柵極,核心柵極,制造半導體器件,半導體元件類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8120-0139-0001] 更換等離子體反應室的電極組合的方法
[摘要] 本發明公開了一種更換用于在半導體襯底加工中使用的等離子體反應室的電極組合的方法。在一種電極組件中，支撐部件可以包括通過彈性接頭結合到電極(如硅淋浴頭式電極)上的石墨環。彈性接頭使得在支撐部件與電極之間可以移動，來補償由于電極組件的溫度循環產生的熱膨脹。彈性接頭可以包括導電和/或導熱填料，彈性體可以是高溫穩定的催化劑固化的聚合物。
[8120-0120-0002] 發光二極管
[摘要] 一種發光二極管，包括：電路基片；led芯片；熱輻射機構，被提供在所述電路基片上，并支持所述led芯片以接收來自led的熱并輻射熱；以及密封體，提供在所述led芯片上以覆蓋所述led芯片。
[8120-0045-0003] 覆晶封裝制程
本發明是關于一種覆晶封裝制程，其是先在芯片參考線路基板的多個定位標記定位于線路基板上之后，在這些定位標記上配置一隔絕材料塊，并對這些隔絕材料塊進行一固著處理，例如回焊或固化，以使這些隔絕材料塊分別形成一隔絕物于這些定位標記上。藉由這些隔絕物可有效隔絕這些定位標記與空氣，以避免這些定位標記的表面氧化。如此一來，可提高覆晶封裝體的線路基板的可靠度，亦可保持覆晶封裝體的線路基板的美觀。
[8120-0132-0004] 含多個部件傳送器件的半導體裝置
[摘要] 本發明提供了一種部件傳送裝置，該裝置能夠在半導體工藝中從部件供應的拾取位置傳送部件到如芯片焊盤等接收器中的放置位置。其包含第一傳送器件和第二傳送器件以從拾取位置有效交替傳送部件到放置位置。第二傳送器件與第一傳送器件相對于拾取位置和放置位置之間的連線對應布置。
[8120-0090-0005] 采用晶片鍵合和simox工藝的不同晶體取向自對準soi
[摘要] 本發明提供制作在具有不同晶體取向的soi襯底上的集成半導體器件，對特定的器件可提供優化的性能。具體說來，所提供的集成半導體結構至少包含一個soi襯底，該襯底具有第一晶體取向的上半導體層和第二晶體取向的半導體材料，其中半導體材料層與上半導體層基本上是共面的并有基本相同的厚度，并且第一晶體取向與第二晶體取向不同。此soi襯底由晶片鍵合、離子注入和退火制成。
[8120-0052-0006] 氣壓差吸引裝置
[摘要] 本發明為一種氣壓差吸引裝置，應用于一氣壓差制造器及一對象之間，該裝置包含一連通管，連通于該氣壓差制造器，因應該氣壓差制造器的動作而使該連通管內處于小于外界壓力的狀態；一軸承，具有一第一環及一第二環，該第一環活動套合于該第二環并可進行同軸樞轉，該第一環固定套合于該連通管；一握持部，供使用者握持，連通于該連通管，套合于該軸承的該第二環，并利用該軸承的該第一環及第二環為活動接合的特性，而可與該連通管進行同軸樞轉，并保持內部小于外界壓力的狀態；以及一吸引器，連通于該握持部，利用該握持部內部小于外界壓力的狀態而產生吸附力以吸附該對象。
[8120-0110-0007] 基于區熔硅單晶的雙極光晶體管及其探測方法
[摘要] 本發明基于區熔硅單晶的雙極光晶體管采用區熔硅單晶片來制作。由于區熔硅單晶的生長不需要坩堝，在制備過程中硅單晶除了與保護氣體接觸外不與其它任何材料直接接觸，因此區熔硅單晶比直拉硅單晶或其它半導體單晶材料有更高的純度、更少的雜質缺陷。采用區熔硅單晶制作的雙極器件，缺陷(包括重金屬雜質)少，因而產生復合中心少，少子的壽命長，能夠極大地提高雙極光晶體管小信號增益特性，提高探測微弱光信號的靈敏度。本發明采用器件背面接受光入射來探測光信號的方法，能夠克服正面金屬電極的遮光作用以及發射區硅材料的吸光效應，有利于提高雙極光晶體管的性能。
[8120-0156-0008] 氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明提供了一種氮化物半導體、半導體器件及其制造方法。該半導體在表面具有大的低缺陷區。而且，氮化物半導體的制造方法包括采用橫向生長技術的層形成步驟，其中可以容易地減少表面缺陷。在襯底上，形成籽晶部分，及該籽晶部分的表面上具有多個開口部分的生長抑制層。接著，在兩階段生長條件下自籽晶部分生長晶體以形成氮化物半導體層。在第一階段在1040℃的生長溫度下形成低溫生長部分，并在第二階段在1070℃的生長溫度下主要進行橫向生長以形成低溫生長部分之間的高溫生長部分。由此，在低溫生長部分之上的氮化物半導體層表面中減少了小丘和常規晶格缺陷。
[8120-0165-0009] 藥液處理裝置、藥液處理方法及電路基板的制造方法
[摘要] 本發明涉及藥液處理裝置、藥液處理方法及電路基板的制造方法。其中，將蓋子(3)漂浮配置在被藥液槽(1)貯存的藥液(5)上，使帶狀基板(7)穿過開口部(4a、4b)，通過蓋子(3)將帶狀基板(7)浸泡在藥液(5)中，在將帶狀基板(7)浸泡在藥液(5)中的狀態下，一邊通過滾軸(6a～6d)輸送帶狀基板(7)，一邊對帶狀基板(7)進行藥液處理。從而既可防止藥液的液面暴露在空氣中，又可以進行藥液處理。
[8120-0163-0010] 用于制造半導體芯片的方法
[摘要] 一種通過把具有以網格狀形式形成在正面的多個道的半導體晶片分割成單個半導體芯片以及把用于管芯接合的粘結薄膜附著到單個半導體芯片的背面而制造半導體芯片的方法，它包括分割槽形成步驟，用于從半導體晶片的正面沿著道形成具有預定的深度的分割槽；保護性元件附著步驟，用于把保護性元件附著到其上形成分割槽的半導體晶片的正面；分割槽暴露步驟，用于通過研磨半導體晶片的背面，使得分割槽暴露于背面，以便把半導體晶片分割成單個半導體芯片；粘結薄膜附著步驟，用于把粘結薄膜附著到被分割成單個的半導體芯片的背面；以及粘結薄膜切割步驟，用于把激光束從粘結薄膜的正面一側沿著分割槽加到被附著在被分割成單個的半導體芯片的背面的粘結薄膜，以便沿著分割槽切割粘結薄膜。
[8120-0106-0011] 薄膜電晶體及具有此種薄膜電晶體的畫素結構
[8120-0049-0012] 用于記憶體積體電路的晶圓等級燒錄
[8120-0168-0013] 用于制造半導體器件的方法
[8120-0038-0014] 等離子體蝕刻方法和等離子體處理裝置
[8120-0092-0015] 固體攝像裝置的制造方法
[8120-0154-0016] 形成絕緣體上硅鍺襯底材料的方法、襯底材料及異質結構
[8120-0074-0017] 具有控制電路的esd保護電路
[8120-0149-0018] 液體供給裝置及基板處理裝置
[8120-0087-0019] 以部分空乏與完全空乏晶體管建構的靜態存儲元件
[8120-0105-0020] 用離子束改性技術控制半金屬場效應管溝道材料的載流子密度
[8120-0216-0021] 不對稱晶體結構存儲單元
[8120-0170-0022] 處理方法和處理系統
[8120-0155-0023] 硅絕緣體晶片及其制造方法
[8120-0128-0024] 質量流控制流量檢定和校準的方法
[8120-0206-0025] 半導體集成電路裝置
[8120-0194-0026] 電子元件安裝用薄膜載帶的檢測裝置及檢測方法
[8120-0040-0027] 用于制造布線的方法和用于制造半導體器件的方法
[8120-0134-0028] 一種用于半導體裝置的設備
[8120-0018-0029] 蝕刻中止層的重作方法
[8120-0042-0030] 薄膜晶體管的制造方法及其結構
[8120-0026-0031] 真空容器
[8120-0076-0032] 半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子機器
[8120-0089-0033] 具對稱性選擇晶體管的快閃存儲器的布局
[8120-0153-0034] 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的開關器件
[8120-0022-0035] 摻雜裝置和摻雜方法以及薄膜晶體管的制作方法
[8120-0029-0036] 抗蝕劑圖案及配線圖案的形成方法、半導體裝置的制造法
[8120-0069-0037] 無孔隙金屬互連結構及其形成方法
[8120-0113-0038] 一種用于光電器件封裝的半導體載體
[8120-0091-0039] 固態圖像傳感器件及其制造方法
[8120-0214-0040] 切割芯片焊接薄膜,固定碎片工件的方法及半導體器件
[8120-0060-0041] 具犧牲層的嵌入式非揮發性存儲器的制造方法
[8120-0142-0042] 用于制造電子器件的基于熔化的圖案化工藝
[8120-0005-0043] 浪涌保護半導體裝置
[8120-0085-0044] 具納米晶體或納米點之存儲單元
[8120-0063-0045] 連接裝置
[8120-0016-0046] 多區域垂直配向薄膜晶體管陣列基板的制造方法
[8120-0158-0047] 一種用于半導體裝置的設備
[8120-0192-0048] 半導體器件及其制造方法
[8120-0195-0049] 半導體組件測試方法及測試半導體組件之系統
[8120-0186-0050] 電子元件安裝設備及電子元件安裝方法
[8120-0207-0051] 半導體裝置
[8120-0143-0052] 控制存儲器電阻性質的氧含量系統及方法
[8120-0114-0053] 一種發光芯片及發光二極管
[8120-0144-0054] 形成結晶半導體層的方法和裝置，以及制造半導體裝置的方法
[8120-0051-0055] 基板支承用槽棒及使用該槽棒的基板載具
[8120-0104-0056] 柵極結構及包含此結構的金氧半晶體管結構及其制造方法
[8120-0102-0057] 具有三維溝道的金屬氧化物半導體（mos）晶體管及其制造方法
[8120-0176-0058] 制造具有絕緣性能提高的氮化膜的半導體器件的方法
[8120-0189-0059] 電子部件的安裝方法、電子部件的安裝結構、電子部件模塊和電子設備
[8120-0200-0060] 基板輸送裝置和基板輸送方法及真空處理裝置
[8120-0024-0061] 多結構的硅鰭形及制造方法
[8120-0129-0062] 圖案的形成方法及其裝置、器件的制造方法、電光學裝置
[8120-0197-0063] 不合格檢測方法和不合格檢測裝置
[8120-0166-0064] 用于化學機械拋光的漿料、拋光方法及半導體器件的制造方法
[8120-0094-0065] 固態成像器件及其制造方法
[8120-0019-0066] 多晶硅層的結晶方法
[8120-0031-0067] 多晶硅薄膜的制造方法
[8120-0117-0068] 發光二極管燈
[8120-0015-0069] 使用ir和/或nir輻射干燥有機半導體層、導體層或濾色器層的方法
[8120-0037-0070] 一種清潔半導體裝置的方法和設備
[8120-0096-0071] 一種氮化物器件倒裝的方法
[8120-0140-0072] 半導體裝置及其制造方法
[8120-0008-0073] 具有改良的漏極觸點的溝槽雙擴散金屬氧化半導體器件
[8120-0066-0074] 引線框架及其制造方法以及半導體器件
[8120-0011-0075] 包括輔助支架鍵合修正的發光二極管及其制造方法
[8120-0178-0076] 半導體模塊及其制造方法、電子設備、電子儀器
[8120-0070-0077] 半導體裝置及其制造方法
[8120-0169-0078] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置制造系統
[8120-0161-0079] 晶片背表面處理方法以及切割片粘附裝置
[8120-0058-0080] 降低集成電路制程的對準準確度要求的方法
[8120-0202-0081] 半導體裝置的制造方法
[8120-0054-0082] 電容器的制造方法
[8120-0213-0083] 使用于雙鑲嵌蝕刻方法的雙層金屬硬屏蔽
[8120-0010-0084] 受光或發光用半導體裝置
[8120-0121-0085] 具有超晶格半導體層的半導體器件及其制造方法
[8120-0012-0086] 充當多層鏡面的封裝結構
[8120-0062-0087] 避免1t sram加工中上電極層因應力導致縫隙產生的方法
[8120-0035-0088] 半導體裝置的制造方法
[8120-0115-0089] 多重曲率透鏡及其具有多重曲率透鏡的發光二極管的封裝結構
[8120-0100-0090] 半導體裝置
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[8120-0137-0094] 用于摘取電子元件的設備和方法
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[8120-0057-0098] 利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體元件制成方法
[8120-0150-0099] 感光性板狀構件吸附機構和圖像記錄裝置
[8120-0097-0100] 用于雙極集成電路的單元結構及其方法
[8120-0135-0101] 圖案形成方法、器件及制造方法、電光學裝置和電子儀器
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