及其,及其制造,半導體平面,注入半導體最新技術匯編(168元/全套)
歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：G339322
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[8182-0148-0001] 半導體集成電路/系統
[摘要] 每個可組合半導體集成電路的成品具有在分離位置上形成的多個邏輯電路。對于每個邏輯電路,可選擇的直接導通/不導通的連接通路，以自其輸出到另一個邏輯電路的第一組輸入而其輸入又來自另一個邏輯電路的第二組輸出的方式擴展。所有邏輯電路的全部組各不相同。描述了多功能的可組態輸入/輸出裝置,還描述了采用可逆晶體管裝置的重新組態數據處理系統。
[8182-0090-0002] 應力和溫度補償聲表面波器件
[摘要] 本發明所揭示的是一個旋轉ｙ軸切割、石英saw器件,該器件具有為補償應力和溫度而選的傳播方向r和傾斜取向θ.在一個具體的實施例中r為46.9°和θ為41.8°.
[8182-0205-0003] 反向工作的晶體管偶合邏輯
反向工作的晶體管偶合邏輯電路，采用多晶肖特基或多晶二極管輸入和多晶硅電阻或漏棚共接的多晶硅ｍｏｓ，棚接地的多晶硅ｍｏｓ作為負載，制作上采用等平面ｖ形槽，垂直槽和空氣隔離工藝,廣泛采用自對準工藝，減少擴散和套刻次數，使晶體管管芯面積，結面結、結電容、ｒｂｂ，ｒｃ時間常數很小，以提高電路的速度和集成密度，同時提高了管子和電路的成品率。
[8182-0079-0004] 半導體器件
[摘要] 一種集成電路,其中,雙極晶體管(1)和cmos晶體管(2、3)在襯底上同時形成.cmos晶體管的柵(11、21)與雙極晶體管的發射極(29)用同一材料形成,雙極器件的基極接觸由相當于n阱mos管的源、漏區(17、18)的區域(27、27a)構成,并由基區注入(28)橋接.增加兩次光刻掩膜及一次基區注入改進了普通的cmos工藝.一次光刻步驟決定(28)的范圍,另一次光刻步驟決定氧化層(30)在(28)上的范圍.基極接觸用半自對準的方法產生.
[8182-0106-0005] 對模糊現象不敏感的圖像傳感器及其制造方法
[摘要] 圖像傳感器由一具有很多連接表面溝道的半導體襯底組成,溝道區由連接表面的溝道隔離區相互分開,而且進一步和相對表面平行延伸的半導體區相接.溝道區的摻雜濃度超過半導體區的摻雜濃度,而半導體區本身的摻雜濃度超過半導體襯底的摻雜濃度,半導體區的厚度在溝道區中心外有一個最小值.在這樣的圖像傳感器中,在垂直表面的方向上可以實現電勢變化,從而可強烈抑制“模糊”現象的產生.本發明也涉及這個圖像傳感器的制造方法.
[8182-0166-0006] 應用側壁及去除技術制做亞微米掩模窗口的方法
[摘要] 本發明為一種用于在基底中制做窗口的方法.利用活化離子蝕刻技術,在基底上形成臺面.在整個結構上淀積一膜層,并且將臺面有選擇地蝕刻掉,以在膜層中形成亞微米尺寸的窗口.用膜層作掩模,被掩模所露出的基底被活化離子蝕刻.給出了制做多晶硅基區雙極性晶體管的發射區掩模的例子.
[8182-0087-0007] 半導體器件的制造方法
[摘要] 為了以自動記錄方法在開口(9)中獲得半導體區(16、18、26)和金屬化接觸層(19、27)隔開,形成防護層(11),將其保留在開口(9)內,直到用各向異性腐蝕法在開口(9)內從一層均勻的多晶體材料(10)形成多晶連接層(10).這種方法對制造雙極晶體管和場效應晶體管也都是適用的.
[8182-0161-0008] 垂直倒相器電路
[摘要] 本發明實施例中包括一種垂直倒相器(31,32,33).在一塊n型襯底的表面,形成一層p型材料層,再依次形成一層n型層;一層p型層;一層n型和一層p型層(在制備過程中,可以摻各種不同的雜質,這并不超出本發明的范疇).再沿著以上述方法形成的疊層的一側蝕刻一條溝槽,在p型和n型層的中間形成一接線端.再形成另一溝槽,其中有一柵極絕緣體和一柵極(a,b).該柵極作為以上述方法形成的n型溝道和p型溝道晶體管的柵極.
[8182-0101-0009] 光敏pn結側向注入電器件的間接耦合方法
[摘要] 光敏pn結側向注入電器件的間接耦合方法屬于硅光敏管技術.以平面工藝制作的硅光敏器件,是把二極管、三極管等電器件直接做在接受入射光的pn結(簡稱光敏pn結)上的,這種方式稱為光敏pn結與電器件的直接耦合.由于光敏pn結的面積較大,導至光敏器件電參數和成品率下降.我們利用開路pn結在光照下的側向注入效應,實現了光敏pn結與電器件的間接耦合,不僅克服了光敏器件的上述缺點,也為制作擊穿電壓高暗電流小的新型光敏器件開辟了道路.
[8182-0201-0010] 發光二極管表示燈泡
[摘要] 一種發光二極管表示燈泡，根據電源的不同，采用單芯或雙芯結構的發光二極管燈管，在發光二極管引出片串接一個限流電阻，設計和制造中控制該限流電阻降低過壓。這種燈泡使用壽命長，光通量≥１００ｌｕｘ，燈泡采用固定尺寸，無需改變現有信號設備的組成元件，交直流兩用，在使用直流電源時不分極性。
[8182-0089-0011] 高密度動態隨機存取存儲器(ram)的槽式電容器的制造方法
[8182-0040-0012] 半剛性光電模塊組件及其結構支撐
[8182-0029-0013] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8182-0005-0014] 具有金屬反射腔的半導體平面發光器件
[8182-0081-0015] 動態隨機存取存貯器單元(dram)和生產方法
[8182-0068-0016] 半導體汽化冷卻裝置
[8182-0167-0017] 薄膜晶體管
[8182-0038-0018] 金屬層制版印刷術中作抗反射涂層用的無定形硅
[8182-0142-0019] 二維電子氣發射極半導體器件
[8182-0169-0020] 半導體致冷的環塊電堆
[8182-0150-0021] 摻雜劑均勻分布的固體攝像器及其制造方法
[8182-0199-0022] 多層外延砷化鎵的雙源法和裝置
[8182-0213-0023] 制造快速晶閘管的擴金新工藝
[8182-0055-0024] 改進的硼摻雜半導體材料及其制備方法
[8182-0144-0025] 帶有埋置絕緣氧化物區的金屬氧化物半導體晶體管制作方法
[8182-0152-0026] 用于化合物半導體的薄膜層的生長方法
[8182-0164-0027] 一種多晶硅自對準雙極器件及其制造工藝
[8182-0207-0028] 半導體器件及其制造方法
[8182-0184-0029] 可集成的霍爾元件
[8182-0086-0030] 半導體器件
[8182-0153-0031] 光電動勢元件及其制備工藝和設備
[8182-0015-0032] 制造半導體器件的方法
[8182-0099-0033] 濕敏元件及其制造法
[8182-0181-0034] 高速硅光敏三極管
[8182-0155-0035] 光電轉換器及其制造方法
[8182-0111-0036] 增加有效面積的光電池
[8182-0025-0037] 制造設備
[8182-0062-0038] 半導體器件
[8182-0064-0039] 雜質的擴散方法
[8182-0057-0040] 薄膜晶體管的制作方法
[8182-0078-0041] 具有能在集成電路中集成的霍耳元件的裝置
[8182-0018-0042] 功率器件的封裝方法
[8182-0209-0043] 超低溫燒結pnn壓電陶瓷及其制造工藝
[8182-0019-0044] 高熱穩定性的功率器件的封裝方法
[8182-0143-0045] 半導體器件的制造方法和系統
[8182-0200-0046] 消分餾的方法和裝置
[8182-0196-0047] 散熱性能改善了的大規模集成電路封裝
[8182-0046-0048] 復合熱釋電紅外探測器
[8182-0061-0049] 高抗干擾hp-mos系列集成電路
[8182-0073-0050] 具有冷卻裝置的半導體組件
[8182-0037-0051] 電子器件及其制造方法
[8182-0139-0052] 具有傾斜外圍電路的集成電路器件
[8182-0210-0053] 在半導體圓片的邊緣制造斜面的方法
[8182-0176-0054] 溴強腐蝕混合源抑制自摻雜硅外延
[8182-0110-0055] 用反應氣體淀積的材料制作半導體器件的方法及其設備
[8182-0032-0056] 兩色分波硅彩色傳感器
[8182-0043-0057] 變折射率薄膜的單源真空沉積法
[8182-0128-0058] 用于數字化電子設備的集成電路器件
[8182-0030-0059] 制造半導體集成電路的隔離方法
[8182-0130-0060] 半導體三極管發射結反向過電壓保護電路和有保護能力的可調直流穩壓電源
[8182-0190-0061] 在多晶硅上具有平滑界面的集成電路
[8182-0013-0062] 金屬氧化物半導體絕緣工藝
[8182-0105-0063] 帶有mis(金屬-絕緣體-半導體)_集成電容器的單片集成電路
[8182-0160-0064] 電荷耦合器件
[8182-0108-0065] 厚膜電路用配方
[8182-0049-0066] 硅基底上附有熱熔粘合劑的集成電路硅小片復合物的制做方法
[8182-0165-0067] 光電轉換器件的制造方法
[8182-0039-0068] 含氟的p型摻雜微晶半導體合金及其制造方法
[8182-0033-0069] 半導體集成電路器件
[8182-0151-0070] 等離子體處理裝置
[8182-0075-0071] 半導體工藝
[8182-0145-0072] mos_場效應晶體管的柵壓溫度篩選方法
[8182-0092-0073] 半導體器件及裝置
[8182-0109-0074] 太陽電池裝置
[8182-0216-0075] 半導體器件的制造方法
[8182-0107-0076] 用在數字式電子儀器方面的集成電路
[8182-0156-0077] 高跨導高厄利(early)電壓模擬(m0s)晶體管
[8182-0125-0078] 光生伏打器件及其制造方法
[8182-0204-0079] 熱電型紅外探測器
[8182-0191-0080] 半導體器件的制造方法和系統
[8182-0067-0081] 雙極晶體管
[8182-0162-0082] 半導體器件的制造方法
[8182-0045-0083] 一種雙層結構的低壓化學蒸汽淀積外延爐管裝置
[8182-0010-0084] 含有各種不同容量電容的集成電路
[8182-0217-0085] p+n二極管銀凸點電極無膠電鍍
[8182-0047-0086] 一種定向凝固生長太陽能電池用的多晶硅錠工藝
[8182-0118-0087] 單塊數字集成電路
[8182-0179-0088] 光學傳感器
[8182-0051-0089] 臺面型半導體器件的制造方法
[8182-0218-0090] 電子器件及其制造方法
[8182-0034-0091] 具有埋置接點的集成電路制造工藝
[8182-0113-0092] 具有控制電極的半導體器件
[8182-0088-0093] 在材料(例如半導體材料)中加工亞微型槽的方法以及用這種方法制成的器件
[8182-0211-0094] 薄固體膜片組成的層狀結構的局部混合
[8182-0002-0095] 臺面半導體器件玻璃鈍化工藝
[8182-0134-0096] 壓電陶瓷元件之制備方法
[8182-0006-0097] 用于制造半導體器件的裝置
[8182-0024-0098] 互補半導體器件
[8182-0065-0099] 電荷耦合器件
[8182-0016-0100] 集成電路氣密封裝法
[8182-0147-0101] 用于算術運算和顯示的集成電路
[8182-0187-0102] 電阻--氧化物--半導體場效晶體管
[8182-0188-0103] 固體象感器
[8182-0180-0104] 耐熱塑料半導體器件
[8182-0202-0105] 壓接觸ｇｔｏ－可控硅整流器
[8182-0083-0106] 光電池
[8182-0114-0107] 包含互補場效應晶體管的集成電路
[8182-0135-0108] 富含鎘的ｈｇ1-xｃｄxｔｅ的薄層異質結光電池和ｈ...
[8182-0053-0109] 制備半導體化合物薄膜的射頻濺射法
[8182-0103-0110] 半導體器件
[8182-0100-0111] 有自測試能力的超大規模集成電路
[8182-0171-0112] 半導體器件的制造方法
[8182-0183-0113] 半導體器件
[8182-0194-0114] 半導體器件的制造方法和系統
[8182-0157-0115] 高速響應光電轉換器及其制造方法
[8182-0123-0116] 減少雙極器件的管道漏電和表面漏電的方法
[8182-0192-0117] 半導體器件
[8182-0154-0118] 二氧化錫膜溶解法
[8182-0091-0119] 晶體管
[8182-0017-0120] 全溫區工作的硅晶體管的制造技術
[8182-0026-0121] 水平結構晶體管及其制作方法
[8182-0116-0122] 電子線路器件的封裝及其制造方法和設備
[8182-0014-0123] 金屬－氧化物－半導體后部工藝
[8182-0036-0124] 太陽能電池密封組件的結構
[8182-0094-0125] 半導體集成電路和為其設計電路圖形的方法
[8182-0076-0126] 采用氮族元素聚合物半導體的薄膜場效應晶體管
[8182-0008-0127] 電子器件的制造方法
[8182-0066-0128] 液晶顯示板及其制造法
[8182-0173-0129] 圖象讀取光檢測器及其制作方法和裝置
[8182-0172-0130] 碳化硅(sic)二極管溫度傳感器
[8182-0069-0131] 二維磁矢量磁敏器件
[8182-0102-0132] 抗輻射半導體器件
[8182-0149-0133] 半導體閥門
[8182-0056-0134] 太陽電池相互電連接的方法
[8182-0132-0135] 雙注入場效應晶體管
[8182-0052-0136] 氣載摻雜劑摻雜非晶硅方法
[8182-0141-0137] 整個半導體層無電氣缺陷的半導體器件及其制造方法
[8182-0009-0138] 半導體集成電路器件及其制造工藝
[8182-0120-0139] 半導體器件的制造方法
[8182-0011-0140] 半導體器件
[8182-0060-0141] 半導體發光器件的發射腔及其工藝
[8182-0031-0142] 緩變晶格外延層的生長
[8182-0117-0143] 具有金屬涂料接頭的太陽電池
[8182-0042-0144] 半導體器件
[8182-0133-0145] 從襯底上去除薄膜的氣態方法和設備
[8182-0072-0146] 在量子阱器件中的磷勢壘和高磷多磷化合物勢壘
[8182-0119-0147] 絕緣體結構上的硅互聯埋層
[8182-0137-0148] 光電池板
[8182-0124-0149] 化合物半導體平面結型器件歐姆接觸的制備方法
[8182-0177-0150] 消除半導體層制造缺陷的方法
[8182-0214-0151] 柵控半導體四極管
[8182-0058-0152] 半導體器件及其生產方法,以及上述工藝所用的引線框架
[8182-0093-0153] 在光電器件中為波導所用的磷族元素化物的膜
[8182-0096-0154] 半導體器件及其制造方法
[8182-0136-0155] 光電池組的二極管旁路保護裝置
[8182-0012-0156] 在一塊半導體晶片上涂蓋一層感光材料的方法及裝置
[8182-0212-0157] 半導體元件
[8182-0122-0158] 利用氟化氣體混合物進行硅的等離子體蝕刻
[8182-0127-0159] 半導體器件
[8182-0041-0160] 制造半導體集成電路器件的方法
[8182-0071-0161] 具有聚光反射器的光電池陣列
[8182-0163-0162] 太陽能電池陣列
[8182-0189-0163] 深區pn結二極管
[8182-0140-0164] 一種改進的銻化銦多元列陣器件工藝
[8182-0050-0165] 塑料封裝的半導體器件
[8182-0027-0166] 等溫功率晶體管的制作工藝
[8182-0035-0167] 防止鐵電陶瓷器件相變開裂的處理方法
[8182-0023-0168] 具有改善群延時特性的壓電諧振元件
[8182-0059-0169] 高密度互補型金屬氧化物半導體集成電路制造工藝
[8182-0206-0170] 動能調制熱電子晶體管
[8182-0007-0171] 薄膜型二氧化錫氣敏元件及其制造方法
[8182-0063-0172] 雙極晶體管
[8182-0126-0173] 在半導體襯底材料接觸區制作電接觸的方法
[8182-0004-0174] 鈦酸鉍鈉鋇系超聲用壓電陶瓷材料
[8182-0003-0175] 改性鈮酸鉛鋇鈉壓電陶瓷材料
[8182-0095-0176] 帶動態控制的電荷耦合半導體器件
[8182-0048-0177] 電子器件的封裝
[8182-0074-0178] 硅圓片的加強材料
[8182-0020-0179] 一種制造電子器件的方法
[8182-0138-0180] 制做光電組件的裝置
[8182-0028-0181] 雙極異質結晶體管及其制造方法
[8182-0175-0182] 半導體集成電路板的冷卻設備
[8182-0168-0183] 用等離子體增強的化學氣相沉積法沉積垂直方向電阻的方法
[8182-0085-0184] 半導體芯片附著裝置
[8182-0022-0185] 多結半導體器件
[8182-0129-0186] 閘門電路斷開可控硅
[8182-0174-0187] 拋光法u形槽隔離技術
[8182-0121-0188] 可控制接通的硅可控整流器
[8182-0186-0189] 電光器件及其制造方法
[8182-0208-0190] 硅平面型功率晶體管管芯制造方法
[8182-0159-0191] 高清晰陽極化的內層界面
[8182-0158-0192] 超大規模集成電路的局部互連方法及其結構
[8182-0097-0193] 在硅襯底上形成隔離硅區和場效應器件的工藝過程
[8182-0084-0194] 半導體裝置的導線材料
[8182-0198-0195] 配制液態摻雜劑稀溶液的氣體載運方法及其裝置
[8182-0021-0196] 耐熱薄膜光電轉換器
[8182-0082-0197] 制造高靈敏度光敏三極管的方法
[8182-0195-0198] 聚焦誤差檢測系統及光讀出和／或寫入設備
[8182-0077-0199] 具有能在集成電路中集成的霍耳元件的裝置
[8182-0193-0200] 半導體器件
[8182-0080-0201] 半導體器件及其制造方法
[8182-0170-0202] 用陽極化硅內層的開槽和氧化形成的半導體隔離
[8182-0197-0203] 集成電路絕緣工藝方法
[8182-0146-0204] 在溝槽電容器結構上具有一單晶晶體管的動態存貯器器件及其制造方法
[8182-0115-0205] 在局部提供凹陷氧化層的硅半導體器件制造方法
[8182-0104-0206] 前截止熱釋電探測器
[8182-0185-0207] 半導體器件及其制造方法
[8182-0182-0208] 太陽電池組件
[8182-0044-0209] 太陽能重復發電的方法與裝置
[8182-0203-0210] 有架空旁路層的金屬--半導體場效應管及制造方法
[8182-0001-0211] 離子注入半導體瞬時退火設備
[8182-0070-0212] 半導體器件及其制造法
[8182-0054-0213] 用于無掩模被覆金屬方法的擴散隔離層
[8182-0112-0214] 穩壓二極管
[8182-0178-0215] 微電子電路的接合方法
[8182-0215-0216] 一種半導體硅元件的芯片支承體
[8182-0098-0217] 電纜
[8182-0131-0218] 光電型器件及其制造方法
[8182-0219-0219] 整體式熱導管組件
更多技術請點擊：大成技術資料網（http://www.9999868.com）
本站每項專利技術資料均含有正式專利全文說明書，含技術配方、加工工藝、質量標準、專利發明人姓名、發明人地址、專 利號、專利申請日期、權利要求書、說明書和附圖，并含國家發明專利、實用新型專利、科研成果、技術文獻、技術說明書、工藝流程等，是 專業技術人員研發產品和企業產品升級必備的寶貴資料。
凡在本站購買技術資料的客戶，可享受所購技術資 料3年內3次免費更新。保證100%正規專利，技術真實性保證100%，從國家專利局可以查詢，假一罰十。專業為單位或個人產品研發升 級創新提供一流的技術支持！
本站提供1000多萬項專利技術、科技文獻、科技論文：技術為從 1985年到今日的最全最新技術。您如果暫時在我檢索找不到需要的技術，可來電或在線QQ911342956咨詢！我們可為您專門定制一套！
購買 方式：
(1)、銀行匯款：(網頁標價均為網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞 公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國郵政銀行： 6210982250000577108 戶名：潘玉環
中國建設銀行：6227000601700008251 戶名：潘玉環
中國農業銀行： 6228481010628176818 戶名：潘玉環
中國工商銀行：0706002301102089632 戶名：潘玉環
中 國 銀 行：6013820500990868543 戶名：潘玉環
(2)、歡迎通過淘寶、拍拍等第三方平臺交易 ，請與QQ：911342956聯系辦理。
(3)、郵局地址匯款：117000遼寧本溪市溪湖東 路37號200-1-79號 收款人: 潘玉環
(4)、辦理貨到付款業務（比正常購買多 付20-30元費用），請與QQ：911342956聯系。
匯款后請用手機短信（15241901638）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓 名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
地址：遼寧本溪市溪湖東路37號200-1-79號
電 話：0414- 3582217
手 機：15241901638 13358890338
客服QQ：911342956
本公司供應及其,及其制造,半導體平面,注入半導體最新技術匯編(168元/全套) 歡迎選質量保證，歡迎咨詢洽談。
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
