絕緣半導體工藝技術專題(168元/全套)貨到付款
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光盤包含技術
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技術編號技術名稱
(CD13029-0141-0001)具有硅絕緣體區域和體區域的半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0188-0002)半絕緣襯底長波長半導體激光器及其制作方法
(CD13029-0190-0003)薄型絕緣半導體之絕緣間隙壁
(CD13029-0181-0004)導電和絕緣準氧化鋅襯底及垂直結構的半導體發光二極管
(CD13029-0206-0005)抗高溫應力的應力絕緣體上半導體結構
(CD13029-0127-0006)利用淺溝槽絕緣方法絕緣半導體器件的方法
(CD13029-0090-0007)絕緣柵型半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0272-0008)絕緣體上半導體芯片
(CD13029-0015-0009)絕緣膜的形成方法和半導體裝置的制造方法
(CD13029-0082-0010)具有絕緣柵型雙極晶體管的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0078-0011)具有絕緣體上硅結構的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0159-0012)多孔膜形成用組合物多孔膜的制備方法多孔膜、層間絕緣膜和半導體器件
(CD13029-0177-0013)絕緣柵型半導體器件
(CD13029-0191-0014)絕緣柵型半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0148-0015)有機絕緣膜、其制造方法、使用該有機絕緣膜的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0012-0016)含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置
(CD13029-0088-0017)體約束的絕緣體上硅半導體器件及其制造方法
(CD13029-0051-0018)具有低介電常數絕緣膜的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0230-0019)評價用于半導體裝置的絕緣膜的特性的方法以及形成該絕緣膜的方法
(CD13029-0139-0020)含有絕緣柵場效應晶體管的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0150-0021)絕緣體上硅襯底和半導體集成電路器件
(CD13029-0250-0022)絕緣體上半導體(SOI)結構及其制造方法
(CD13029-0135-0023)形成半導體基體上的絕緣膜的方法
(CD13029-0157-0024)絕緣襯底上制備高質量半導體晶體薄膜的方法
(CD13029-0223-0025)輸出電壓檢測電路、絕緣型開關電源及半導體器件
(CD13029-0021-0026)用于在半導體器件的諸金屬布線之間形成絕緣薄膜的方法
(CD13029-0122-0027)絕緣柵型半導體裝置
(CD13029-0186-0028)雙淺溝絕緣半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0124-0029)半導體裝置的具有低介電常數的絕緣層的淀積方法
(CD13029-0059-0030)絕緣柵型半導體器件及其制法
(CD13029-0187-0031)具溝渠絕緣的半導體組件及其制造方法
(CD13029-0047-0032)半導體器件、靜電放電保護元件及防護絕緣擊穿的方法
(CD13029-0041-0033)具有半絕緣多晶硅吸雜位置層的半導體襯底及其制造方法
(CD13029-0172-0034)可剝離半導體絕緣屏蔽
(CD13029-0085-0035)一種廣義的絕緣體上半導體薄膜材料及制備方法
(CD13029-0166-0036)具有電流控制電阻效應的摻雜半導體/絕緣體/半導體材料
(CD13029-0100-0037)使位于電絕緣材料表面上的半導體層的厚度降低和均勻化的方法
(CD13029-0118-0038)具金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
(CD13029-0236-0039)形成絕緣膜的組合物以及制造半導體器件的方法
(CD13029-0240-0040)具有不同晶向硅層的絕緣體上硅半導體裝置以及形成該絕緣體上硅半導體裝置的方法
(CD13029-0169-0041)具有有機聚合物柵極絕緣層的有機半導體晶體管的制造方法
(CD13029-0140-0042)具有不同厚度柵極絕緣膜的半導體器件的制造方法
(CD13029-0222-0043)金屬-絕緣-金屬結構的電容器、半導體裝置及制造方法
(CD13029-0208-0044)具有柵極絕緣膜的半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0077-0045)埋置絕緣層上硅晶片頂層中制作有半導體元件的半導體器件的制造方法
(CD13029-0174-0046)貼合絕緣體基外延硅基片及其制造方法與半導體裝置
(CD13029-0260-0047)具有絕緣體上半導體（SOI）構造且在薄半導體層上包含超晶格的半導體器件及相關方法
(CD13029-0016-0048)具有改進開關特性的硅上絕緣體LD金屬氧化物半導體結構
(CD13029-0227-0049)具有金屬絕緣體轉換膜電阻器的半導體存儲器件
(CD13029-0050-0050)金屬絕緣體半導體類型的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0249-0051)絕緣柵型半導體裝置
(CD13029-0247-0052)帶有相互電絕緣的連接元件的功率半導體模塊
(CD13029-0055-0053)垂直型金屬絕緣體半導體場效應晶體管及其制造方法
(CD13029-0002-0054)超薄絕緣體基外延硅金屬氧化物半導體晶體管的閾值電壓調節方法
(CD13029-0042-0055)能用低介電常數非晶氟化碳膜作為層間絕緣材料的半導體器件及其制備方法
(CD13029-0142-0056)包括金屬-絕緣體-金屬電容器的集成電路裝置和半導體裝置
(CD13029-0120-0057)為高級MIS半導體器件形成帶凹槽的柵絕緣層的方法及用該方法獲得的器件
(CD13029-0024-0058)帶有MIS(金屬-絕緣體-半導體)_集成電容器的單片集成電路
(CD13029-0032-0059)形成半導體器件的層間絕緣膜的方法
(CD13029-0168-0060)具多厚度絕緣層上半導體的結構及其形成方法
(CD13029-0035-0061)場絕緣膜上表面平坦的半導體器件及其方法
(CD13029-0057-0062)半導體或絕緣材料層的機械-化學新拋光方法
(CD13029-0271-0063)具有抗凹蝕絕緣層的半導體結構
(CD13029-0046-0064)用于半導體裝置中的絕緣膜和半導體裝置
(CD13029-0175-0065)生產絕緣膜的涂料組合物、使用該涂料組合物制備絕緣膜的方法、由其得到的用于半導體器件的絕緣膜及含有該絕緣膜的半導體器件
(CD13029-0211-0066)含有電路元件和絕緣膜的半導體模塊及其制造方法以及其應用
(CD13029-0224-0067)半導體元件及制造鑲嵌結構中的金屬絕緣金屬電容的方法
(CD13029-0204-0068)半導體裝置及互補型金屬絕緣半導體邏輯電路
(CD13029-0259-0069)絕緣柵型半導體裝置
(CD13029-0108-0070)硅絕緣體基片、半導體基片及它們的制造方法
(CD13029-0134-0071)絕緣體上半導體裝置和方法
(CD13029-0162-0072)絕緣柵型半導體器件
(CD13029-0076-0073)半導體裝置和“絕緣體上的半導體”襯底
(CD13029-0270-0074)絕緣層上有半導體的晶片
(CD13029-0123-0075)完全耗盡型絕緣層上硅結構的摻雜方法和包含所形成摻雜區的半導體器件
(CD13029-0185-0076)絕緣橫向雙擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）集成電路技術
(CD13029-0198-0077)應變半導體覆絕緣層型基底及其制造方法
(CD13029-0008-0078)具有縱向金屬絕緣物半導體晶體管的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0213-0079)已處理的半導體晶片的固定的、絕緣的和導電的連接
(CD13029-0072-0080)具有多柵絕緣層的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0128-0081)耐高壓的絕緣體上的硅型半導體器件
(CD13029-0241-0082)柵極絕緣膜的形成方法、半導體裝置和計算機記錄介質
(CD13029-0040-0083)含大量絕緣柵場效應晶體管的高集成電路半導體器件
(CD13029-0242-0084)應變全耗盡絕緣層上覆硅半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0232-0085)絕緣體上半導體的襯底以及由該襯底所形成的半導體裝置
(CD13029-0216-0086)具有鐵電膜作為柵極絕緣膜的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0161-0087)一種砷化鎵基半導體-氧化物絕緣襯底及其制備方法
(CD13029-0265-0088)對絕緣體上半導體結構進行拋光的方法
(CD13029-0038-0089)具有極化兼容緩沖層的金屬絕緣體半導體結構
(CD13029-0025-0090)帶有埋置絕緣氧化物區的金屬氧化物半導體晶體管制作方法
(CD13029-0257-0091)制造絕緣體上半導體型異質結構的方法
(CD13029-0262-0092)半絕緣SiC半導體器件的歐姆接觸制作方法
(CD13029-0102-0093)絕緣液體小片接合劑和半導體器件
(CD13029-0202-0094)金屬絕緣體半導體晶體管和互補金屬氧化物半導體晶體管
(CD13029-0014-0095)絕緣柵型半導體裝置
(CD13029-0044-0096)“絕緣體上的硅”半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0087-0097)微機電系統器件加工中絕緣層與半導體導電層圖形對準誤差電學測試結構
(CD13029-0005-0098)絕緣柵型半導體器件
(CD13029-0201-0099)含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置
(CD13029-0001-0100)一種具有多孔絕緣層和空氣隙的半導體設備的制造方法
(CD13029-0268-0101)應變半導體覆絕緣層型基底
(CD13029-0235-0102)絕緣體上半導體襯底和器件及其形成方法
(CD13029-0054-0103)絕緣柵型半導體器件及其制造方法
(CD13029-0277-0104)絕緣型大功率電力半導體模塊
(CD13029-0006-0105)絕緣膜形成材料絕緣膜形成絕緣膜的方法及半導體器件
(CD13029-0156-0106)具有溝渠絕緣的半導體電路裝置及其制造方法
(CD13029-0045-0107)絕緣柵晶體管、其制造方法和半導體集成電路器件
(CD13029-0160-0108)多孔膜形成用組合物、多孔膜制造法、多孔膜、層間絕緣膜及半導體裝置
(CD13029-0064-0109)增強雪崩型絕緣體基硅互補金屬氧化物半導體器件的設計
(CD13029-0011-0110)具有部分絕緣體基或部分空洞基外延硅構造的半導體器件
(CD13029-0214-0111)絕緣柵型半導體裝置、制造方法及保護電路
(CD13029-0237-0112)絕緣柵極半導體器件及其生產方法
(CD13029-0052-0113)在半導體襯底中建立高導電性埋入的側面絕緣區域的方法
(CD13029-0261-0114)絕緣柵半導體器件及其制造方法
(CD13029-0239-0115)應變絕緣體上半導體結構以及應變絕緣體上半導體結構的制造方法
(CD13029-0220-0116)半導體器件及改善體接觸絕緣體上硅(SOI)場效應晶體管的方法
(CD13029-0048-0117)金屬絕緣體金屬或金屬絕緣體半導體電子源的結構和制造方法
(CD13029-0165-0118)形成多孔膜的組合物多孔膜和其制備方法層間絕緣膜和半導體器件
(CD13029-0080-0119)金屬－絕緣體－半導體場效應晶體管
(CD13029-0151-0120)絕緣膜氮化方法、半導體裝置及其制造方法、基板處理裝置和基板處理方法
(CD13029-0207-0121)半導體裝置及該半導體裝置用絕緣襯底
(CD13029-0066-0122)絕緣襯底、其制作方法及具有絕緣襯底的模塊半導體器件
(CD13029-0071-0123)腐蝕絕緣層和制作半導體器件的工藝
(CD13029-0183-0124)絕緣柵半導體器件及其新型自對準制造方法
(CD13029-0219-0125)金屬-絕緣體-半導體器件的制造方法
(CD13029-0164-0126)在絕緣體上的外延半導體結構和器件
(CD13029-0111-0127)硅氧烷基的樹脂和使用其制造的半導體器件的層間絕緣膜
(CD13029-0266-0128)絕緣型大功率電力半導體模塊
(CD13029-0252-0129)絕緣膜、半導體器件及其制造方法
(CD13029-0200-0130)絕緣膜以及半導體器件的制造方法
(CD13029-0009-0131)含有柵絕緣層的異質結型有機半導體場效應晶體管及制作方法
(CD13029-0004-0132)場增強金屬絕緣體-半導體/金屬絕緣體-金屬電子發射器
(CD13029-0018-0133)絕緣膜用材料絕緣膜用罩光清漆以及絕緣膜和采用該膜或該清漆的半導體裝置
(CD13029-0221-0134)半導體均壓層和中導電性硅橡膠及制備合成絕緣子的工藝
(CD13029-0138-0135)作為在半導體器件中的層內和層間絕緣體的超低介電常數材料及其制造方法、以及包含該材料的電子器件
(CD13029-0269-0136)具多厚度絕緣層上半導體的結構
(CD13029-0060-0137)絕緣柵型半導體元件的柵極電路
(CD13029-0131-0138)使用通過加熱的化學反應和擴散制造化合物半導體和化合物絕緣體的方法、使用該方法制造的化合物半導體和化合物絕緣體、以及使用該化合物半導體和化合物絕緣體的光電池、電子電路、晶體管和儲存器
(CD13029-0197-0139)絕緣襯底和半導體器件
(CD13029-0153-0140)絕緣體上半導體芯片及其制造方法
(CD13029-0173-0141)絕緣柵功率半導體器件
(CD13029-0013-0142)低介電常數絕緣膜形成用材料、低介電常數絕緣膜、低介電常數絕緣膜的形成方法及半導體器件
(CD13029-0125-0143)具有金屬-絕緣體-金屬電容器的半導體器件及制造方法
(CD13029-0225-0144)生產高密度半導體功率器件的鈷-硅接觸絕緣金屬工藝
(CD13029-0258-0145)貯存用于形成半導體器件用夾層絕緣膜的涂布溶液的方法
(CD13029-0074-0146)具有晶體管柵極絕緣體的半導體器件
(CD13029-0068-0147)通過柵形成的絕緣體上硅互補金屬氧化物半導體體接觸
(CD13029-0023-0148)金屬氧化物半導體絕緣工藝
(CD13029-0251-0149)具有半絕緣性氧化鋅半導體薄膜與硅的異質結的光敏二極管
(CD13029-0171-0150)具有絕緣涂層的半導體片式器件及其制造方法
(CD13029-0149-0151)具有多柵極絕緣層的半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0229-0152)在絕緣體半導體器件上的半導體及其制造方法
(CD13029-0143-0153)多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制造方法、層間絕緣膜和半導體裝置
(CD13029-0056-0154)具有金屬－絕緣體－金屬電容的半導體器件
(CD13029-0176-0155)具有形成在電容器上的可流動絕緣層的半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0154-0156)形成多孔膜的組合物、多孔膜及其形成方法、層間絕緣膜和半導體器件
(CD13029-0104-0157)非絕緣式電力半導體模塊
(CD13029-0121-0158)半導體裝置的絕緣膜形成方法及半導體裝置
(CD13029-0246-0159)具有超順電性柵極絕緣體的半導體器件
(CD13029-0244-0160)絕緣柵極型半導體裝置
(CD13029-0093-0161)以低介電常數為絕緣埋層的絕緣層上半導體結構及其方法
(CD13029-0195-0162)包括金屬-絕緣體-金屬電容器排列的半導體器件
(CD13029-0275-0163)半導體均壓合成絕緣子
(CD13029-0036-0164)半導體器件用的絕緣薄膜
(CD13029-0152-0165)應變半導體覆絕緣層型基底及其制造方法
(CD13029-0129-0166)絕緣柵極型半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0116-0167)一種含鎂鋅氧的金屬－絕緣層－半導體結構及制備工藝
(CD13029-0203-0168)具有半導體層及其下電絕緣層的半導體晶片及其制造方法
(CD13029-0147-0169)沸石溶膠及其制法、多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制法、層間絕緣膜和半導體裝置
(CD13029-0144-0170)印刷電路板、半導體封裝、基底絕緣膜以及互連襯底的制造方法
(CD13029-0034-0171)包括絕緣膜的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0028-0172)絕緣半導體管殼
(CD13029-0073-0173)絕緣柵功率半導體的柵極驅動
(CD13029-0158-0174)含絕緣體的半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0061-0175)絕緣柵型雙極型半導體裝置
(CD13029-0155-0176)具有凹陷抵抗埋入絕緣層的絕緣層上有半導體的結構及其制造方法
(CD13029-0063-0177)具有元件分離絕緣膜的半導體裝置的制造方法
(CD13029-0243-0178)用于半導體器件的絕緣膜沉積方法
(CD13029-0145-0179)含高介電常數絕緣膜的半導體設備和該設備的制造方法
(CD13029-0020-0180)形成半導體器件中金屬間絕緣層的方法
(CD13029-0248-0181)包含高應變玻璃/玻璃-陶瓷的絕緣體上半導體結構
(CD13029-0103-0182)全包型陶瓷半導體絕緣加熱裝置
(CD13029-0267-0183)一種砷化鎵基半導體-氧化物絕緣襯底
(CD13029-0026-0184)具有改良的絕緣柵型晶體管的半導體器件
(CD13029-0084-0185)制造絕緣層和半導體器件的方法及由此形成的半導體器件
(CD13029-0182-0186)采用突變金屬-絕緣體轉變半導體材料的二端子半導體器件
(CD13029-0070-0187)耐高壓的絕緣體上的硅型半導體器件
(CD13029-0114-0188)集成半導體結構和應變絕緣硅的制造方法及應變絕緣硅
(CD13029-0119-0189)絕緣體上半導體溝道結構
(CD13029-0095-0190)半導體襯底及制備方法和在絕緣體上的硅與外延中的應用
(CD13029-0180-0191)使用共混溶液形成半導體層和絕緣層而制備底柵薄膜晶體管的改進方法
(CD13029-0105-0192)具有復合絕緣層的半導體封裝結構
(CD13029-0039-0193)一種層間絕緣膜受到保護的半導體器件和制作方法
(CD13029-0031-0194)用以形成半導體裝置的中間層絕緣薄膜的方法
(CD13029-0117-0195)包含金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
(CD13029-0106-0196)具有復合絕緣層的半導體封裝結構
(CD13029-0215-0197)制造絕緣體上應變半導體襯底的方法
(CD13029-0256-0198)絕緣膜材料、多層互連結構及其制造方法和半導體器件的制造方法
(CD13029-0212-0199)絕緣膜的形成方法及其形成系統、半導體裝置的制造方法
(CD13029-0226-0200)平面超薄絕緣體上半導體溝道MOSFET及其制造方法
(CD13029-0192-0201)半導體芯片中具有降低的電壓相關性的高密度復合金屬-絕緣體-金屬電容器
(CD13029-0098-0202)兩側絕緣體上半導體結構及其制造方法
(CD13029-0086-0203)絕緣柵型半導體裝置及其制造方法
(CD13029-0210-0204)絕緣柵型半導體器件及其制造方法
(CD13029-0094-0205)絕緣體上半導體裝置的制造方法
(CD13029-0029-0206)制造絕緣體上的硅結構的半導體器件的方法
(CD13029-0099-0207)絕緣材料、布線板和半導體器件
(CD13029-0231-0208)具有半導體元件、絕緣基板和金屬電極的半導體器件
(CD13029-0205-0209)包括高介電常數絕緣層的半導體器件及其制造方法
(CD13029-0097-0210)包括阻擋絕緣層的半導體器件以及相關方法
(CD13029-0189-0211)用于具有遵循表面輪廓的電絕緣材料層的功率半導體的布線工藝
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