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以下為光盤目錄：
1、向半導體非揮發性存儲器的信息的記錄方法
[技術摘要]本發明是關于一種向半導體非揮發性存儲器的信息的記錄方法，是一種電流效率良好地對半導體非揮發性存儲器*件進行信息記錄的方法。電荷積蓄部被設置于電阻變化部上，并含有絕緣層且可積蓄電荷。當在藉由預先于電荷積蓄部中積蓄電荷而使信息被消去的半導體非揮發性存儲器中記錄信息時，如第1導電型為p型且第2導電型為n型，則包括在一主電極區域上施加正的高電壓的步驟、使另一主電極區域為接地電壓的步驟、在控制電極上施加使溝道形成區域進行弱反相的正電壓的步驟。
2、非揮發性半導體記憶胞及其制造方法
[技術摘要]一種非揮發性記憶胞，包括：具有第一導電型的一基底，一閘極結構，具有第二導電型的至少二源極/汲極區，以及具有第二導電型的一埋入式通道區。閘極結構配置于基底上，而源極/汲極區配置于閘極結構兩旁的基底中。另外，埋入式通道區配置在閘極結構下的基底中，其中埋入式通道區與源極/汲極區隔離。
3、非揮發性半導體存儲器及其制作方法
[技術摘要]本發明提供一種非揮發性半導體存儲器及其制作方法，這種非揮發性半導體存儲器采用納米單晶硅浮柵、實現了單電子存儲，而且納米單晶硅浮柵中的納米單晶硅離子的密度高，存儲能力強。所述非揮發性半導體存儲器的制作方法包括：在半導體基體形成隧道氧化層；在隧道氧化層上形成納米單晶硅層，所述納米單晶硅層為小丘狀的納米單晶硅顆粒；形成覆蓋納米單晶硅層的層間介電層；在層間介電層上形成多晶硅層；圖案化多晶硅層，形成控制柵；圖案化層間介電層，形成阻擋氧化層；圖案化所述納米單晶硅層，形成浮柵；摻雜半導體基板形成分離的源極和漏極；圖案化隧道氧化層，形成柵氧化層。
4、非揮發性半導體存儲器件
[技術摘要]本發明提供了包括新型存儲器核心部分的非揮發性半導體存儲器件，其中存儲器單*信息讀通路上的寄生*件影響在讀操作時被排除，以及伴隨這種存儲器核心結構，用來實現快速檢測的新型檢測方法。在存儲器核心部分中，被選擇的存儲器單*被全局位線通過局部位線選擇，相鄰的全局位線被連接至未被選擇區段中的局部位線。列選擇部分連接一對全局位線至一對數據總線。具有等價于來自存儲器單*通路上的寄生電容的，并用于提供參考電流至參考側的負載部分被連接至一對數據總線上。存儲器單*信息電流通過電流比較部分與參考電流相比較，差分電流被輸出。通路負載被一對鄰近通路所均衡，以便噪聲效應被抵消，從而能實現快速讀取。
5、車用*型半導體保鮮箱
[技術摘
6、非揮發半導體記憶胞*及其半導體電路配置的制造方法
7、自對準量子點增強F-N隧穿的半導體非揮發存儲器
8、基于單個極性半導體納米帶光**的制作方法
9、合成CdTe半導體熒光納米晶體材料的方法及其合成系統
10、非揮發性半導體存儲器件
11、非揮發性半導體存儲單*結構及其制作方法
12、半導體器件金屬電極的剝離方法
13、含磷二氧化硅乳膠源擴散制備大功率半導體器件的方法
14、高溫正溫度系數熱敏電阻半導體陶瓷材料的制造方法
*、高速可編程不揮發性半導體存儲裝置
16、半導體*件的*細圖形間隙的形成方法
17、半導體制程設備的清潔方法
18、在半導體器件上形成多孔介電材料層的方法及形成的器件
19、使用濕法制造的有機半導體器件及有機電致發光器件
20、半導體結構與非揮發性存儲器的結構及制造方法
21、半導體器件的制造方法
22、非揮發性半導體存儲裝置
23、使用共混溶液形成半導體層和絕緣層而制備底柵薄膜晶體管的改進方法
24、半導體襯底的化學溶液處理裝置
25、氧化物稀磁半導體/鐵電體異質結構及其制備方法
26、半導體薄膜表面刻蝕設備
27、可隨機編程的非揮發半導體存儲器
28、平坦型非揮發性半導體存儲*件
29、處理半導體晶片的方法
30、半導體器件及其制造方法
31、半導體封裝用環氧樹脂組合物的制造方法
32、制造半導體器件的方法
33、磁阻隨機存取存儲器裝置及構成該裝置的鐵磁性半導體的鐵磁性轉移溫度的控制方法
34、半導體顯影劑
35、有機半導體膜的形成方法、有機半導體膜及有機薄膜晶體管
36、薄膜、半導體薄膜、半導體器件的生產方法
37、半導體熱泵式隔膜泵
38、平面型氣敏半導體傳感*件
39、非揮發性半導體存儲器及其制作方法
40、非揮發性半導體存儲器件
41、圖形形成方法和半導體器件的制造方法
42、半導體材料的制造方法及所用設備
43、非揮發性半導體存儲器*件及其制造方法
44、具有電容器保護層的半導體存儲器件及其制備方法
45、周期結構寬帶隙半導體氧化鋅薄膜的制備方法
46、形成納米單晶硅的方法和非揮發性半導體存儲器制造方法
47、半導體制造裝置的氣體供給系統
48、具有嵌壁式淺溝的隔絕結構的半導體制造方法及存儲器電路
49、材料在半導體基片上的超臨界流體輔助沉積
50、半導體曝光方法與操作半導體曝光裝置的方法
51、用醌二亞胺摻雜有機半導體的方法
52、形成非揮發性記憶胞的方法及用這方法形成的半導體結構
53、一種半導體器件表面成型方法
54、分離式位線結構的非揮發性半導體存儲單*
55、半導體裝置的制造方法
56、非揮發性存儲器及其相關臨限電壓驗*方法與半導體裝置
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