及其,及其制備,半導體模塊,半導體集成電路裝置類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8161-0209-0001] 無凹陷銅鑲嵌結構的制造工藝
[摘要] 銅鑲嵌互連的制造包括謚釗緋牡諄蚪鶚舨愕認旅嫻牡嫉綺?102)上淀積一層氧化層(304)，然后對它構圖和蝕刻。隨后具有任選的銅晶種層的阻擋層(308)淀積在經構圖的氧化層(304)上。對阻擋層(308)進行構圖并蝕刻，以除去一些阻擋層材料。在阻擋層(308)上鍍敷銅(318)。進行CMP拋光以使銅層(318)到達阻擋層(308)的層面。繼續拋光，以把阻擋層(308)及剩余的銅(318)拋光到氧化層(304)的層面。其結果是無凹陷的銅鑲嵌結構。
[8161-0173-0002] 薄膜晶體管基片及其制造方法
[摘要] 在有自對準LDD的多晶硅薄膜晶體管基片上，用W濃度為重量5％以上不到25％，更希望用W濃度為重量17％到22％的Mo－W合金制作柵極，用包括磷酸濃度為重量60％到70％的刻蝕溶液的濕刻蝕工序的方法制作的薄膜晶體管基片有均勻的特性并有優越的生產性。
[8161-0060-0003] 半導體裝置和制造半導體設備的方法
公開了一種制造半導體設備的方法，包括以下步驟：制備一塊具有包括一個蝕刻保護層和一個基底金屬層在內的多個層的金屬層疊板；在上述金屬層疊板上利用另一種金屬或者利用其自身的蝕刻保護層之上的頂部金屬層形成若干引線，有選擇地形成一個絕緣膜，該絕緣膜的厚度能覆蓋上述引線，并且具有能使引線暴露出來的多個開口，在從每個開口曝露出的引線上引成與印刷電路板相連的電極，利用上述的蝕刻保護層對基底金屬層進行有選擇的蝕刻，對上述的蝕刻保護層進行蝕刻，使各引線電氣上互相獨立，以及將半導體芯片的電極與上述引線相連。
[8161-0182-0004] 使用化學機械拋光精加工用于接合的晶片的裝置和方法
[摘要] 描述一種包ㄒ桓靄氳繼宄牡住⒁桓鯟MP工具、一個刷洗清潔工具與一個化學晶片清潔工具的方法與裝置。CMP工具在1psi的向下力、0.5psi的背側空氣壓力、50rpm的臺板轉速、30rpm的載體轉速與140毫升/分的拋光漿料流速下進行工作。
[8161-0093-0005] 半導體和錳酸鑭p－n結
[摘要] 本發明涉及電子學領域，特別是涉及一系列新型p－n結。本發明將p型錳酸鑭La1－xAxMnO3薄膜材料(其中A是Ca或Sr或Ba或Pb或Sn)或n型錳酸鑭La1－xBxMnO3(其中B是Te或Nb或Sb或Ta)，所有x的取值范圍為0.005～0.5，與n型或p型半導體材料(選擇摻雜的硅或鍺或砷化鎵)進行疊層生長，制備成半導體和錳酸鑭的p－n結、p－p結、n－n結、p－n－p結、n－p－n結等結構。本發明的制作工藝簡單，穩定性好，可廣泛應用于電子器件。
[8161-0036-0006] 半導體裝置
[摘要] 提供可以控制半導體芯片與光刻膠材料之間形成的裝配膏的形成狀態，可以減少在半導體芯片上發生的裂紋的半導體裝置。具有：在基板11上邊，各自以娑ň嗬胍韻碌募涓襞帕釁鵠吹畝喔齬飪探翰牧?2；配置在已形成了多個光刻膠材料12的基板11上邊的半導體芯片14；在基板11和半導體芯片14之間形成的用于粘接這些基板11和半導體芯片14的裝配膏13。
[8161-0019-0007] 硅晶片的加強材料和利用這種材料制造集成電路芯片的方法
[摘要] 一種硅晶片的加強材料和利用這種材料制造集成電路芯片的方法。首先形成洛氏硬度至少為60、并且包括基層材料和黏合劑的加強材料；然后在其上形成有電路的硅晶片被切割前，將加強材料附著在硅晶片沒有形成電路的一面上。
[8161-0189-0008] 半導體裝置與其圖案設計方法
[摘要] 將激勵器驅動用的半導體裝置集成于一個芯片內。本發明的半導體裝置是在具有陰極激勵器、陽極激勵器以及存儲部的用來驅動表示顯示器的激勵器中，將與上述存儲部相連接的陽極激勵器區域10、12、13、16在芯片內均等分配，并在其均等分配的各陽極激勵器區域10、12、13、16的附近位置均等地配置SRAM18、19，從而簡化了布線的折回，可縮小芯片尺寸。
[8161-0057-0009] SiGeC半導體結晶及其制造方法
[摘要] 在Si襯底101上，利用UHV－CVD法，使B摻雜Si1－x－yGexCy層102(0＜x＜1，0.01≤y＜1)外延成長。此時，作為雜質(摻雜物)的硼(B)的原料氣體采用B2H6來進行現場摻雜。然后，對Si1－x－yGexCy層102實施熱處理，作為B摻雜Si1－x－yGexCy結晶層103。希望把熱處理溫度設定在700℃～1020℃的范圍內，而且，最好把熱處理溫度設定在900℃～1000℃的范圍內。
[8161-0016-0010] 使發光二極管產生白色光的方法及裝置
[摘要] 一種使發光二極管產生白色光的方法包括：取一藍色光芯片及一黃綠色光芯片構成一發光單元；分別設定通過所述各芯片的電流大小；調整其色度比例；分別對各所述芯片通電點亮；以及經膠色較白的封裝樹脂混色后產生白色光。實施該方法的裝置包括：一設有反光線路及連接線路的印刷電路板；多組由一藍色光芯片及一黃綠色光芯片組成的發光單元以及充填有封裝樹脂的一封裝體。當同時點亮藍色及黃綠色光芯片時，便可看到白色光。
[8161-0196-0011] 適用于靜電放電防護的電壓控制元件及其保護電路
[8161-0038-0012] 導熱管集熱端
[8161-0081-0013] 半導體模塊及其制造方法
[8161-0007-0014] 圖像拾取設備
[8161-0178-0015] 用于諸如微處理器這樣的集成電路的支座底板
[8161-0127-0016] 高準確度及靈敏度霍爾感測元件及集成電路的封裝方法
[8161-0071-0017] 集成電路中自調準Cu擴散阻擋層的制造方法
[8161-0183-0018] 激光加工方法及其設備
[8161-0061-0019] 半導體芯片裝置及其封裝方法
[8161-0113-0020] 一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池及其制備方法
[8161-0169-0021] 圖象攝取裝置
[8161-0096-0022] 化學機械研磨用研磨劑及研磨方法
[8161-0164-0023] 引線架
[8161-0108-0024] 一種層間介電層平坦化的方法
[8161-0125-0025] 制造絕緣層上硅的金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[8161-0015-0026] 薄膜晶體管及其制造方法和包括該晶體管的半導體器件
[8161-0185-0027] 晶體管T型發射極或柵極金屬圖形的制造方法
[8161-0171-0028] 具有絕緣柵型雙極晶體管的半導體器件及其制造方法
[8161-0145-0029] 用于降低半導體晶片中的波紋性的方法
[8161-0005-0030] 半導體器件及其制造方法
[8161-0213-0031] 雙極金屬氧化物半導體場效應晶體管器件
[8161-0088-0032] 一種基于Ⅲ族氮化物異質結構極化效應的高響應光電探測器
[8161-0179-0033] 薄膜晶體管及其制造方法
[8161-0066-0034] 一次可編程半導體非易失性存儲器件及其制造方法
[8161-0090-0035] 量子型光電晶體管
[8161-0074-0036] 壓電陶瓷執行元件及其制造方法
[8161-0123-0037] 半導體裝置的制造方法
[8161-0136-0038] 封裝的集成電路
[8161-0200-0039] 嵌入式快閃存儲器及其操作方法
[8161-0069-0040] 從聚碳硅烷形成的低介電常數聚有機硅涂料
[8161-0077-0041] IC測試處理機的IC輸送程序及其裝置
[8161-0116-0042] 提高金屬電極反射率的方法
[8161-0155-0043] 可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法
[8161-0135-0044] 降低電氣雜訊的球陣列封裝裝置
[8161-0040-0045] 電荷泵電路和使用它的非易失性存儲器的工作方法
[8161-0106-0046] 一種微小芯片倒扣工藝技術
[8161-0187-0047] 制造半導體器件的方法
[8161-0049-0048] 制造晶體管的方法
[8161-0132-0049] 多層金屬電源/接地總線的布局結構
[8161-0107-0050] 制作在硅晶片上的薄膜無源元件的包裝方法
[8161-0062-0051] 非著陸制作工藝及光學逼近修正光掩模圖形的產生方法
[8161-0065-0052] 金屬－絕緣－金屬場效應管
[8161-0104-0053] 半導體器件的制備方法
[8161-0110-0054] 與安裝基片有可靠連接的半導體器件
[8161-0100-0055] 一種半導體生產系統
[8161-0124-0056] 自適應等離子體表征系統
[8161-0053-0057] 靜電吸盤和處理裝置
[8161-0027-0058] 磁電轉換元件及其制造方法
[8161-0055-0059] 半導體存儲元件的制造方法
[8161-0192-0060] 金屬基座半導體
[8161-0022-0061] 具有硅－鍺(Sii－x－Gex
[8161-0020-0062] 多孔SOG膜的制備方法
[8161-0089-0063] 半導體器件及其制造方法和噴液設備
[8161-0105-0064] 制造功率整流器件以改變工作參數的改進方法及所得器件
[8161-0120-0065] 片式壓電變壓器連續極化的方法及其裝置
[8161-0080-0066] 使用磁化導熱液體的散熱器
[8161-0190-0067] 低壓模式且經通道擦寫的快閃存儲單元及其制作方法
[8161-0029-0068] Ⅲ族氮化物單/多層異質應變薄膜的制作方法
[8161-0218-0069] CVD方法
[8161-0153-0070] 預清室的硅化物清除方法
[8161-0075-0071] 有機電致發光裝置
[8161-0085-0072] 半導體存儲裝置
[8161-0170-0073] 固體攝象裝置
[8161-0070-0074] 電子器件中有機介電薄膜集成化時使用硅氧烷介電薄膜的工藝
[8161-0095-0075] 化學機械研磨用研磨劑及基板的研磨法
[8161-0152-0076] 預清室的微粒防止方法
[8161-0198-0077] 半導體裝置與其圖案設計方法
[8161-0056-0078] 半導體器件、電子裝置的制造方法、電子裝置和攜帶式信息終端
[8161-0128-0079] 去封裝芯片的測試裝置
[8161-0059-0080] 近環繞閘極及制造具有該閘極的矽半導體裝置的方法
[8161-0008-0081] 存儲器一體型顯示元件
[8161-0131-0082] 發光二極管的散熱結構
[8161-0216-0083] 具有改進的發光效率和輻射率的長效聚合物發光裝置
[8161-0211-0084] 具有銦熱偶的電子組件的構造方法及具有銦熱偶的電子組件
[8161-0115-0085] 太陽能電池及其制造方法
[8161-0031-0086] 氣體噴射器以及包含該噴射器的蝕刻裝置
[8161-0112-0087] 全耗盡型集電極硅絕緣體雙極晶體管
[8161-0043-0088] 動態觸發器
[8161-0076-0089] 圖形形成方法
[8161-0186-0090] 一種制造半導體器件的方法
[8161-0073-0091] 修改集成電路的方法
[8161-0134-0092] 半導體集成電路及其制備方法
[8161-0099-0093] 壓電式彎曲變換器
[8161-0175-0094] 半導體器件及其制造方法
[8161-0162-0095] 用于半導體和功率模件的絕緣襯底板
[8161-0033-0096] 制造半導體裝置的方法及半導體裝置
[8161-0140-0097] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0012-0098] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0203-0099] 半導體裝置和其制造方法
[8161-0188-0100] 測試嵌入式模擬/混合信號磁心的方法和結構
[8161-0011-0101] 半導體器件及其制造方法
[8161-0086-0102] 雙位元非揮發性存儲單元的結構及其讀寫方法
[8161-0151-0103] III－V族化合物半導體晶體結構及其外延生長方法和半導體器件
[8161-0018-0104] 發光器件和制造該器件的方法
[8161-0193-0105] 用于冷卻發熱元件的冷卻裝置和包括有冷卻裝置的電子設備
[8161-0004-0106] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0114-0107] 半導體器件以及顯示裝置
[8161-0087-0108] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0210-0109] 半導體器件用的保護層
[8161-0217-0110] 三族金屬氮化物元件的制造方法
[8161-0142-0111] 發光二極管及其制造方法
[8161-0001-0112] 接合頭及部件安裝裝置
[8161-0025-0113] 光源裝置
[8161-0051-0114] 半導體器件和設計掩模的方法
[8161-0014-0115] 半導體器件及其制造方法
[8161-0154-0116] 氣源分子束外延生長鍺硅異質結雙極晶體管材料摻雜方法
[8161-0184-0117] 互補掩模對的制造方法
[8161-0191-0118] 懸吊式電子裝置構造
[8161-0176-0119] 多重光源發光裝置
[8161-0202-0120] 半導體裝置及其制作方法
[8161-0079-0121] 鐵電存儲器集成電路的高質量鉛鋯鈦酸鹽膜的制造工藝
[8161-0058-0122] 半導體晶圓干燥方法
[8161-0098-0123] 化學惰性的兆赫聲波換能器系統
[8161-0003-0124] 級聯連接多個二極管構成的半導體器件
[8161-0050-0125] 半導體晶體的制造方法
[8161-0048-0126] 多晶半導體薄膜襯底及其制造方法、半導體器件和電子器件
[8161-0133-0127] 導線框、使用該導線框的半導體裝置及其制造方法
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[8161-0002-0131] 沸騰冷卻裝置
[8161-0064-0132] 半導體裝置
[8161-0035-0133] 制造用于半導體裝置的圓柱型電容器的方法
[8161-0194-0134] 用于降低集成電路的壓降的具有多重狹長帶的外部電源環
[8161-0118-0135] 發光單元、發光單元組件和用多個該單元生產的照明裝置
[8161-0130-0136] 包含非易失性半導體存儲器的半導體集成電路裝置的制造方法
[8161-0207-0137] 壓電變壓器
[8161-0111-0138] 基于二極管和陰極導電性以及陰極發光的數據存儲介質
[8161-0139-0139] 半導體器件、電路襯底、光電裝置和電子設備
[8161-0180-0140] 利用分開的介電浮柵的新型易收縮非易失性的半導體存儲單元及其制造方法
[8161-0166-0141] 半導體裝置及其圖案布線方法
[8161-0097-0142] 具有增大柵耦合電容的集成電路
[8161-0158-0143] 銅導線在下層之內連線的雙鑲嵌的制造方法
[8161-0161-0144] 具有散熱結構的半導體封裝件
[8161-0163-0145] 具有內嵌式散熱塊的半導體封裝件
[8161-0046-0146] 發光二極管
[8161-0092-0147] 半導體和鈣鈦礦結構氧化物p－n結
[8161-0148-0148] 金屬－絕緣體－半導體場效應晶體管
[8161-0039-0149] 半導體器件及其制造方法
[8161-0137-0150] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0037-0151] 電源半導體模塊和容納半導體模塊的冷卻元件
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[8161-0006-0153] 半導體存儲器
[8161-0109-0154] 壓觸式半導體器件
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[8161-0044-0156] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8161-0063-0157] 半導體設備
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[8161-0068-0159] 加熱和冷卻薄片形制品的熱處理室
[8161-0168-0160] 非易失性半導體存儲裝置
[8161-0094-0161] 用于半導體晶片的夾持裝置
[8161-0150-0162] 用直流電等離子聚合在金屬表面連續形成聚合物的設備
[8161-0174-0163] 分子隧道二極管及其制造方法
[8161-0159-0164] 頂部導體包層的制造方法
[8161-0205-0165] 一種鍍有金屬反射鏡膜基板的發光二極管及其制造方法
[8161-0042-0166] 半導體集成電路器件以及使用它們的電子裝置
[8161-0117-0167] GaN基Ⅲ－Ⅴ族氮化物發光二極管及其制造方法
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[8161-0201-0170] 雙位溝槽式柵極非揮發性快閃存儲單元及其操作方法
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[8161-0197-0174] 單片式微波集成電路及其制造方法
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[8161-0028-0185] 光掩模、其制造方法、圖形形成方法及半導體裝置的制造方法
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