薄膜襯技術專題,半導體襯底,襯底材料,柔性襯底薄膜類技術資料(218元/全套)貨到付款歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：218元；資料（光盤）編號：F328713
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[26173-0162-0001] 用于制備低溫相偏硼酸鋇單晶薄膜的襯底材料
[摘要] 本發明涉及制備一種低溫相偏硼酸鋇單晶薄膜用的襯底材料，具體是采用β-BBO微晶玻璃作為制備β-BBO單晶薄膜的襯底材料。本發明采用β-BBO微晶玻璃作為襯底材料，不僅能夠實現襯底材料與薄膜材料的完美匹配，有效克服異質外延對薄膜生長帶來的不利影響，最終實現高質量β-BBO薄膜材料的制備，而且具有生產效率高、成本低廉的優點，對激光技術以及集成光學的發展具有重要的意義。
[26173-0011-0002] 作為半導體外延薄膜生長用襯底的方鐵礦結構氧化物
[摘要] 本發明涉及作為Ⅲ－Ｖ族氮化物半導體薄膜淀積用晶格匹配襯底的改進的方鐵礦結構氧化物。它包括鋰鋁氧化物（ＬｉＡlＯ２
[26173-0137-0003] 半導體硅襯底上氧化鋁介電薄膜硅離子注入腐蝕方法
一種半導體硅襯底上氧化鋁介電薄膜硅離子注入腐蝕方法，利用硅離子注入和HF化學腐蝕劑，對硅上氧化鋁薄膜進行選擇性腐蝕，形成陡峭、清晰、規則的氧化鋁腐蝕圖形，包括如下步驟：取一半導體硅單晶襯底；在半導體硅單晶襯底上外延生長氧化鋁介電薄膜；在氧化鋁介電薄膜上涂光刻膠；在光刻膠上刻蝕，形成帶有一定間隔的凹槽的光刻膠刻蝕圖形；采用硅離子注入工藝，對凹槽下的氧化鋁介電薄膜進行選擇性硅離子注入；采用HF化學腐蝕工藝，對進行了硅離子注入的氧化鋁介電薄膜進行選擇性腐蝕，形成帶有線條的圖形，完成半導體硅襯底上氧化鋁介電薄膜硅離子注入腐蝕。
[26173-0135-0004] 在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜及發光器件的方法
[摘要] 本發明公開了一種在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜的方法，包括在硅襯底表面形成具有溝槽和臺面的圖形結構和在襯底表面沉積銦鎵鋁氮薄膜步驟，其中所述的溝槽的深度大于6微米，并且溝槽兩側臺面上生長的銦鎵鋁氮薄膜水平方向上互不相連。用本發明的方法可以通過簡單的襯底處理而生長出高質量、無裂紋和面積較大的銦鎵鋁氮薄膜。本發明同時還公開了一種使用硅襯底制備銦鎵鋁氮發光器件的方法。
[26173-0089-0005] 一種薄膜太陽能電池襯底制備工藝
[摘要] 本發明公開了屬于太陽能電池材料制備范圍的一種薄膜太陽能電池襯底制備工藝。將Si和SiC粉混合，通過燒結，使硅熔融將SiC粘合成型，制成表面平整致密的薄片，在上面可以沉積高質量的多晶硅薄膜。避免了常規陶瓷襯底需要的高溫燒結過程，既利于形成大晶粒高質量的多晶硅薄膜，又可以有效的避免在冷卻過程中的開裂問題；進一步的降低薄膜電池的成本，為多晶硅薄膜太陽能電池的產業化打下堅實的基礎。
[26173-0040-0006] SnO2為襯底的微晶硅薄膜太陽電池用透明導電薄膜的制備方法
[摘要] 本發明公開了一種SnO2
[26173-0139-0007] 薄膜構圖的襯底及其表面處理
[摘要] 公開了諸如EL器件之類的其像素間薄膜厚度幾乎沒有變化的顯示器件，以及一種濾色器。在襯底上設置的是由噴墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的區域中形成的像素，其滿足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0
[26173-0031-0008] 在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法
[摘要] 本發明涉及一種在藍寶石襯底上異質外延生長半導體碳化硅薄膜的方法。主要解決在藍寶石襯底上直接生長碳化硅薄膜時薄膜與襯底之間粘附性差，不易核生長的缺陷。提出一種在藍寶石襯底與SiC薄膜之間介入一層緩沖層作為過渡，以減少晶格失配的生長碳化硅薄膜的方法，即在藍寶石襯底上先淀積一層AlN材料作為緩沖層，形成復合襯底，再在其復合襯底上外延生長SiC薄膜，形成藍寶石－緩沖層－碳化硅三層結構，在藍寶石AlN復合襯底上得到單結晶的6H－SiC薄膜。本發明在藍寶石－氮化鋁復合襯底上已經得到的單結晶碳化硅薄膜，具有明顯優于在硅襯底上得到的薄膜質量，其應力低于在硅襯底上得到SiC應力的5倍，折射率在正常的SiC薄膜范圍內之優點，是制作SiCOI CMOS器件的重要技術，且可保證器件的穩定性和可靠性。
[26173-0077-0009] 改進襯底上薄膜區域內諸區及其邊緣區內均一性以及這種薄膜區域之結構的激光結晶處理工藝與系統
[摘要] 提出一種處理薄膜樣品和薄膜結構的工藝與系統。具體地說，束發生器(110)能被控制成以預定的重復頻率發射連續的輻射束脈沖(164)，各輻射束脈沖經遮蔽而形成第一組和第二組小束用于撞擊薄膜樣品(170)，其強度足以至少部分熔化薄膜樣品片段的受輻射部分。薄膜樣品片段一特定部分受輻射束脈沖第一脈沖的第一小束輻射而熔化特定部分的第一區，該第一區被至少部分熔化，在各相鄰的第一區之間留下第一未輻射區，并被允許再固化結晶。在第一小束輻射了特定部分后，該特定部分再被輻射束脈沖第二脈沖的第二小束輻射而熔化其第二區，第二區被至少部分熔化，在各相鄰的第二區之間留下第二未輻射區，并被允許再固化結晶。第一與第二受輻射和再固化區在薄膜樣品片段內相互混合。此外，第一區對應于第一像素，第二區對應于第二像素。
[26173-0128-0010] 一種在Si(111)襯底上制備高質量ZnO單晶薄膜的方法
[摘要] 本發明公開了一種在硅(111)襯底上制備高質量氧化鋅單晶薄膜的方法，即分五步依次在超高真空環境下熱處理硅襯底獲得清潔的Si(111)面：1.低溫沉積1～10nm厚的金屬單晶薄膜如鎂、鈣、鍶、鎘等，2.低溫氧化金屬膜以獲得金屬氧化物單晶層，3.低溫沉積氧化鋅緩沖層，4.以及高溫沉積氧化鋅層，5.制備高質量氧化鋅單晶薄膜；其優越的光電性能表明該薄膜非常適合于高性能光電子器件的制作。高質量硅基氧化鋅薄膜在光電集成方面具有巨大的應用前景，因此，本發明具有重大的工業應用價值。
[26173-0061-0011] 射頻磁控濺射法制備γ-LiAlO2單晶薄膜覆蓋層襯底的方法
[26173-0123-0012] 在硅襯底上磁控濺射制備鐵磁性錳硅薄膜的方法
[26173-0073-0013] 薄膜光電晶體管,應用該光電晶體管的有源矩陣襯底以及應用該襯底的圖象掃描裝置
[26173-0088-0014] 陶瓷襯底多晶硅薄膜太陽能電池
[26173-0185-0015] 一種半導體氮化鎵外延薄膜襯底的制備方法
[26173-0141-0016] 薄膜構圖的襯底及其表面處理
[26173-0129-0017] 薄膜晶體管襯底及其制造方法
[26173-0106-0018] 用于碗、盆、盒的衛生里襯或包裝薄膜
[26173-0175-0019] 柔性石墨襯底多晶硅薄膜的制備方法
[26173-0164-0020] 電容耦合等離子體裝置及在硅襯底上生長碳化硅薄膜的方法
[26173-0054-0021] 在硅基萬能襯底上生長多層異質外延薄膜
[26173-0136-0022] 在硅襯底上生長無裂紋氮化鎵薄膜的方法
[26173-0035-0023] 襯底薄膜燒蝕方法及其設備
[26173-0057-0024] 薄膜半導體襯底及制造方法、薄膜半導體器件及制造方法
[26173-0043-0025] 一種用于氧化鋅外延薄膜生長的硅基可協變襯底材料
[26173-0085-0026] 絕緣襯底上制備高質量半導體晶體薄膜的方法
[26173-0098-0027] 在異質襯底上制作晶體半導體薄膜的方法
[26173-0154-0028] 柔性襯底硅基薄膜太陽電池
[26173-0038-0029] 豬薄膜內襯貯精瓶及自動輸精裝置
[26173-0045-0030] 一種在CdZnTe襯底上制備Ⅳ-Ⅵ族半導體單晶薄膜的方法
[26173-0080-0031] SiO2襯底上Nd:YVO4光波導薄膜器件及制備
[26173-0116-0032] 在硅襯底上制備高質量發光半導體薄膜的方法
[26173-0097-0033] 薄膜晶體管襯底及其制造方法、具有其的液晶顯示裝置以及制造該液晶顯示裝置的方法
[26173-0014-0034] 襯底上薄膜的特性監測設備
[26173-0071-0035] 從襯墊上剝下薄膜的方法和設備
[26173-0145-0036] 利用可協變襯底制備生長氧化鋅薄膜材料的方法
[26173-0022-0037] 一種在高聲速材料襯底上生長氮化鋁壓電薄膜的方法
[26173-0095-0038] 增強塑料襯雙壁罐的樹脂薄膜被覆方法
[26173-0072-0039] 在硅襯底上生長無裂紋Ⅲ族氮化物薄膜的方法
[26173-0033-0040] 一種制備金屬襯底薄膜的加熱方法
[26173-0155-0041] 柔性襯底上室溫濺射沉積氧化銦錫透明導電薄膜的方法
[26173-0187-0042] 薄膜太陽能電池襯底以及薄膜太陽能電池的制作方法
[26173-0189-0043] 帶有勻溫-隔離組件的制備氧化物薄膜用襯底加熱系統
[26173-0181-0044] 在硅襯底上生長的氮化鎵薄膜結構及其生長方法
[26173-0007-0045] 用于貼覆到襯底上的表面薄膜
[26173-0144-0046] 具有絕熱襯墊的薄膜保險絲相變化單元及其制造方法
[26173-0115-0047] 具有硅襯底的氧化鋅薄膜及制備方法
[26173-0146-0048] 薄膜構圖的襯底及其表面處理
[26173-0063-0049] 薄膜電容器、薄膜電容器內置型高密度組裝襯底、及薄膜電容器的制造方法
[26173-0111-0050] 用于制備高質量氧化鋅薄膜的藍寶石襯底原位處理方法
[26173-0108-0051] 處理薄膜襯底的方法
[26173-0169-0052] 在柔性襯底上制備透明導電薄膜及透明異質結的方法
[26173-0183-0053] 一種采用近空間升華技術在襯底沉積形成半導體薄膜的方法和裝置
[26173-0002-0054] 液相外延生長薄膜的襯底夾具
[26173-0172-0055] 在圖形化藍寶石襯底上生長氮化鎵薄膜的方法
[26173-0069-0056] 襯底表面清洗方法、薄膜制造方法、半導體裝置及其制法
[26173-0126-0057] 薄膜晶體管襯底及其制造方法
[26173-0100-0058] 襯底上薄膜的制作方法
[26173-0042-0059] 將薄膜電阻器嵌入電力輸送網絡的襯底中
[26173-0167-0060] 在Si襯底上生長ZnO薄膜的方法
[26173-0176-0061] 采用薄膜識別控制器充氣和密封包裝襯墊的方法和設備
[26173-0058-0062] 用于生成氧化鋅薄膜的鎢酸鋅單晶襯底的制備方法
[26173-0163-0063] 在ITO襯底上生長ZnMgO合金薄膜的方法
[26173-0184-0064] 一種提高HfO2薄膜熱穩定性并控制其與硅襯底界面生長的方法
[26173-0039-0065] 一種在MgO或Si襯底上超薄NbN超導薄膜的生長方法
[26173-0078-0066] 用激光結晶化法加工襯底上半導體薄膜區域的方法和屏蔽投影系統
[26173-0153-0067] 薄膜晶體管陣列襯底、其制造方法以及顯示裝置
[26173-0016-0068] 具有改進的絕緣圖形的絕緣體上硅薄膜襯底
[26173-0157-0069] 在單晶襯底上制備CeO2隔離層薄膜的方法
[26173-0105-0070] 薄膜聲表面波器件的非晶金剛石增頻襯底及其制備方法
[26173-0019-0071] 薄膜器件的轉移方法、薄膜器件、薄膜集成電路裝置、有源矩陣襯底、液晶顯示裝置及電子設備
[26173-0096-0072] 單面拋光襯底外延薄膜厚度和光學參數的測量方法
[26173-0092-0073] 柔性襯底薄膜太陽電池襯底的清洗方法
[26173-0009-0074] 薄膜半導體外延襯底及其生產工藝
[26173-0127-0075] 制備顯示器件的方法以及由此制備的顯示器件和薄膜晶體管襯底
[26173-0006-0076] 屈服性襯底上制備外延異質晶體和薄膜材料的方法
[26173-0142-0077] 硅襯底上生長的非極性A面氮化物薄膜及其制法和用途
[26173-0158-0078] 硅襯底薄膜膜厚的測量方法
[26173-0059-0079] 利用氫化物汽相外延方法在硅襯底上生長GaN薄膜
[26173-0159-0080] 用于X射線探測器的薄膜晶體管陣列襯底和X射線探測器
[26173-0012-0081] 氧化鋅薄膜和使用該膜的襯底及光電轉換器的制造方法
[26173-0178-0082] 一種聚酰亞胺塑料襯底柔性硅基薄膜太陽電池集成組件的制造方法
[26173-0051-0083] 浴缸用一次性塑料薄膜內襯
[26173-0044-0084] 在放置于射頻等離子體之外的襯底上形成薄膜的技術
[26173-0121-0085] 用磁控濺射法在鎵砷襯底上外延生長銦砷銻薄膜的方法
[26173-0020-0086] 在玻璃襯底上形成結晶半導體薄膜
[26173-0103-0087] 在硅襯底上低溫生長高結晶質量氧化鋅薄膜的方法
[26173-0075-0088] 在鋁酸鎂襯底上高質量鋅極性ZnO單晶薄膜的制備方法
[26173-0062-0089] 液晶顯示器及用于其的薄膜晶體管襯底
[26173-0107-0090] 在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜的方法
[26173-0168-0091] 柔性襯底生長n型ZnMgO摻Ga半導體薄膜的方法
[26173-0029-0092] 一種在襯底上制備氣致變色WO3薄膜的方法
[26173-0110-0093] 在具有深槽圖形的硅基襯底上制作硅薄膜的方法
[26173-0065-0094] 具有γ-LiAlO2單晶薄膜覆蓋層襯底的制備方法
[26173-0099-0095] 在硅襯底上外延生長鋁酸鑭薄膜材料及制備方法
[26173-0191-0096] 豬薄膜內襯貯精瓶及自動輸精裝置
[26173-0166-0097] 在金屬襯底上生長ZnO薄膜的方法
[26173-0082-0098] 薄膜晶體管陣列襯底及其制造方法
[26173-0087-0099] 一種在陶瓷襯底上沉積大晶粒多晶硅薄膜的方法
[26173-0021-0100] 薄膜構圖的襯底及其表面處理
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[26173-0027-0105] 一種在襯底上沉積氣致變色WO3薄膜的方法
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[26173-0190-0111] 氧化物薄膜襯底加熱裝置
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