半導體器件薄膜生產加工工藝技術-薄膜,薄膜半導體類（168元/全套）
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1-547621 結晶硅薄膜半導體器件,光電器件及前者的制造方法
2-547621 薄膜基板、半導體器件、電路基板及其制造方法
3-547621 形成半導體器件的薄膜的方法
4-547621 薄膜半導體器件及電光裝置、其制造方法及中間掩模
5-547621 薄膜半導體器件及其制造該器件的方法
6-547621 薄膜半導體器件
7-547621 薄膜半導體器件及其制造方法
8-547621 摻雜半導體層的方法,制造薄膜半導體器件的方法及薄膜半導體器件
9-547621 用于在半導體器件的諸金屬布線之間形成絕緣薄膜的方法
10-547621 半導體器件薄膜的平面化方法
11-547621 薄膜半導體器件
12-547621 不殘留氫的非單晶薄膜晶體管的半導體器件的制造方法
13-547621 薄膜半導體及其制造方法、半導體器件及其制造方法
14-547621 半導體薄膜及其制造方法以及半導體器件及其制造方法
15-547621 半導體薄膜及其制造方法以及半導體器件及其制造方法
16-547621 半導體薄膜,半導體器件及其制造方法
17-547621 具有多晶硅薄膜的半導體器件
18-547621 半導體器件及其制造方法和透明導電薄膜的制造方法
19-547621 半導體薄膜及使用這種薄膜的半導體器件的制造方法
20-547621 用于顯示的薄膜半導體器件及其制造方法
21-547621 薄膜半導體器件的制造方法、薄膜半導體裝置、液晶顯示裝置和電子儀器
22-547621 制作半導體器件中金屬薄膜的方法
23-547621 薄膜半導體器件的制造方法
24-547621 確定化合物半導體層臨界薄膜厚度及制造半導體器件
25-547621 薄膜半導體器件、薄膜半導體器件的制造方法、液晶顯示裝置、液晶顯示裝置的制造方法、電子設備，電子設備的......
26-547621 半導體器件用的絕緣薄膜
27-547621 具有金屬硅化物薄膜的半導體器件及制造方法
28-547621 半導體器件及其制造方法、電路基板和薄膜載帶
29-547621 薄膜半導體器件的制造方法
30-547621 一種改善蒸發薄膜半導體器件性能的工藝方法
31-547621 薄膜、半導體薄膜、半導體器件的生產方法
32-547621 有機薄膜半導體器件的制造方法
33-547621 薄膜晶體管及其制造方法和包括該晶體管的半導體器件
34-547621 多晶半導體薄膜襯底及其制造方法、半導體器件和電子器件
35-547621 薄膜半導體器件與液晶顯示單元及其制作方法
36-547621 薄膜半導體器件的制造方法
37-547621 薄膜晶體管及半導體器件
38-547621 形成高介電常數薄膜的方法以及形成半導體器件的方法
39-547621 用于制造半導體器件的方法和薄膜半導體器件
40-547621 半導體薄膜及其制造方法以及半導體器件及其制造方法
41-547621 薄膜半導體器件及其制造方法
42-547621 具有薄膜晶體管的半導體器件
43-547621 薄膜半導體器件和薄膜半導體器件的制造方法
44-547621 薄膜半導體襯底及制造方法、薄膜半導體器件及制造方法
45-547621 切割芯片焊接薄膜,固定碎片工件的方法及半導體器件
46-547621 薄膜半導體器件、其制造工藝以及液晶顯示器
47-547621 具有硅化物薄膜的半導體器件及其制造方法
48-547621 排序二相介電薄膜及含有該膜的半導體器件
49-547621 具有薄膜晶體管的半導體器件的制造方法
50-547621 具有薄膜晶體管的半導體器件
51-547621 薄膜晶體管、半導體器件及其制造方法
52-547621 GaN基發射輻射的薄膜半導體器件
53-547621 制備具有WWN多晶硅分層薄膜的半導體器件的方法
54-547621 薄膜半導體器件及液晶顯示器
55-547621 摻雜半導體層的方法、制造薄膜半導體器件的方法、及薄膜半導體器件
56-547621 半導體器件的接觸部分和包括該接觸部分的用于顯示器的薄膜晶體管陣列板
57-547621 薄膜半導體器件的制造方法
58-547621 薄膜半導體器件的制造方法
59-547621 半導體薄膜及其制造方法以及半導體器件及其制造方法
60-547621 裝有包括多孔結構電介質薄膜的半導體器件及其制造方法
61-547621 芯片在薄膜上的半導體器件及其制造方法
62-547621 半導體器件及其制造方法、電路基板和薄膜載帶
63-547621 薄膜半導體、半導體器件以及薄膜晶體管的制造方法
64-547621 包括具有不同結晶度的半導體薄膜的半導體器件及其基片和制作方法、以及液晶顯示器及其制造方法
65-547621 制造薄膜半導體器件的方法及其形成抗蝕圖的方法
66-547621 薄膜半導體器件及其制造方法和圖像顯示裝置
67-547621 薄膜半導體器件、電光裝置及其制造方法和電子設備
68-547621 涂敷設備、薄膜形成方法、薄膜形成設備、半導體器件制造方法、電光裝置和電子儀器
69-547621 薄膜半導體器件的制造方法
70-547621 薄膜半導體器件及其制造方法
71-547621 薄膜晶體管、反相器、邏輯器件和半導體器件的形成方法
72-547621 粘合薄膜、帶粘合薄膜的引線框架及使用它們的半導體器件
73-547621 薄膜晶體晶片的制造方法、使用該晶片的半導體器件及其制造方法
74-547621 制備多晶硅薄膜的方法以及用其制備半導體器件的方法
75-547621 薄膜半導體器件及電光裝置、其制造方法及中間掩模
76-547621 包括半導體薄膜的半導體器件、該薄膜的結晶方法及裝置
77-547621 芯片在薄膜上的半導體器件
78-547621 晶片支持板、薄膜晶片的保持方法和半導體器件的制造方法
79-547621 薄膜半導體器件、其驅動電路和使用它們的設備
80-547621 薄膜圖案形成方法、半導體器件、電光學裝置、電子儀器
81-547621 制備薄膜半導體器件的方法
82-547621 半導體薄膜及其制造方法以及半導體器件及其制造方法
83-547621 薄膜半導體器件
84-547621 半導體器件中的隔離薄膜及其形成方法
85-547621 有機半導體材料,有機半導體薄膜和有機半導體器件
86-547621 薄膜半導體、半導體器件以及薄膜晶體管的制造方法
87-547621 具有薄膜晶體管的半導體器件及其制造方法
88-547621 半導體器件及其制造方法、以及薄膜器件
89-547621 薄膜晶體管、半導體器件、顯示器、結晶方法和薄膜晶體管的制備方法
90-547621 使用固體激光器退火的多晶硅薄膜制備半導體器件的方法
91-547621 半導體器件的薄膜和金屬線的制造方法
92-547621 半導體器件的薄膜和金屬線的制造方法
93-547621 薄膜半導體器件、其制造工藝以及液晶顯示器
94-547621 薄膜半導體器件及其制造方法
95-547621 晶體半導體薄膜,半導體器件及其制造方法
96-547621 高取向性硅薄膜形成方法、三維半導體器件及其制造方法
97-547621 具有有機薄膜晶體管的半導體器件的制造方法
98-547621 薄膜半導體器件、薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制造方法
99-547621 其上接合有GaN薄膜的襯底及其制備方法以及基于GaN的半導體器件及其制備方法
100-547621 薄膜半導體器件的制造方法
101-547621 半導體薄膜結晶及半導體器件制造方法
102-547621 有機半導體器件和有機半導體薄膜
103-547621 包括由氧化鋅構成的氧化物半導體薄膜層的半導體器件及其制造方法
104-547621 半導體器件的薄膜的形成方法
105-547621 包括半導體薄膜的半導體器件、該薄膜的結晶方法及裝置
106-547621 包括半導體薄膜的半導體器件、該薄膜的結晶方法及裝置
107-547621 薄膜半導體器件、電光裝置及中間掩模
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