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以下為光盤目錄：
1、可控制電源線與 或接地線的電位電平的半導體存儲裝置
[技術摘要]通過將電平控制信號共同設于H電平并將電源線的電位共同設為低于電源電位，能夠大幅度減少存儲單*陣列的等待時和寫入動作時的柵漏電流。并且，通過將電平控制信號分別設定于L電平、H電平并只將電源線的電位設為低于電源電位，能夠減少存儲單*陣列讀出動作時的電力消耗。
2、半導體集成電路、電子機器及晶體管的背柵電位控制方法
[技術摘要]本發明提供一種半導體集成電路，具備：多個電路塊，具有從動作狀態向待機狀態或從待機狀態向動作狀態的狀態遷移；和主單*，根據預先規定多個電路塊各自的狀態遷移之有限狀態機，按事件驅動方式控制形成電路塊的邏輯*件的晶體管的背柵電位。由此，可以實現半導體集成電路的進一步電力低消耗化，同時加快從電路的待機狀態向動作狀態的移動。
3、多電位場極板橫向高壓N型金屬氧化物半導體管
[技術摘要]本實用新型公開了一種涉及高壓器件的多電位場極板高壓N型金屬氧化物半導體管，由N型襯底、P型外延層、源、漏、多晶硅柵、場氧化層和氧化層組成，在場氧化層的上方且位于漏和多晶硅柵之間設有多晶硅場極板，該多晶硅場極板與漏連接。本實用新型引入了與漏端等電位的多晶硅場極板，這樣可以使得在多晶硅場極板下方的漂移區表面處于載流子的積累狀態，從而大大降低開啟態時漏端與多晶硅場極板之間的峰值電場，從而減少漏端載流子的碰撞電離，大大降低Kirk效應，提高了器件的擊穿電壓和安全工作區。
4、快速穩定的互補金屬氧化物半導體恒電位儀電路
[技術摘要]一種快速穩定的互補金屬氧化物半導體恒電位儀電路，涉及生化傳感器技術，包括運算放大器、偏置電源、兩個*電極和NMOS管，一個單*雙擲開關、一個穩壓電容以及一個控制開關狀態的數字邏輯電路，其中，偏置電源的正端和傳感器的一個*電極分別接運算放大器的正、反向輸入端，偏置電源的負端和另外一個*電極共同接地電平；NMOS管的柵極接運算放大器的輸出端，源極接運算放大器的反向輸入端，漏極作為恒電位儀的輸出端；穩壓電容一端接地電平，另一端接單*雙擲開關；單*雙擲開關的兩個狀態分別接到了運算放大器的正、反向輸入端，數字邏輯電路負責控制開關的打向。本發明使恒電位儀輸出端點輸出一個更接近理想的恒流源。
5、能夠防止襯底電位起伏的半導體器件
6、可以抑制噪音并供給電源電位的半導體集成電路裝置
7、全局位線對的電位振幅*成部分擺幅的半導體存儲裝置
8、基準電位發生裝置和備有該裝置的半導體存貯裝置
9、開放式共等電位半導體電致冷組件及電**總成件
10、電位發生電路、電位發生裝置和用它的半導體裝置和其驅動方法
11、配有可從外部調整內部電源電位的內部電位產生電路的半導體集成電路裝置
12、多電位場極板橫向高壓N型金屬氧化物半導體管
13、具有電位控制電路的半導體存儲器
14、可控制電源線與 或接地線的電位電平的半導體存儲裝置
*、利用標準單*通過自動布線形成的半導體集成電路器件以及固定其阱電位的設計方法
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