半導體材料技術生產加工工藝（138元/全套）
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1、CN00109107.7一種高溫碳化硅半導體材料制造裝置
2、CN00133595.2半導體材料外延的廢氣中所含砷微粒的回收設備
3、CN00249702.6碲鋅鎘半導體材料的歐姆電極
4、CN00258011.X變溫的高阻半導體材料光電測試裝置
5、CN01141282.8晶體半導體材料的制造方法以及制造半導體器件的方法
6、CN01143233.0一種晶體半導體材料系列Asub2subMM’sub3subQsub6sub
7、CN01238855.6基于納米半導體材料的電致變色防偽標識
8、CN01802185.9半導體材料的激光切割
9、CN01809275.6在基體或塊體特別是由半導體材料制成的基體或塊體中切制出至少一個薄層的方法
10、CN01809456.2具有可控制導電性的半導體材料及器件的制造
11、CN01820693.X半導體材料的激光加工
12、CN01821842.3用于生長單晶半導體材料的拉晶機和方法
13、CN02113082.5離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導體材料的方法
14、CN02113088.4離子注入法制備AlN基稀釋磁性半導體材料的方法
15、CN02121115.9合成多種金屬硒化物及碲化物半導體材料的方法
16、CN02138423.1納米磷化物半導體材料的水熱合成制備方法
17、CN02234524.8半導體材料電信號測試裝置
18、CN02813163.0半導體材料的膜或層、及制造該膜或層的方法
19、CN02818197.2利用X射線檢查半導體材料的晶片的方法
20、CN02818923.X有機半導體材料及使用該材料的有機半導體元件
21、CN02819377.6用于半導體材料處理系統的一體化機架
22、CN02820488.3半導體材料處理系統
23、CN02825898.3超摻雜半導體材料的方法以及超摻雜的半導體材料和器件
24、CN02827556.X使用一維半導體材料作為化學敏感材料及其在接近室溫下生產和操作
25、CN03121822.9一種具有AlAs氧化層的半導體材料
26、CN03121825.3一種制備在GaAs基底上生長含Al外延層半導體材料的方法
27、CN03125563.9制造晶體半導體材料的方法和制作半導體器件的方法
28、CN03129508.8提高InAsGaAs量子點半導體材料發光效率的方法
29、CN03139039.0亞納米復合法制備氧化鋅基磁性半導體材料的方法
30、CN03800995.1摻雜的有機半導體材料以及其制備方法
31、CN03804278.9一種用于制造由單晶半導體材料制成的無支撐襯底的方法
32、CN03811788.6有機半導體材料、有機半導體構造物和有機半導體器件
33、CN03816211.3轉移應變半導體材料層的方法
34、CN03819794.4減少半導體材料中的缺陷
35、CN03823519.6用于半導體材料晶片的快速退火處理工藝
36、CN85103535在材料（例如半導體材料）中加工亞微型槽的方法以及用這種方法制成的器件
37、CN85108824改進的硼摻雜半導體材料及其制備方法
38、CN86101518一種用介質波導測量半導體材料少子壽命的裝置
39、CN89101544.2對半導體材料進行熱處理的工藝和設備
40、CN93101447.6半導體材料的層間整平裝置
41、CN94105732.1粉碎半導體材料的方法和裝置
42、CN94194956.7多孔半導體材料
43、CN95104759.0用含酸流體處理半導體材料的方法
44、CN95108567.0制造具有設置在支撐薄片上的半導體材料層中形成的半導體元件的半導體器件的方法
45、CN95190624.0帶有有機半導體材料的半導體器件
46、CN96104150.1光激發半導體材料響應分析的方法和裝置
47、CN96123375.3半導體材料的制造方法及所用設備
48、CN97112634.8鎘鐵復合氧化物氣敏半導體材料及其氣敏元件
49、CN97114518.0半導體材料的清洗裝置
50、CN97116108.9半導體材料集成微結構及其制造方法
51、CN97198779.3熱電半導體材料,及其制造方法和用該材料的熱電微型組件及熱鍛造方法
52、CN98102651.6減小半導體材料尺寸的裝置和方法
53、CN98809536.X制造半導體材料薄片的裝置和方法
54、CN99121657.1熱電半導體材料或元器件及其制造方法與裝置
55、CN99803138.0積淀半導體材料的裝置和方法
56、CN99816847.5光致發光的半導體材料
57、CN200310117195.X具有電流控制電阻效應的摻雜半導體絕緣體半導體材料
58、CN200310121490.2一種半導體材料橫向周期攙雜的方法及其裝置
59、CN200310122689.7形成半導體材料晶片的方法及其結構
60、CN200310122883.5一種用于半導體材料特性表征的方法及其系統
61、CN200320129499.3一種化合物半導體材料多晶合成的裝置
62、CN200380100952.0處理半導體材料的方法
63、CN200380103483.8半導體材料納米線的分散系
64、CN200380108706.X改進有機半導體材料及與其有關的改進
65、CN200410013394.0納米晶熱電半導體材料的非晶晶化制備方法
66、CN200410016462.9基于半導體材料的納米線制作方法
67、CN200410017195.7完整的間接帶隙半導體材料參數擬合方法
68、CN200410024905.9并五苯衍生物作為半導體材料的有機場效應晶體管及其制備方法
69、CN200410044325.6一系列半導體材料
70、CN200410056519.8摻雜的有機半導體材料以及它們的制造方法
71、CN200410072301.1半導體材料的線切割液
72、CN200410077160.2改善有缺陷的半導體材料質量的方法
73、CN200410092231.6包括以多孔半導體材料矩陣為形式的燃燒室的發電裝置
74、CN200410099025.8一種半導體材料生長系統的滑動機構CN200410103374.2采用突變金屬－絕緣體轉變半導體材料的二端子半導體器件
75、CN200480007799.1用于減少半導體材料中雜質的裝置和方法
76、CN200480019353.0熱電半導體材料、由該熱電半導體材料制作的熱電半導體元件、使用該熱電半導體元件的熱電模塊及它們的制造方法
77、CN200480023063.3由雙面施予晶片生成半導體材料薄層的方法
78、CN200480028008.3用于制作由半導體材料制成的多層結構的方法
79、CN200480033367.8具有顆粒半導體材料的應力半導體器件結構
80、CN200480040756.3半導體材料加工設備中的氧化釔涂覆的陶瓷部件及該部件的制造方法
81、CN200480041518.4由選自半導體材料的材料層形成的多層晶片的表面處理
82、CN200510011465.8復合金屬氧化物半導體材料及其制備方法
83、CN200510016509.6一種指導等離子體輔助制備半導體材料的光譜探測方法
84、CN200510018806.4一種測量半導體材料塞貝克系數和電阻率的裝置
85、CN200510023879.2用于化合物半導體材料生長的噴頭及原料輸入方法
86、CN200510024436.5表面嫁接有機共軛分子的半導體材料及其制備方法
87、CN200510043168.1GaN半導體材料的異質外延方法
88、CN200510055896.4半導體材料殘余應力的測試裝置及方法
89、CN200510069117.6半導體材料和形成半導體材料的方法
90、CN200510079768.3采用小分子有機半導體材料的液晶顯示器件及其制造方法
91、CN200510089382.0有機基體材料在生產有機半導體材料中的應用，有機半導體材料以及電子元件
92、CN200510093901.0基于多觸媒催化納米半導體材料及復合除塵的室內空氣凈化方法及裝置
93、CN200510094827.4半導體材料的高溫霍爾測量方法及裝置
94、CN200510095658.6一種提高氮化鎵（GaN）基半導體材料發光效率的方法
95、CN200510119064.4稠環單元封端的齊聚噻吩類高遷移率有機半導體材料及用途
96、CN200510119536.6新型半導體材料
97、CN200510137547.7N型有機半導體材料
98、CN200520022288.9檢測半導體材料內部缺陷的紅外裝置
99、CN200520023083.2一種用于氮化物半導體材料退火的新型加熱襯托
100、CN200580003728.9金屬絡合物作為n－摻雜物用于有機半導體基質材料中的用途,有機半導體材料和電子元件以及摻雜物和配位體,及其生產方法
101、CN200580004088.3半導體材料以及采用該半導體材料的半導體元件
102、CN200580006960.8淀積半導體材料的方法
103、CN200580007121.8淀積高質量微晶半導體材料的方法
104、CN200580021861.7用于施加到ⅢⅤ化合物半導體材料上的具有多個層的反射層系統
105、CN200580022204.4制備高質量化合物半導體材料的沉積技術
106、CN200580036891.5包含光電活性半導體材料的光電池
107、CN200580038437.3在襯底上生長Si－Ge半導體材料和器件的方法
108、CN200580042306.2用于半導體材料作為磷光發射體的主體基質的9,9’－和2,2’－取代的3,3’－聯咔唑衍生物
109、CN200580043297.9用于薄膜晶體管的N型半導體材料
110、CN200580044132.3用于薄膜晶體管的N型半導體材料
111、CN200410103374.2采用突變金屬－絕緣體轉變半導體材料的二端子半導體器件
112、CN200610001301.1制備GaN基稀磁半導體材料的方法
113、CN200610014413.0一種用于半導體材料滾圓加工的滾磨液
114、CN200610014600.9一種去除半導體材料表面蠟和有機物的清洗液及其清洗方法
115、CN200610016841.7采用納米級半導體材料為基底進行SERS檢測的方法
116、CN200610018021.1半導體材料線切割專用刃料
117、CN200610019184.1鈦鈷銻基熱電半導體材料的制備方法
118、CN200610026935.2Ⅱ－Ⅵ族半導體材料保護側邊緣的表面拋光方法
119、CN200610043855.8非晶態Zn－Fe－O鐵磁性半導體材料及其制備方法
120、CN200610084830.2感光可溶性有機半導體材料
121、CN200610089343.5一種有機半導體材料的場效應晶體管及制備方法
122、CN200610091505.9有機半導體材料,有機半導體薄膜和有機半導體器件
123、CN200610098234.X新型半導體材料銦鎵氮表面勢壘型太陽電池及其制備方法
124、CN200610105112.9一種大面積自支撐寬禁帶半導體材料的制作方法
125、CN200610121457.3用于支撐生長中的半導體材料單晶的支撐裝置以及制造單晶的方法
126、CN200610121831.X有機半導體材料和有機半導體元件以及場效應晶體管
127、CN200610136555.4半導體材料、其制造方法以及半導體器件
128、CN200610151403.1包括由半導體材料制造的表盤的計時器和用于該計時器的表盤
129、CN200610166972.3集成電路和調節含有該集成電路的半導體材料溫度的方法
130、CN200610169488.6使用有機半導體材料的液晶顯示器陣列基板及其制造方法
131、CN200610171452.1用于調整由半導體材料制成的基材表面或內部應變的方法
132、CN200620030500.0半導體材料線切割專用刃料濕式循環研磨分級設備
133、CN200620030501.5半導體材料線切割專用刃料水流預分級設備
134、CN200620030502.X半導體材料線切割專用刃料專用溢流裝置
135、CN200620030503.4半導體材料線切割專用刃料水循環利用裝置
136、CN200620030504.9半導體材料線切割專用刃料溢流自動控制裝置
137、CN200710001132.6一種氧化鈦摻鈷室溫稀磁半導體材料的制備方法
138、CN200710001824.0應變絕緣體上半導體材料及制造方法
139、CN200710003498.7一種氧化鋅摻鈷室溫稀磁半導體材料的制備方法
140、CN200710007933.3用于半導體材料處理系統的一體化機架
141、CN200710013325.3用弧光放電等離子體化學氣相沉淀法在金剛石表面制備半導體材料的方法
142、CN200710013839.9一種P型磷化鎵半導體材料及其制備方法
143、CN200710041646.4一種宏觀半導體材料性能的測試裝置
144、CN200710092166.0有機無機復合半導體材料、液態材料、有機發光元件、有機發光元件的制造方法、發光裝置
145、CN200710112047.7檢測由半導體材料構成的錠件中機械缺陷的方法和設備
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