襯底,半導體襯底,襯底處理,半導體類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8177-0010-0001] 半導體晶片對準系統及對準方法
[摘要] 提供一種半導體晶片對準系統及其對準方法，將浮置于超高純水上的晶片準確地對準。包括：具有噴射口的工作臺，以使從超高純水供應源提供的超高純水噴射；安裝于工作臺上的導向裝置，用于通過晶片的兩側固定浮置于由超高純噴射壓力形成的水表面上的晶片，以便將其導入正確位置。該半導體晶片的對準方法包括以下步驟：在固定的晶片上噴射超高純水，用導向裝置保持晶片，對準晶片、并將晶片輸送到其它裝置上。
[8177-0045-0002] 通過測試器件性能定量鄰近效應的方法和設備
[摘要] 定量集成電路制造中鄰近效應的改進方法。該方法用在半導體晶片上形成的有源元件以定量鄰近效應。按本發明方法，測出有源元件的器件性能參量，之后，根據測得的器件性能參量確定有源元件的元件長度，之后，根據確定的元件長度評定和／或補償制造方法。一個實例中，有源元件可以是ＭＯＳ晶體管，器件性能參量是電流。
[8177-0218-0003] 封裝內包含半導體元件的半導體器件
一個如ＣＣＤ芯片的半導體元件包含在一個由塑料制成的不透明封裝的凹進內，并且其上表面是用一個塑料制成透明的罩覆蓋。該罩與封裝具有不同的熱膨脹系數并且以０．５ｍｍ的厚度形成，其厚度比已有技術的厚度薄。該半導體器件用一些引線端子連接而這些引線端子突出在封裝的外面。這個半導體器件安裝在一個印刷電路板上。
[8177-0133-0004] 改進的氮化物腐蝕停止層
[摘要] 在ＮＨ3或N2氣氛中將基層層退火提高了基層層的耐腐蝕性和拋光性。所以集成電路處理期間的過侵蝕減少，從而提高了成品率。
[8177-0112-0005] 用于半導體晶片制備工藝實時原位監控的方法和系統
[摘要] 在半導體晶片制備過程中對在處理工具內部執行的步驟進行實時原位監控的方法和系統。對選定工藝參數在正常操作狀態和在偏差狀態下的變化規律編碼并存儲在數據庫中。建立針對每個可識別偏差的報警編碼和應采取的動作。在晶片處理過程中，該工藝參數受到連續地監視，以便實時地和存儲在數據庫中的數據作比較。如果檢測到異常，則發出報警編碼，立即采取推薦動作。結果，只有合格晶片得到完整的處理。該技術允許晶片制備工藝的完全集群化。
[8177-0071-0006] 制造半導體器件的方法
[摘要] 提供一種不附加任何特殊制造步驟而使制造過程中的半導體器件免遭等離子體施加的脈沖式高電位的毀壞的方法。形成延伸到薄膜晶體管柵極的第一線路。在第一線路上生成第一絕緣層。在該絕緣膜上形成連接到薄膜晶體管的源區的第二線路。在第二線路上生成第二絕緣膜。然后在第二絕緣膜上形成導電圖案。在第一和／或第二線路上形成放電圖案。在形成導電圖案的同時，把第一和／或第二線路切斷。
[8177-0064-0007] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 在一種半導體器件及其制造方法中，在鄰接第二雜質區（６）的端部設置一隔離絕緣膜（２），還帶有延伸到半導體襯底（１）的凹槽。這就去掉了存在于隔離絕緣膜端部的晶體缺陷，因而防止了從存儲結點（１０）在此部分的漏電流。因此，在鄰接雜質區的隔離氧化膜的端部的凹槽構造去掉了在此區域的晶體缺陷，于是消除了漏電的可能性。
[8177-0086-0008] 半導體器件的測試方法和帶標識晶體管電路的半導體器件
[摘要] 一個位于半導體芯片上的標識晶體管電路，包括一個Ｐ－型ＭＯＳ晶體管和一個Ｎ－型ＭＯＳ晶體管，相互串聯在電源接點和地接點之間；一個第一反相器與測試信號端相連并輸出給Ｎ－型ＭＯＳ晶體管的漏極；一個第二反相器與第一反相器的輸出相連并輸出給Ｐ－型ＭＯＳ晶體管的漏極。當性能測試確定該芯片為次品時，輸入高電位信號使晶體管標識電路閉鎖而損壞進而被確認出來。結果可以確保能確認出次品而不會影響相鄰芯片。
[8177-0022-0009] 半導體器件生產方法
[摘要] 半導體器件的生產方法包含如下步驟：在半導體基片上形成絕緣膜，在絕緣膜上形成由導電材料構成的導電薄膜，在導電薄膜上形成由有機材料構成的防反射敷層，在防反射敷層上形成光敏光刻膠膜，通過曝光在光刻膠膜上顯影預定的光圖像，以形成光刻膠圖形，用包含氧氣，反應氣及惰性氣體的混合氣的等離子體的干蝕選擇的去除防反射敷層，從而形成防反射敷層圖形，并用光刻膠圖形作為掩膜蝕刻導電薄膜，從而形成電極。
[8177-0051-0010] 電極間連接結構、電極間連接方法、半導體器件、半導體安裝方法、液晶裝置和電...
[摘要] 能夠正確地相互電連接按細密間距排列的電極。在把作為半導體器件的ＩＣ芯片（３６）接合在外部基板（３２a）上的情況下，向外部基板（３２a）上的接線端（３７）呈粒狀地噴射導電膏（４１），在這些電極（３７）上裝載導電膏（４１）。接著，在使ＩＣ芯片（３６）的焊盤（３８）與這些導電膏（４１）位置一致的狀態下，粘合ＩＣ芯片（３６）和基板（３２a）。由于導電膏（４１）經呈粒狀地噴射印刷在電極（３７）上，所以即使電極（３７）的排列間距細密，也能夠正確地裝載導電膏（４１）。此外，由于通過導電膏（４１）使焊盤（３８）和電極（３７）導通，所以導通狀態也穩定。在液晶裝置和電子設備等大范圍的裝置中，這種電連接方法最好用于形成在基板上的基板側電極與形成在安裝于該基板的電子元件上的元件側電極之間的連接。
[8177-0083-0011] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8177-0152-0012] 半導體裝置及其制造方法
[8177-0044-0013] 工件傳送方法及系統
[8177-0040-0014] 具有薄板的片上引線型半導體器件及其制造方法
[8177-0111-0015] 半導體裝置及其制造方法
[8177-0068-0016] 球柵陣列型半導體器件
[8177-0081-0017] 帶有彎曲部分的電阻元件及其制造方法
[8177-0042-0018] 具有低介電常數絕緣膜的半導體器件及其制造方法
[8177-0151-0019] 用微波形成薄膜的裝置和方法
[8177-0054-0020] 半導體裝置的制造方法以及半導體元件
[8177-0182-0021] 半導體器件、存儲單元以及它們的制作工藝
[8177-0149-0022] 用于減小硅柱塞上形成的層疊電容器中擴散的方法和裝置
[8177-0074-0023] 半導體器件及其制造方法
[8177-0021-0024] 有機多量子阱結構白光電致發光器件
[8177-0114-0025] 利用原子層淀積工藝形成導電層的方法
[8177-0072-0026] 半導體器件裝配方法和由此方法制造的半導體器件
[8177-0029-0027] 襯底的處理方法和裝置以及SOI襯底
[8177-0094-0028] 半導體材料
[8177-0137-0029] 熱處理SOI襯底的方法和設備及利用其制備SOI襯底的方法
[8177-0061-0030] 高效發光二極管及其制造方法
[8177-0059-0031] 具有增大磁阻的鐵磁隧道結
[8177-0003-0032] 在半導體襯底上制造不同厚度的柵氧化層的方法
[8177-0004-0033] 清洗方法及裝置
[8177-0126-0034] 薄膜壓電元件和薄膜壓電元件的制造方法以及電路元件
[8177-0162-0035] 具有改善了注入劑的場效應晶體管及其制造方法
[8177-0207-0036] 腐蝕半導體晶片的方法和裝置
[8177-0115-0037] N型磷化銦歐姆接觸制造方法
[8177-0192-0038] 具有防止電荷泄漏的浮柵存儲單元
[8177-0107-0039] 超薄微腔激光器件的移植方法
[8177-0204-0040] 用于高生產率SOI的缺陷引入的掩埋氧化物
[8177-0063-0041] 存儲單元裝置及其制作方法
[8177-0119-0042] 電子束直接繪圖的方法和系統及其記錄介質
[8177-0065-0043] 半導體器件的電容器及其形成方法
[8177-0050-0044] 一種光發射和/或接收的半導體本體的制作方法
[8177-0025-0045] 使用摻雜硅酸鹽玻璃的半導體結構的間隙填充
[8177-0108-0046] 集成電路上薄膜層中分布的去耦電容器結構及其制造方法
[8177-0097-0047] 半導體制造設備控制系統的配置設備單元狀態控制方法
[8177-0188-0048] 半導體器件中的互連結構及其制作方法
[8177-0125-0049] 基片的加工設備、支撐設備、加工及制造方法
[8177-0168-0050] 用于半導體襯底的多層焊料密封帶及其工藝
[8177-0189-0051] 半導體器件成膜方法
[8177-0174-0052] 等離子體處理裝置
[8177-0217-0053] 半導體器件及其制造方法
[8177-0077-0054] 在半導體器件中形成自對準接觸的方法
[8177-0082-0055] 高成品率半導體器件及其制造方法
[8177-0170-0056] 半導體制造過程中非保形器件層的平面化
[8177-0176-0057] 在半導體襯底中建立高導電性埋入的側面絕緣區域的方法
[8177-0211-0058] 場效應晶體管及其制造方法
[8177-0212-0059] 具有較小行-行距離的彩色線性圖像傳感器及其驅動方法
[8177-0136-0060] 半導體元件與其制造裝置及制造方法
[8177-0034-0061] 壓電傳動器
[8177-0105-0062] 一種氧化物巨磁電阻薄膜、制備方法及其用途
[8177-0019-0063] 具有可變輸出阻抗的輸出緩沖電路
[8177-0047-0064] 腐蝕硅層的方法
[8177-0135-0065] 半導體管芯上互連凸塊的制作方法
[8177-0165-0066] 固態圖象傳感器及其驅動方法
[8177-0124-0067] 使用含聚合物的光致抗蝕劑的半導體裝置及其制備方法
[8177-0031-0068] 半導體基片和薄膜半導體部件及它們的制造方法
[8177-0012-0069] 光致電壓器件模塊
[8177-0015-0070] 半導體器件的制造方法
[8177-0008-0071] 掩模半成品和掩模的制造方法
[8177-0032-0072] 半導體封裝和器件插座
[8177-0187-0073] 半導體器件的生產方法
[8177-0159-0074] 具有一種貴金屬層的半導體裝置及其制造方法
[8177-0190-0075] 一種快速合成材料芯片的組合離子注入方法
[8177-0100-0076] 單片多層壓電執行元件及其制造方法
[8177-0206-0077] 半導體存儲器及其制造方法
[8177-0150-0078] 制造帶有硅化結和注入結的半導體芯片的方法
[8177-0213-0079] 半導體器件及其制造方法
[8177-0011-0080] 制造散熱器的方法和設備
[8177-0024-0081] 控制由加工半導體的沉積設備所形成的膜層厚度的方法
[8177-0202-0082] 具有淺結的半導體器件的制造方法
[8177-0098-0083] 半導體制造設備控制系統中配置設備單元工作狀態控制法
[8177-0214-0084] 動態隨機存取存儲器單元裝置及其制造方法
[8177-0130-0085] 快速存儲器及其制造方法
[8177-0062-0086] 半導體器件
[8177-0043-0087] 粘合片材
[8177-0208-0088] 光學半導體器件
[8177-0087-0089] 測量雜質濃度的方法及存儲雜質濃度測量程序的記錄介質
[8177-0039-0090] 一種晶體管過載保護電路
[8177-0216-0091] 半導體器件及其制造方法
[8177-0066-0092] 半導體只讀存儲器的高密度行解碼裝置
[8177-0109-0093] 半導體集成電路
[8177-0030-0094] 電平轉換電路和運用電平轉換電路的半導體集成電路器件
[8177-0028-0095] 半導體元件的微細圖形間隙的形成方法
[8177-0153-0096] 從半導體晶片中分離芯片的方法
[8177-0099-0097] 半導體器件的修補測試方法
[8177-0199-0098] 半導體制造裝置的保持體及其制造方法
[8177-0089-0099] 半導體器件及其制造方法
[8177-0141-0100] 半導體器件、太陽能電池模件以及將其拆卸的方法
[8177-0186-0101] 制造具有半球晶粒結構的半導體器件的方法
[8177-0122-0102] 半導體器件及其制造方法
[8177-0183-0103] CMOS器件及其制造方法
[8177-0134-0104] 形成無孔隙溝槽隔離的方法
[8177-0148-0105] 雙柵氧化層雙功函數CMOS的制造方法
[8177-0037-0106] 二維圖像檢像器及其制造方法
[8177-0198-0107] 半導體器件的制造方法
[8177-0191-0108] 半導體器件的制造方法
[8177-0166-0109] 存儲器單元裝置及其制造方法
[8177-0026-0110] 制作具有可變側壁型面的通孔的方法
[8177-0014-0111] EEPROM裝置及其制造方法
[8177-0116-0112] 在半導體器件的制造中減少黑硅的方法
[8177-0196-0113] 具有硅化物層的半導體器件及其制造方法
[8177-0091-0114] 多孔區的去除方法和半導體襯底的制造方法
[8177-0117-0115] 晶片表面清洗裝置及方法
[8177-0096-0116] 半導體襯底的處理方法和半導體襯底
[8177-0146-0117] 半導體器件
[8177-0158-0118] 雪崩光電二極管的光接收機
[8177-0001-0119] 減少寄生電阻和電容的場效應晶體管
[8177-0093-0120] 利用雙鑲嵌形成焊盤的方法
[8177-0102-0121] 半導體芯片載體元件制作方法
[8177-0142-0122] 太陽能電池組件與太陽能電池整體包敷裝置
[8177-0177-0123] 向裝配基板上裝密封體的裝配方法和光學變換裝置
[8177-0160-0124] 用于半導體襯底的清洗水溶液
[8177-0060-0125] 氮化物半導體光發射器件及其制造方法
[8177-0131-0126] 半導體器件
[8177-0201-0127] 制造半導體器件的裝置及制造半導體器件電容器的方法
[8177-0075-0128] 用于形成存儲電極的改進工藝
[8177-0156-0129] 半導體襯底及其制造方法
[8177-0129-0130] 半導體存儲器
[8177-0084-0131] 半導體器件
[8177-0215-0132] 半導體集成電路器件和排列功能單元的方法
[8177-0036-0133] 高溫超導體電流引線接點的制作方法
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[8177-0069-0136] 非模制半導體器件和采用它的光電器件模塊
[8177-0002-0137] 制造半導體器件的設備和方法
[8177-0184-0138] 半導體器件及其制造方法
[8177-0005-0139] 半導體襯底處理裝置及其控制方法
[8177-0138-0140] 硅氧化的計算機模擬方法
[8177-0179-0141] 高效逐級增強高亮度發光二極管及其設計方法
[8177-0175-0142] 在襯底中用于填充槽的方法
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[8177-0053-0144] 帶有由低電阻鋁合金形成的導體的襯底
[8177-0067-0145] 有抗熔元件的半導體器件及現場可編程門陣列的制造方法
[8177-0020-0146] 引線框架及涂敷引線框架的方法
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[8177-0163-0149] 半導體器件
[8177-0101-0150] 具有垂直層疊跨接的存儲單元設計
[8177-0017-0151] 半導體器件
[8177-0035-0152] 高溫超導體電流引線制備方法
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