BF20233半導體光電器件配方配比*技術 光電器件配方 半導體光電器(188元/全套)
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以下為光盤目錄:
1、寬勢阱半導體光電器件
[技術摘要]寬勢阱半導體光電器件具有弱光效率高、光譜寬、動態范圍廣、輸出大等特點。$這種器件由n型半導體材料構成的襯底(1)、隔離溝道(2)、p型擴散層(3)、n+
2、半導體光電器件
[技術摘要]本發明提供一種半導體光電器件,包括:有源層,包括量子阱和勢壘層;上和下波導層,分別形成在所述有源層之上和之下;上和下包層,分別形成在所述上和下波導層之上和之下;襯底,支承所得堆疊結構;上光學約束層OCL,設置在所述有源層與所述上和下波導層之間且具有小于所述上波導層的能隙且等于或大于所述勢壘層的能隙的能隙;以及下OCL,具有小于所述下波導層的能隙且等于或小于所述勢壘層的能隙的能隙。
3、制造光電器件和其它半導體器件用的氫化非晶硅合金的沉積物原料和摻雜劑材料
[技術摘要]分子式為 非模制半導體器件和采用它的光電器件模塊
[技術摘要]一種非模制半導體器件,包括固定于兩個外部連接接線端之間并與接線端電連接的半導體芯片;在鄰接半導體芯片的區域或在其鄰接半導體芯片及其附近的區域上,兩個接線端中的至少一個接線端有與其它區域硬度不同的硬度。該非模制半導體器件可以很好地抵抗外力,并當其用于光電器件模塊時,還可以提供具有高可靠性的非模制半導體器件。
4、包括半導體光放大器和光電二極管的集成光電
5、非模制半導體器件和采用它的光電器件模塊
6、具有非矩形基板的半導體光電器件及其制造方法
7、透鏡置于光纖和半導體激光二極管間的耦合型光電器件
8、用于制備可分離半導體組件的工藝、特別是制成電子器件、光電器件和光學器件用的襯底
9、一種用于光電器件封裝的半導體載體
10、結晶硅薄膜半導體器件,光電器件及前者的制造方法
11、利用化合物半導體的選擇性蝕刻制造*透鏡和集成有*透鏡的光電器件的方法
12、半導體光電器件
13、半導體光電器件
14、半導體光電器件
*、在磷化銦InP基片上形成通孔的方法及半導體光電器件
16、一種氮化鎵基半導體光電器件的制作方法
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