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"[15929-0005-0001] 一種納米晶薄膜及其低溫制備方法
[摘要] 本發明涉及一種納米晶薄膜及其低溫制備方法。該薄膜具有級配結構，以不同尺寸的納米晶氧化鈦顆粒為原料，通過表面改性的方法，為納米晶顆粒表面添加特定的化學鍵或者功能團，將這些原料在無機/有機溶劑中混合配制成級配前驅體漿料，然后利用簡單的制膜方法在柔性導電基底上或者其他任意基底上成膜；在較低的反應溫度下，薄膜中顆粒之間通過化學燒結很好的連接在一起，使得納米晶顆粒之間有較好的化學鍵連接，整個薄膜具有較高的力學強度。利用該薄膜組裝的柔性染料敏化太陽能電池具有較高的光電轉換效率。預計該薄膜及低溫制備方法在光電轉化、光觸媒領域有廣泛的應用前景。
[15929-0059-0002] 一種低溫下原位合成片狀硫化銀納米晶光電薄膜的化學方法
[摘要] 一種低溫下原位合成片狀硫化銀納米晶光電薄膜的化學方法。該方法先將硫粉加入到容器中，然后加入有機溶劑，有機溶劑的體積大于容器容積的1/2，再將具有潔凈金屬銀表面的基底材料傾斜或水平置于容器底部，避免與硫粉直接接觸。把其基底材料和硫粉沉浸于溶劑液面之下，在20～60℃溫度反應4～184小時，反應物中單質硫粉的濃度保持在飽和狀態，即在具有潔凈金屬銀表面的基底材料表面原位制得片狀硫化銀納米晶組成的薄膜材料，產物用無水乙醇洗滌，室溫干燥即可。獲得具有潔凈金屬銀表面基底材料的方法，是將具有金屬銀表面的基底材料置于無水乙醇中，用超音波清洗器清洗3分鐘后浸泡于DMF或無水乙醇中待用。本方法低溫、低能耗、方便快捷，便于工業化生產。
[15929-0026-0003] 一種基于納米晶軟磁薄膜的磁三明治材料及其制備方法
本發明公開了一種基于納米晶軟磁薄膜的磁三明治材料及其制備方法，該材料是兩個鐵磁層由一個非磁性金屬層隔離而成，其特點是兩個鐵磁層中一個是納米晶磁性薄膜，另一個為多晶態的磁性薄膜，總體厚度在10nm以內。這種材料主要由直流磁控濺射方法制備，其制備采用四靶濺射儀，并在四靶濺射儀的基片架上對材料進行原位快速退火，制得的材料具有較小的層間耦合、優良的巨磁阻效應和優越的熱穩定性。
[15929-0044-0004] 有機染料敏化錫酸鋅納米晶薄膜的太陽能電池及其制備方法
[摘要] 本發明提供一種有機染料敏化錫酸鋅納米晶薄膜的太陽能電池及其制備方法，該太陽能電池為三明治結構的有機染料敏化太陽能電池；所述太陽能電池的兩邊部分分別為導電玻璃FTO和對電極，中間兩部分分別為浸漬有有機染料的錫酸鋅納米晶和電解質溶液；制備步驟包括：制備錫酸鋅納米晶和組裝染料敏化太陽能電池。本發明制備方法簡單，成本降低，電池性能好，具有優異的經濟效益。
[15929-0035-0005] 用于紫外探測的納米晶薄膜器件的制備方法
[摘要] 本發明公開了用于紫外探測的納米晶薄膜器件的制備方法，步驟包括：將可溶性半導體納米晶材料溶于溶劑，制得納米晶溶液；采用旋涂法或噴墨打印法將納米晶溶液加工在襯底上，形成均勻的納米晶薄膜；將納米晶薄膜在100-350℃溫度下退火處理10-60分鐘，然后在納米晶薄膜上蒸鍍電極。本發明方法與傳統的氣相高溫生長半導體薄膜紫外探測器相比，無需真空設備，成膜溫度低、制備工藝簡單，可大幅度降低紫外探測光電器件的成本，并可開發大尺寸器件/可彎曲的“柔性器件”。由于納米晶具有超大比表面積，因此制得的用于紫外探測的納米晶薄膜器件具有暗電流低，靈敏度高等特點。
[15929-0016-0006] 1-xMgxO半導體納米晶體薄膜的低溫制備方法&C23C14302006.01Ia01纖鋅礦結構Zn1-xMgxO半導體納米晶體薄膜的低溫制備......
[摘要] 一種纖鋅礦結構Zn1-xMgxO(0≤x≤0.36)半導體納米晶體薄膜的低溫制備方法，其特征是采用電子束加熱蒸發(MgO)y(ZnO)1-y，靶材，y為原子個數比，0≤y≤2％，并在電離的O氣氛中沉積Zn1-xMgxO半導體納米晶體薄膜，即由電子槍發射出高能電子束，電子束經聚焦后直接轟擊由高純MgO、ZnO粉末按一定組分配比、并經高溫燒結而成的(MgO)y(ZnO)1-y靶材，電子束的動能變成熱能，使得熱蒸發的ZnO和MgO分子離開表面，散射并沉積到已加熱的襯底表面，再通過擴散運動形成晶核，晶核連續生長以形成晶粒均勻致密、表面平整的納米晶體薄膜，最后是低溫沉積的ZnMgO納米薄膜在氧氣氣氛中經高溫300～600℃退火處理，制備得到纖鋅礦結構Zn1-xMgxO(0≤x≤0.36)半導體納米晶體薄膜。
[15929-0057-0007] 納米晶Mg-Ni多層復合薄膜及其制備方法
[摘要] 本發明公開的納米晶Mg-Ni多層復合薄膜，在基底上自下而上依次沉積Ni過渡層、Mg-Ni交替層和Ni保護層，其中，每層Mg-Ni交替層中Ni的單層厚度為5nm～50nm，Ni/Mg厚度比為0.5～2.0，Ni過渡層的厚度為10nm～15nm，Ni保護層的厚度為10-15nm，復合薄膜的總厚度為200nm～2000nm。采用磁控濺射法或脈沖激光法制備而成。這種納米晶Mg-Ni多層復合薄膜電化學氫化性能好，氫擴散速度快，與各種基底具有良好的結合力，可以用于氫氣敏器件、氫滲透及氫同位素分離等重要領域。
[15929-0061-0008] 一種低溫下制備氫化納米晶態碳化硅薄膜的方法
[摘要] 本發明公開了一種低溫下制備氫化納米晶態碳化硅薄膜的方法，首先將清洗好的襯底放置到螺旋波等離子體增強化學氣相沉積裝置的基片臺上，然后對螺旋波等離子體增強化學氣相沉積裝置的反應室抽真空，并用氫等離子體清洗螺旋波等離子體增強化學氣相沉積裝置的基片臺和反應室器壁，再加熱基片臺，向反應室通入反應氣體并調節氣壓，向螺旋波等離子體增強化學氣相沉積裝置的等離子體產生室施加磁場并開啟射頻電源，開始碳化硅薄膜的沉積，至得到碳化硅薄膜樣品，最后在氫氣保護下降溫至室溫，取出樣品，完成氫化納米晶態碳化硅薄膜的沉積。本發明能夠在低溫下制備氫化納米晶態碳化硅薄膜。
[15929-0021-0009] 納米晶軟磁合金薄膜材料及其制備方法
[摘要] 本發明屬于軟磁合金領域，本發明提供了一種納米晶軟磁合金薄膜材料，包括金屬鐵薄膜、鐵鎳合金薄膜、鐵鈷合金薄膜、鐵鎳鈷合金薄膜。所述薄膜的厚度在5～100μm，晶粒尺寸在30nm～120nm。其制造方法是在含有待沉積金屬離子的電解液中通過直流電沉積的方式制備納米軟磁合金薄膜。通過控制納米晶軟磁薄膜的制備工藝參數，即調整電沉積過程中的電流密度、電沉積時間以及電解液的pH值等，可以獲得高飽和磁感應強度、低矯頑力的納米軟磁薄膜材料。本發明制備的納米晶軟磁合金薄膜材料適用于高頻交變磁場環境中工作的各種電子器件以及低頻屏蔽領域。
[15929-0055-0010] 一種PbTe膠體納米晶自組裝薄膜的制備方法
[摘要] 本發明恒溫、恒壓、恒載氣流驅動的PbTe膠體納米晶自組裝薄膜的制備方法屬于液相外延制備有序納米薄膜領域，有序納米結構薄膜材料是電子、信息、生物等新技術發展的重要材料。本發明的方法是采用膠體化學法制備的單分散PbTe納米晶，通過將膠體納米晶分散在混合溶劑注入恒溫、恒壓、恒載氣流沉積裝置中，利用水浴溫度和載氣流驅動膠體納米晶自組裝，在經氧化處理的Si片襯底上組裝形成PbTe納米晶薄膜層，再利用高速甩膜技術清除薄膜表面殘液。通過沉積時間可以有效控制膜層厚度，制備得到PbTe膠體納米晶自組裝薄膜表面均勻一致、高度有序。本發明采用的控制溶液蒸發的工具結構簡單、成本低廉，操作簡便、方法有效。
[15929-0056-0011] 一種自組裝納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法
[15929-0011-0012] 用納米顆粒制備納米晶薄膜的方法
[15929-0007-0013] 2納米晶太陽能電池的定制化導電薄膜及其制備&H01L31042006.01Ia01染料敏化TiO2納米晶太陽能電池的定制化導電薄膜及其制備
[15929-0048-0014] 2納米晶水溶膠制備TiO2多孔薄膜的方法&C01G230532006.01Ia01由TiO2納米晶水溶膠制備TiO2多孔薄膜的方法
[15929-0002-0015] 單晶硅－納米晶立方氮化硼薄膜類P－N結及其制作方法
[15929-0033-0016] 樹枝狀硒化銀納米晶薄膜材料及制備方法
[15929-0034-0017] 一種金屬納米晶薄膜的制備方法
[15929-0004-0018] 2薄膜的方法&H01L21208a01制備與硅平面工藝兼容的納米晶SnO2薄膜的方法
[15929-0015-0019] 二氧化錫納米晶態薄膜的制備方法
[15929-0030-0020] 一種納米晶薄膜的染料敏化太陽能電池及其制備方法
[15929-0064-0021] 一種內嵌高密度鈀納米晶的介質薄膜的制備方法
[15929-0024-0022] 納米晶立方氮化硼薄膜的制備方法
[15929-0062-0023] 一種通過一次燒結制備納米晶多孔厚薄膜的方法
[15929-0028-0024] 三維薄膜晶體管式納米晶粒存儲器元件及其制法
[15929-0049-0025] 金屬摻雜的低能隙納米晶半導體光陽極薄膜的制備方法
[15929-0018-0026] 納米晶鐵鍺顆粒薄膜磁敏材料的制備方法
[15929-0047-0027] 納米晶立方氮化硼薄膜中殘留壓縮應力的釋放方法
[15929-0001-0028] 納米晶立方氮化硼薄膜及其制備方法
[15929-0053-0029] 2納米晶半導體薄膜的制備方法&B82B3002006.01Ia01一種CuInS2納米晶半導體薄膜的制備方法
[15929-0017-0030] 太陽能電池納米晶硅薄膜的物理氣相沉積裝置及其方法
[15929-0058-0031] 二氧化鈦納米管和納米晶組成的納米復合薄膜的制備方法
[15929-0023-0032] 利用管式氣氛爐快速升溫制備硒化鋅納米晶薄膜的方法
[15929-0006-0033] 一種直接在鋼材上生長納米晶氮化鉻薄膜的方法
[15929-0019-0034] 具有納米晶鐵鍺顆粒薄膜磁敏材料活性層的霍爾元件
[15929-0027-0035] 納米晶體金剛石薄膜、其制造方法及使用納米晶體金剛石薄膜的裝置
[15929-0022-0036] 納米晶鐵鍺顆粒薄膜磁敏材料
[15929-0038-0037] 大孔-介孔納米晶二氧化鈦薄膜的制備方法
[15929-0051-0038] 一種納米晶BST薄膜的制備方法
[15929-0010-0039] 稀土摻雜鈰酸鍶納米晶薄膜的制備方法
[15929-0020-0040] 監控納米晶體薄膜表面結構與薄膜厚度的光學方法
[15929-0029-0041] 2溶膠-凝膠薄膜制備的方法&C03C17232006.01Ia01高折射率納米晶TiO2溶膠-凝膠薄膜制備的方法
[15929-0037-0042] 一種NiO納米晶陽極薄膜的制備方法
[15929-0060-0043] xSy納米晶光電薄膜的化學方法&C01G3122006.01Ia01一種低溫下控制合成片狀CuxSy納米晶光電薄膜的化學方法
[15929-0050-0044] 一種制備三維多枝狀硒化銅納米晶光電薄膜材料的化學方法
[15929-0031-0045] 2薄膜的方法&C03C172452006.01Ia01常溫常壓下等離子體化學氣相沉積制備納米晶TiO2薄膜的方法
[15929-0036-0046] 一種納米晶金剛石薄膜場效應晶體管的制備方法
[15929-0008-0047] 基于薄膜硅的多結光伏器件的納米晶硅和非晶鍺混合型吸收層
[15929-0013-0048] 半導體-納米晶體共軛聚合物薄膜
[15929-0041-0049] 一種納米晶非晶硅兩相薄膜太陽電池的制備方法
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[15929-0040-0051] 高密度硅納米晶薄膜的制備方法
[15929-0009-0052] 2薄膜及其制備方法&B01J21062006.01Ia01納米晶多孔TiO2薄膜及其制備方法
[15929-0003-0053] 一種稀土摻雜二氧化鋯固體電解質納米晶薄膜的制備方法
[15929-0012-0054] 納米晶CoZnO紫外發光薄膜及其制備方法
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[15929-0065-0065] 一種鍍覆微納米晶鎳多層薄膜的鋼帶

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