襯底,半導體襯底,晶體襯底,大功率類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8103-0065-0001] 抑制相鄰通道間耦合串擾的電極布線結構及其制造方法
[摘要] 一種抑制相鄰通道間耦合串擾的電極布線結構，包括一襯底，在其上形成低損耗的光波導及高性能的PIN二極管結構；等間距的光波導陣列，形成光傳播的路徑；不等間距的P+-N+摻雜區對陣列，分布于等間距的光波導陣列兩側，與波導芯區形成PIN二極管陣列；一公共電極，與分立電極分布于等間距的光波導陣列兩側，完成電光調制功能，并減少陣列器件的管腳數；一組分立電極，與公共電極一起完成各通道的分立電光調制功能；陣列中的各不同通道有一個共同電極，與所有通道的同一摻雜類型的摻雜區電極相連；各通道的另一個電極相互分立，且與相應通道的另一摻雜類型的摻雜區電極相連；共同電極與各通道分立電極在相鄰通道間相對分布。
[8103-0048-0002] 具有構造塊的集成電路
[摘要] 集成電路(300)具有規則的網格，該網格由基本一樣的構造塊(100a-i)形成。要避免可能發生在集成電路(300)邊緣的路由沖突，該沖突是由使用單一類型的非對稱構造塊所引入的，該集成電路(300)與路由單元(200)擴展，提供在網格邊緣的路由，這個邊緣未被構造塊(100a-i)的路由網絡覆蓋。路由單元(200)和開關單元(250)由第一路由結構(330)和第二路由結構(340)組合在一起，以形成環繞在集成電路(300)的網格周圍的路由網絡(280)。因此，集成電路(300)表現為只包括單一類型的構造塊(100a-i)，但仍具有完全對稱的路由結構。
[8103-0099-0003] 具有靜電放電保護電路的半導體電路的保護裝置
本發明涉及一種用于半導體電路的ESD保護裝置，其具有被連接于基板接觸(SK1)及地電位連接(VSS)間且電連接至該基板接觸(SK1)的至少一ESD保護組件(SD1至SD4；RS)。該ESD保護組件為ESD保護二極管(SD1至SD4)或ESD保護晶體管(ST1，ST2)形式。亦可在該基板接觸(SK1)及該地電位連接(VSS)之間連接電阻器(RS)或ESD保護晶體管(ST1)以作為ESD保護組件，并另外在基板接觸(SK1)及供給電壓電位連接(VDD)間連接ESD保護二極管(SD2)或ESD保護晶體管(ST2)。
[8103-0180-0004] 制備單晶GaN襯底的方法及單晶GaN襯底
[摘要] 更低成本地制備具有晶體取向的偏軸GaN單晶獨立式襯底，所述的晶體取向是從(0001)偏移的，而不正好是(0001)。由偏軸(111)GaAs晶片作為起始襯底，在起始襯底上氣相沉積GaN，其生長傾斜相同偏軸角且與起始襯底相同方向的GaN晶體。可以通過如下方法利用錯誤取向的(111)GaAs基板作為起始襯底來制備錯誤取向的獨立式GaN襯底：向起始襯底上形成具有多個開口的掩模，通過掩模沉積GaN單晶層，然后除去起始襯底。可以制備錯誤取向為0.1°至25°的GaN晶體。
[8103-0023-0005] 電子元件及其制造方法
[摘要] 本發明不使用外延生長法等高成本的成膜方法便可制作具有高結晶度的功能膜的電子元件。該元件具備襯底、設置在襯底上的下部導電膜、設置在下部導電膜上的功能膜以及設置在下部導電膜與功能膜之間的結晶性阻擋膜。根據本發明，由于下部導電膜的結晶度和材料的選擇不會影響功能膜結晶度，因而能夠將鋁(Al)等廉價的金屬用作下部導電膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本發明不采用外延生長法等高成本的成膜方法便能夠提高功能膜13的結晶度。作為結晶性阻擋膜，可以使用具有無定型結構的材料。
[8103-0115-0006] 發光半導體裝置的緩沖層
[摘要] 本發明涉及一種發光半導體裝置的緩沖層，是由復數層氮化金屬層堆疊形成于藍寶石基板上所構成。此緩沖層為先在高溫下以氨氣使藍寶石(sapphire)基板表面進行氮化，以形成一氮化鋁(AlN)金屬層，接著再于此氮化鋁(AlN)金屬層上，通過有機金屬原料與氨氣于高溫下反應，以成長出復數層氮化金屬層，從而獲得高品質、低缺陷的緩沖層。
[8103-0062-0007] 光電電池
[摘要] 一種光電電池，包括第一個和第二個電極、在緙溲由斕男磯嗄擅紫吆筒賈迷諛擅紫咧淶慕峁埂
[8103-0103-0008] 具有孔洞的影像感測裝置及其制造方法
[摘要] 本發明是一種具有孔洞的影像感測裝置及其制造方法，本發明的影像感測裝置包括：具有感測器的一半導體基底，其上形成有至少一第一絕緣層。多個孔洞形成于第一絕緣層中。一第二絕緣層，覆蓋第一絕緣層與孔洞，其中第二絕緣層并未填滿孔洞。上述孔洞在位于感測器上方的第一絕緣層中形成了中空區，導致更多的光和能量穿越第一絕緣層而到達感測器，因而提升感測器的感測度。
[8103-0201-0009] 標記方法及標記裝置和檢查裝置
[摘要] 本發明提供一種標記方法及標記裝置和檢查裝置，目的在于，對基板上的特定位置迅速附加大小均勻的標記。檢查裝置具有顯微鏡(1)和標記爸?2)，標記裝置(2)具有：保持形成有多個電路(W2)的基板(W1)的載物臺(21)；對判定為不良的電路(W2)附加標記的標記附加單元(22)；控制載物臺(21)和標記附加單元(22)的控制裝置(24)。控制裝置(24)存儲通過顯微鏡檢查判定為不良的電路(W2)的載物臺(21)的位置，根據該位置控制標記附加單元(22)和載物臺(21)的位置。
[8103-0178-0010] 第Ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半導體器件
[摘要] 提供了一種具有低的位錯密度、制造便宜的第III族氮化物晶體襯底、制造這種襯底的方法，及結合所述第III族氮化物晶體襯底的第III族氮化物半導體器件。所述第III族氮化物晶體襯底的制造方法包括：將第一種第III族氮化物晶體(2)通過液相取向附生生長到基礎襯底(1)上面的步驟；和將第二種第III族氮化物晶體(3)通過氣相取向附生生長到所述第一種第III族氮化物晶體(2)上面的步驟。由這種制造方法制造的第III族氮化物晶體襯底的位錯密度為1×107位錯/cm2。
[8103-0053-0011] 含有場效應晶體管的集成電路及其制造方法
[8103-0061-0012] 具有透明陰極的場致發光設備
[8103-0198-0013] 半導體裝置
[8103-0066-0014] 應變finFET及其制造方法
[8103-0088-0015] CMOS阱結構及其形成方法
[8103-0124-0016] 保護半導體器件的方法及采用這種方法用于半導體器件的保護裝置
[8103-0078-0017] 金屬氧化物半導體晶體管的結構以及其形成方法
[8103-0210-0018] 用于削弱電磁干擾的系統和方法
[8103-0028-0019] 將相異移除速度應用到襯底表面的方法與裝置
[8103-0031-0020] 在基板上形成絕緣膜的方法、半導體裝置的制造方法和基板處理裝置
[8103-0022-0021] 熱電材料和使用該熱電材料的熱電組件
[8103-0045-0022] 半導體器件及其制造方法
[8103-0145-0023] 具有引線接合電感器的半導體器件和方法
[8103-0171-0024] 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
[8103-0202-0025] 觀察裝置和觀察方法
[8103-0113-0026] 過電壓保護裝置及其制備工藝
[8103-0164-0027] 氮化鎵類化合物半導體裝置
[8103-0161-0028] 偽非易失性直接隧穿浮柵器件
[8103-0010-0029] 3D RRAM
[8103-0026-0030] Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
[8103-0039-0031] 在劃片格線中形成缺陷預防溝槽
[8103-0003-0032] 樹脂密封半導體器件和引線框架、及其制造方法
[8103-0111-0033] 薄膜器件的供給體及其制造方法、轉印方法
[8103-0173-0034] 半導體裝置的制造方法及半導體元件的定位方法
[8103-0142-0035] 被處理體的輸送方法
[8103-0077-0036] 垂直場效應晶體管及其制作方法和含有它的顯示裝置
[8103-0217-0037] 半導體器件
[8103-0008-0038] 半導體器件
[8103-0097-0039] 金屬導線結構及其制程
[8103-0214-0040] 具有增層結構的晶圓級半導體封裝件及其制法
[8103-0015-0041] 非晶硅太陽能電池夾膠玻璃組件
[8103-0079-0042] 金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
[8103-0063-0043] 用于有機電致發光器件的緩沖層及其制造方法和應用
[8103-0204-0044] 切割模片粘接膜
[8103-0044-0045] 在襯底上形成接點陣列
[8103-0151-0046] 肖特基壁壘CMOS器件及其方法
[8103-0152-0047] 鐵電門器件
[8103-0166-0048] 自對準納米管場效應晶體管及其制造方法
[8103-0199-0049] 非易失性存儲器評估方法和非易失性存儲器
[8103-0037-0050] 從包括緩沖層的晶片轉移薄層
[8103-0154-0051] 半導體襯底的制造方法以及半導體裝置的制造方法和由該方法制造的半導體襯底以...
[8103-0018-0052] 360度(體發光)高光效光致發光二極管
[8103-0148-0053] 去耦電容的表面安裝焊料方法和設備及制造過程
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[8103-0110-0055] 具有改進的開態電阻性能的高電壓橫向FET結構
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[8103-0135-0061] 干式蝕刻方法、干式蝕刻氣體及全氟-2-戊炔的制備方法
[8103-0013-0062] 偏置電路、固態成像裝置及其制造方法
[8103-0163-0063] 提高光伏電池輸出功率的方法
[8103-0207-0064] 制造高性能銅疊層感應器的方法
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[8103-0051-0067] 氮化物只讀存儲器存儲單元陣列制造方法
[8103-0120-0068] 大功率發光二極管熒光粉涂層工藝
[8103-0181-0069] 在鋁酸鎂襯底上高質量鋅極性ZnO單晶薄膜的制備方法
[8103-0211-0070] 基板
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[8103-0046-0072] 大功率矩柵陣列封裝和插座
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