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[8115-0162-0001] 半導體加工用粘著片及半導體加工方法
[摘要] 本發明提供一種半導體加工用粘著片，在基材薄膜(1)的至少一面上具有粘著劑層(2)，所述基材薄膜(1)含有密度在0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯。根據本發明的半導體加工用粘著片，即使在薄型化的半導體芯片中也具有優良拾取性能。
[8115-0119-0002] 熱電變換裝置
[摘要] 提供一種可靠性高的熱電變換裝置，該熱電變換裝置(1)具有多個p型熱電元件(10)和n型熱電元件(11)，與應配置各個熱電元件(10、11)的位置對應配置的多個放熱側電極(13)，在形成平面的放熱側基板(14)的表面上配置成矩陣狀，關于多個p型熱電元件(10)和多個n型熱電元件(11)，在使吸熱側電極(5)在這些熱電元件的吸熱側端面上滑動的同時，所述各個熱電元件(10、11)的放熱側端面和放熱側電極(13)利用焊錫(12)進行接合。
[8115-0103-0003] 信息處理結構體
本發明是通過單電子動作可以得到高速穩定的動作的基于單電子電路的信息處理結構體，該信息處理結構體在微細的mosfet(11)的柵極電極(12)的正上方，形成納米級大小的多個量子點(13)，在量子點與柵極電極之間構成電子能夠直接穿過的能量勢壘，利用在量子點與柵極電極之間移動的電子的總數來表示信息，構成為設置成電源的一個電源電極，使之與量子點接觸，在量子點與電源電極(14)之間構成電子能夠直接穿過的能量勢壘，設置2個信息電極(15)，使之與量子點接觸，量子點與信息電極進行電容耦合，電子根據由信息電極決定的電位，利用庫侖阻斷現象通過量子點，在電源電極與柵極電極之間移動。
[8115-0068-0004] 一種超深隔離槽開口形狀的控制方法及產品
[摘要] 本發明公開了一種體硅集成mems技術中超深隔離槽開口形狀的控制方法及產品，其技術方案為：首先在硅片表面淀積多晶硅作為犧牲層，再進行深槽刻蝕，刻蝕后將多晶硅犧牲層去掉。(1)在硅片表面形成sio2犧牲層；(2)光刻定義槽圖形，boe腐蝕槽形狀內的sio2犧牲層，少量側向鉆蝕；(3)生長poly-silicon犧牲層；(4)光刻定義槽形狀，drie刻蝕poly-silicon犧牲層和si襯底，形成深槽；(5)去除poly-silicon和sio2犧牲層；(6)用介質對深槽進行填充。本發明方法有效地改善了超深硅槽的開口形狀，用本發明方法制作的芯片產品，其隔離槽內可以充滿電介質，避免了空洞的產生，增大了隔離槽的機械強度和可靠性。本發明不僅可以用于體硅集成技術中的電學隔離，而且還可以用于體硅微機械技術中的熱學等其它隔離。
[8115-0175-0005] 具有多晶硅熔絲的半導體器件及其微調方法
[摘要] 一種半導體器件，包括具有熔斷部(101a)的多晶硅熔(101)，依次疊層在熔斷部(101a)上具有凹部(106a)的層間絕緣膜(106)、在凹部(106a)上具有開口部(107a)的表面保護膜(107)、充填凹部(106a)及開口部(107a)的緩沖膜(108)、形成在緩沖膜(108)上的密封樹脂層，通過緩沖膜(108)，緩和密封樹脂層(109)對多晶硅熔絲(101)形成的膜應力。此外，半導體器件的微調方法，通過對多晶硅熔絲(101)外加電壓，在熔斷部(101a)熔化多晶硅熔絲后，通過在流動電流的狀態下，斷開外加電壓，進行微調。根據本發明實現具有能夠穩定寫入的多晶硅熔絲的半導體器件及其微調。
[8115-0077-0006] 配線襯底及其制造方法
[摘要] 一種配線襯底，其包括：襯底；配線圖形，其形成埋設在襯底上使其表面部露出，且由以銀為主體的導電性樹脂構成；覆蓋導體，其以碳為主體且形成覆蓋該配線圖形的表面部。該配線襯底通過該結構實現耐吸濕性和耐水性優良，防止水分影響導致的銀遷移和減少配線襯底的端子部與外部設備連接時的接觸電阻。
[8115-0207-0007] 散熱增強的薄倒裝引腳鑄模封裝
[摘要] 本發明的實施例涉及一種半導體管芯封裝。本發明的一個實施例涉及一種半導體管芯封裝，它包括(a)半導體管芯，它包括第一表面和第二表面；(b)源極引腳結構，它包括有主表面的突出區，所述源極引腳結構耦合到所述第一表面；(c)柵極引腳結構，它耦合到所述第一表面；以及(d)模塑材料，它在所述源極引腳結構和半導體管芯周圍，其中所述模塑材料露出半導體管芯的第二表面和源極引腳結構的主表面。
[8115-0198-0008] 基板接合體及其制法、電光學裝置的制法、及電光學裝置
[摘要] 本發明提供一種能抑制基板發生翹曲，并能使基板間保持恒定間隙距離，同時能均勻填充密封樹脂，并能防止殘余應力引發各種元件破壞的基板接合體制造方法，基板接合體、電光學裝置的制造方法，及電光學裝置，其特征在于，在將具有第1功能元件(13)的第1基板(3)和具有第2功能元件(25、21)的第2基板(4)貼合在一起制造基板接合體(2)的方法中，上述第1基板(3)形成第1功能元件(13)一側，或上述第2基板(4)形成第2功能元件(25、21)一側，至少一方上形成保護層(30)。
[8115-0203-0009] 用于改善晶體管性能的復合間隔區內襯
[摘要] 通過在柵極電極側壁間隔區(40)之下，形成復合氧化物/氮化物內襯(24，25)，而制造一種具有改善的晶體管性能的半導體裝置；具體實施例則包含，通過分離等離子體沉積技術而沉積保形氧化物層(24)，通過分離等離子體沉積技術而沉積保形氮化物層(25)，沉積間隔層(30)，以及隨后進行蝕刻程序。
[8115-0153-0010] 將保護帶接合到半導體晶片的方法和裝置
[摘要] 一種用于把保護帶接合到半導體晶片的方法，包括步驟：在保持構件上安裝半導體晶片，該半導體晶片具有形成圖案的表面；把保護圖案的保護帶接合到半導體晶片的表面，并且也接合到在保持構件周圍設置的外圍構件的表面；以及沿著半導體晶片的外周剪切掉保護帶。在保持半導體晶片的保持臺上設置所述保持構件和外圍構件，以使它們彼此相鄰，并且所述外圍構件是從不同于所述保持臺的構件形成的。
[8115-0023-0011] 將密封物體固定到基底物體上的方法
[8115-0200-0012] 制造精細結構之無阻光刻方法
[8115-0160-0013] 電子電路裝置及其制造方法以及制造裝置
[8115-0003-0014] 一種發光二極管結構
[8115-0045-0015] 布線基板及其制造方法以及薄膜晶體管及其制造方法
[8115-0190-0016] 半導體裝置及其制造方法
[8115-0187-0017] 半導體器件及其制造方法
[8115-0133-0018] 使用直接銅接合的電/光集成方案
[8115-0134-0019] 大面積碳化硅器件及其制造方法
[8115-0033-0020] 輻射元件的芯片引線架、輻射元件及其制造方法
[8115-0067-0021] 一種用于淺溝槽隔離技術的化學機械拋光工藝
[8115-0118-0022] 具有抗全反射增透薄膜的發光二極管及其制備方法
[8115-0021-0023] 等離子體處理裝置
[8115-0101-0024] ccd圖像傳感器和高精度線性尺寸測量裝置及其測量方法
[8115-0016-0025] 用于浸漬處理的高級處理控制
[8115-0116-0026] 發光二極管
[8115-0192-0027] 半導體器件及其制造方法
[8115-0217-0028] 一種層轉移結構及其方法
[8115-0165-0029] 氧化硅溝填制程
[8115-0152-0030] 分離半導體晶片的方法及使用該方法的分離裝置
[8115-0127-0031] 具有對氮化物肩部高度敏感性的自對準接觸蝕刻
[8115-0208-0032] 用于制造微電路板的方法
[8115-0191-0033] 半導體裝置及其制造方法
[8115-0070-0034] 基于優化遺傳算法改進軟硬件劃分效率的技術實現方法
[8115-0004-0035] 具有熱吸收層的發光元件的制造方法
[8115-0048-0036] 半導體晶片的加工方法
[8115-0073-0037] 光半導體集成電路裝置的制造方法
[8115-0056-0038] 用于銅布線化學機械拋光的清洗液提供裝置
[8115-0104-0039] 半導體器件以及半導體器件的驅動電路
[8115-0174-0040] 半導體器件及其制造方法
[8115-0179-0041] 薄膜晶體管陣列面板
[8115-0052-0042] 表面處理裝置
[8115-0058-0043] 半導體裝置的制法以及半導體芯片組裝體的保護樹脂涂敷裝置
[8115-0096-0044] 晶體管基板與顯示裝置及其制造方法
[8115-0197-0045] 壓電元件及利用該壓電元件的觸摸屏
[8115-0115-0046] 發光二極管
[8115-0024-0047] 基于原位傳感器的半導體處理工序控制
[8115-0088-0048] 半導體器件
[8115-0009-0049] 一種發光二極管的結構及其制造方法
[8115-0035-0050] 制造半導體器件的設備及方法和半導體器件
[8115-0113-0051] 光發射器件組件
[8115-0147-0052] 電子束描繪裝置和電子束描繪方法
[8115-0105-0053] 具有硅化物薄膜的半導體器件及其制造方法
[8115-0019-0054] 閥裝置和熱處理裝置
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[8115-0002-0056] 發光二極管背光板
[8115-0213-0057] 攝像設備和包括攝像設備的攝像機系統
[8115-0017-0058] 半導體裝置的制造方法
[8115-0168-0059] 單一晶體管型隨機存取存儲器的制造方法及其電容器結構
[8115-0140-0060] 光電子器件
[8115-0169-0061] 晶片級封裝方法及結構
[8115-0081-0062] 半導體器件的接觸結構及其制造方法
[8115-0057-0063] 制造半導體器件的方法
[8115-0214-0064] 電性程序化的金屬氧化半導體晶體管源極/漏極串聯電阻
[8115-0063-0065] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8115-0080-0066] 功率模塊及其連接方法
[8115-0091-0067] 一種具有多個內部功能塊的芯片及其供電降噪的方法
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[8115-0157-0069] 低電阻t形脊結構
[8115-0064-0070] 晶片裝載室
[8115-0189-0071] 半導體器件及其制作方法
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[8115-0108-0073] 太陽電池自動布貼系統
[8115-0060-0074] 集成電路芯片視覺對準方法
[8115-0144-0075] 操作電子器件的裝置及其方法
[8115-0106-0076] 半導體裝置及其制造方法
[8115-0066-0077] pn結襯底隔離片上電感的優化設計方法
[8115-0128-0078] 用多官能碳硅烷制造介電層的方法
[8115-0167-0079] 半導體器件的制造方法
[8115-0094-0080] 半導體集成電路裝置
[8115-0093-0081] 半導體集成電路裝置
[8115-0039-0082] 半導體器件及制作一低溫多晶硅層的方法
[8115-0202-0083] 具有氮/碳穩定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法
[8115-0097-0084] 一種基于縱向雙勢壘共振隧穿結構的量子點存儲器
[8115-0188-0085] 基于雙勢壘隧道結共振隧穿效應的晶體管
[8115-0027-0086] 晶片定位裝置及其連帶提供的加載艙
[8115-0085-0087] 芯片夾心裝置之互連及其制造方法
[8115-0010-0088] 制作一半導體發光元件的方法
[8115-0082-0089] 利用多層布線防止低介電常數膜剝離的半導體器件
[8115-0025-0090] 用于半導體工藝中高級工藝控制的動態度量方案和取樣方案
[8115-0040-0091] 加熱方法、加熱裝置、以及圖像顯示裝置的制造方法
[8115-0149-0092] 流體供給裝置
[8115-0102-0093] 信息處理結構體
[8115-0089-0094] 電路裝置及其制造方法
[8115-0061-0095] 晶片級csp的制造方法
[8115-0121-0096] 磁電阻效應元件、磁頭和磁再現設備
[8115-0107-0097] 控制薄膜晶體管及其制造方法與含其的電致發光顯示裝置
[8115-0195-0098] 氮化物基發光器件及其制造方法
[8115-0069-0099] 一種基于納米碳管的互連方法
[8115-0172-0100] 半導體器件及其制造方法
[8115-0196-0101] 高亮度的發光元件及其制造方法
[8115-0178-0102] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設備
[8115-0012-0103] 發光二極管
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[8115-0087-0105] 層積半導體芯片的半導體裝置及其制造方法
[8115-0176-0106] 互補金屬氧化物半導體器件型圖像傳感器模塊
[8115-0181-0107] 半導體器件
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[8115-0212-0112] 齒形光致電壓屋頂板
[8115-0075-0113] 生產多芯片模塊的方法和多芯片模塊
[8115-0156-0114] 能防止濕式清潔過程導致之損壞的半導體裝置的制造方法
[8115-0020-0115] 等離子體蝕刻方法
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[8115-0164-0117] 同時制造各種尺寸的隔離結構的方法
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