襯底,處理襯底,半導體襯底,襯底元最新技術匯編(168元/全套)
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[8173-0126-0001] 可單點選通式微電磁單元陣列芯片、電磁生物芯片及應用
[摘要] 本發明示出了可單點選通式微電磁單元陣列芯片和電磁生物芯片以及利用這些芯片定向操縱生物分子和化學試劑等微粒和微構體的方法。電磁生物芯片包括具有可單點選通式微電磁單元的芯片，表面固定有配基分子。通過控制陣列中每個單元的電磁場并使用經磁性修飾的生物分子，可以定向操縱、合成和釋放生物分子，提高生化分析或化學分析的靈敏度并減少分析時間。這類芯片的另一優點是可減少對生物分子的損害并提高分析結果的可重復性。
[8173-0203-0002] 半導體模塊及使用該半導體模塊的電力變換裝置
[摘要] 一種半導體模塊，其中引線電極和與樹脂殼體分離的樹脂構件一體成形，或被壓入到樹脂中，通過粘接劑等把接插件粘接到基板上，該接插件具有用于與引線電極引線鍵合的焊盤，在該基板上半導體功率器件也以類似方式安裝到模塊殼體上。由此，電極可以設置在半導體模塊中的合適位置上，還可以提高設計自由度。
[8173-0189-0003] 制造半導體部件的方法
根據本發明的制造半導體部件的方法包括：制備在半導體襯底上具有無孔層的第一部件的第一步驟；從第一部件上將無孔層轉移到第二部件上的第二步驟，其中（ｎ－１）（“ｎ”是不小于２的自然數）次使用在第二步驟中無孔層從其上分離下的半導體襯底，作為第一步驟的第一部件的構成材料，重復ｎ次第一和第二步驟，在第ｎ次使用時，在第二步驟，分離該半導體襯底，分離的半導體襯底用于除第一和第二步驟外的應用。
[8173-0040-0004] 半導體參數分析方法及其系統
[摘要] 本發明涉及一種半導體器件參數比例差值算符分析方法及其系統。先通過半導體參數測試儀器測量完整的半導體器件ⅰ－ⅴ輸出特性，然后通過比例差值算符分析軟件系統對上述ⅰ－ⅴ特性進行比例差值處理，得到相應的比例差值ⅰ－ⅴ函數特性和半導體參數。與傳統的擬合法或外推法相比，提高了精度，縮短了測試程序，明顯地提高了工效。可應用于半導體參數信息處理領域。
[8173-0132-0005] 改善工藝窗口的凸出增強掩模
[摘要] 根據本發明的平版印刷處理用的掩模圖形包括基本彼此平行設置于基片上的多個細長結構和多個從細長結構橫向延伸到兩細長結構間的空間中的副分辨率凸出部分，所說多個凸出部分在平行于細長結構的方向具有基本相同的尺寸，所說多個凸出部分在平行于細長結構的方向周期性地間隔開，所說細長結構和所說凸出部分由能量吸收材料構成。
[8173-0017-0006] 硅基雙勢壘結構隧道發光二極管及其制造方法
[摘要] 硅基雙勢壘結構隧道發光二極管及其制造方法是一種硅基發光管及其制造方法，該發光管結構為以硅片為基底，在硅片的上表面設有一層磷擴散層，在磷擴散層上設有一厚層的二氧化硅薄膜，在厚層二氧化硅薄膜上設有一個小孔，該小孔底部為薄層二氧化硅薄膜，在小孔外的厚層二氧化硅薄膜旁設有以高純鋁膜制成的負電極與磷擴散層相連，在小孔中薄層二氧化硅膜上設有另一種氧化物膜，在氧化物膜上設有粘結層鈦，在粘結層鈦上設有作為正電極的金膜。
[8173-0201-0007] 電器件及其制造方法
[摘要] 提供具有隨電壓變化的電容的電器件（１０），包括半導體材料的第一區（１２）及形成于第一區中的半導體材料的第二區（１３）和第三區（１４），第二和第三區通過隔離區隔離；形成于第一區上至少對應于隔離區的區處的電絕緣層（１５）；形成于絕緣層上至少對應于隔離區的區處的基本導電元件（１６），以便該絕緣層電絕緣基本導電元件與第一、第二和第三區；與基本導電元件連接的第一電極（１７）；與第二和第三區連接的第二電極（１８）。并公開了器件的制造方法。
[8173-0184-0008] 電子元件及其制備方法
[摘要] 使用馬氏體組織硬化導電合金制造的電子元件，該類電子元件主要包括電子組件，多個接頭和外殼，還涉及電子元件的制造方法。在接頭框開口后進行組織硬化處理。
[8173-0016-0009] 順序制作的集成電路封裝
[摘要] 本發明公開了一種增強球網格陣列襯底封裝及其制造方法，其中該襯底封裝包括一個帶有一第一表面和與該第一表面相對的一第二表面的金屬芯（２０４）。該金屬芯進一步包括至少一個腔，在該腔中布置有至少一個集成電路（２０２）。一電介質層固接在所述金屬芯的第一表面上，并包括至少一個形成于其中的模腔。之后，一導電籽晶層（２１８）化學沉積在電介質層的暴露部分和金屬芯的第一表面上。緊鄰著籽晶層，一電路電解地及可選擇地成形在一第一電路圖樣中。
[8173-0087-0010] 樹脂密封的半導體器件
[摘要] 本發明的樹脂密封半導體器件包括：具有其上安裝半導體元件的島和內引線的引線框；用于發散半導體元件中產生的熱的散熱器，在散熱器、島的下部和內引線不用粘合劑相互面接觸的情況下進行樹脂密封，散熱器的一部分在其外周部分與內引線的一部分接觸。提高了散熱器的散熱效率。
[8173-0013-0011] 用于高頻集成電路的襯底
[8173-0103-0012] 自對準溝道注入
[8173-0053-0013] 太陽能電池組件
[8173-0092-0014] 用于檢測集成電路封裝引腳焊接的裝置和方法
[8173-0190-0015] ⅲ族類氮化物半導體器件及其制造方法
[8173-0167-0016] 標準封裝的高可靠性的耐用ⅲ族元素發光二極管
[8173-0073-0017] 制造薄柵氧化硅層的方法
[8173-0081-0018] 半導體器件及其制造方法
[8173-0218-0019] 半導體器件及其制造方法
[8173-0084-0020] 電路裝置制造設備
[8173-0109-0021] 用于建立芯片一襯底－連接的設備和方法
[8173-0142-0022] 消除應力的球柵陣列封裝
[8173-0097-0023] 形成金屬氧化物半導體器件的柵氧化物的方法
[8173-0011-0024] 制造有源矩陣器件的方法
[8173-0049-0025] 具有延長的電遷移壽命的連接件
[8173-0052-0026] 具有至少一個從含se層至含bete層的過渡層的ⅱ－ⅵ半導體器件及此過渡層...
[8173-0045-0027] 雙極功率晶體管及其制造方法
[8173-0067-0028] 半導體裝置的制造方法及熱處理裝置
[8173-0163-0029] 用于通過植入法摻雜的sic半導體區的熱自愈方法和sic基半導體元件
[8173-0192-0030] 半導體器件及其制造方法
[8173-0004-0031] 半導體晶片的制造方法及其使用和利用方法
[8173-0107-0032] 氮化物半導體元器件
[8173-0158-0033] 電子元件制造用的濕法處理方法
[8173-0155-0034] 半導體器件以及半導體器件的制造方法
[8173-0005-0035] 晶體鈣鈦礦鐵電單元的退火和呈現阻擋層特性改善的單元
[8173-0023-0036] 半導體結晶、其制造方法及半導體裝置
[8173-0034-0037] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8173-0215-0038] 電子束光刻方法及其裝置
[8173-0105-0039] 復合元件、襯底疊層及分離方法、層轉移及襯底制造方法
[8173-0166-0040] 制造彩色有機發光二極管顯示器的激光燒蝕方法
[8173-0136-0041] 蝕刻和清洗方法及所用的蝕刻和清洗設備
[8173-0069-0042] 采用虛擬鏡像封裝件的電路互連
[8173-0209-0043] 半導體發光器件及其制造方法和制造透明導體膜的方法
[8173-0001-0044] 利用液相外延技術制作微型硅構件的方法
[8173-0090-0045] 一種制造半導體器件的方法
[8173-0207-0046] 帶有或不帶有功能元件的包含聚合物材料的電極部件和所述部件構成的電極裝置
[8173-0010-0047] 制造半導體器件冠式電容器的方法
[8173-0068-0048] 絕緣柵晶體管
[8173-0056-0049] 芯片焊接焊料
[8173-0197-0050] 在半導體器件中形成銅布線的方法
[8173-0038-0051] 靜態隨機存取存儲器單元及其制造工藝
[8173-0145-0052] 用于千兆位動態隨機存取存儲器的場屏蔽溝槽隔離
[8173-0144-0053] 半導體裝置及其制造方法
[8173-0042-0054] 結晶性硅系列半導體薄膜的制造方法
[8173-0079-0055] 容納壓電變壓器的外殼和與其連接的基座接頭和插座接頭
[8173-0130-0056] 晶片和對晶片進行倒角的裝置和方法
[8173-0030-0057] 降低隨機存取記憶體的周邊接觸窗高寬比的方法
[8173-0116-0058] 測量動態邏輯電路中設置測試的方法和裝置
[8173-0026-0059] 半導體封裝及其制造方法
[8173-0128-0060] 半導體器件及其制造方法
[8173-0199-0061] 具有可切換的感光靈敏度的有機二極管
[8173-0095-0062] 淺結半導體器件的制造
[8173-0200-0063] 壓電元件
[8173-0032-0064] 半導體器件的制造方法
[8173-0006-0065] 功率半導體元件及其制造方法
[8173-0086-0066] 功率半導體模塊
[8173-0099-0067] 用于鋁化學拋光的虛擬圖形
[8173-0185-0068] 帶倒置misfet結構的超導體場效應晶體管制造方法
[8173-0123-0069] 光電晶體
[8173-0165-0070] 雙極型功率晶體管及其制造方法
[8173-0186-0071] 紫外光表面清洗機
[8173-0172-0072] 晶體管最優化方法、集成電路布局設計方法及其相應裝置
[8173-0003-0073] 改進的接觸和深溝槽構圖
[8173-0077-0074] 半導體裝置、其安裝結構體及其制造方法
[8173-0139-0075] 半導體器件及其制造方法
[8173-0170-0076] 光接收元件和光電轉換裝置
[8173-0175-0077] 制造半導體器件的方法
[8173-0214-0078] 脈寬檢測
[8173-0100-0079] 用于制作半導體晶圓的感壓膠帶
[8173-0074-0080] 微電子元件和包括dna的電子網絡
[8173-0195-0081] 用于減少金屬線刻蝕后腐蝕的敷金屬層刻蝕技術
[8173-0205-0082] 用于壓電變壓器裝置的殼體
[8173-0122-0083] 太陽能電池組件和發電裝置
[8173-0149-0084] 半導體器件及其制造方法
[8173-0018-0085] 處理襯底的設備和方法
[8173-0050-0086] 防止在晶片的邊緣上形成黑硅的方法和裝置
[8173-0007-0087] 柵格焊球陣列半導體器件及其制造方法
[8173-0135-0088] 改善化學機械拋光的均勻性
[8173-0117-0089] 分離裝置、分離方法及制造半導體襯底的方法
[8173-0119-0090] 低構型軸流單葉片壓電風扇
[8173-0112-0091] 用來洗滌硅片的方法
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[8173-0066-0093] 制作用于射頻的集成電路器件的工藝
[8173-0098-0094] 磷化銦表面清潔方法
[8173-0131-0095] 超音波洗滌機以及具有超音波洗滌機的濕處理噴嘴
[8173-0194-0096] 半導體器件的制造方法
[8173-0089-0097] 使用雙鑲嵌工藝生產半導體器件的方法
[8173-0085-0098] 芯片上引線半導體封裝及其制造方法
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[8173-0060-0102] 動態隨機存取存儲器
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[8173-0202-0105] 絕緣柵型雙極型半導體裝置
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[8173-0070-0111] 用于垂直晶體管的可控制的槽頂部隔離層的形成
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[8173-0044-0117] 具有掩埋異質結構類型的激光二極管
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[8173-0219-0219] 襯底及其制造方法
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