] 單片高頻集成電路結構及其制造方法
[8127-0078-0071] 形成具有淺結和低薄層電阻半導體器件的方法
[8127-0124-0072] 一種半導體器件及其制造工藝
[8127-0001-0073] 利用晶界形成半導體器件中的兩層多晶硅柵極的方法
[8127-0201-0074] 形成三阱的方法
[8127-0105-0075] 制造半導體器件的方法
[8127-0113-0076] 利用中溫氧化層去除由離子注入產生的缺陷的方法
[8127-0028-0077] 半導體裝置
[8127-0120-0078] 突起形成體及突起的形成方法
[8127-0147-0079] 一種半導體器件的制造方法
[8127-0176-0080] 封裝芯片的方法、載體及模具零件
[8127-0129-0081] 測定發光器件老化的方法及使用該方法的光發射驅動裝置
[8127-0036-0082] 由大小均一的金屬微珠組成的圖形陣列
[8127-0075-0083] 用于高密度信息圖象顯示裝置的二維有機發光二極管陣列
[8127-0079-0084] 半導體腐蝕方法及用該腐蝕方法制造半導體器件的方法
[8127-0068-0085] 用于樹脂密封半導體器件的引線框和樹脂密封半導體器件的制造方法
[8127-0098-0086] 制造自裝配微結構的方法
[8127-0194-0087] 用于電子封裝的超薄貴金屬涂層
[8127-0003-0088] 制造薄膜晶體管的方法及設備
[8127-0031-0089] 連接一個電子元件的端子到另一個電子元件的端子的方法
[8127-0168-0090] 制造ldd結構的mos晶體管的方法
[8127-0215-0091] 能抑制軟差錯的電阻負載型靜態隨機存取存儲器單元
[8127-0213-0092] 電路裝置及適用于該電路裝置的結型場效應晶體管
[8127-0059-0093] 半導體器件的結構及形成該器件外殼的方法
[8127-0072-0094] 半導體器件的制造方法
[8127-0090-0095] 場致發光裝置
[8127-0046-0096] 壓電陶瓷組合物
[8127-0166-0097] 測量半導體器件結區漏電流的方法
[8127-0004-0098] 固態成像器件及其制造方法
[8127-0016-0099] 半導體器件的制造方法
[8127-0174-0100] 用于在半導體器件的諸金屬布線之間形成絕緣薄膜的方法
[8127-0099-0101] 表面安裝型發光二極管
[8127-0109-0102] 包括z軸導電膜的微電子組件
[8127-0191-0103] 固體攝象器件及其制造方法
[8127-0094-0104] 具有減小電阻的化合物半導體器件
[8127-0118-0105] 用于把兩個集成電路直流上相互隔離的方法和設備
[8127-0172-0106] 用堆疊集成電路芯片平面陣列的方式來制作單片電子組件的方法
[8127-0162-0107] 半導體組件的制造方法及半導體組件
[8127-0073-0108] 熱紅外探測器
[8127-0152-0109] 半導體元件互連器件及其制造方法
[8127-0022-0110] 半導體器件及其制造方法
[8127-0025-0111] 集成電路的靜電放電防護電路
[8127-0154-0112] 一種制造具有高電流密度的超導帶材的方法
[8127-0184-0113] 在半導體器件上形成微細圖形的方法
[8127-0010-0114] 具有雙溝道的薄膜晶體管及其制造方法
[8127-0140-0115] 帶有電鍍引線的半導體器件的制造方法
[8127-0211-0116] 用鍺進行硅/硅鍵合的方法及其制備的硅器件襯底片
[8127-0128-0117] 形成半導體器件金屬互連的方法
[8127-0007-0118] 外延片及其制造方法
[8127-0081-0119] 被研磨基板的保持裝置基板的研磨裝置及基板的研磨方法
[8127-0193-0120] 半導體器件
[8127-0082-0121] 制造半導體器件的方法
[8127-0143-0122] 有源矩陣光電器件
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[8127-0207-0126] 電路的制造方法
[8127-0153-0127] 一種電介質,其制造方法,和半導體器件
[8127-0187-0128] 形成半導體器件通孔的方法
[8127-0208-0129] 制造半導體器件中的場氧化層的方法
[8127-0192-0130] 半導體器件及其制造方法
[8127-0018-0131] 高升壓比壓電式變壓器
[8127-0084-0132] 高電遷徒阻力的多層金屬化結構及其設計方法
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[8127-0188-0134] 用于生產半導體封裝引線框架的工藝
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[8127-0112-0137] 窄禁帶源漏區金屬氧化物半導體場效應晶體管及集成電路
[8127-0190-0138] 形成半導體器件金屬布線的方法
[8127-0083-0139] 限流裝置
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[8127-0026-0141] 靜電放電防護電路
[8127-0041-0142] 半導體器件
[8127-0136-0143] 電源檢測電路
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[8127-0123-0145] 含有波導和光電接收器件的集成光學模塊
[8127-0033-0146] 半導體器件的金屬接觸法
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