壓電,壓電告警,半導體結構,制造半導體器件類技術資料(168元/全套)貨到付款歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F330520
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[CJ8168-0040-0001] 促進半導體晶片釋放的方法
[摘要] 根據本發明，公開了一種從拋光墊上釋放半導體晶片的方法。本方法包括以下步驟：漿料施加到拋光墊；旋轉漿料于其上的拋光墊，同時向晶片施加壓力，由此利用漿料拋光晶片；將水引入到拋光墊；增加拋光墊的旋轉速度，去除部分漿料；在增加旋轉速度期間，減小壓力，以基本上防止進一步的拋光；以及從拋光墊上移走晶片。
[CJ8168-0030-0002] 場效應晶體管及其制造方法
[摘要] 場效應晶體管包含：半導體襯底；選擇性地制作在半導體襯底上的柵絕緣膜；制作在柵絕緣膜上的柵電極；具有位于柵電極緊鄰下方的相對的端部的源／漏區，各個相對的端部具有覆蓋柵電極的覆蓋區；以及制作在半導體襯底表面部分中的被夾在相對的源／漏區之間的溝道區。位于至少一個源／漏區覆蓋柵電極的覆蓋區處的柵絕緣膜部分，具有比位于溝道區上的柵絕緣膜部分更低的介電常數。從而能夠完全抑制短溝道效應，并能夠實現高速運行。
[CJ8168-0004-0003] 具有高發光效率的含磷光體的發光器件
一種燈，它包括：發光元件，例如發光二極管或激光二極管，它能發出藍光；和磷光體組合物，磷光體組合物可以從發光元件那里吸收具有第一光譜的藍光并能發出具有第二光譜的光。磷光體組合物包括至少一種下述的組合物：Ba2MgSi2O7：Eu2+；Ba2SiO4：Eu2+；（Sr，Ca，Ba）（Al，Ga）2S4：Eu2+。本發明還涉及一種發光元件，它能發出藍光；和一種磷先體組合物，磷光體組合物可以從發光元件那里吸收具有第一光譜的藍光并能發出具有第二光譜的光，其中燈發出的光的光譜發光效率為每瓦特至少550流明。輸出光譜的高光譜發光效率有效地把輸入到燈的功率轉換成光通量流明，從而提供高亮度。例如，燈的器件發光效率可以達到每瓦特輸入電功率35—45流明。
[CJ8168-0083-0004] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明的目的在于，通過在ＳＯＩ結構的半導體裝置中抑制經局部ＳＴＩ結構的隔離絕緣膜鄰接的晶體管之間發生的漏電流，來得到提高了隔離特性和耐壓的半導體裝置及其制造方法。其解決方法是，在由半導體襯底１、埋入氧化膜２和半導體層３構成的ＳＯＩ結構的半導體襯底１與埋入氧化膜２相接的表面上形成雜質層１２。
[CJ8168-0070-0005] 拼接的電子顯示器結構
[摘要] 一種拼接的顯示器裝置由多個顯示器拼塊形成，這些顯示器拼塊具有確定至這些拼塊的邊緣的多個畫面元素（象素）位置。各象素位置具有初始發光二極管（OLED）有效區，其占有約25％的象素區域。各拼塊包括一存儲顯示數據的存儲器和控制該拼塊上的象素的掃描和照明的象素驅動電路。該象素驅動電路被定位在該拼塊的背面且通過在象素區域中被選擇的一些的未被有效區域占有的部分中通過的通路完成到該拼塊的前面上的象素電極的連接。這些拼塊由兩部分組成：一個顯示器部分和一個電子器件部分。各部分包括覆蓋幾個象素位置的連接墊。各連接墊對僅一行或列電極進行電連接。該顯示器部分上的這些連接墊被電連接且被物理地結合到該電子器件部分上的對應的連接墊。各拼塊在其前面上有一玻璃基底。黑色矩陣線被形成在該玻璃基底的前面上且這些拼塊通過具有與黑色矩陣線相同外觀的豎框被結合。可替換地，這些黑色矩陣線可形成在一光學集成板的內表面上且這些拼塊可被加接至該集成板以使結合的拼塊的邊緣被這些黑色矩陣線覆蓋。一陰極射線致發光拼塊結構由若干單獨的拼塊形成，該些拼塊具有多個磷光體區、一單個發射陰極和水平及垂直靜電偏轉柵極，該些柵極將由該單個陰極產生的電子束偏轉到這些磷光體區中的一些上。
[CJ8168-0165-0006] 側面包括端子的表面安裝組件
[摘要] 由組件主體（2）和第一端子（5，6，7）和第二端于（8）構成的表面安裝組件（1）。組件（1）具有相互相交的第一表面（3）和第二表面（4）。組件主體（1）具有用于安裝元件的一安裝部分。第一端于（5，6，7）連接到第一表面（3），第二端子（8）連接到第二表面（4）。
[CJ8168-0098-0007] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 用激光照射局部形成可以被認為是單晶體的區域106，并用這些區域至少構成溝道形區域112。通過具有這種結構的薄膜晶體管，就能得到與利用單晶體構成的薄膜晶體管類似的特性。此外,通過并聯連接多個這樣的薄膜晶體管，就能得到實際上與溝道寬度增加的單晶體薄膜晶體管相同的特性。
[CJ8168-0099-0008] 固體攝像裝置
[摘要] 本發明提供了一種固體攝像裝置，可將光電二極管的最小電荷存儲時間控制在不足1H（水平周期），能進行非常高速的電子快門動作。本裝置具有：單位單元1為二維配置的攝像區域；與攝像區域的各象素行對應并在水平方向設置、傳送用于驅動各對應象素行的單位單元的各讀出部件Td的讀出驅動信號ΦEADi的多條讀出線4；將該讀出驅動信號選擇供給這多條讀出線，以便驅動讀出部件的垂直驅動部件2a；分別根據第1、第2脈沖ΦROREAD、ΦRESREAD，控制垂直驅動部件，以便驅動各象素行的第1、第2行選擇部件2、20。
[CJ8168-0124-0009] 一種制備氮化鎵基 LED的新方法
[摘要] 本發明涉及一種以氮化鎵為基礎的Ⅲ－族氮化物半導體材料制備半導體器件的方法。本發明提供了一種將在透明襯底上生長光發射材料所制備的光發射二極管的正面除Ｎ－電極以外的全部面積均做為Ｐ－電極，相反的背面做為出光面，并且采用倒裝焊接方法進行封裝的基于氮化鎵光發射二極管制備的新方法。該方法不僅減少了制備過程的要求和限制，提高了光發射二極管有源區發光的出射率，而且提高了光發射二極管的產率。適用于在類似藍寶石透明絕緣襯底材料上生長的氮化物材料所制造的器件，例如各種波長的發光二極管、激光器、紫外光探測器等。
[CJ8168-0107-0010] 具有內在銅離子遷移勢壘的低介電常數的介電材料
[摘要] 提供了一種用來防止含有銅區域的半導體結構中的銅離子遷移的層間介質。本發明的層間介質包含介電常數為3．0或更小的介電材料以及能夠高度鍵合銅離子又可溶解在介電材料中的添加劑。低k介質中添加劑的存在，使得能夠免去諸如SiO2或Si3N4之類的常規無機勢壘材料。
[CJ8168-0156-0011] 具有差分信號線平衡扭絞的集成電路
[CJ8168-0008-0012] 改進的高品質因數電容器
[CJ8168-0012-0013] 半導體裝置
[CJ8168-0104-0014] 半導體器件的電容器的制造方法
[CJ8168-0111-0015] 一種電感器件
[CJ8168-0150-0016] 使用各向異性導電粘接劑的半導體裝置的安裝方法
[CJ8168-0029-0017] 電致發光顯示器及電子設備
[CJ8168-0170-0018] 具有多柵絕緣層的半導體器件及其制造方法
[CJ8168-0073-0019] 用于捕獲離子的接收裝置
[CJ8168-0140-0020] 制作導電或半導電三維結構的方法和擦除該結構的方法
[CJ8168-0216-0021] 半導體封裝方法
[CJ8168-0025-0022] 新型清洗劑以及使用它的清洗方法
[CJ8168-0108-0023] 真空場效應晶體管
[CJ8168-0142-0024] 橫型異質結雙極三極管及其制造方法
[CJ8168-0094-0025] 薄膜型裝置及其制作方法
[CJ8168-0011-0026] EL顯示裝置和用于制造所述顯示裝置的方法
[CJ8168-0208-0027] 超磁致伸縮材料和制造方法及其磁致伸縮致動器和傳感器
[CJ8168-0210-0028] 半導體元件的封殼
[CJ8168-0202-0029] 大功率半導體模塊的散熱裝置
[CJ8168-0006-0030] 各向異性導電膜和半導體芯片的安裝方法以及半導體裝置
[CJ8168-0163-0031] 電子束掩膜、掩膜制造方法和曝光方法
[CJ8168-0133-0032] 半導體器件檢查裝置
[CJ8168-0164-0033] 半導體層的形成方法
[CJ8168-0069-0034] 電子顯示設備的對比度增強
[CJ8168-0185-0035] 處延雙極器件和互補金屬氧化物半導體器件的方法
[CJ8168-0123-0036] 微型電動機械結構的包封工藝
[CJ8168-0190-0037] 半導體元件的制造方法
[CJ8168-0204-0038] 擴散阻擋層和帶擴散阻擋層的半導體器件
[CJ8168-0217-0039] 薄膜式針測卡
[CJ8168-0180-0040] 形成半導體器件的方法
[CJ8168-0065-0041] 散熱器
[CJ8168-0189-0042] 納米晶巨磁阻抗復合材料及其制備方法
[CJ8168-0097-0043] 電光裝置
[CJ8168-0036-0044] 半導體器件的制造方法及其中使用的設備
[CJ8168-0018-0045] 卡式存儲裝置及其制造方法
[CJ8168-0184-0046] 鐵電半導體存儲器的制法
[CJ8168-0054-0047] 模版掩模及模版掩模的形成方法
[CJ8168-0016-0048] 半導體器件和用于制造該半導體器件的方法
[CJ8168-0193-0049] 半導體器件
[CJ8168-0037-0050] 超音波發生裝置、多層柔性電路板及其制造方法
[CJ8168-0078-0051] 用在處理系統晶片搬運器上的端部操作裝置
[CJ8168-0005-0052] 照明系統
[CJ8168-0003-0053] 含有磷光體組合物的發光器件
[CJ8168-0167-0054] 半導體器件中的列晶體管
[CJ8168-0113-0055] 產生二維或三維導電或半導電結構的方法,擦除該結構的方法及產生上述電路結構...
[CJ8168-0010-0056] 發光二極管
[CJ8168-0215-0057] 制作發光二極管外延晶片的方法
[CJ8168-0055-0058] 用于零電壓開關的絕緣柵雙極晶體管
[CJ8168-0114-0059] 處理絕緣層的方法
[CJ8168-0039-0060] 半導體晶片的封裝方法及其所制成的產品
[CJ8168-0109-0061] 存儲器單元裝置及其制造方法
[CJ8168-0051-0062] 電子束寫入方法、電子束刻蝕設備及其所用掩模
[CJ8168-0067-0063] 電光器件及其制作方法
[CJ8168-0173-0064] 去除有機物的方法
[CJ8168-0127-0065] 互補偶載場效應晶體管及其片上系統
[CJ8168-0117-0066] 薄膜晶體管、液晶面板和它們的制造方法
[CJ8168-0088-0067] 隔離柵雙極型晶體管
[CJ8168-0161-0068] 曝光掩模、其制造方法以及使用其的半導體器件的制造方法
[CJ8168-0151-0069] 投影光學系統、投影光學系統的制造方法和使用該光學系統的投影曝光裝置
[CJ8168-0033-0070] 半導體器件
[CJ8168-0125-0071] 發光元件用基板與發光元件以及發光元件的制造方法
[CJ8168-0009-0072] 疊層組件的形成方法
[CJ8168-0035-0073] 形成位線接觸和進行離子注入的方法
[CJ8168-0020-0074] 用于同時形成硅上金屬電容器的最佳透過注入
[CJ8168-0066-0075] 半導體裝置用清洗劑和半導體裝置的制造方法
[CJ8168-0081-0076] 靜電感應晶體管及其制造方法和電能轉換裝置
[CJ8168-0143-0077] 半導體裝置
[CJ8168-0017-0078] 集成電路的散熱片及其制造方法
[CJ8168-0023-0079] 半導體裝置和制造方法及其安裝構造和安裝方法
[CJ8168-0062-0080] 具有腔體的金屬絲熔絲結構
[CJ8168-0102-0081] 由樹脂制成應力吸收層的倒裝片型半導體器件及制造方法
[CJ8168-0082-0082] 鐵電電容器與半導體器件
[CJ8168-0199-0083] 在半導體器件中形成銅配線的方法
[CJ8168-0053-0084] 第三族氮化物半導體器件和其生產方法
[CJ8168-0134-0085] 帶有凸點的布線電路基板的制造方法和凸點形成方法
[CJ8168-0209-0086] 具有高介電常數柵絕緣體的ULSIMOS
[CJ8168-0079-0087] 氮化物半導體元件
[CJ8168-0056-0088] 包括連接橫向RF MOS器件的源區與背側的插頭的類網狀柵結構
[CJ8168-0002-0089] 用于生產高溫超導線的前驅體材料的制備方法
[CJ8168-0145-0090] 薄膜晶體管的輕摻雜漏極/偏置結構的制造方法
[CJ8168-0178-0091] 照明裝置
[CJ8168-0179-0092] 壓電執行元件
[CJ8168-0132-0093] 檢查半導體器件的外觀的系統及其方法
[CJ8168-0152-0094] 高效電子制冷芯片
[CJ8168-0090-0095] 立式集成電路裝置
[CJ8168-0060-0096] 制造半導體器件的方法
[CJ8168-0091-0097] 低電感控制的門控晶閘管
[CJ8168-0212-0098] 太陽能電池組件和太陽能電池裝置
[CJ8168-0052-0099] 液相生長方法、液相生長設備和太陽電池
[CJ8168-0049-0100] 電子裝置、其制造方法及其制造裝置
[CJ8168-0121-0101] 具有場效應晶體管的半導體器件的制造方法
[CJ8168-0137-0102] 行－列可尋址電微開關陣列及使用其的傳感器矩陣
[CJ8168-0147-0103] 電致發光器件
[CJ8168-0112-0104] 半導體裝置、安裝基板及其制造方法、電路基板和電子裝置
[CJ8168-0207-0105] 隱埋金屬體接觸結構和制造半導體場效應晶體管器件的方法
[CJ8168-0061-0106] 電致發光顯示器件及其制造方法
[CJ8168-0028-0107] 場致發光顯示裝置和電子裝置
[CJ8168-0177-0108] 具有成分分級的鐵電材料的鐵電場效應晶體管及其制造方法
[CJ8168-0105-0109] 采用Ta2O5薄膜作為電介質...
[CJ8168-0119-0110] 顯示裝置
[CJ8168-0196-0111] 用于腔室襯里的樹脂模塑制品
[CJ8168-0101-0112] 包含改善的熱交換器的散熱裝置
[CJ8168-0128-0113] 低功耗半導體功率開關器件及其制造方法
[CJ8168-0176-0114] 層疊的集成電路封裝
[CJ8168-0218-0115] 半導體裝置的電容器的制造方法
[CJ8168-0089-0116] 顯示器件
[CJ8168-0153-0117] 發光二極管裝置
[CJ8168-0092-0118] 通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導體層的方法及由此制作的氮化鎵半導體結構
[CJ8168-0038-0119] 安裝半導體晶片在具電路軌跡基板的方法及其制成的產品
[CJ8168-0155-0120] 垂直型金屬氧化物半導體晶體管
[CJ8168-0027-0121] 硅太陽電池的制作方法及使用該方法制作的硅太陽電池
[CJ8168-0022-0122] 半導體裝置的制造方法
[CJ8168-0144-0123] 具散熱功能封裝用塑膠基板及其制造方法
[CJ8168-0063-0124] 防止熔絲燒斷損傷的相鄰熔絲之間的裂縫擋板
[CJ8168-0139-0125] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[CJ8168-0019-0126] 半導體器件及其生產工藝
[CJ8168-0042-0127] 一種制備半導體襯底的方法
[CJ8168-0154-0128] 光電二極管
[CJ8168-0043-0129] 半導體結構及其制造方法
[CJ8168-0086-0130] 半導體器件的制造方法
[CJ8168-0064-0131] 引線架及樹脂封裝型半導體器件的制造方法
[CJ8168-0141-0132] 垂直MOS晶體管
[CJ8168-0130-0133] 互補金屬氧化物半導體工藝中的線性電容器結構
[CJ8168-0211-0134] 碳化硅水平溝道緩沖柵極半導體器件
[CJ8168-0095-0135] 微小型熱電堆元件及其形成熱隔離的方法
[CJ8168-0194-0136] 制造微模塊方法和制造含有微模塊的存儲媒體的方法
[CJ8168-0168-0137] 具有電容器的半導體器件及其制造方法
[CJ8168-0157-0138] 電子模塊
[CJ8168-0192-0139] 用紫外激光輸出切斷導電鏈路的方法
[CJ8168-0047-0140] 標準單元、標準單元陣列及其布局和布線的系統與方法
[CJ8168-0115-0141] 有機半導體圖像傳感器
[CJ8168-0197-0142] 模制樹脂以密封電子元件的方法及裝置
[CJ8168-0149-0143] 制造半導體器件的方法
[CJ8168-0186-0144] 半導體器件及其制造方法
[CJ8168-0071-0145] 具有電容元件的集成電路
[CJ8168-0045-0146] 有機電致發光顯示器件
[CJ8168-0172-0147] 特別用于表盤的具有帶色外觀的光生伏打電池
[CJ8168-0181-0148] 供應液體原材料的方法及設備
[CJ8168-0093-0149] 具有圓形的水平臂的自由滑動垂直架
[CJ8168-0182-0150] 一種用于模擬鐵電電容的等效電路
[CJ8168-0200-0151] 在半導體器件中形成銅配線的方法
[CJ8168-0015-0152] 樹脂封裝的半導體器件
[CJ8168-0188-0153] MIM電容器
[CJ8168-0103-0154] 電光學裝置的制造方法，電光學裝置及電子機器
[CJ8168-0138-0155] 可切換感光靈敏度的有機二極管
[CJ8168-0146-0156] 半導體制造設備
[CJ8168-0131-0157] 半導體器件
[CJ8168-0160-0158] 電子束曝光方法和所用掩膜及電子束曝光系統
[CJ8168-0034-0159] 集成電路的封裝體基座構造及制造方法
[CJ8168-0068-0160] 半導體器件的制造方法
[CJ8168-0087-0161] 輻射發送和/或接收元件
[CJ8168-0007-0162] 從基片上灰化有機物質的方法
[CJ8168-0059-0163] 直立式發光二極管及其導電線路構造
[CJ8168-0183-0164] 非易失性半導體存儲器及其制造方法
[CJ8168-0026-0165] 半導體的制造方法
[CJ8168-0046-0166] 光敏器件和具有內電路系統的光敏器件
[CJ8168-0058-0167] 發光二極管的基板構造
[CJ8168-0021-0168] 用于紅外檢測器的冷卻裝置
[CJ8168-0126-0169] 無光柵耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱紅外焦平面器件
[CJ8168-0195-0170] 諧振壓電告警設備
[CJ8168-0162-0171] 與硅之間具有金屬氧化物界面的半導體構造的制造方法
[CJ8168-0085-0172] 具有至少一個電容的集成電路及其制造方法
[CJ8168-0014-0173] 非易失性半導體存儲器及其制造方法
[CJ8168-0032-0174] 堆疊電容器存儲單元及其制造方法
[CJ8168-0118-0175] 射頻電路模塊
[CJ8168-0013-0176] 用于場效應器件的高速復合p溝道Si/SiGe異質結構
[CJ8168-0048-0177] 引線框架及其電鍍方法
[CJ8168-0106-0178] 一種錫球生產工藝
[CJ8168-0084-0179] 具有電容器保護層的半導體存儲器件及其制備方法
[CJ8168-0214-0180] 紅外發光二極管
[CJ8168-0075-0181] 半導體裝置
[CJ8168-0174-0182] 用于對半導體襯底進行處理的方法和設備
[CJ8168-0171-0183] 液冷太陽能光伏轉換方法和使用該方法的發電裝置
[CJ8168-0076-0184] 光刻膠膜去除方法及其所用裝置
[CJ8168-0116-0185] 壓電執行元件
[CJ8168-0166-0186] 樹脂膜片成型方法和使用所述方法的樹脂膜片成型設備
[CJ8168-0057-0187] 光刻膠殘渣去除劑
[CJ8168-0041-0188] 離子注入裝置和使用該裝置的離子注入方法
[CJ8168-0175-0189] 電阻率測量用外延晶片的制備工藝
[CJ8168-0072-0190] 大面積顯示結構的密封
[CJ8168-0135-0191] 半導體放電管制造方法的改進
[CJ8168-0001-0192] 壓電驅動裝置
[CJ8168-0148-0193] 場效應晶體管
[CJ8168-0191-0194] 腐蝕后堿處理方法
[CJ8168-0159-0195] 帶電粒子束光刻裝置以及帶電粒子束的光刻方法
[CJ8168-0213-0196] 半導體位置探測器
[CJ8168-0158-0197] 溝道隔離結構、具有該結構的半導體器件以及溝道隔離方法
[CJ8168-0044-0198] 發光二極管及其制作方法
[CJ8168-0198-0199] 設計方法、掩模組、集成電路及其制造方法和存儲介質
[CJ8168-0206-0200] 固態成像器件及其制造方法和固態成像系統
[CJ8168-0050-0201] 用于使用倒裝法的模塊的改進熱性能的可定制蓋
[CJ8168-0024-0202] 光致抗蝕圖形的形成方法
[CJ8168-0096-0203] 發光半導體裝置及其制作方法
[CJ8168-0129-0204] 變形異質接面雙極性晶體管
[CJ8168-0203-0205] 晶片整合剛性支持環
[CJ8168-0031-0206] 半導體器件及其制造方法
[CJ8168-0074-0207] 單晶膜的晶體離子切割
[CJ8168-0100-0208] 半導體器件
[CJ8168-0169-0209] 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
[CJ8168-0136-0210] 繪制圖形校驗方法
[CJ8168-0080-0211] 半導體位置探測器
[CJ8168-0110-0212] 高頻模塊及其制造方法
[CJ8168-0201-0213] 低介電常數介質集成電路用破裂擋板和氧勢壘
[CJ8168-0205-0214] 電容器及其制造方法
[CJ8168-0120-0215] 各向異性導電膜、半導體芯片的安裝方法和半導體裝置
[CJ8168-0122-0216] 具有透明連接區、用于硅化物應用的半導體器件及其制作
[CJ8168-0077-0217] 用于限制臨界尺寸增大的硬掩模的方法
[CJ8168-0187-0218] 用于晶體生長的基底襯底和用其制造襯底的方法
[CJ8168-0219-0219] 半導體器件

 

查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）

金博技術資料網（http://www.667298.com）
購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）

本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913    收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417     收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中國    銀行：418330501880227509    戶  名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站   收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電  話：0414-2114320   3130161
手  機：13941407298   13050204739
客服QQ：547978981    824312550   517161662

敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。