電路,半導體集成電路器件,處理電路,檢測電路最新技術匯編(168元/全套)
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[2104-0124-0001] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種對布線上的等離子體ＳｉＯＦ氧化層有良好鍵合性能并對掩埋布線間隔部位有良好掩埋性能的半導體器件。它在半導體襯底上淀積形成一層要作布線基底的金屬層，在金屬層上淀積形成一層難熔金屬或其化合物的抗反射層，并在抗反射層上淀積形成一層絕緣層。之后，加工絕緣層圖形并用其作掩膜刻蝕抗反射層和金屬層加工布線圖形并在布線上留有抗反射層和絕緣層。再將加工成圖形的布線連同抗反射層和絕緣層一起掩埋入ＳｉＯＦ層。
[2104-0053-0002] 具有珀爾帖器件的光電元件模塊
[摘要] 一種光電元件模塊包括光電元件、冷卻光電元件的珀爾帖單元和封裝該光電元件和帖爾帖單元的管殼。光電元件直接或通過一固定部件間接安裝在珀爾帖單元的第一表面上。珀爾帖單元的第二表面通過接合結構與管殼的安裝面接合，同時使珀爾帖單元能沿管殼的安裝面移動。由珀爾帖單元的第二表面和管殼的安裝面的熱膨脹系數間差別產生的熱應力被沿管殼安裝面相對于管殼的珀爾帖單元的位置移動釋放掉。接合結構產生用于接合的一磁場力或彈性力。
[2104-0052-0003] 制造互補ＭＯＳ半導體器件的方法
一種制備互補ＭＯＳ半導體器件的方法，其步驟為：在半導體襯底的主表面上形成柵絕緣膜；在所說柵絕緣膜上形成第一非晶硅膜；在所說第一非晶硅模的表面上形成約１ｎｍ厚的氧化物膜；在所說氧化物膜上形成第二非晶硅膜；退火所說第一和第二非晶硅膜，以便所說第一和第二非晶硅膜結晶；將所說第一非晶硅膜和所說第二非晶硅膜形成為柵極，同時將ｎ型雜質離子注入到ｎＭＯＳＦＥＴ區中，將ｐ型雜質離子注入到ｐＭＯＳＦＥＴ區中；用快速熱退火激活所說ｎ和ｐ型雜質。
[2104-0212-0004] 一種半導體器件
[摘要] 一種帶有安裝于其散熱片上的片狀器件半導體器件。該散熱片的形狀為其中央部分比兩端部分位置高。一個片狀器件安裝于散熱片中央部分的下表面上，而該散熱片的中央部分的上表面從樹脂部分中暴露出來。由于散熱片的中央部分下表面安裝著片狀器件，而其上表面從樹脂部分中暴露出來，則由片狀器件產生的熱量可以有效地散發出去。
[2104-0156-0005] 用于半導體存儲器件的數據讀出電路
[摘要] 本發明涉及一種高速鎖定讀出放大器的半導體存儲器件的數據出電路，包括用于接收來自存儲單元陣列的輸出數據的鎖定讀出放大器和電流鏡像型讀出放大器，用于將來自信號延遲單元的輸出信號和來自電流鏡像型讀出放大器的輸出信號相比較的比較單元，用于接收來自比較單元的同信號并輸出一個脈沖信號的脈沖發生器，以及控制器和組合單元。
[2104-0181-0006] 改善高崩潰電壓的半導體功率整流器電壓突降的方法
[摘要] 本發明提供一種改善高崩潰電壓的半導體功率整流器電壓突降的方法，藉由在半導體基材及磊晶層之間設立隔絕層，即可使半導體基材上的晶格微缺陷不致影響到磊晶層，因此可以避免逆向電壓突降現象，進而使此半導體功率整流器即使在４５０伏以上的高崩潰電壓下也可工作。
[2104-0060-0007] 視頻信號重放電路
[摘要] 本發明的目的在于提供一種采用鈮酸鋰基片制作的表面聲波濾波器２并對其溫度－頻率特性進行補償，且整體結構簡單、生產成本低廉的視頻信號重放電路。其具有接收播放信號并將其變換成中頻信號的調諧部分１；連接在調諧部分１的輸出端上的表面聲波濾波器２，使調諧部分１或者調諧部分１和視頻均衡電路４分別具有溫度－頻率特性，產利用此特性，來抵消表面聲波濾波器２的溫度－頻率特性。
[2104-0111-0008] 恒磁電磁接觸器／繼電器
[摘要] 本發明包括殼架、觸點、觸點動作機構、線圈，觸點動作機構由永久磁鐵、鐵棒、支架組成。其中：線圈套在鐵棒上，鐵棒支承在支架上，永久磁鐵固定在支架上對應鐵棒端頭的位置。它利用給線圈通以正反向直流電，在鐵棒上產生兩種不同方向的磁場，再利用鐵棒磁場與永久磁鐵間同性相斥、異性相吸的原理來控制接觸器或繼電器動作。接觸器或繼電器動作后，由于鐵棒已被永久磁鐵牢牢吸住，故不需繼續給線圈通電。它具有節能、工作時無噪音、防爆、制造工藝簡單的優點。
[2104-0169-0009] 電纜連接器和配有這種連接器的監視器
[摘要] 一電纜連接器和配有這種電纜連接器的監視器，它可以減少連接器和用于固定連接器的托架的變形，其中，連接器包括：一外殼套筒，外殼套筒中包括用于將連接器固定到ＰＣＢ上的件和貫穿連接器徑向的孔；一銷，它安裝到外殼套筒的通孔中，并固定到ＰＣＢ上，其一端沿徑向被分成四片，用于向ＰＣＢ傳送電信號；和一絕緣件，它置于銷和外殼套筒之間。
[2104-0093-0010] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 提供制造半導體器件的方法，其特征在于，通到半導體襯底（１）的第一接觸孔（８）和通到第一布線層（４）的第二接觸孔（９，９Ａ）是同時在第三步驟中形成的，通到半導體襯底（１）的第三接觸孔（１８）和通到第二布線層（１１）的第四接觸孔（１９，１９Ａ）是同時在第六步驟中形成的。上述方法減少了制造半導體器件所使用的掩模的數量，并使成品率提高，在柵極上形成接觸孔的可設計性提高。
[2104-0164-0011] 單元掃描控制器
[2104-0096-0012] 非易失性半導體存儲器件的擦除方法
[2104-0114-0013] 球點陣半導體器件外殼及其制造工藝
[2104-0007-0014] 以機載ＧＰＳ電子地圖預禁止系統，扼制自殺性劫機事件的抗偏航自適應駕駛儀
[2104-0172-0015] 可設定升、降壓時間及高、低壓保護過電流的穩壓電路裝置
[2104-0159-0016] 堿性電池
[2104-0022-0017] 數模轉換方法
[2104-0097-0018] 半導體器件及其輸出電路
[2104-0083-0019] 可變電容器及其電感－－電容的組合部件
[2104-0180-0020] 印刷電路板
[2104-0054-0021] 半導體存儲器件
[2104-0153-0022] 電子裝置、電子裝置的測定裝置以及測定方法
[2104-0182-0023] 一種能有效復位子字線的半導體器件
[2104-0162-0024] 水性墨用噴／涂／印刷基材表面處理劑組合物
[2104-0211-0025] 線切割放電加工控制方法與裝置
[2104-0012-0026] 使用共享電路的合成ＧＰＳ定位系統及通信系統
[2104-0071-0027] 半導體器件成膜方法
[2104-0157-0028] 陶瓷／鋁共連續復合材料的制造方法
[2104-0165-0029] 模塊合成裝置及模塊合成方法
[2104-0204-0030] 產生短時同步延遲信號的電路及使用該電路的倍頻電路
[2104-0100-0031] 一種發電機滅磁電路
[2104-0078-0032] 回路基板
[2104-0200-0033] 利用微波的低溫、低浸泡率、無張力和短期染色法及裝置
[2104-0048-0034] 調幅多路廣播裝置
[2104-0127-0035] 加工電池卷繞體的裝置及傳送電池卷繞體的裝置和方法
[2104-0210-0036] 半導體基片及其制作方法
[2104-0074-0037] 集合基板及采用該集合基板的電子產品的制造方法
[2104-0050-0038] 硅化物層和絕緣層之間不發生分離的半導體器件加工工藝
[2104-0011-0039] 在ＧＰＳ信號接收機中使用的延遲鎖相環
[2104-0137-0040] 半導體器件及其制造方法
[2104-0176-0041] 半導體器件的電路校驗方法
[2104-0178-0042] 平板導體的電連接器
[2104-0170-0043] 半導體延遲電路
[2104-0193-0044] 半導體器件的制作方法
[2104-0126-0045] 在半導體芯片進行接合的構造和應用該構造的半導體裝置
[2104-0099-0046] 環扣型手持電控裝置
[2104-0129-0047] 波紋管和用管子作為套的導線束
[2104-0039-0048] 地線接頭
[2104-0091-0049] 電連接器及其制造方法
[2104-0088-0050] 半導體基板和層疊的半導體封裝及其制作方法
[2104-0152-0051] 控制無線電裝置的發射輸出的方法
[2104-0173-0052] 制造半導體器件的清洗組合物和用其制備該器件的方法
[2104-0067-0053] 非接觸電測量旋轉扭矩的方法
[2104-0034-0054] 半導體器件中的互連系統
[2104-0136-0055] 歐姆電極的形成方法及半導體裝置
[2104-0202-0056] 集熱管以及采用該集熱管的熱水裝置
[2104-0168-0057] 相鄰電路之間平面和非平面柔性電連通的方法和設備
[2104-0104-0058] 一種固體電解質及其制備方法和用途
[2104-0030-0059] 用于衰減諧波電流的電路
[2104-0040-0060] 電話單線多機系統
[2104-0121-0061] 用于直接點燃電站煤粉鍋爐的等離子點火裝置
[2104-0028-0062] 解決集成電路靜電放電問題的電路布局
[2104-0046-0063] 聲控電腦用語音輸入裝置
[2104-0105-0064] 場效應晶體管
[2104-0144-0065] 輸出信號重復周期不同于輸入信號的鉗形運動延遲電路
[2104-0020-0066] 半導體器件裝配構造和半導體器件裝配方法
[2104-0073-0067] 電氣零件的安裝裝置及該電氣零件的安裝方法
[2104-0023-0068] 制造混合線路的方法
[2104-0185-0069] 一種高速、高精度模／數（Ａ／Ｄ）轉換器
[2104-0077-0070] 電荷耦合元件校正方法及其裝置
[2104-0171-0071] 天然電磁輻射測深技術的方法及其裝置
[2104-0161-0072] 靜電集塵裝置
[2104-0065-0073] 變頻電源
[2104-0206-0074] 具有鄰近驅動晶體管源極小區域的靜態隨機存取存儲器
[2104-0061-0075] 半導體器件
[2104-0006-0076] 結合ＧＰＳ的智能移動電子報站牌
[2104-0021-0077] 半導體存儲器件
[2104-0128-0078] 半導體器件的制備方法及用該方法形成的多層布線結構
[2104-0025-0079] 具有偽鍵合線的半導體集成電路器件
[2104-0069-0080] 半導體器件及其生產方法
[2104-0044-0081] 軟啟動的燈管限流裝置
[2104-0118-0082] 停電應急照明的逆變電源
[2104-0108-0083] 用于掃描測試的雙穩觸發電路
[2104-0199-0084] 一種快速測量的電子體溫計
[2104-0038-0085] 半導體只讀存儲器的高密度行解碼裝置
[2104-0140-0086] 有相互接觸的ｎ型和Ｐ型導電區的半導體集成電路器件
[2104-0109-0087] 用于匯流條分配器的電絕緣匯流條
[2104-0092-0088] 全彩色有機發光二極管及其制造方法
[2104-0141-0089] 存儲器專用控制器件和方法
[2104-0209-0090] 可變電容器
[2104-0057-0091] 影像感應元件和其處理電路的非線性校正方法
[2104-0145-0092] 在冰上粉碎超純硅
[2104-0094-0093] 頻率補償的二極管衰減器
[2104-0133-0094] 具有防潮隔膜的半導體器件
[2104-0016-0095] 高效發光二極管及其制造方法
[2104-0208-0096] 制造大規模集成電路的處理設備
[2104-0116-0097] 含大量絕緣柵場效應晶體管的高集成電路半導體器件
[2104-0122-0098] 具有端面對分通孔和內區通孔的半導體器件組件
[2104-0042-0099] 扁平導體的電接插件
[2104-0130-0100] 能保持三相輸入電流平衡的變相變頻變壓器
[2104-0149-0101] 移動電話外部資料編輯裝置
[2104-0187-0102] 抗反射膜材料以及利用所述材料制造半導體器件的方法
[2104-0138-0103] 采用熱管傳導散熱的溫差電致冷器
[2104-0055-0104] 半導體器件及其制造方法
[2104-0086-0105] 具有可變電容和電感的電感／電容組合元件
[2104-0089-0106] 電子裝置的屏蔽盒
[2104-0082-0107] 可調諧的金屬氧化物半導體線性跨導放大器
[2104-0107-0108] 用于加工半導體的化學機械研磨組合物
[2104-0203-0109] 防止集成電路誤入測試模式的內置裝置
[2104-0015-0110] 具有有效信號捕獲的ＧＰＳ接收機
[2104-0179-0111] 電磁屏蔽織物及其制作方法
[2104-0080-0112] 濾波器
[2104-0139-0113] 具有多層鍍層的半導體引線框架及其制造方法
[2104-0134-0114] 半導體清洗液以及使用其制造半導體器件的方法
[2104-0198-0115] 彩色顯象管用蔭罩的黑化和退火同時進行的方法
[2104-0004-0116] ＧＰＳ系統中ＧＰＳ信號的快速捕獲
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[2104-0076-0119] 一種高能脈沖電沉積陶瓷涂層的方法
[2104-0147-0120] 互成角度多顯示屏幕彩色顯像管
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[2104-0043-0122] 軟啟動的串聯燈管組限流裝置
[2104-0190-0123] 抗靜電粉末涂料及其噴涂方法
[2104-0196-0124] 屏蔽陰極射線管前面板發出的超低頻電場的裝置
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[2104-0205-0127] 一種半導體存儲器件
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[2104-0174-0130] 存儲器集成電路及應用它的主存儲器系統和圖形存儲器系統
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[2104-0117-0132] 停電應急照明裝置
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[2104-0102-0136] 振蕩電路及延遲電路
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[2104-0005-0139] 電子設備和使用該電子設備的外部裝置
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中國建設銀行：6227000601700008251 戶名：潘玉環
中國農業銀行： 6228481010628176818 戶名：潘玉環
中國工商銀行：0706002301102089632 戶名：潘玉環
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