襯底,半導體襯底,襯底拋光,大功率最新技術匯編(168元/全套)
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[8103-0063-0001] 用于有機電致發光器件的緩沖層及其制造方法和應用
[摘要] 有機電致發光器件由包括電極、發射層和緩沖層的多層結構形成。所述發射層包括發光材料。所述緩沖層置于電極和發射層之間，并和電極導電連通，它包含三芳基胺空穴運輸材料和電子接受材料。所述緩沖層任選包含a)聚合粘合劑、b)變色材料和c)光散射顆粒中的一種或多種。所述緩沖層也可以使用具有許多三芳基胺部分的聚合的空穴運輸材料。
[8103-0190-0002] 金屬氧化物半導體晶體管元件的制造方法
[摘要] 一種金屬氧化物半導體晶體管元件的制造方法，先以柵極與襯層為掩模進行一離子注入，在柵極兩側的基底中形成源極/漏極。然后蝕刻此襯層使其厚度減少，再進行另一離子注入以在源極/漏極輪廓的外圍形成環摻雜區。此包圍源極/漏極的環摻雜區較靠近通道區且與源極/漏極重疊較少，因此，可同時維持穩定的元件啟始電壓并達到降低結漏電流的目的。
[8103-0217-0003] 半導體器件
一種半導體器件，該半導體器件以利用凸點鍵合將邏輯芯片的焊盤部分連接到半導體芯片的元件區的這種方法構成，因為電信號的傳輸延遲被抑制，所以該半導體器件能夠實現元件的高速操作性能。邏輯芯片直接連接到dram，因此，可以抑制由互連引起的負載電容的增加，以及通過多管腳連接保證寬的總線寬度。結果，在抑制從邏輯芯片至dram的信息傳輸延遲時，可以增強半導體器件的性能。
[8103-0213-0004] 半導體元件
[摘要] 本發明是關于一種半導體元件，其包括具有一個頂端表面的一個半導體芯片、包括位在電極墊上的第一部分以及由第一部分延伸出來的第二部分的一個導電物件、以及封住半導體芯片的頂端表面以及導電物件的一個封裝樹脂。第二部分的頂端表面會被封裝樹脂暴露出來，而一部分的第二部分的頂端表面會自封裝樹脂的表面凹陷，一個外部終端會形成在第二部分的頂端表面上。
[8103-0062-0005] 光電電池
[摘要] 一種光電電池，包括第一個和第二個電極、在緙溲由斕男磯嗄擅紫吆筒賈迷諛擅紫咧淶慕峁埂
[8103-0079-0006] 金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
[摘要] 一種金屬氧化物半導體晶體管的制造方法，首先提供已形成有柵極結構的基底，接著在柵極結構兩側的基底中形成源極/漏極延伸區，然后在基底上形成含碳的材料層，再回蝕此含碳的材料層以于柵極結構的側壁上形成間隙壁，之后，于間隙壁兩側的基底中形成源極/漏極區，即完成金屬氧化物半導體晶體管。
[8103-0091-0007] 電路板及其制造方法
[摘要] 在根據本發明的電路板(100)中，在襯底上，在包括能夠在電絕緣態與導電態之間交替變化的相變材系南啾洳?10)的至少一部分中，形成導電路徑(20、21)，所述導電路徑通過相變層(10)中的相變已經轉入導電態，其中所述相變材料包括硫族化物半導體，通過激光照射在電絕緣態與導電態之間變化，在結晶相中進入導電態，在非晶相中進入電絕緣態。以這種方式，通過把激光照射到相變層上、利用由能夠在電絕緣態與導電態之間交替變化的相變材料形成的相變層中的相變，來形成導電路徑，并且因此可以形成尺寸非常小的微型孔和導體。此外，隨后的修復、再加工或微調也很容易。
[8103-0054-0008] 薄膜晶體管電子器件及其制造
[摘要] 一種電子器件(70)，包括一個薄膜晶體管(tft)(9，59)，此薄膜晶體管包含一個溝槽，它形成在一層多晶半導體材料(10，48)內。此多晶半導體材料是采用金屬原子(6)加快結晶過程使非晶體半導體材料(2)結晶而產生的。多晶半導體材料(10)所含金屬原子的平均濃度在1.3×1018至7.5×1018原子/cm3的范圍內。這使得制成的多晶半導體薄膜晶體管的漏電流特性可適用于有源矩陣顯示器中，這時采用金屬誘發結晶過程所花的時間比以前認為需要的時間短得多。另外，這種過程時間的縮短有助于可靠地制造具有金屬底柵極的多晶硅薄膜晶體管。
[8103-0159-0009] 半導體器件及其制造方法和制造設備
[摘要] 本發明的目標在于能夠在高介電常數薄膜和硅襯底之間的界面中形成具有氧化硅膜和硅之間的高質量界面的柵絕緣膜結構，以提供一種能夠改善界面電特性的半導體器件和半導體制造方法，而這正是在實際使用高介電常數絕緣膜時一直長期存在的課題。在硅襯底101的表面上形成基礎氧化硅膜103后，金屬層淀積工藝和提供構成基礎氧化硅膜103表面上的高介電常數薄膜的金屬元素的熱處理工藝，可使金屬元素擴散到基礎氧化硅膜103中，由此形成絕緣膜結構105作為柵絕緣膜。包括硅酸鹽區的絕緣膜結構105包括氧化硅膜區、硅酸鹽區和富金屬區，從而形成了具有組份調制的硅酸鹽結構，其中金屬的組份隨著越靠近上部而增加，且硅的組份隨著越靠近下部而增加。
[8103-0088-0010] cmos阱結構及其形成方法
[摘要] 一種用于形成cmos阱結構的方法，包括：在襯底上形成多個第一導電類型的阱，多個第一導電類型的阱中的每一個形成在第一掩模的各開口中。在第一導電類型的阱的每一個上形成蓋，并去除第一掩模。在第一導電類型的阱的每一個的側壁上形成側壁間隔件。形成多個第二導電類型的阱，多個第二導電類型的阱的每一個形成在各個第一導電類型的阱之間。在第一導電類型的阱和第二導電類型的阱之間形成多個淺溝槽隔離。通過第一選擇性外延生長工藝形成多個第一導電類型的阱，通過第二選擇性外延生長工藝形成多個第二導電類型的阱。
[8103-0055-0011] 將半導體芯片固定在塑料殼本體中的方法、光電半導體構件和其制造方法
[8103-0206-0012] 通過比例縮放使電路面積最小化
[8103-0131-0013] 熱處理方法和熱處理裝置
[8103-0141-0014] 密封環總成和安裝方法
[8103-0009-0015] 非揮發性存儲單元及其制造方法
[8103-0129-0016] 具應力吸收半導體層之半導體組件及其制造方法
[8103-0149-0017] 包含二-維陣列的電致發光器件
[8103-0205-0018] 記憶胞的操作方法
[8103-0189-0019] 金屬氧化物半導體場效應電晶體及其制造方法
[8103-0118-0020] 發光元件及其制造方法
[8103-0174-0021] 等離子體處理設備和等離子體處理方法
[8103-0064-0022] 聚合物電荷遷移組分和由其制得的電子器件
[8103-0065-0023] 抑制相鄰通道間耦合串擾的電極布線結構及其制造方法
[8103-0178-0024] 第ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第ⅲ族氮化物半導體器件
[8103-0186-0025] 襯底拋光裝置
[8103-0021-0026] 發光二極管及其制造方法
[8103-0138-0027] 自修復聚合物組合物
[8103-0005-0028] 可避免電磁干擾的半導體封裝件及其制法
[8103-0134-0029] 高溫下各向異性地蝕刻多層結構
[8103-0019-0030] 發光二極管
[8103-0094-0031] 散熱裝置
[8103-0201-0032] 標記方法及標記裝置和檢查裝置
[8103-0095-0033] 芯片封裝體及其制造方法
[8103-0142-0034] 被處理體的輸送方法
[8103-0114-0035] 氮化鎵系發光二極管的結構及其制作方法
[8103-0193-0036] 接觸式影像傳感器的組裝方法及其結構
[8103-0120-0037] 大功率發光二極管熒光粉涂層工藝
[8103-0001-0038] 散熱裝置及其制備方法
[8103-0150-0039] 納米電子器件和電路
[8103-0194-0040] 形成晶粒封裝保護層的方法
[8103-0003-0041] 樹脂密封半導體器件和引線框架、及其制造方法
[8103-0203-0042] 制造自對準納米柱形空氣橋的方法以及由之制造的結構
[8103-0034-0043] 撓性配線基板及其制造方法
[8103-0103-0044] 具有孔洞的影像感測裝置及其制造方法
[8103-0165-0045] 帶有霍爾元件的磁場傳感器
[8103-0198-0046] 半導體裝置
[8103-0207-0047] 制造高性能銅疊層感應器的方法
[8103-0028-0048] 將相異移除速度應用到襯底表面的方法與裝置
[8103-0122-0049] 單片式白光發射器件
[8103-0101-0050] 半導體集成電路及其修改方法
[8103-0012-0051] 制造固態成像器件的方法
[8103-0020-0052] 發光二極管及其制造方法
[8103-0153-0053] 磁隨機存取存儲器
[8103-0176-0054] 改善晶圓圖案化結構臨界尺寸均勻性方法及用于微影系統
[8103-0043-0055] 集成半導體結構
[8103-0075-0056] 碳化硅熱處理裝置和方法
[8103-0035-0057] 用于改良電化學電容電壓測量準確度及可重復性的監控裝置及方法
[8103-0163-0058] 提高光伏電池輸出功率的方法
[8103-0011-0059] 影像傳感器組件及其制造方法
[8103-0015-0060] 非晶硅太陽能電池夾膠玻璃組件
[8103-0007-0061] 半導體器件
[8103-0031-0062] 在基板上形成絕緣膜的方法、半導體裝置的制造方法和基板處理裝置
[8103-0179-0063] 制造化合物半導體的方法和制造半導體器件的方法
[8103-0210-0064] 用于削弱電磁干擾的系統和方法
[8103-0027-0065] 短溝道場效晶體管制造方法
[8103-0090-0066] 離子布植掩膜式只讀存儲器及其制造方法
[8103-0200-0067] 用以分析晶片制程中的集成電路的缺陷的設備及方法
[8103-0196-0068] 網版印刷金屬蒙版和振動部件的樹脂密封方法
[8103-0052-0069] 固體攝像器件
[8103-0010-0070] 3d rram
[8103-0025-0071] 用于控制受控元件的有源矩陣背板及其制造方法
[8103-0199-0072] 非易失性存儲器評估方法和非易失性存儲器
[8103-0089-0073] 用于制造垂直dram中的鎢/多晶硅字線結構的方法及由此制造的器件
[8103-0211-0074] 基板
[8103-0119-0075] 氮化物系半導體發光元件
[8103-0110-0076] 具有改進的開態電阻性能的高電壓橫向fet結構
[8103-0042-0077] 使用納米管冷卻管芯并使其接地的方法和裝置
[8103-0204-0078] 切割模片粘接膜
[8103-0076-0079] 異質結雙極晶體管及其制造方法
[8103-0040-0080] 可穿戴的硅芯片
[8103-0215-0081] 半導體裝置
[8103-0058-0082] 大功率、高光通量發光二極管及其制作方法
[8103-0099-0083] 具有靜電放電保護電路的半導體電路的保護裝置
[8103-0032-0084] 縱向結型場效應晶體管及其制造方法
[8103-0030-0085] 具有改進型抗蝕劑及/或蝕刻輪廓特征的介電膜用蝕刻方法
[8103-0180-0086] 制備單晶gan襯底的方法及單晶gan襯底
[8103-0181-0087] 在鋁酸鎂襯底上高質量鋅極性zno單晶薄膜的制備方法
[8103-0085-0088] 半導體器件
[8103-0121-0089] 發光元件及其制造方法
[8103-0166-0090] 自對準納米管場效應晶體管及其制造方法
[8103-0074-0091] 電鍍方法
[8103-0151-0092] 肖特基壁壘cmos器件及其方法
[8103-0071-0093] 同時雙面研磨晶片形工件的裝置
[8103-0139-0094] 利用箔片層封裝電子元件的方法
[8103-0218-0095] 半導體襯底及其制造方法以及半導體器件
[8103-0053-0096] 含有場效應晶體管的集成電路及其制造方法
[8103-0002-0097] 半導體晶片封裝體及其封裝方法
[8103-0202-0098] 觀察裝置和觀察方法
[8103-0170-0099] 制作用于雙柵soi工藝的標記的方法
[8103-0047-0100] 堆疊有絕緣腔的芯片
[8103-0037-0101] 從包括緩沖層的晶片轉移薄層
[8103-0124-0102] 保護半導體器件的方法及采用這種方法用于半導體器件的保護裝置
[8103-0061-0103] 具有透明陰極的場致發光設備
[8103-0104-0104] 固體攝像裝置及其制造方法
[8103-0126-0105] 用于探測基片的斜角傳感器
[8103-0109-0106] 半導體器件及其制造方法
[8103-0154-0107] 半導體襯底的制造方法以及半導體裝置的制造方法和由該方法制造的半導體襯底以...
[8103-0016-0108] 紅外接收器芯片
[8103-0022-0109] 熱電材料和使用該熱電材料的熱電組件
[8103-0107-0110] 半導體元件及其制造方法
[8103-0112-0111] 薄膜晶體管、半導體器件及其制造方法
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[8103-0080-0115] 降低半導體器件連接區域的接觸電阻的方法
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[8103-0087-0118] 半導體集成電路
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[8103-0073-0122] 半導體裝置及其制造方法
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[8103-0077-0126] 垂直場效應晶體管及其制作方法和含有它的顯示裝置
[8103-0006-0127] 單晶集成電路具集電極電流控制觸發的esd保護電路
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